專利名稱：像素電路的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明一般地涉及用于有源矩陣驅(qū)動的有機電致發(fā)光器件的像素電路。
背景技術(shù)：
有機發(fā)光二極管(OLED)包括特別優(yōu)選的形式的電光發(fā)射器。使用OLED來制造 的顯示器相對LCD及其他平板技術(shù)具有許多優(yōu)勢。它們是明亮的，開關(guān)快速的(與LCD相 比)，提供了寬視角并且在各種基板上制造是容易且廉價的。有機的(在此包括有機金屬的)LED可以使用包括聚合物、小分子及樹形化合 物(dendrimers)的材料來制造，顏色范圍取決于所使用的材料。在WO 90/13148、WO 95/06400及WO 99/48160中描述了基于聚合物的OLED的實例；在WO 99/21935和WO 02/067343中描述了基于樹形化合物的材料的實例；以及在US 4539507中描述了基于所謂 的小分子的器件的實例。參考圖1，0LED的一般的器件架構(gòu)包括透明的玻璃或塑料的基板1，以及氧化銦錫 的陽極2和陰極4。在陽極2和陰極4之間提供了有機電致發(fā)光層3。更多的層可以位于 陽極2和陰極4之間，例如電荷傳輸層、電荷注入層或電荷阻擋層。電致發(fā)光層3可以是圖形化的或是未圖形化的。例如，用作照明源的器件可以是 未圖形化的。包含圖形化的層的器件可以是無源矩陣顯示器或有源矩陣顯示器。在無源矩 陣顯示器中，陽極2由陽極材料的平行條形成而電致發(fā)光層3沉積于條狀的陽極2上。陰 極的平行條4被布置于電致發(fā)光層3之上，正交于陽極2的平行條。陰極4的相鄰條典型 地由通過光刻形成的絕緣材料的條(所謂的“陰極分隔物”)隔開。無源矩陣顯示器使用列 驅(qū)動器和行驅(qū)動器通過分別掃描顯示器以沿著分別由正交的陽極條和陰極條所代表的列 和行對單個像素尋址來驅(qū)動。所謂的有源矩陣顯示器典型地具有與圖形化的陽極2和未圖 形化的陰極4結(jié)合所使用的圖形化的電致發(fā)光層3。在有源矩陣的驅(qū)動方案中，顯示器的每 個像素包括其自身的關(guān)聯(lián)的驅(qū)動電路。驅(qū)動電路典型地至少包括存儲元件，例如電容器、地 址晶體管或開關(guān)晶體管及驅(qū)動晶體管。OLED器件可以是完全透明的，其中陽極2和陰極4兩者都是透明的。具有透明陰 極的所謂“頂發(fā)射”O(jiān)LED器件對有源矩陣器件是特別有利的，因為通過該器件中的透明陰極 的發(fā)射至少部分地由位于發(fā)射像素之下的驅(qū)動電路所阻擋。應(yīng)當意識到透明陰極的器件不需要具有透明的陽極(當然，除非想要完全透明的 器件)，所以用于底發(fā)射的器件的透明陽極可以用反射材料層(如鋁層)來替代或補充。例 如，在GB 2348316中公開了透明陰極的器件的實例。圖2示出了電壓控制的OLED有源矩陣像素電路10的實例。給顯示器的每個像素 提供了像素電路10并且提供地線(ground) 12、Vssl4、行選擇16總線線路(bus line)及 列數(shù)據(jù)18總線線路來使像素互連。因此，每個像素都具有電源連接和地線連接并且每行像 素都具有公共的行選擇線16以及每列像素都具有公共的數(shù)據(jù)線18。每個像素具有與在地線和電源線12、14之間的驅(qū)動晶體管(drivertransistor)22串聯(lián)連接的OLED 20。驅(qū)動晶體管22的柵極端子24與存儲電容器 26連接并且尋址晶體管28在行選擇線16的控制之下將柵極端子24連接至列數(shù)據(jù)線18。 尋址晶體管28是在行選擇線16被激活時將列數(shù)據(jù)線18連接至柵極端子24及電容器26的 薄膜場效應(yīng)晶體管(FET)開關(guān)。這樣，當尋址晶體管28導(dǎo)通時，列數(shù)據(jù)線18上的電壓能夠 存儲于電容器26上。這一般被認為是對像素電路進行編程。