專利名稱：等離子體顯示裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
示例性實施方式涉及等離子體顯示裝置。
背景技術(shù)：
等離子體顯示裝置包括等離子體顯示板。等離子體顯示板包括位于由間隔壁分隔開的放電單元內(nèi)的熒光體層和多個電極。當對等離子體顯示板的電極施加驅(qū)動信號時，在放電單元內(nèi)部產(chǎn)生放電。換言之， 當通過對放電單元施加驅(qū)動信號而使得等離子體顯示板放電時，填充在放電單元中的放電 氣體產(chǎn)生真空紫外線，由此使位于間隔壁之間的熒光體發(fā)光，因此產(chǎn)生可見光。由于該可見 光而在等離子體顯示板的屏幕上顯示圖像。

發(fā)明內(nèi)容


圖1示出根據(jù)示例性實施方式的等離子體顯示裝置的結(jié)構(gòu)；圖2示出根據(jù)示例性實施方式的等離子體顯示板的結(jié)構(gòu)；圖3示出用于實現(xiàn)等離子體顯示裝置中的圖像的灰度級的幀；圖4例示等離子體顯示裝置的操作的示例；圖5示出熒光體層；圖6例示制造熒光體層的方法的示例；圖7和圖8是用于說明添加劑材料的效果的圖；圖9是用于說明添加劑材料的含量的圖；圖10示出熒光體層的另一結(jié)構(gòu)；圖11例示圖10的熒光體層的制造方法的示例；圖12是用于說明選擇性地使用添加劑材料的方法的圖；圖13是用于說明提供數(shù)據(jù)信號的方法的圖；圖14和圖15是用于說明提供掃描信號的方法的圖；圖16是用于說明提供數(shù)據(jù)信號的另一方法的圖；圖17是用于說明提供掃描信號的另一方法的圖；以及圖18和圖19是用于說明掃描信號的寬度的圖。
具體實施例方式圖1示出根據(jù)示例性實施方式的等離子體顯示裝置的結(jié)構(gòu)。如圖1所示，根據(jù)示例性實施方式的等離子體顯示裝置包括等離子體顯示板100 和驅(qū)動器110。等離子體顯示板100包括彼此平行地設(shè)置的掃描電極Yl-Yn和維持電極Zl-Zn，以及與掃描電極Yl-Yn和維持電極Zl-Zn交叉地設(shè)置的尋址電極Xl_Xm。驅(qū)動器110向掃描電極、維持電極或?qū)ぶ冯姌O中的至少一個提供驅(qū)動信號，由此 在等離子體顯示板100的屏幕上顯示圖像。盡管圖1示出了驅(qū)動器110形成為信號板的形式的情況，但驅(qū)動器110可以根據(jù) 在等離子體顯示板100中形成的電極而形成為多個板的形式。例如，驅(qū)動器110可以包括 用于驅(qū)動掃描電極Yl-Yn的第一驅(qū)動器(未示出)、用于驅(qū)動維持電極Zl-Zn的第二驅(qū)動器 (未示出)、以及用于驅(qū)動尋址電極Xl-Xm的第三驅(qū)動器(未示出)。
圖2示出根據(jù)示例性實施方式的等離子體顯示板的結(jié)構(gòu)。如圖2所示，根據(jù)示例性實施方式的等離子體顯示板100可以包括前基板201和 后基板211，在前基板201上彼此平行地設(shè)置有掃描電極202和維持電極203，在后基板211 上與掃描電極202和維持電極203交叉地設(shè)置有尋址電極213。上介電層204可以設(shè)置在掃描電極202和維持電極203上，以限制掃描電極202 和維持電極203的放電電流并提供掃描電極202和維持電極203之間的電絕緣。保護層205可以設(shè)置在上介電層204上以幫助形成放電條件。保護層205可以包 括具有高的二次電子發(fā)射系數(shù)的材料，例如氧化鎂(MgO)?？梢栽趯ぶ冯姌O213上設(shè)置下介電層215，以覆蓋尋址電極213并提供尋址電極 213的電絕緣。帶型、阱(well)型、三角(delta)型、蜂窩型等的間隔壁112可以設(shè)置在下介電層 215上以對放電空間(即放電單元)進行分隔。因此，發(fā)射紅(R)光的第一放電單元、發(fā)射 藍(B)光的第二放電單元、和發(fā)射綠(G)光的第三放電單元等可以設(shè)置在前基板201和后 基板211之間。除了第一、第二和第三放電單元之外，還可以設(shè)置發(fā)射白(W)光或者黃(Y) 光的第四放電單元。第一、第二和第三放電單元的寬度彼此可以大致相等。另外，第一、第二和第三放 電單元中的至少一個的寬度可以不同于其他放電單元的寬度。例如，第一放電單元的寬度 可以是最小的，第二和第三放電單元的寬度可以大于第一放電單元的寬度。第二放電單元 的寬度可以大致等于或者不同于第三放電單元的寬度。因此，可以提高顯示在等離子體顯 示板100上的圖像的色溫。除了圖2所示的間隔壁212的結(jié)構(gòu)之外，等離子體顯示板100還可以具有多種形 式的間隔壁結(jié)構(gòu)。