專利名稱：等離子體顯示設(shè)備及驅(qū)動(dòng)該等離子體顯示設(shè)備的方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本文件涉及一種等離子體顯示設(shè)備及驅(qū)動(dòng)該等離子體顯示設(shè)備的方法。
背景技術(shù)：
通常，在等離子體顯示面板(plasma display panel, PDP)中，在頂 面面板和底面面板之間所形成的障壁形成單位放電單元。每一放電單元中 充滿了如氖(Ne)、氦(He)或Ne和He的混合氣體(Ne + He)的主要 放電氣體和包含少量氙的惰性氣體。多個(gè)單位放電單元形成一個(gè)像素。例 如，紅色(R)單元、綠色(G)單元和藍(lán)色(B)單元一起形成一個(gè)傳_ 素。當(dāng)向單位放電單元施加射頻電壓從而產(chǎn)生放電時(shí)，惰性氣體產(chǎn)生真空 紫外線(UV)，并從障壁之間所形成的磷光體(phosphor)發(fā)光，從而顯 示圖像。由于PDP可以又薄又輕，因而PDP作為下一代顯示器受到關(guān)注。
將例如掃描電極Y、維持電極Z和尋址電極X的多個(gè)電極和用于驅(qū) 動(dòng)電極的驅(qū)動(dòng)器附著到PDP以形成等離子體顯示設(shè)備。

發(fā)明內(nèi)容
技術(shù)問題
本文件的一個(gè)方面是提供一種等離子體顯示設(shè)備及驅(qū)動(dòng)該等離子體 顯示設(shè)備的方法，其中在該等離子體顯示設(shè)備中，提供復(fù)位信號(hào)的最低電 壓的時(shí)間段隨各子場(chǎng)而變化，從而使得有可能防止產(chǎn)生#^故電，并可以 穩(wěn)定地產(chǎn)生放電。
技術(shù)方案
一方面，提供一種等離子體顯示設(shè)備，包括等離子體顯示面板 (PDP)，包括掃描電極和維持電極；傳感器單元，用于檢測(cè)PDP的溫度 或PDP的外周(peripheral)溫度；以及掃描驅(qū)動(dòng)器，用于在預(yù)定基準(zhǔn)溫
5度，在多個(gè)子場(chǎng)中的至少一個(gè)子場(chǎng)的復(fù)位時(shí)間段，向掃描電極4^供復(fù)位信
號(hào)，從而使得提供復(fù)位信號(hào)的最低電壓的第一時(shí)間段不同于在PDP的溫 度或PDP的外周溫度偏離預(yù)定基準(zhǔn)溫度時(shí)的最低電壓的提供時(shí)間段。
另外，多個(gè)子場(chǎng)包括第一多個(gè)子場(chǎng)和第二多個(gè)子場(chǎng)。當(dāng)PDP的溫度 或PDP的外周溫度包括在基準(zhǔn)溫度中時(shí)，將第一子場(chǎng)的復(fù)位時(shí)間段提供 復(fù)位信號(hào)的最低電壓的時(shí)間段稱為第一保持時(shí)間段，并且將第二子場(chǎng)的復(fù) 位時(shí)間段提供復(fù)位信號(hào)的最低電壓的時(shí)間段稱為第二保持時(shí)間段。當(dāng)PDP 的溫度或PDP的外周溫度包括在基準(zhǔn)溫度中時(shí)，在將第一子場(chǎng)的復(fù)位時(shí) 間段提供復(fù)位信號(hào)的最低電壓的時(shí)間段稱為第三保持時(shí)間段、并將第二子 場(chǎng)的復(fù)位時(shí)間段提供復(fù)位信號(hào)的最低電壓的時(shí)間段稱為第四保持時(shí)間段 的情況下，第一保持時(shí)間段和第三保持時(shí)間段實(shí)際上相同，并且第二保持 時(shí)間段實(shí)際上長(zhǎng)于第四保持時(shí)間段。在另一方面，提供一種用于驅(qū)動(dòng)包括 掃描電極和維持電極的等離子體顯示設(shè)備的方法，該方法包括檢測(cè)PDP 的溫度或PDP的外周溫度；以及在預(yù)^準(zhǔn)溫度，在多個(gè)子場(chǎng)中的至少 一個(gè)子場(chǎng)的復(fù)位時(shí)間段向掃描電極提供復(fù)位信號(hào)，從而使得提供復(fù)位信號(hào) 的最低電壓的第一時(shí)間段不同于在PDP的溫度或PDP的外周溫度偏離預(yù) 定基準(zhǔn)溫度時(shí)的最低電壓的提供時(shí)間段。
有益效果