電壓在電容器26上保留至少 一個幀刷新周期，因為柵極與驅(qū)動晶體管22的連接的相對高的阻抗以及尋址晶體管28處 于截止狀態(tài)。驅(qū)動晶體管22典型地還是FET晶體管并且使由晶體管的柵極電壓減閾值電壓所 決定的(漏極_源極)電流通過。因此，柵極端子24上的電壓控制著通過OLED 20的電流 并從而控制著OLED 20的亮度。特別是因為OLED 20的發(fā)射非線性地取決于所施加的電壓， 圖2的電壓控制電路可能受到許多缺點的妨礙，而電流的控制是優(yōu)選的，因為OLED的光輸 出與通過它的電流成比例。圖3(在圖3中，與圖2的元素相似的元素由相似的參考數(shù)字表 示)示出了圖2的電路的一種使用電流控制的變型。由電流發(fā)生器30設(shè)置的在(列)數(shù) 據(jù)線上的電流對通過FET32的電流“編程”，這轉(zhuǎn)而設(shè)置通過OLED 20的電流，因為晶體管 28a導(dǎo)通時(匹配的)晶體管32和驅(qū)動晶體管22形成電流鏡。在有源矩陣驅(qū)動電路包括有機薄膜晶體管(OTFT)或由LTP(低溫度多晶硅)制造 的晶體管的情形中，晶體管一般被稱作P型器件。在有源矩陣驅(qū)動電路包括由氫化的非晶硅(a_Si:H)制造的晶體管的情形中，晶 體管一般被稱作η型器件。在FET技術(shù)(a-Si:H和LTP)中遇到的一個問題是用于連續(xù)工作的閾值電壓(Vth) 的漂移。一般地，a_Si:H晶體管的Vth的漂移對電壓應(yīng)力是很敏感的。施加大于驅(qū)動晶體 管所需的閾值的高電壓會引起閾值電壓的大變化。這使其自身表現(xiàn)為對于相同的所施加的 編程信號使不同的驅(qū)動晶體管流向OLED不同的驅(qū)動電流。因此，這可能導(dǎo)致跨越顯示器的 像素亮度的非線性的問題。解決上述問題的一種途徑已經(jīng)由Shirasaki. T等人(以下稱為Shirasaki)在 "Solution for Large-Area Full-Color OLED TelevisionLight Emitting Polymer and a-Si TFT Technologies"(卷 II，p275-278, Proceedings of International Display Workshop (IDff), 2004 年 12 月以及可于 http //hat-lab. ed. kyushau. ac. jp//Documents/ AMD3_0LED5-l.pdf在線獲得)中提出。該文獻公開了三晶體管的a_Si TFT像素電路，據(jù)稱 在該像素電路中像素電路和驅(qū)動方案能夠補償由閾值電壓的漂移所引起的不穩(wěn)定性。參考圖4a和圖4b，其中在圖4a中示出了 Shirasaki的像素電路并且在圖4b中示出了圖4a的像素電路的關(guān)聯(lián)時序圖，可以看出在驅(qū)動像素電路期間源電壓Vs_。e必須被改 變使得Vswra在寫階段期間為低電平而在保持或驅(qū)動階段期間Vswra返回到高電平。在某 些情形中，這可能不是所希望的，例如，如果使用現(xiàn)有的“現(xiàn)成”的驅(qū)動器元件，則標準的IXD 行驅(qū)動器可能不能夠提供這些變化的非標準信號。Vswra的調(diào)制還能夠引起電容的某些修 改從而減小驅(qū)動電流It3至預(yù)期以下。給補償方案所提出的其他方法需要更復(fù)雜的像素電路配置及驅(qū)動方案。在任何器 件中，與使制造保持簡單的需要一起存在著用于另加的器件的“不動產(chǎn)”數(shù)量的上限。而且， 作為器件所引入的器件或線路越多，則一般定義為與由總線線路或器件所使用的空間相比由可視的發(fā)射像素所占用的空間的顯示器的口徑比(aperture ratio)就被減小。隨時間而影響OLED的光發(fā)射的另一參數(shù)來自O(shè)LED自身并且特別是由于OLED的 老化。隨著OLED老化，它們一般變得效率較低從而引起光輸出的損失。該光輸出損失一般 被認為是由電流-光子轉(zhuǎn)換效率的減小以及由OLED電阻的增加所引起，其中OLED電阻的 增加導(dǎo)致對于給定的驅(qū)動信號的通過OLED的電流的減小。希望提供設(shè)法對像素電路的驅(qū)動晶體管中的閾值變化進行補償?shù)母倪M的像素電路。還希望提供設(shè)法對OLED老化進行補償?shù)母倪M的像素電路。還希望提供減小總線線路的數(shù)量使得能夠增加器件的口徑比的改進的像素電路。