例如，間隔壁212包括第一間隔壁212b和第二間隔壁212a。間隔壁212 可以具有其中第一間隔壁212b和第二間隔壁212a的高度彼此不同的差分型間隔壁結(jié)構(gòu)、 其中在第一間隔壁212b或第二間隔壁212a的至少一個上形成有可用作排放路徑的通道的 通道型間隔壁結(jié)構(gòu)、其中在第一間隔壁212b或第二間隔壁212a的至少一個上形成有空洞 的中空型間隔壁結(jié)構(gòu)等。在差分型間隔壁結(jié)構(gòu)中，第一間隔壁212b的高度可以小于第二間隔壁212a的高 度。在通道型間隔壁結(jié)構(gòu)中，可以在第一間隔壁212b上形成通道。盡管圖2已示出并描述了第一、第二和第三放電單元設(shè)置在同一行的情況，但第 一、第二和第三放電單元可以按照不同模式設(shè)置。例如，可以應(yīng)用其中第一、第二和第三放 電單元按照三角形形狀設(shè)置的三角型設(shè)置。此外，除了矩形形狀之外，放電單元還可以具有 諸如五邊形和六邊形的各種多邊形形狀。
由間隔壁212隔開的放電單元中的每一個可以填充有放電氣體。熒光體層214可以設(shè)置在放電單元內(nèi)，以在地址放電期間發(fā)射可見光以進行圖像 顯示。例如，分別產(chǎn)生紅色、藍色和綠色光的第一、第二和第三熒光體層可以設(shè)置在放電單 元內(nèi)。除了第一、第二和第三熒光體層之外，還可以設(shè)置產(chǎn)生白色和/或黃色光的第四熒光 體層。第一、第二和第三熒光體層中的至少一個的厚度可以不同于其他熒光體層的厚 度。例如，第二熒光體層或第三熒光體層的厚度可以大于第一熒光體層的厚度。第二熒光 體層的厚度可以大致等于或不同于第三熒光體層的厚度。在圖2中，上介電層204和下介電層205各自具有單層結(jié)構(gòu)。但是，上介電層204和下介電層205中的至少一個可以具有多層結(jié)構(gòu)。在間隔壁212上還可以設(shè)置能夠吸收外部光的黑層(未示出)，以防止間隔壁212 反射外部光。另外，在前基板201的預(yù)定位置處還可以設(shè)置另一黑層(未示出)以對應(yīng)于 間隔壁212。盡管尋址電極213可以具有大致恒定的寬度或厚度，但放電單元內(nèi)的尋址電極 213的寬度或厚度可以不同于放電單元外的尋址電極213的寬度或厚度。例如，放電單元內(nèi) 的尋址電極213的寬度或厚度可以大于放電單元外的尋址電極213的寬度或厚度。圖3示出用于實現(xiàn)等離子體顯示裝置中的圖像的灰度級的幀。如圖3所示，用于實現(xiàn)根據(jù)本示例性實施方式的等離子體顯示裝置顯示的圖像的 灰度級的幀分為各自具有不同發(fā)射次數(shù)的幾個子場。各子場細分為用于使全部單元初始化的復(fù)位時段、用于選擇要放電的單元的地址 時段、和用于根據(jù)放電數(shù)量表示灰度級的維持時段。例如，如果要顯示具有256級灰度的圖像，則如圖3所示，將一幀劃分為8個子場 SFl至SF8。8個子場SFl至SF8中的每一個細分為復(fù)位時段、地址時段、和維持時段。在維持時段內(nèi)提供的維持信號的數(shù)量確定各個子場的子場權(quán)重。例如，在將第一 子場SFl的子場權(quán)重設(shè)置在2°并且將第二子場的子場權(quán)重設(shè)置在21的這樣的方法中，各子 場的子場權(quán)重按照2"(其中，11 = 0、1、2、3、4、5、6、7)的比率增加。通過根據(jù)各子場的子場 權(quán)重來控制各個子場的維持時段內(nèi)提供的維持信號的數(shù)量，從而可以顯示各種圖像。盡管圖3已示出并描述了一個幀包括8個子場的情況，但構(gòu)成一個幀的子場的數(shù) 量可以變化。例如，一個幀可以包括12個子場或10個子場。另外，盡管圖3已例示并描述了按照灰度級權(quán)重的升序設(shè)置的子場，但子場可以 按照灰度級權(quán)重的降序設(shè)置，或者子場可以與灰度級權(quán)重無關(guān)地設(shè)置。圖4例示等離子體顯示裝置的操作的示例。參照圖4描述的驅(qū)動信號由圖1的驅(qū) 動器110提供。如圖4所示，在用于初始化的復(fù)位時段RP內(nèi)，將復(fù)位信號提供到掃描電極Y。該復(fù) 位信號包括上升信號RU和下降信號RD。復(fù)位時段還分為向上時段SU和向下時段SD。在向上時段SU期間，將上升信號提供到掃描電極Y，由此在放電單元內(nèi)產(chǎn)生弱的 暗放電(即，向上放電)。因此，在放電單元內(nèi)積聚適當量的壁電荷。在向下時段SD期間，將極性與上升信號RU的極性相反的下降信號RD提供到掃描 電極Y，由此在放電單元內(nèi)產(chǎn)生弱的擦除放電(即，向下放電)。