如上所述，在根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的等離子體顯示設(shè)備中，復(fù)位信號(hào) 的最低電壓被維持的保持時(shí)間段隨各子場(chǎng)而變化。
因此，有可能防止產(chǎn)生4m的放電，并防止圖像的圖像質(zhì)量下降。


圖1示出根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的等離子體顯示設(shè)備；
圖2示出根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的等離子體顯示面板(PDP)的結(jié)構(gòu)；
圖3示出在用于驅(qū)動(dòng)才艮據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的等離子體顯示設(shè)備的方 法中用于顯示圖像的A^級(jí)的幀；
圖4說明用于驅(qū)動(dòng)根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的等離子體顯示設(shè)備的方法 的操作；
圖5說明才艮據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例第一維持偏置電壓和第二維持偏置電 壓之間的關(guān)系；圖6示出在PDP的溫度或PDP的外周溫度為基準(zhǔn)溫度時(shí)根據(jù)本發(fā)明 的實(shí)施例提供給多個(gè)子場(chǎng)(subfidd)的驅(qū)動(dòng)信號(hào)；以及
圖7和8示出在PDP的溫度或PDP的外周溫度高于基準(zhǔn)溫度時(shí)根據(jù) 本發(fā)明的實(shí)施例提供給多個(gè)子場(chǎng)的驅(qū)動(dòng)信號(hào)。
具體實(shí)施例方式
圖1示出根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的等離子體顯示設(shè)備。
參考圖1，根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的等離子體顯示設(shè)備包括等離子體顯 示面板(PDP) 100、掃描驅(qū)動(dòng)器200、維持驅(qū)動(dòng)器300、數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)器400 和溫度傳感器單元500。
在PDP 100中，將頂面面板(未示出)和底面面板(未示出)以預(yù) 定距離相互附著。PDP100包括掃描電極Yl Yn、維持電極Zl Zn和 尋址電極Xl-Xm。
掃描驅(qū)動(dòng)器200向掃描電極Yl ~ Yn提供復(fù)位信號(hào)，從而使得在復(fù)位 時(shí)間段在放電單元中均勻形成壁電荷。
此時(shí)，在多個(gè)子場(chǎng)的復(fù)位時(shí)間段，掃描驅(qū)動(dòng)器200向掃描電極提供復(fù) 位信號(hào)，從而使得提供復(fù)位信號(hào)的最低電壓的時(shí)間段根據(jù)PDP的溫度和 PDP的外周溫度而改變。掃描驅(qū)動(dòng)器200在尋址時(shí)間段向掃描電極Yl ~ Yn提供用于選擇將在其中產(chǎn)生放電的放電單元的掃描信號(hào)，并且在維持 時(shí)間段向掃描電極Yl~Yn提供維持信號(hào)以在所選擇的放電單元中產(chǎn)生 維持放電。
另外，掃描驅(qū)動(dòng)器200可以在最后的維持信號(hào)之后向掃描電極Yl ~ Yn提鄉(xiāng)除信號(hào)。
維持驅(qū)動(dòng)器300在設(shè)置下(setdown)時(shí)間段和尋址時(shí)間段向維持電 極Zl Zn提供維持偏置信號(hào)。此時(shí)，維持偏置信號(hào)包含第一維持偏置電 壓和具有與第一維持偏置電壓不同的電壓的第二維持偏置電壓。
另夕卜，維持驅(qū)動(dòng)器300在維持時(shí)間段向維持電極Zl ~ Zn提供維持信號(hào)。