發(fā)明內(nèi)容
根據(jù)本發(fā)明的第一方面，提供了一種用于驅(qū)動有機發(fā)光二極管(OLED)的像素驅(qū) 動器像素驅(qū)動電路，包括第一選擇線；第二選擇線；數(shù)據(jù)線；第一電壓供應(yīng)線；以及驅(qū)動晶 體管，該驅(qū)動晶體管具有在一端與第一電壓供應(yīng)線連接的而在另一端與OLED連接的電流 通路并且具有與存儲元件連接的柵極端子，該存儲元件連接于驅(qū)動晶體管的柵極和源極之 間以在第一開關(guān)晶體管的控制之下為驅(qū)動晶體管存儲驅(qū)動信號，該第一開關(guān)晶體管具有與 第一選擇線間的柵極連接并且具有連接于驅(qū)動晶體管的柵極和漏極之間的電流通路；第二 開關(guān)晶體管，具有與第二選擇線間的柵極連接，其中第二開關(guān)晶體管具有在一端與數(shù)據(jù)線 連接而在另一端則與位于驅(qū)動晶體管和OLED之間的節(jié)點連接的電流通路。在另一種實施方案中提供了第三選擇線以及具有與第三選擇線間的柵極連接的 第三開關(guān)晶體管，其中第三開關(guān)晶體管位于在OLED與驅(qū)動晶體管之間串聯(lián)的驅(qū)動晶體管 的電流通路中。優(yōu)選地，第一選擇線是非反相選擇線而第三選擇線是反相選擇線使得當?shù)谝贿x擇 線為“高”時第三選擇線為“低”。更優(yōu)選地，第一及第二選擇線是公共的。優(yōu)選地，第一電壓供應(yīng)線和另一選擇線被形成為組合的電壓供應(yīng)及選擇線。優(yōu)選地，第一電壓供應(yīng)線和另一選擇線被形成為組合的電壓供應(yīng)及選擇線，以及 其中第一及第二選擇線是公共的。在另一種實施方案中，另一選擇線是共享公共的數(shù)據(jù)線的相鄰像素電路的第一選 擇線。在本發(fā)明的實施方案中，驅(qū)動晶體管是η型晶體管并且優(yōu)選用非晶硅來制造。優(yōu)選地，OLED具有電流通路使得OLED的陽極端子連接至驅(qū)動晶體管。本發(fā)明還提供了如上所述的且按行和列布置的多個像素驅(qū)動器電路，每個數(shù)據(jù)線 由列中的每個像素電路與每個組合的電壓供應(yīng)線所共享以及全部選擇線由行中的每個像 素電路所共享，其中，對于特別的列及在尋址期間，第η-1個像素驅(qū)動器電路的組合的電壓 供應(yīng)及選擇線充當?shù)降讦莻€像素驅(qū)動器電路的第一電壓供應(yīng)線，以及第η+1個像素驅(qū)動器 電路的組合的電壓供應(yīng)及選擇線充當?shù)降讦莻€像素驅(qū)動器電路的選擇線。優(yōu)選地，按行和列來布置像素驅(qū)動器電路以形成顯示器并且每個數(shù)據(jù)線由列中的 每個像素電路所共享而每個選擇線則由行中的每個像素電路所共享。
優(yōu)選地，第二開關(guān)晶體管與電壓感測器件連接，該電壓感測器件感測OLED兩端的 電壓降并且產(chǎn)生感測的電壓降信號給控制器以響應(yīng)于感測的電壓降信號來調(diào)整驅(qū)動信號。更優(yōu)選地，將感測的電壓降信號提供給用于為特性的OLED存儲代表電壓與驅(qū)動 信號之間的關(guān)系的電壓數(shù)據(jù)的查找表，并且控制器被編程以響應(yīng)于該關(guān)系來調(diào)整驅(qū)動信號。在實施方案中，電壓感測器件用于感測顯示器的全部OLED的電壓降并且提供了 多個電壓感測器件，其中每個電壓感測器件都用于感測顯示器的OLED的一個子集的電壓 降。