因此，剩余的壁電荷在放電單元內(nèi)部是均勻的，均勻程度使得能夠穩(wěn)定地進行地址放電。在復(fù)位時段RP之后的地址時段AP內(nèi)，大致維持在比下降信號RD的最低電壓V5 高的第六電壓V6的掃描偏壓信號Vsc提供到掃描電極Y。從掃描偏壓信號Vsc下降的掃描信號(Scan)提供到掃描電極Y。在至少一個子場的地址時段內(nèi)提供的掃描信號的寬度可以不同于在其他子場的 地址時段內(nèi)提供的掃描信號的寬度。某子場中的掃描信號的寬度可以大于按照時間順 序的下一子場中的掃描信號的寬度。例如，在連續(xù)設(shè)置的子場中，掃描信號的寬度可以 按照2. 6μ s、2. 3μ s、2. 1μ s、l. 9μ s等的順序逐漸降低，或者可以按照2. 6μ s、2. 3μ S、 2. 3μ s,2. 1μ s,......、1. 9μ s、l. 9μ s 等的順序降低。當將掃描信號(Scan)提供到掃描電極Y時，將對應(yīng)于掃描信號(Scan)的數(shù)據(jù)信 號(Data)提供到尋址電極X。由于掃描信號(Scan)與數(shù)據(jù)信號(Data)之間的電壓差加到在復(fù)位時段RP內(nèi)產(chǎn) 生的壁電壓，所以在被提供了數(shù)據(jù)信號(Data)的放電單元內(nèi)產(chǎn)生地址放電。在地址時段AP內(nèi)將維持偏壓信號Vzb提供到維持電極Z，以防止由于維持電極Z 的干擾而產(chǎn)生不穩(wěn)定的地址放電。維持偏壓信號Vzb可以大致保持在維持偏壓Vz。維持偏 壓Vz低于維持信號(Sus)的電壓Vs，高于地電平電壓GND。在地址時段AP之后的維持時段SP內(nèi)，可以將維持信號(Sus)提供到掃描電極Y 或維持電極Z中的至少一個。例如，交替地將維持信號(Sus)提供到掃描電極Y和維持電 極Z。由于通過執(zhí)行地址放電而選擇的放電單元內(nèi)的壁電壓加到維持信號(Sus)的維 持電壓Vs，所以每次提供維持信號(Sus)時，在掃描電極和維持電極之間發(fā)生維持放電，即 顯示放電。在至少一個子場的維持時段中提供多個維持信號，并且所述多個維持信號中的至 少一個的寬度可以不同于其它維持信號的寬度。例如，所述多個維持信號中首先提供的維 持信號的寬度可以大于其它維持信號的寬度。因此，維持放電能夠更穩(wěn)定地進行。圖5示出熒光體層。如圖5所示，熒光體層214包括熒光體材料的粒子1000和添加劑材料的粒子 1010。添加劑材料的粒子1010可以改善掃描電極和尋址電極之間的放電響應(yīng)特性或者 維持電極和尋址電極之間的放電響應(yīng)特性。這將在下面詳細地描述。當將掃描信號提供到掃描電極并且將數(shù)據(jù)信號提供到尋址電極時，可以在熒光體 材料的粒子1000的表面上積聚電荷。如果熒光體層214不包括添加劑材料，那么，由于熒光體層214的高度不均勻并且 熒光體材料的粒子的分布不均勻，電荷可能集中地積聚在熒光體層214的特定部分上。因 此，在熒光體層214的集中地積聚電荷的所述特定部分中可能出現(xiàn)相對較強的放電。此外，電荷可能集中地積聚在各放電單元的不同區(qū)域中，因此放電可能不穩(wěn)定地 并且不均勻地出現(xiàn)。在該情況下，所顯示圖像的圖像質(zhì)量可能惡化，因而觀看者可能看到諸 如斑點的噪聲。另一方面，在熒光體層214像示例性實施方式中一樣包括諸如MgO的添加劑材料的情況下，添加劑材料充當放電的催化劑。因此，在相對較低的電壓下在掃描電極和尋址電 極之間穩(wěn)定地發(fā)生放電。因此，在熒光體層214的集中地積聚電荷的所述特定部分中以相 對較高的電壓發(fā)生強放電之前，在熒光體層214的添加劑材料粒子所位于的部分中可以以 相對較低的電壓發(fā)生放電。因此，可以使各放電單元的放電特性均勻。這是由這樣的原因 引起的添加劑材料具有高的二次電子發(fā)射系數(shù)。
除了改善掃描電極和尋址電極之間或者維持電極和尋址電極之間的放電響應(yīng)特 性之外，添加劑材料沒有具體限制。添加劑材料的示例包括以下材料中的至少一種氧化鎂 (MgO)、氧化鋅(ZnO)、氧化硅(SiO2)、氧化鈦(TiO2)、氧化釔(Y2O3)、氧化鋁(Al2O3)、氧化鑭 (La2O3)、氧化銪(EuO)、氧化鈷、氧化鐵或CNT (碳納米管)。添加劑材料為MgO可能是有利 的。在熒光體層214的表面上的熒光體材料粒子1000的至少一個可以在朝向放電單 元的中央的方向上暴露。例如，由于添加劑材料粒子1010設(shè)置在熒光體層214的表面上的 熒光體材料粒子1000之間，所以可以暴露熒光體材料的至少一個粒子1000。