另外，數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)器400響應(yīng)于從定時(shí)控制器(未示出)提供的數(shù)據(jù)定 時(shí)控制信號(hào)，在尋址時(shí)間段向?qū)ぶ冯姌OXl~Xm提供數(shù)據(jù)信號(hào)，以與掃 描電極Yl Yn相對(duì)應(yīng)。包括溫度傳感器(未示出)的溫度傳感器單元500檢測(cè)PDP 100的 溫度或PDP 100的外周溫度，并將外周溫度和基準(zhǔn)溫度進(jìn)行比較，以輸 出用于控制掃描驅(qū)動(dòng)器200和維持驅(qū)動(dòng)器300中的至少一個(gè)的控制信號(hào) CTRL。根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的基準(zhǔn)溫度不低于0度且不高于40度，并 且比基準(zhǔn)溫度更高的溫度是高于40度的高溫。
當(dāng)PDP 100的溫度或PDP 100的外周溫度高于基準(zhǔn)溫度時(shí)，溫度傳 感器500向掃描驅(qū)動(dòng)器200和維持驅(qū)動(dòng)器300中的至少一個(gè)輸出控制信號(hào) CTRL。
從溫度傳感器500接收控制信號(hào)CTRL的掃描驅(qū)動(dòng)器200使得提供 復(fù)位信號(hào)的最低電壓的時(shí)間段在多個(gè)子場(chǎng)中的第一子場(chǎng)到第四子場(chǎng)相同， 并且縮短在除第一到第四子場(chǎng)之外的其余子場(chǎng)中提供復(fù)位信號(hào)的最低電 壓的時(shí)間段，以向掃描電極Yl Yn提供控制信號(hào)CTRL。
下面說明等離子體顯示設(shè)備所包括的PDP的結(jié)構(gòu)。
圖2示出根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的等離子體顯示面板(PDP)的結(jié)構(gòu)。
參考圖2，通過以預(yù)定距離將頂面面板110和底面面板120彼此附著 來形成根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的PDP，其中頂面面板110包括頂面141111 ， 在頂面基板111上形成掃描電極112和維持電極113，底面面板120包括 底面基板121，在底面基敗121上形成尋址電極123，尋址電極123與掃 描電極112和維持電極113交叉。
這里，掃描電極112和維持電極113在頂面基板111上相互平行，以 在放電單元中產(chǎn)生放電并維持放電單元的放電。
掃描電極112和維持電極113包括由如Ag的金屬制成的匯流電極 112b和U3b,以及由透明氧化銦錫(ITO )制成的透明電極112a和113a。
可以在形成掃描電極112和維持電極113處的頂面基tl 111上形成上 介電層114，以覆蓋掃描電極112和維持電極113。
上介電層114限制掃描電極112和維持電極113的放電電流，以使掃 描電極112與維持電極113絕緣。
可以在上介電層114上形成用于促H故電的保護(hù)層115?？梢允褂美?如氧化鎂(MgO)的具有高的二次電子發(fā)射系數(shù)的材料制成保護(hù)層115。
另 一方面，在底面基板121上所形成的尋址電極123向放電單元提供 數(shù)據(jù)信號(hào)Data?？梢栽谛纬蓪ぶ冯姌O123處的底面基仗121上形成下介電層125,以 覆蓋尋址電極123。
在下介電層125上形成用于隔開放電空間、即放電單元的障壁122。 在由障壁122隔開的放電單元中形成用于在尋址放電過程中發(fā)出可見光 的磷光體層124，其中可見光用于顯示圖像。例如，可以形成紅色(R)、 綠色(G)和藍(lán)色(B)磷光體層。
在根據(jù)如上所述的本發(fā)明的實(shí)施例的PDP中，當(dāng)向掃描電極112、 維持電極113和尋址電極123提供驅(qū)動(dòng)信號(hào)時(shí)，由障壁隔開的放電單元產(chǎn) 生放電，以顯示圖^f象。
在圖2中，示出了根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的PDP并對(duì)其進(jìn)行了i兌明。 然而，本發(fā)明不局限于此。
參考圖3和4說明包括該P(yáng)DP的、根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的等離子體 顯示i殳備的^Mt。