由電壓感測器件感測的感測電壓降能夠是多個OLED的電壓降的結(jié)合。優(yōu)選地，本發(fā)明還提供了還包括用于通過感測的電壓降信號來確定像素驅(qū)動器電 路的晶體管的晶體管特性的模塊的有源矩陣顯示器件。所確定的晶體管特性能夠是驅(qū)動晶體管的閾值電壓漂移。優(yōu)選地，像素驅(qū)動器電 路是電流編程的。根據(jù)本發(fā)明的第二方面，提供了一種用于驅(qū)動有機發(fā)光二極管(OLED)的像素驅(qū) 動器電路，包括第一選擇線；數(shù)據(jù)線；第一電壓供應(yīng)線；以及驅(qū)動晶體管，該驅(qū)動晶體管具 有在一端與第一電壓供應(yīng)線連接而在另一端與OLED連接的電流通路以及與存儲元件連接 的柵極端子，其中該存儲元件與數(shù)據(jù)線連接以在具有與第一選擇線間的柵極連接的第一及 第二開關(guān)晶體管的控制之下為驅(qū)動晶體管存儲驅(qū)動信號；具有與第二選擇線間的柵極連接 的第三開關(guān)晶體管，其中該第三開關(guān)晶體管位于在OLED與驅(qū)動晶體管之間串聯(lián)的驅(qū)動晶 體管的電流通路中。優(yōu)選地，第一選擇線是非反相選擇線而第二選擇線是反相選擇線使得當?shù)谝贿x擇 線為“高”時第二選擇線為“低”。更優(yōu)選地，第一電壓供應(yīng)線和另一選擇線被形成為組合的 電壓供應(yīng)及選擇線以及可選地該另一選擇線是第一選擇線。


本發(fā)明的實施方案現(xiàn)在將參考附圖只通過實例的方式來描述，在附圖中圖1是現(xiàn)有技術(shù)的有機電致發(fā)光器件的實例；圖2是現(xiàn)有技術(shù)的電壓驅(qū)動的有源矩陣OLED像素電路的實例；圖3是現(xiàn)有技術(shù)的電流驅(qū)動的有源矩陣OLED像素電路的實例；圖4a是現(xiàn)有技術(shù)的電流驅(qū)動的有源矩陣OLED像素電路的實例；圖4b是圖4a中所示出的像素電路的時序圖；圖5是根據(jù)本發(fā)明的第一實施方案的像素電路；圖6是根據(jù)本發(fā)明的第二實施方案的像素電路；以及圖7是根據(jù)本發(fā)明的第三實施方案的像素電路。
具體實施例方式參考圖5，本發(fā)明的第一實施方案示出了像素電路50。這樣的像素電路50被提供 給像素的整個顯示器(沒有示出)的每個OLED 52。提供了地線54、供應(yīng)電壓軌56、第一行 選擇線58及列數(shù)據(jù)線60來使像素互連。還提供了第二行選擇線62來使像素互連。因此，每個像素電路50具有公共的地線54、供應(yīng)電壓軌56，并且每個像素都具有公共的第一及第二行選擇線58、62及列數(shù)據(jù)線 60。 OLED 52在供應(yīng)電壓軌56與地線54之間與第一晶體管64及驅(qū)動晶體管66串聯(lián) 連接。OLED 52的陰極端子與地線54連接，而陽極端子則通過與第一晶體管64及驅(qū)動晶體 管66串聯(lián)連接來而與供應(yīng)電壓軌56連接。第一晶體管64的柵極端子連接至第二行選擇 線62并由此處于其控制之下。驅(qū)動晶體管66具有與存儲電容器68的第一端子連接的柵極端子，該存儲電容器 68的第二端子與開關(guān)晶體管70的第一端子連接。開關(guān)晶體管70的柵極端子連接至第一 行選擇線58并由此處于其控制之下。開關(guān)晶體管70的第二端子與列數(shù)據(jù)線60連接。第 二晶體管72具有與第一行選擇線58連接并由此處于其控制之下的柵極端子，與存儲晶體 管68的第一端子及驅(qū)動晶體管66的柵極端子連接的第一端子以及與供應(yīng)電壓軌56連接 的第二端子。在工作中，像素電路50包括從供應(yīng)電壓軌56到地線54施加于像素電路50兩端 的供應(yīng)電壓Vdd。編程階段包括第一行選擇線58為“高”由此使晶體管70及第二晶體管72 導(dǎo)通。