如上所述，當在熒光體材料粒子1000之間設(shè)置有添加劑材料粒子1010時，可以改 善掃描電極和尋址電極之間或者維持電極和尋址電極之間的放電響應(yīng)特性。另外，由于可 以使由添加劑材料粒子1010覆蓋的熒光體材料粒子1000的表面面積最小，所以可以防止 亮度的過分降低。盡管沒有示出，但是，如果添加劑材料粒子1010均勻地涂布在熒光體層214的表 面上并且在熒光體層214的表面上形成由添加劑材料形成的層，則添加劑層覆蓋熒光體材 料粒子1000的大部分表面。因此，可能過分地降低了亮度。圖6例示制造熒光體層的方法的示例。如圖6所示，首先，在步驟SllOO制備添加劑材料的粉末。例如，對通過加熱Mg而 產(chǎn)生的Mg蒸氣執(zhí)行氣體氧化處理，以形成MgO的粉末。接著，在步驟S1110，將制備的添加劑粉末與溶劑混合。例如，將得到的MgO粉末與 甲醇混合，以制造添加劑膏或添加劑漿?？梢蕴砑诱澈蟿?，以調(diào)節(jié)添加劑膏或添加劑漿的粘度。隨后，在步驟S1120，在熒光體層上涂布添加劑膏或添加劑漿。在該情況下，調(diào)節(jié)添 加劑膏或添加劑漿的粘度，使得添加劑材料粒子順利地設(shè)置在熒光體材料粒子之間。隨后，在步驟S1130，執(zhí)行干燥處理或焙燒處理，因此，使得與添加劑材料混合的溶 劑蒸發(fā)，從而形成圖5的熒光體層。圖7和圖8是用于說明添加劑材料的效果的圖。圖7是示出對比例以及實驗示例1、2和3中的每一個的焙燒電壓、所顯示圖像的 亮度、和亮室對比度的表。亮室對比度測量在如下狀態(tài)下的對比度在亮室中顯示具有占據(jù) 45%的屏幕尺寸的窗口圖案的圖像。焙燒電壓是在掃描電極和尋址電極之間測量到的焙燒 電壓。在對比例中，熒光體層不包括添加劑材料。在實驗示例1中，熒光體層包括基于熒光體層的體積(volume)為3%的MgO作為 添加劑材料。在實驗示例2中，熒光體層包括基于熒光體層的體積為9%的MgO作為添加劑材料。在實驗示例3中，熒光體層包括基于熒光體層的體積為12%的MgO作為添加劑材 料。在對比例中，焙燒電壓為135V，而亮度為170cd/m2。在實驗示例1、2和3中，焙燒電壓為比對比例的焙燒電壓低的127V至129V，而亮 度為比對比例的亮度高的176cd/m2至178cd/m2。因為實驗示例1、2和3中的作為添加劑 材料的MgO材料的粒子充當放電的催化劑，所以降低了掃描電極和尋址電極之間的焙燒電 壓。另外，在實驗示例1、2和3中，因為在與對比例相同的電壓下產(chǎn)生的放電的強度由于焙 燒電壓的下降而增加，所以亮度進一 步增加。對比例的亮室對比度為55 1，而實驗示例1、2和3的亮室對比度為58 1至 61 1。從圖7可看到，實驗示例1、2和3的對比度特性比對比例的對比度特性更優(yōu)異。在實驗示例1、2和3中，在比對比例的焙燒電壓更低的焙燒電壓下出現(xiàn)均勻的放 電，因此，在實驗示例1、2和3中，在復(fù)位時段內(nèi)的光的量相對較小。在圖8中，(a)是示出實驗示例1、2和3中的光的量的曲線圖，而(b)是示出在對 比例中的光的量的曲線圖。如在圖8的(b)中所示，因為在不包括MgO材料的對比例中在較高電壓下出現(xiàn)瞬 時強放電，所以光的量可能瞬時增加。因此，對比度特性可能惡化。如在圖8的(a)中所示，因為在包括MgO材料的實驗示例1、2和3中在較低電壓 下出現(xiàn)放電，所以在復(fù)位時段內(nèi)弱的復(fù)位放電持續(xù)出現(xiàn)。因此，產(chǎn)生小的光量，可以改善對 比度特性。圖9是這樣的曲線圖在用作添加劑材料的MgO材料的體積基于熒光體層的體積 的百分比從0%變化至50%的情況下，測量地址放電的放電延遲時間。地址放電延遲時間表示在地址時段內(nèi)提供掃描信號和數(shù)據(jù)信號的時刻與在掃描 電極和尋址電極之間出現(xiàn)地址放電的時刻之間的時間間隔。如圖9所示，當MgO材料的體積百分比為0 (換言之，當熒光體層不包括MgO材料) 時，放電延遲時間可以是大約0. 8 μ S。當MgO材料的體積百分比為2%時，放電延遲時間降低到大約為0. 75 μ S。換言之， 因為MgO材料的粒子改善了掃描電極和尋址電極之間的放電響應(yīng)特性，所以可以改善地址 抖動特性。另外，當MgO材料的體積百分比為5%時，放電延遲時間可以是大約0.72 μ S。當 MgO材料的體積百分比為6%時，放電延遲時間可以是大約0. 63 μ S。當MgO材料的體積百分比處于10%與50%之間的范圍中時，放電延遲時間可以從 大約0. 55 μ S降低到0. 24 μ S。從圖9的曲線圖可看到，隨著MgO材料的含量增力Π，放電延遲時間可以降低。因此， 可以改善地址抖動特性。但是，地址抖動特性的改善寬度可能逐漸降低。