圖3示出在用于驅(qū)動(dòng)根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的等離子體顯示設(shè)備的方 法中用于顯示圖像的A^級(jí)的幀。圖4說明用于驅(qū)動(dòng)根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例 的等離子體顯示設(shè)備的方法的操作。
首先，參考圖3，在根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的等離子體顯示設(shè)備中，將 用于實(shí)現(xiàn)圖像的M級(jí)的幀分成具有不同發(fā)射次數(shù)的各種子場(chǎng)。
另夕卜盡管沒有示出，可以將各子場(chǎng)分成用于初始化所有放電單元的 復(fù)位時(shí)間段、用于選擇要進(jìn)行放電的放電單元的尋址時(shí)間段、以及用于根 據(jù)放電次數(shù)實(shí)現(xiàn)灰度級(jí)的維持時(shí)間段。
例如，當(dāng)通過256 ^jl級(jí)顯示圖像時(shí)，將與1/60秒相對(duì)應(yīng)的幀周期 (16.67 ms )分成例如如圖3所示的八個(gè)子場(chǎng)SF1 ~ SF8，并且將這/、個(gè) 子場(chǎng)SF1 ~ SF8中的每一個(gè)分成復(fù)位時(shí)間段、尋址時(shí)間段和維持時(shí)間段。 考慮驅(qū)動(dòng)余量和^JL級(jí)顯示，可以從至少一個(gè)子場(chǎng)省略復(fù)位時(shí)間段和維持 時(shí)間段中的至少一個(gè)。
另一方面，可以控制在維持時(shí)間段中所提供的維持信號(hào)的數(shù)量，以設(shè) 置相應(yīng)子場(chǎng)的AJL^5L值。例如，可以通過i殳置第一子場(chǎng)的AJLW5L值為 2°，并設(shè)置第二子場(chǎng)的^JL^M5L值為21，來確定各子場(chǎng)的AJL^M5L值，從 而使得各子場(chǎng)的狄W5L值以2n (n-0、 1、 2、 3、 4、 5、 6和7)的比 率增加。如上所述，才艮據(jù)各子場(chǎng)的A^JM3L值控制在各子場(chǎng)的維持時(shí)間段 中提供的維持信號(hào)的數(shù)量，以實(shí)現(xiàn)各種圖像的A;1級(jí)。圖4示出可應(yīng)用于圖3的幀中所包括的多個(gè)子場(chǎng)中的一個(gè)子場(chǎng)的驅(qū)動(dòng) 形狀。圖1所示的掃描驅(qū)動(dòng)器200、維持驅(qū)動(dòng)器300和數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)器400在 復(fù)位時(shí)間段、尋址時(shí)間段和維持時(shí)間段中的至少一個(gè)時(shí)間段中，向掃描電 極Y、維持電極Z和尋址電極X提供驅(qū)動(dòng)信號(hào)。
掃描驅(qū)動(dòng)器200可以在復(fù)位時(shí)間段的設(shè)置上(setup)時(shí)間段向掃描 電極Y提供復(fù)位上升信號(hào)Ramp-up。由于設(shè)置上放電，在尋址電極X和 維持電極Z上積累正極性壁電荷，并且在掃描電極Y上積累負(fù)極性壁電 荷。
上升復(fù)位信號(hào)的電壓從不高于放電開始電壓的電壓逐漸升高至高于 放電開始電壓的電壓。
另外，掃描驅(qū)動(dòng)器200在設(shè)置上時(shí)間段向掃描電極Y提供復(fù)位上升 信號(hào)，然后可以在設(shè)置下時(shí)間段提供復(fù)位下降信號(hào)Ramp-down，該復(fù)位 下降信號(hào)從正極性電壓開始降落，并且下降至不高于接地電壓電平GND 的特定電壓電平。
因此，在放電單元中產(chǎn)生弱擦除放電，從而使得可以充分擦除在放電 單元中過多地形成的壁電荷。
另外，當(dāng)PDP的溫度或PDP的外周溫度高于基準(zhǔn)溫度時(shí)，掃描驅(qū)動(dòng) 器200使得提供復(fù)位信號(hào)的最低電壓的時(shí)間段在多個(gè)子場(chǎng)中最早提供的 第一子場(chǎng)到第四子場(chǎng)相同，并且縮短在除第一到第四子場(chǎng)之外的其余子場(chǎng) 中提供復(fù)位信號(hào)的最低電壓的時(shí)間段，以向掃描電極Yl ~ Yn提供控制信 號(hào)CTRL。