同時，與第一行選擇線58相比為反相的行選擇線的第二行選擇線62為“低”并使第 一晶體管64截止。于是使OLED 52與電壓供應(yīng)線分離，去除了調(diào)制在低電平與高電平之間 的供應(yīng)電壓的需要。因此，在列數(shù)據(jù)線60上的電壓能夠存儲于電容器68上。在發(fā)射階段 期間，第一行選擇線為“低”由此使開關(guān)晶體管70及第二晶體管72截止。同時，第二行選 擇線62為“高”，使驅(qū)動晶體管66和第一晶體管64能夠?qū)?漏極-源極)電流流到OLED 52。圖5(及以下的圖6和圖7)的像素電路50是電流控制的，同時在列數(shù)據(jù)線60上 加入了電流發(fā)生器(沒有示出)，如在本領(lǐng)域中所已知的。參考圖6，其中與圖5的元素相似的元素由相似的參考數(shù)字指示，本發(fā)明的第二實 施方案示出了像素電路100。像素電路100包括附加的行選擇線102。開關(guān)晶體管70具有與附加的行選擇線102連接并由此處于該附加的行選擇線102 的控制之下的柵極端子，以及與存儲電容器68的第二端子連接的第一端子和與列數(shù)據(jù)線 60連接的第一端子。在工作中，在像素電路100的編程階段中，供應(yīng)電壓Vdd保持于低電位使得在OLED 52兩端基本上是零電位差。在編程階段期間，第一行選擇線58和附加的行選擇線102兩者 都是“高”，由此列數(shù)據(jù)線60上的電壓能夠存儲于電容器68上。在發(fā)射階段期間，供應(yīng)電壓 Vdd轉(zhuǎn)到高電位并且第一行選擇線58及附加的行選擇電路102是“低”。因此，驅(qū)動晶體管 66使(漏極-源極)電流能夠通過OLED 52。如圖6所示的本實施方案包括測量階段，由此附加的選擇線102為“高”并使列數(shù) 據(jù)線60上的電壓降能夠在OLED 52兩端由節(jié)點104到地線54進行測量。因為已知在OLED 兩端的電壓降由于有機材料的老化會改變，所以所測得的電壓降表示出該老化并且能夠被 用來補償該老化。該電壓降可以被測量并且與查找表比較，其中該查找表經(jīng)由控制器可以 要求用列數(shù)據(jù)線60上的較高的或較低的驅(qū)動信號(電壓或電流)來對像素電路100編程。 單個像素可以通過這種方式來補償，或者許多像素則可以逐行地測量并補償，或者器件可 以作為一個整體來補償。許多OLED 52上的電壓降可以由許多OLED 52上的電壓降的組合來獲得。參考圖7，本發(fā)明的第三實施方案示出了兩個像素電路200和250。在圖7中，與在圖5及圖7中所描述的元素相似的元素由相似的參考數(shù)字指示。參考圖7，像素電路250 的電壓供應(yīng)線252與相鄰的像素電路200的行選擇線254共享。因此，減少了器件的總線 線路的數(shù)量。因而電壓供應(yīng)線及行選擇線被組合并在許多像素電路之間共享。如果要求減小器件中的總線線路的總數(shù)，則像素電路的這種實施方案可以與實施 方案1及2 —同合并或單獨合并。而且，如果希望實現(xiàn)能夠在不需要調(diào)制供應(yīng)電壓的情況 下給OLED老化提供補償?shù)南袼仉娐?，則實施方案1可以與實施方案2結(jié)合。無疑，本領(lǐng)域技術(shù)人員將會想到其他許多有效的可選方案。應(yīng)當理解，本發(fā)明并不 限于所描述的實施方案而是包括在所附的權(quán)利要求精神及范圍之內(nèi)的對本領(lǐng)域技術(shù)人員 來說顯而易見的修改。
權(quán)利要求