在MgO材料的體 積百分比等于或大于40%的情況下，放電延遲時間的降低寬度可能較小。另一方面，在MgO材料的體積百分比過大的情況下，MgO材料的粒子可能過多地覆 蓋熒光體材料的粒子的表面。因此，可能降低亮度。因此，MgO材料基于熒光體層的體積的體積百分比可以大致處于2%與40%之間的范圍中或者6%與27%之間的范圍中，以降低放電延遲時間并且防止亮度的過分降低。熒光體層中包括的MgO材料粒子可以具有一個取向或者兩個或更多不同取向。例 如，可以僅使用(200)取向的MgO材料，或者可以使用(200)和(111)取向的MgO材料。但 是，可以一起使用(200)取向的MgO材料和(111)取向的MgO材料，以改善掃描電極和尋址 電極之間或者維持電極和尋址電極之間的放電響應(yīng)特性，并防止熒光體層的劣化。
例如，盡管(111)取向的MgO材料比(200)取向的MgO材料具有相對更高的二次 電子發(fā)射系數(shù)，但(111)取向的MgO材料比(200)取向的MgO材料具有相對較弱的濺射抵 抗性(sputter resistance) 0另外，(111)取向的MgO材料的壁電荷積聚特性比(200)取 向的MgO材料的壁電荷積聚特性弱。因此，在僅使用(111)取向的MgO材料的情況下，可以改善掃描電極和尋址電極之 間或者維持電極和尋址電極之間的放電響應(yīng)特性。但是，難以防止熒光體層的劣化。另一方面，在僅使用(200)取向的MgO材料的情況下，可以防止熒光體層的劣化。 但是難以改善掃描電極和尋址電極之間或者維持電極和尋址電極之間的放電響應(yīng)特性。因此，可以將(200)取向的MgO材料和(111)取向的MgO材料一起使用，以改善掃 描電極和尋址電極之間或者維持電極和尋址電極之間的放電響應(yīng)特性，并防止熒光體層的 劣化。在熒光體層包括MgO材料的情況下，積聚在熒光體層的表面上的電荷的量可以增 力口。結(jié)果，可能加速熒光體粒子的劣化。因此，具有相對較強的濺射抵抗性的(200)取向的 MgO材料的含量可以大于(111)取向的MgO材料的含量，以防止熒光體粒子的劣化。圖10示出熒光體層的另一結(jié)構(gòu)。如圖10所示，添加劑材料的粒子1010可以設(shè)置在熒光體層214的表面上、在熒光 體層214內(nèi)、以及在熒光體層214和下介電層215之間。當添加劑材料的粒子1010可以設(shè)置在熒光體層214的表面上、在熒光體層214 內(nèi)、以及在熒光體層214和下介電層215之間時，可以改善掃描電極和尋址電極之間或者維 持電極和尋址電極之間的放電響應(yīng)特性。圖11例示圖10的熒光體層的制造方法的示例。如圖11所示，在步驟S1600，制備添加劑材料的粉末。在步驟S1610，將制備的添加劑粉末與熒光體粒子混合。在步驟S1620，將添加劑粉末和熒光體粒子與溶劑混合。在步驟S1630，在放電單元內(nèi)涂布與溶劑混合的添加劑粉末和熒光體粒子。在涂布 處理中，可以使用滴涂(dispensing)方法。在步驟S1640，執(zhí)行干燥處理或焙燒處理，以使得溶劑蒸發(fā)。因此，形成具有圖10 中所示的結(jié)構(gòu)的熒光體層。圖12是用于說明選擇性地使用添加劑材料的方法的圖。如圖12所示，熒光體層包括發(fā)射紅色光的第一熒光體層214R、發(fā)射藍色光的第二 熒光體層214B、和發(fā)射綠色光的第三熒光體層214G。第一熒光體層214R、第二熒光體層 214B或第三熒光體層214G中的至少一個可以不包括添加劑材料。例如，如在(a)中所示，第一熒光體層214R包括第一熒光體材料的粒子1700，但不 包括添加劑材料。如在(b)中所示，第二熒光體層214B包括第二熒光體材料的粒子1710和添加劑材料的粒子1010。在該情況下，在第二熒光體層214B中產(chǎn)生的光的量可以增加， 因此可以改善色溫。在(b)中的第二熒光體材料的粒子1710的尺寸可以大于在(a)中的第一熒光體 材料的粒子1700的尺寸。在該情況下，在(b)中的第二熒光體層214B中的放電可能比(a) 中的第一熒光體層214R中的放電更不穩(wěn)定。但是，因為第二熒光體層214B包括添加劑材 料的粒子1010，所以可以使得第二熒光體層214B中的放電穩(wěn)定。圖13是用于說明提供數(shù)據(jù)信號的方法的圖。如圖13所示，驅(qū)動器可以包括數(shù)據(jù)驅(qū)動器1500、掃描驅(qū)動器1510和維持驅(qū)動器 1520。掃描驅(qū)動器1510將掃描信號提供到掃描電極Yl-Yn，維持驅(qū)動器1520將維持信號 提供到維持電極Zl-Zn，數(shù)據(jù)驅(qū)動器1500將數(shù)據(jù)信號提供到尋址電極Xl-Xm。