維持驅(qū)動(dòng)器300在設(shè)置下時(shí)間段和尋址時(shí)間段中向維持電極Z提供 維持偏置電壓Vzb。維持偏置電壓Vzb包括第一維持偏置電壓Vabl和第 二維持偏置電壓Vzb2。維持驅(qū)動(dòng)器300在設(shè)置下時(shí)間段向維持電極Z提 供第一維持偏置電壓Vzbl，并且在尋址時(shí)間段向維持電極Z提供第二維 持偏置電壓Vzb2，以防止在維持電極Z和尋址電極X之間產(chǎn)生放電，從 而防止產(chǎn)生4§*故電。
此時(shí)，維持偏置信號(hào)Vzb中所包括的第一維持偏置電壓Vzbl實(shí)際上 小于笫二維持偏置電壓Vzb2。
這是因?yàn)?，在設(shè)置下時(shí)間段和尋址時(shí)間段提供給維持電極的維持偏置 信號(hào)Vzb的電壓變化以被提供，從而使得可以有效地進(jìn)行驅(qū)動(dòng)。在需要 弱擦除放電的設(shè)置下時(shí)間段，提供可以產(chǎn)生擦除放電的第一維持偏置電壓的時(shí)間段，提供可以準(zhǔn)確產(chǎn)生尋址放電的維持偏置電壓Vzb2，從而可以防止產(chǎn)生可能過多地提供給掃描電極的電壓。
因此，維持偏置信號(hào)Vzb中所包括的笫一維持偏置電壓和第二維持偏置電壓之間的差可以不低于2V且不高于IOV。第一維持偏置電壓和第二維持偏置電壓之間的電壓差可以不低于3V且不高于5V。在圖5中將對(duì)此進(jìn)行詳細(xì)說明。
另外，掃描驅(qū)動(dòng)器200可以在尋址時(shí)間段向掃描電極Y提供負(fù)極性掃描信號(hào)Vy ，該負(fù)極性掃描信號(hào)Vy從掃描偏置電壓Vsc開始降落。這里，掃描偏置電壓Vsc可以大于接地電壓電平GND。
此外，掃描偏置電壓Vsc可以低于在維持時(shí)間段提供給掃描電極Y的維持信號(hào)的最高電壓，并高于復(fù)位信號(hào)的最低電壓。
使掃描偏置電壓Vsc高于接地電壓電平GND，從而使得可以穩(wěn)固地積累在復(fù)位時(shí)間WM3描電極Y上所形成的負(fù)極性壁電荷。另外，當(dāng)在尋址時(shí)間段提供掃描偏置電壓Vsc時(shí)，增大掃描電極Y和維持電極Z之間的電壓差，從而可穩(wěn)定地產(chǎn)生尋址放電。
另外，當(dāng)在尋址時(shí)間段提供負(fù)極性掃描信號(hào)Scan時(shí)，掃描電極Y和維持電極Z之間的電壓差增大，從而可以穩(wěn)定地產(chǎn)生尋址放電。例如，考慮尋址放電的恰當(dāng)性或控制壁電荷的容易性，掃描偏置電壓Vsc可以為35V ~ 55V。
此外，數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)器400向?qū)ぶ冯姌OX提供正極性數(shù)據(jù)信號(hào)dp，以對(duì)應(yīng)于負(fù)極性掃描信號(hào)Scan。
對(duì)掃描信號(hào)Scan與數(shù)據(jù)信號(hào)DP之間的電壓差和在復(fù)位時(shí)間段所生成的壁電壓進(jìn)行相加，從而使得在將數(shù)據(jù)信號(hào)dp提供至的放電單元中產(chǎn)生尋址放電。在通過尋址放電所選擇的放電單元中形成當(dāng)提供維持電壓Vs時(shí)可以產(chǎn)生放電的壁電荷。
此時(shí)，復(fù)位信號(hào)Scan的最低電壓可以低于在維持時(shí)間段提供給掃描電極Y的維持信號(hào)SUS的最低電壓，并且可以高于掃描信號(hào)Scan的最低電壓。因此，掃描信號(hào)Scan的最低電壓可以是低于復(fù)位信號(hào)的最低電壓的負(fù)極性電壓。
向掃描電極Y提供負(fù)極性電壓，其中掃描信號(hào)Scan的最低電壓低于復(fù)位信號(hào)的最低電壓，從而使得可以降低數(shù)據(jù)信號(hào)dp的最高電壓，并且可以有效地產(chǎn)生尋址放電。在尋址時(shí)間段之后的維持時(shí)間段，掃描驅(qū)動(dòng)器200和維持驅(qū)動(dòng)器300向掃描電極Y和維持電極Z提供維持信號(hào)SUS。因此，在通過尋址放電所選擇的放電單元中，使放電單元中的壁電壓和維持信號(hào)SUS彼此相加，從而使得無論在何時(shí)提供維持信號(hào)SUS時(shí)，都在掃描電極Y和維持電極Z之間產(chǎn)生維持放電。