一種用于驅(qū)動有機發(fā)光二極管(OLED)的像素驅(qū)動器電路，包括第一選擇線；第二選擇線；數(shù)據(jù)線；第一電壓供應(yīng)線；以及驅(qū)動晶體管，該驅(qū)動晶體管具有在一端與所述第一電壓供應(yīng)線連接而在另一端與所述OLED連接的電流通路并且具有與存儲元件連接的柵極端子，該存儲元件連接于所述驅(qū)動晶體管的柵極和源極之間以在第一開關(guān)晶體管的控制之下為所述驅(qū)動晶體管存儲驅(qū)動信號，該第一開關(guān)晶體管具有與所述第一選擇線的柵極連接并且具有連接于所述驅(qū)動晶體管的柵極和漏極之間的電流通路；第二開關(guān)晶體管，具有與所述第二選擇線的柵極連接，其中所述第二開關(guān)晶體管具有在一端與所述數(shù)據(jù)線連接而在另一端則與位于所述驅(qū)動晶體管與所述OLED之間的節(jié)點連接的電流通路。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的像素驅(qū)動器電路，還包括第三選擇線以及具有與該第三選擇 線的柵極連接的第三開關(guān)晶體管，其中所述第三開關(guān)晶體管位于在所述OLED與所述驅(qū)動 晶體管之間串聯(lián)的所述驅(qū)動晶體管的電流通路中。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的像素驅(qū)動器電路，其中所述第一選擇線是非反相選擇線而所 述第三選擇線是反相選擇線使得當所述第一選擇線為高電平時所述第三選擇線為低電平。
4.根據(jù)權(quán)利要求2或3所述的像素驅(qū)動器電路，其中所述第一和第二選擇線是公共的。
5.根據(jù)權(quán)利要求1到4中任一項所述的像素驅(qū)動器電路，其中所述第一電壓供應(yīng)線和 另一選擇線被形成為聯(lián)合的電壓供應(yīng)及選擇線。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的像素驅(qū)動器電路，其中所述第一電壓供應(yīng)線和另一選擇線被 形成為聯(lián)合的電壓供應(yīng)及選擇線，并且其中所述第一和第二選擇線是公共的。
7.根據(jù)權(quán)利要求5或6所述的像素驅(qū)動器電路，其中所述另一選擇線是共享公共的數(shù) 據(jù)線的相鄰像素電路的第一選擇線。
8.根據(jù)以上權(quán)利要求中任一項所述的像素驅(qū)動器電路，其中所述驅(qū)動晶體管是η型晶 體管。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的像素電路，其中所述驅(qū)動晶體管是非晶硅晶體管。
10.根據(jù)以上權(quán)利要求中任一項所述的像素電路，其中所述OLED具有電流通路使得所 述OLED的陽極端子連接至所述驅(qū)動晶體管。
11.根據(jù)權(quán)利要求5到10中任一項所述的并且按行和列布置的多個像素驅(qū)動器電路， 每個數(shù)據(jù)線由列中的每個像素電路與每個聯(lián)合的電壓供應(yīng)線所共享并且全部選擇線由行 中的每個像素電路所共享，其中，對于特定的列及在尋址期間，第η-1個像素驅(qū)動器電路的 聯(lián)合的電壓供應(yīng)及選擇線充當?shù)降讦莻€像素驅(qū)動器電路的所述第一電壓供應(yīng)線，并且第 η+1個像素驅(qū)動器電路的聯(lián)合的電壓供應(yīng)及選擇線充當?shù)降讦莻€像素驅(qū)動器電路的選擇 線。
12.—種有源矩陣顯示器件，包括根據(jù)以上權(quán)利要求中任一項所述的像素驅(qū)動器電路 的陣列，其中所述像素驅(qū)動器電路按行和列來布置以形成所述顯示器，并且每個數(shù)據(jù)線由 列中的每個像素電路所共享而每個選擇線則由行中的每個像素電路所共享。
13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的有源矩陣顯示器件，其中所述第二開關(guān)晶體管與電壓感測器件連接，該電壓感測器件感測OLED兩端的電壓降并且產(chǎn)生感測的電壓降信號給控制器 以響應(yīng)于所述感測的電壓降信號來調(diào)整所述驅(qū)動信號。