按照相同方向?qū)?shù)據(jù)信號提供到所有尋址電極Xl-Xm。更具體地說，可以按照從數(shù) 據(jù)驅(qū)動器1500到掃描電極Yn的方向?qū)?shù)據(jù)信號提供到所有尋址電極Xl-Xm。換言之，提供 到所有尋址電極Xl-Xm的數(shù)據(jù)信號是由一個數(shù)據(jù)驅(qū)動器1500提供的。圖14和圖15是用于說明提供掃描信號的方法的圖。如圖14和圖15所示，在顯示圖像的有效區(qū)域中，在地址時段的不同時刻將所有掃 描信號提供到多個掃描電極Yl-Yn。例如，如圖14所示，可以將掃描信號(Scan)連續(xù)提供到掃描電極Yl_Yn。如圖15所示，在向奇數(shù)號掃描電極Υ1、Υ3、Υ5.......連續(xù)提供掃描信號(Scan)
后，向偶數(shù)號掃描電極Y2、Y4、Y6.......連續(xù)提供掃描信號(Scan)。盡管未示出，但是在有效區(qū)域之外的啞區(qū)域(dummy area)中可以設(shè)置啞掃描電極 (dummy scan electrode)?？梢詫呙栊盘?Scan)提供到啞掃描電極。將掃描信號(Scan) 提供到啞掃描電極的時刻可以本質(zhì)上不同于將掃描信號(Scan)提供到有效區(qū)域中的掃描 電極的時刻。可以不將掃描信號(Scan)提供到啞掃描電極。如上所述，在有效區(qū)域中在地址時段的不同時刻向掃描電極Yl-Yn提供所有掃描 信號的情況下，提供所有掃描信號所需要的時間可能過分地延長。換言之，地址時段的時間 寬度可能過分延長，因此驅(qū)動裕量可能惡化。另外，由于地址時段的時間寬度過分地延長，所以維持時段的時間寬度變短。因 此，亮度可能降低。在子場的數(shù)量降低以保持維持時段的時間寬度的情況下，灰度級的表現(xiàn) 力可能下降。另一方面，在熒光體層包括添加劑材料(例如，MgO材料)的情況下，可以降低放 電延遲時間。因此，盡管使用圖13至圖15中描述的方法來提供所有掃描信號，但是可以防 止地址時段的時間寬度的過分增加。因此，可以充分保證驅(qū)動裕量?？梢酝ㄟ^多個數(shù)據(jù)驅(qū)動器沿著各種提供方向來提供數(shù)據(jù)信號，以保證驅(qū)動裕量。 這將參照圖16和圖17在下面進行描述。圖16是用于說明提供數(shù)據(jù)信號的另一方法的圖，而圖17是用于說明提供掃描信 號的另一方法的圖。如圖16所示，數(shù)據(jù)驅(qū)動器可以包括第一數(shù)據(jù)驅(qū)動器1700和第二數(shù)據(jù)驅(qū)動器1710。第一數(shù)據(jù)驅(qū)動器1700可以將數(shù)據(jù)信號提供到設(shè)置在等離子體顯示板1720的第一區(qū)域1721中的尋址電極Xal-Xam。第二數(shù)據(jù)驅(qū)動器1710可以將數(shù)據(jù)信號提供到設(shè)置在等 離子體顯示板1720的第二區(qū)域1722中的尋址電極Xbl-Xbm。提供到第一區(qū)域1721中的尋址電極Xal-Xam的數(shù)據(jù)信號的提供方向不同于提供 到第二區(qū)域1722中的尋址電極Xbl-Xbm的數(shù)據(jù)信號的提供方向。在該情況下，如圖17所示，在將掃描信號提供到第一區(qū)域1721中的掃描電極 Yl-Y(η/2)的同時，可以將掃描信號提供到第二區(qū)域1722中的掃描電極Υ(η/2+1)-Υη。因 此，提供掃描信號和數(shù)據(jù)信號所需要的時間可以降低圖13至圖15中所需要的時間的大約 50%，因此，可以充分保證驅(qū)動裕量。但是，在圖16和圖17中，等離子體顯示裝置必須包括比圖13至圖15中的一個數(shù)據(jù)驅(qū)動器多的兩個數(shù)據(jù)驅(qū)動器，并且尋址電極必須分為第一區(qū)域1721中的尋址電極和第 二區(qū)域1722中的尋址電極。結(jié)果，這可能造成等離子體顯示裝置的制造成本的增加。另一方面，在熒光體層包括添加劑材料(如MgO材料)的情況下，可以改善掃描電 極和尋址電極之間的放電延遲特性。因此，可以降低掃描信號的寬度。換言之，可以在不增 加數(shù)據(jù)驅(qū)動器的情況下充分保證驅(qū)動裕量，因此這在制造成本方面是有利的。圖18和圖19是用于說明掃描信號的寬度的圖。在熒光體層不包括添加劑材料的情況下，掃描信號的寬度可以是Wa，如圖18的 (a)所示。在熒光體層包括作為添加劑材料的MgO材料的情況下，掃描信號的寬度可以是小 于寬度Wa的Wb，如圖18的(b)所示。圖19是示出當掃描信號的寬度Wb從0. 8 μ s變?yōu)?. 