根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例說明驅(qū)動(dòng)方法。在維持時(shí)間段將最后的維持信號(hào)SUS提供給掃描電極Y或維持電極Z之后，掃描驅(qū)動(dòng)器200可以提#^除信號(hào)EP，該擦除信號(hào)EP擦除維持放電之后所殘留的壁電荷。
這里，可以將擦除信號(hào)EP提供給掃描電極Y或維持電極Z。如上所述，提^除信號(hào)EP,以使得壁電荷可以均勻且有效地駐留在放電單元中。這是因?yàn)椴脸擞刹脸盘?hào)EP所引起的擦除放電而不均勻地形成的大多數(shù)壁電荷。
擦除信號(hào)EP的電壓隨著時(shí)間流逝逐漸降低。擦除信號(hào)EP的最高電壓、擦除信號(hào)EP的最低電壓VI和擦除信號(hào)EP的下降^CJL( falling sl叩e)中的至少一個(gè)實(shí)際上可以與復(fù)位信號(hào)的最高電壓、復(fù)位信號(hào)的最低電壓和復(fù)位信號(hào)的下降^L相同。
另外，可以在維持時(shí)間段之后的擦除時(shí)間段向掃描電極Y提供擦除信號(hào)EP,并且可以在復(fù)位時(shí)間段之前的預(yù)復(fù)位時(shí)間段向掃描電極Y提供擦除信號(hào)EP。
向掃描電極Y提,除信號(hào)EP，從而使得在放電單元中均勻地形成壁電荷。因此，擦除信號(hào)EP僅必須存在于復(fù)位時(shí)間段、維持時(shí)間段、擦除時(shí)間段和預(yù)復(fù)位時(shí)間段中的至少一個(gè)，以有效地m電單元中的壁電荷均勻，并且擦除信號(hào)EP不局限于此。
圖5說明根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的第一維持偏置電壓和第二維持偏置電壓之間的關(guān)系。
在圖5中，測(cè)量在第一維持偏置電壓和第二維持偏置電壓之間的差從1V改變成12V時(shí)所實(shí)現(xiàn)的尋址放電、維持放電和g故電。
表示在放電單元中非常平滑地形成壁電荷以穩(wěn)定地產(chǎn)生尋址放電且容易地產(chǎn)生維持放電，并且沒有產(chǎn)生g放電。O表示相對(duì)平滑地產(chǎn)生維持放電。A表示沒有平滑地產(chǎn)生維持放電。X表示不穩(wěn)定地產(chǎn)生尋址放電且可以不穩(wěn)定地產(chǎn)生維持放電，因而在放電單元中過多地或不足地形成壁電荷，以及產(chǎn)生錯(cuò)誤的放電。首先，當(dāng)?shù)谝痪S持偏置電壓Vzbl和第二維持偏置電壓Vzb2之間的差在2V之內(nèi)時(shí)，平滑地產(chǎn)生尋址放電，然而，在尋址放電之后在放電單元中可過多地形成壁電荷，從而使得不平滑地產(chǎn)生維持放電，并且可產(chǎn)生g故電。也就是說，沒有平滑地產(chǎn)生維持放電。
另外，當(dāng)?shù)谝痪S持偏置電壓Vzbl和第二維持偏置電壓Vzb2之間的差不小于10V時(shí)，非常平滑地產(chǎn)生尋址放電，然而，在尋址放電之后在放電單元中可能不足地形成壁電荷，從而使得不平滑地產(chǎn)生維持放電，并可能產(chǎn)生g故電。也就是說，沒有平滑地產(chǎn)生維持放電，從而經(jīng)常產(chǎn)生
另外，當(dāng)?shù)谝痪S持偏置電壓Vzbl和第二維持偏置電壓Vzb2之間的差不小于3V、且不大于10V時(shí)，非常平滑地產(chǎn)生尋址放電，并且在尋址放電之后在放電單元中平滑地形成壁電荷，從而容易地產(chǎn)生維持放電。因
此，產(chǎn)生im^電的可能性降低。也就是說，平滑地產(chǎn)生維持放電和尋址
放電，因而很少產(chǎn)生im放電。第一維持偏置電壓Vzbl和第二維持偏置電壓Vzb2之間的差可以不小于4V且不大于6V，因而穩(wěn)定地產(chǎn)生尋址放電和維持放電，從而不產(chǎn)生4§*故電。
圖6示出在PDP的溫度或PDP的外周溫度為基準(zhǔn)溫度時(shí)根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例提供給多個(gè)子場(chǎng)的驅(qū)動(dòng)信號(hào)。