14.根據(jù)權(quán)利要求13所述的有源矩陣顯示器件，其中將所述感測的電壓降信號提供給 用于為特性O(shè)LED存儲代表電壓與驅(qū)動信號之間的關(guān)系的電壓數(shù)據(jù)的查找表，并且所述控 制器被編程以響應(yīng)于該關(guān)系來調(diào)整所述驅(qū)動信號。
15.根據(jù)權(quán)利要求13或14所述的有源矩陣顯示器件，其中所述電壓感測器件用于感測 所述顯示器的全部OLED的電壓降。
16.根據(jù)權(quán)利要求13或14所述的有源矩陣顯示器件，其中提供了多個電壓感測器件， 每個電壓感測器件用于感測所述顯示器的OLED的一個子集上的電壓降。
17.根據(jù)權(quán)利要求13到16中任一項所述的有源矩陣顯示器件，其中由所述電壓感測器 件感測的所述感測的電壓降是多個OLED兩端的電壓降的組合。
18.根據(jù)權(quán)利要求13到17中任一項所述的有源矩陣顯示器件，還包括用于由所述感測 的電壓降信號來確定像素驅(qū)動器電路的晶體管的晶體管特性的模塊。
19.根據(jù)權(quán)利要求18所述的有源矩陣顯示器件，其中所述晶體管特性是所述驅(qū)動晶體 管的閾值電壓漂移。
20.根據(jù)權(quán)利要求11到18中任一項所述的有源矩陣顯示器件，其中所述像素驅(qū)動器電 路是電流編程的。
21.一種用于驅(qū)動有機發(fā)光二極管(OLED)的像素驅(qū)動器電路，包括第一選擇線；數(shù)據(jù)線；第一電壓供應(yīng)線；以及驅(qū)動晶體管，該驅(qū)動晶體管具有在一端與所述第一電壓供應(yīng)線連接而在另一端與所述 OLED連接的電流通路以及與存儲元件連接的柵極端子，該存儲元件與所述數(shù)據(jù)線連接以在 具有與所述第一選擇線的柵極連接的第一及第二開關(guān)晶體管的控制之下為所述驅(qū)動晶體 管存儲驅(qū)動信號；第三開關(guān)晶體管，具有與第二選擇線的柵極連接，其中該第三開關(guān)晶體管位于在所述 OLED與驅(qū)動晶體管之間串聯(lián)的所述驅(qū)動晶體管的所述電流通路中。
22.根據(jù)權(quán)利要求20所述的像素驅(qū)動器電路，其中所述第一選擇線是非反相選擇線而 所述第二選擇線是反相選擇線使得當所述第一選擇線為高電平時所述第二選擇線為低電 平。
23.根據(jù)權(quán)利要求20或21所述的像素驅(qū)動器電路，其中所述第一電壓供應(yīng)線和另一選 擇線被形成為聯(lián)合的電壓供應(yīng)及選擇線。
24.根據(jù)權(quán)利要求22所述的像素驅(qū)動器電路，其中所述另一選擇線是所述第一選擇線。
25.一種像素驅(qū)動電路，基本上如上文所描述的和/或參考附圖中的圖5、6及7。
26.一種有源矩陣顯示器件，基本上如上文所描述的和/或參考附圖中的圖5、6及7。
全文摘要
提供了一種用于有源矩陣驅(qū)動有機發(fā)光二極管(OLED)的像素驅(qū)動器電路。該像素電路的特征在于包括具有在一端與第一電壓供應(yīng)線連接的而在另一端與OLED連接的電流通路并且具有與存儲元件連接的柵極端子的驅(qū)動晶體管，其中該存儲元件連接于該驅(qū)動晶體管的柵極和源極之間以在第一開關(guān)晶體管的控制之下為驅(qū)動晶體管存儲驅(qū)動信號，其中該第一開關(guān)晶體管具有與所述第一選擇線的柵極連接并且具有連接于驅(qū)動晶體管的柵極和漏極之間的電流通路；具有與第二選擇線的柵極連接的第二開關(guān)晶體管，其中該第二開關(guān)晶體管具有在一端與數(shù)據(jù)線連接而在另一端則與位于驅(qū)動晶體管及OLED之間的節(jié)點連接的電流通路。
文檔編號G09G3/32GK101816034SQ200880110126
公開日2010年8月25日 申請日期2008年9月26日 優(yōu)先權(quán)日2007年10月5日
發(fā)明者E·史密斯 申請人:劍橋顯示技術(shù)有限公司