7 μ s時的驅(qū)動裕量和放電不 穩(wěn)定性的表。在圖19中，基于熒光體層的體積，MgO材料的含量是20%。在圖19中，“X”表示驅(qū)動裕量過小以及放電不穩(wěn)定性過大；“〇”表示驅(qū)動裕量和 放電不穩(wěn)定性相對較好；而“◎”表示驅(qū)動裕量充分大以及放電充分穩(wěn)定。在驅(qū)動裕量方面，當掃描信號的寬度Wb的范圍在0. 8 μ s到1. 4 μ s時，由于寬度 Wb足夠小，所以驅(qū)動裕量非常好。當掃描信號的寬度Wb為1. 45 μ s時，驅(qū)動裕量相對較好。另一方面，當掃描信號 的寬度Wb等于或大于1. 6 μ S時，由于寬度Wb過寬，所以驅(qū)動裕量不佳。在放電不穩(wěn)定性方面，當掃描信號的寬度Wb為0. 8 μ s時，由于寬度Wb過小，所以 地址放電過弱，或者地址放電甚至不發(fā)生。因此，放電不穩(wěn)定性過高。當掃描信號的寬度Wb為0. 9μ s時，放電不穩(wěn)定性相對較穩(wěn)定。另一方面，當掃描 信號的寬度Wb等于或大于1. Oys時，由于寬度Wb過寬，所以地址放電穩(wěn)定地發(fā)生。因此， 放電不穩(wěn)定性非常低?？紤]圖19的曲線圖，掃描信號的寬度Wb可以大致位于0. 9 μ s與1. 45 μ s之間的 范圍，或者Ι.Ομ s與1.4μ s之間的范圍。前述實施方式和優(yōu)點僅僅是示例性的，并不應(yīng)理解為對本發(fā)明的限制。本教導可 以容易地應(yīng)用于其他類型的裝置。對前述實施方式的描述旨在進行說明，而非用于限制權(quán) 利要求的范圍。許多替代例、修改例和變型例對于本領(lǐng)域的技術(shù)人員是顯而易見的。
權(quán)利要求
一種等離子體顯示裝置，該等離子體顯示裝置包括等離子體顯示板，該等離子體顯示板包括前基板，在該前基板上彼此大致平行地設(shè)置有多個掃描電極和多個維持電極；后基板，在該后基板上與所述掃描電極和所述維持電極交叉地設(shè)置有多個尋址電極；和設(shè)置在所述前基板與所述后基板之間的熒光體層，該熒光體層包括熒光體材料和添加劑材料，所述添加劑材料包括氧化鎂(MgO)、氧化鋅(ZnO)、氧化硅(SiO2)、氧化鈦(TiO2)、氧化釔(Y2O3)、氧化鋁(Al2O3)、氧化鑭(La2O3)、氧化銪(EuO)、氧化鈷、氧化鐵、或CNT(碳納米管)中的至少一種；以及驅(qū)動器，該驅(qū)動器在有效區(qū)域中在子場的地址時段的不同時刻將掃描信號提供到所述多個掃描電極。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的等離子體顯示裝置，其中，所述驅(qū)動器將對應(yīng)于所述掃描信 號的數(shù)據(jù)信號提供到所述尋址電極。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的等離子體顯示裝置，其中，所述添加劑材料包括MgO材料，并且所述MgO材料包括(200)取向的MgO材料和(111)取向的MgO材料，并且所述(111) 取向的MgO材料的含量小于(200)取向的MgO材料的含量。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的等離子體顯示裝置，其中，所述添加劑材料的多個粒子中的 至少一個設(shè)置在所述熒光體層的表面上。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的等離子體顯示裝置，該等離子體顯示裝置還包括位于所述熒 光體層與所述后基板之間的下介電層，其中，所述添加劑材料的多個粒子中的至少一個設(shè)置在所述熒光體層與所述下介電層 之間。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的等離子體顯示裝置，其中，所述添加劑材料基于所述熒光體 層的體積的體積百分比大致在2%與40%之間的范圍內(nèi)。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的等離子體顯示裝置，其中，所述熒光體層包括發(fā)射紅色光的 第一熒光體層、發(fā)射藍色光的第二熒光體層、和發(fā)射綠色光的第三熒光體層，并且在所述第一熒光體層、所述第二熒光體層、或所述第三熒光體層中的至少一個中沒有 所述添加劑材料。