參考圖6，當(dāng)PDP的溫度或PDP的外周溫度偏離基準(zhǔn)溫度時(shí)，對(duì)于多個(gè)子場(chǎng)中的每一個(gè)，根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的掃描驅(qū)動(dòng)器200改變?cè)趶?fù)位時(shí)間段中向掃描電極Y提供復(fù)位信號(hào)的最低電壓的時(shí)間段。
由于在圖3中充^i兌明了包括多個(gè)子場(chǎng)1SF 10SF的幀，因而省略對(duì)其的詳細(xì)說明。
復(fù)位信號(hào)BPR包括升高到復(fù)位信號(hào)的最高電壓的復(fù)位上升信號(hào)Ramp-up以及復(fù)位下降信號(hào)Ramp-down 。
在多個(gè)子場(chǎng)ISF ~ 10SF中，最先提供A子場(chǎng)1SF。在A子場(chǎng)1SF的復(fù)位時(shí)間段中提供給掃描電極Y的復(fù)位信號(hào)BRP包括復(fù)位上升信號(hào)Ramp-up和復(fù)位下降信號(hào)Ramp-down。在作為除A子場(chǎng)1SF之外的其余子場(chǎng)的B子場(chǎng)2SF ~ 10SF的復(fù)位時(shí)間段中，提供給掃描電極Y的復(fù)位信號(hào)SRP僅包括復(fù)位下降信號(hào)Ramp-down。因此，提供給A子場(chǎng)ISF的復(fù)位信號(hào)的電壓擺幅寬度大于提供給其余子場(chǎng)的復(fù)位信號(hào)SRP的電壓擺幅寬度。這是因?yàn)?，使A子場(chǎng)1SF的復(fù)位信號(hào)BRP的電壓大于B子場(chǎng)2SF ~IOSF的復(fù)位信號(hào)SRP的電壓擺幅寬度，從而向掃描電極Y提供復(fù)位。因此，在整個(gè)屏幕的放電單元中可以充分積累壁電荷，并且可以充分擦除在放電單元中所形成的壁電荷，因而壁電荷可以均勻地駐留在放電單元中。
另夕卜，多個(gè)子場(chǎng)1SF 10SF中的A子場(chǎng)1SF的、向掃描電極Y提供復(fù)位信號(hào)的最低電壓的a維持時(shí)間段tl可以短于B子場(chǎng)2SF~ 10SF的、向掃描電極Y提供復(fù)位信號(hào)的最低電壓的b維持時(shí)間段t2和c維持時(shí)間段t3。
隨著提供復(fù)位信號(hào)的最低電壓的a、 b和c維持時(shí)間段tl、 t2和t3增大，擦除在放電單元中所形成的壁電荷的時(shí)間段增大，從而可以在放電單元中均勻地形成壁電荷。也就是說，在A子場(chǎng)1SF中，通過電壓逐漸增大的復(fù)位上升信號(hào)Ramp-up所產(chǎn)生的壁電荷的量可以小于通過最后的維持信號(hào)Last Sus所形成的壁電荷的量，最后的維持信號(hào)Last Sus有助于B子場(chǎng)2SF ~ 10SF中的下一個(gè)子場(chǎng)的復(fù)位時(shí)間段。
也就是說，通過提供給前一幀的最后的子場(chǎng)的擦除信號(hào)EP來擦除放電單元中的大多數(shù)壁電荷，從而使得點(diǎn)火粒子(priming particle)的量少，并且使得通過在A子場(chǎng)ISF中提供的復(fù)位上升信號(hào)Ramp-up所形成的壁電荷的量少于沒有提^^除信號(hào)EP時(shí)的量。因此，在A子場(chǎng)ISF中，為了使得a維持時(shí)間段tl小于b和c維持時(shí)間段t2和t3，所擦除的壁電荷的量必須少于在B子場(chǎng)2SF 10SF的復(fù)位時(shí)間段所擦除的壁電荷的量。
另夕卜，實(shí)際上使得維持提供給最后的子場(chǎng)的擦除信號(hào)EP的最低電壓的維持時(shí)間段t4與A子場(chǎng)的a維持時(shí)間段tl相同，從而不會(huì)過分擦除點(diǎn)火粒子。
另一方面，根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例，A子場(chǎng)ISF的復(fù)位時(shí)間段的最低電壓VI可以小于B子場(chǎng)2SF ~ 10SF的復(fù)位時(shí)間段的最4氐電壓V2。
也就是說，A子場(chǎng)ISF的復(fù)位時(shí)間段的最低電壓VI的絕對(duì)值可以小于B子場(chǎng)2SF ~ 10SF的復(fù)位時(shí)間段的最低電壓的絕對(duì)值。A子場(chǎng)ISF的復(fù)位時(shí)間段的最低電壓VI可以不低于-100V、且不高于-95V。 B子場(chǎng)2SF 10SF的復(fù)位時(shí)間段的最低電壓V2可以不低于-90V、且不高于-80V。