8.一種等離子體顯示裝置，該等離子體顯示裝置包括 等離子體顯示板，該等離子體顯示板包括前基板，在該前基板上彼此大致平行地設(shè)置有多個掃描電極和多個維持電極； 后基板，在該后基板上與所述掃描電極和所述維持電極交叉地設(shè)置有多個尋址電極； 和。設(shè)置在所述前基板與所述后基板之間的熒光體層，該熒光體層包括熒光體材料和添加 劑材料，所述添加劑材料包括氧化鎂(MgO)、氧化鋅(ZnO)、氧化硅(SiO2)、氧化鈦(TiO2)、氧 化釔(Y2O3)、氧化鋁(Al2O3)、氧化鑭(La2O3)、氧化銪(EuO)、氧化鈷、氧化鐵、或CNT (碳納米 管)中的至少一種；以及驅(qū)動器，該驅(qū)動器在有效區(qū)域中在子場的地址時段的不同時刻將掃描信號提供到所述多個掃描電極，其中，所述掃描信號的寬度大致在1. O μ S與1. 4 μ S之間的范圍內(nèi)。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的等離子體顯示裝置，其中，所述添加劑材料的多個粒子中的 至少一個設(shè)置在所述熒光體層的表面上。
10.根據(jù)權(quán)利要求8所述的等離子體顯示裝置，該等離子體顯示裝置還包括位于所述 熒光體層與所述后基板之間的下介電層，其中，所述添加劑材料的多個粒子中的至少一個設(shè)置在所述熒光體層與所述下介電層 之間。
11.根據(jù)權(quán)利要求8所述的等離子體顯示裝置，其中，所述添加劑材料基于所述熒光體 層的體積的體積百分比大致在2%與40%之間的范圍內(nèi)。
12.根據(jù)權(quán)利要求8所述的等離子體顯示裝置，其中，所述熒光體層包括發(fā)射紅色光的 第一熒光體層、發(fā)射藍色光的第二熒光體層、和發(fā)射綠色光的第三熒光體層，并且在所述第一熒光體層、所述第二熒光體層、或所述第三熒光體層中的至少一個中沒有 所述添加劑材料。
13.根據(jù)權(quán)利要求8所述的等離子體顯示裝置，其中，所述添加劑材料包括MgO材料，并且所述MgO材料包括(200)取向的MgO材料和(111)取向的MgO材料，并且所述(111) 取向的MgO材料的含量小于(200)取向的MgO材料的含量。
14.一種等離子體顯示裝置，該等離子體顯示裝置包括 等離子體顯示板，該等離子體顯示板包括前基板，在該前基板上彼此大致平行地設(shè)置有多個掃描電極和多個維持電極； 后基板，在該后基板上與所述掃描電極和所述維持電極交叉地設(shè)置有多個尋址電極；禾口設(shè)置在所述前基板與所述后基板之間的熒光體層，該熒光體層包括熒光體材料和MgO 材料；以及驅(qū)動器，該驅(qū)動器在有效區(qū)域中在子場的地址時段的不同時刻將掃描信號提供到所述 多個掃描電極。
15.根據(jù)權(quán)利要求14所述的等離子體顯示裝置，其中，所述掃描信號的寬度大致在 Ι.Ομ s與1.4μ s之間的范圍內(nèi)。
16.根據(jù)權(quán)利要求14所述的等離子體顯示裝置，其中，所述MgO材料包括(200)取向的 MgO材料和(111)取向的MgO材料，并且所述(111)取向的MgO材料的含量小于(200)取向 的MgO材料的含量。
17.根據(jù)權(quán)利要求14所述的等離子體顯示裝置，其中，所述MgO材料的多個粒子中的至 少一個設(shè)置在所述熒光體層的表面上。
18.根據(jù)權(quán)利要求14所述的等離子體顯示裝置，該等離子體顯示裝置還包括位于所述 熒光體層與所述后基板之間的下介電層，其中，所述MgO材料的多個粒子中的至少一個設(shè)置在所述熒光體層與所述下介電層之間。
19.根據(jù)權(quán)利要求8所述的等離子體顯示裝置，其中，所述MgO材料基于所述熒光體層的體積的體積百分比大致在2%與40%之間的范圍內(nèi)。
20.根據(jù)權(quán)利要求14所述的等離子體顯示裝置，其中，所述熒光體層包括發(fā)射紅色光 的第一熒光體層、發(fā)射藍色光的第二熒光體層、和發(fā)射綠色光的第三熒光體層，并且在所述第一熒光體層、所述第二熒光體層、或所述第三熒光體層中的至少一個中沒有 所述MgO材料。
全文摘要
公開了等離子體顯示裝置。該等離子體顯示裝置包括等離子體顯示板和驅(qū)動器。所述等離子體顯示板包括前基板，在該前基板上彼此大致平行地設(shè)置有多個掃描電極和多個維持電極；后基板，在該后基板上與所述掃描電極和所述維持電極交叉地設(shè)置有多個尋址電極；和熒光體層，該熒光體層設(shè)置在所述前基板和所述后基板之間，并且包括熒光體材料和MgO材料。所述驅(qū)動器在有效區(qū)域中在子場的地址時段的不同時刻將掃描信號提供到所述多個掃描電極。
文檔編號G09G3/288GK101809641SQ200880108922
公開日2010年8月18日 申請日期2008年4月25日 優(yōu)先權(quán)日2007年11月5日
發(fā)明者金熙權(quán), 金軫榮 申請人:Lg電子株式會社