因此，復(fù)位時(shí)間段的整個(gè)時(shí)間減少，以確保驅(qū)動(dòng)余量。
可以提供如圖4所示的提供給維持電極Z的第二維持偏置電壓Vzb2 ，以實(shí)際對(duì)應(yīng)于終止a維持時(shí)間段tl、 b維持時(shí)間段t2或c維持時(shí)間段t3的時(shí)間點(diǎn)。這是因?yàn)椋?dāng)將第二維持偏置電壓Vzb2快速提供給a維持時(shí)間段tl、 b維持時(shí)間段t2或c維持時(shí)間段t3時(shí)，可由提供給掃描電極Y的復(fù)位下降信號(hào)的a維持時(shí)間段tl或b維持時(shí)間段t2產(chǎn)生噪聲，從而降低驅(qū)動(dòng)的可靠性。另一方面，A子場(chǎng)的第二維持偏置電壓Vzb2可以不同于B子場(chǎng)的第二維持偏置電壓Vzb2。也就是說，A子場(chǎng)1SF中的第二維持偏置電壓Vzb2可以大于B子場(chǎng)中的第二維持偏置電壓Vzb2。
由于A子場(chǎng)1SF —般顯示較b子場(chǎng)2SF ~ 10SF更低的> ^級(jí)，因而接通的放電單元的數(shù)量少。因此，由于在接通的放電單元的附近幾乎沒有接通的放電單元，因而接通的放電單元不能期望來自周圍放電單元的點(diǎn)火效應(yīng)(priming effect)。因此，通過尋址時(shí)間段的尋址放電所積累的壁電荷的量可能不夠。在這種情況下，盡管在維持時(shí)間段提供了維持信號(hào)，但是由于不夠的壁電荷而可能不能產(chǎn)生維持放電。因此，為了在A子場(chǎng)1SF的尋址時(shí)間段形成足夠的壁電荷，可以使得第二維持偏置電壓Vzb2大于B子場(chǎng)2SF ~ 10SF中的第二維持偏置電壓Vzb2。
另一方面，在除A子場(chǎng)1SF外的B子場(chǎng)2SF 10SF中，由于顯示相對(duì)高的^A級(jí)，因而第二維持偏置電壓Vzb2不必很高。例如，當(dāng)在B子場(chǎng)中提供等于在A子場(chǎng)1SF中所提供的第二維持偏置電壓Vzb2的第二維持偏置電壓Vzb2時(shí)，在尋址時(shí)間段過多地形成壁電荷，從而使得可能在維持時(shí)間段在非放電單元中產(chǎn)生不需要的放電。
本發(fā)明的方式
圖7和8示出在PDP的溫度或PDP的外周溫度高于基準(zhǔn)溫度時(shí)根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例提供給多個(gè)子場(chǎng)的驅(qū)動(dòng)信號(hào)。
根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的基準(zhǔn)溫度為不低于0度且不高于40度的室溫，并且高于基準(zhǔn)溫度的溫度為高于40度的高溫。在圖7和8中，基準(zhǔn)溫度為第一溫度，并且高于基準(zhǔn)溫度的溫度為第二溫度。
在根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的溫度驅(qū)動(dòng)中，對(duì)于至少一個(gè)子場(chǎng)，在第一溫度和第二溫度，在PDP的復(fù)位時(shí)間段，維持提供給掃描電極的復(fù)位下降信號(hào)Ramp-down的最^f氐電壓的時(shí)間段的長(zhǎng)度變化。
此時(shí)，多個(gè)子場(chǎng)包括第一多個(gè)子場(chǎng)和第二多個(gè)子場(chǎng)。
這里，第一多個(gè)子場(chǎng)是多個(gè)子場(chǎng)中最先提供的第一到第四子場(chǎng)，并且第二多個(gè)子場(chǎng)是除第 一子場(chǎng)之外的其余子場(chǎng)。
參考圖7和8，當(dāng)PDP的溫度或PDP的外周溫度等于第一溫度時(shí)，將在笫一多個(gè)子場(chǎng)的復(fù)位時(shí)間段提供復(fù)位信號(hào)的最低電壓的時(shí)間段稱為
第一保持時(shí)間段wl和w2。將在第二多個(gè)子場(chǎng)的復(fù)位時(shí)間段提供復(fù)位信號(hào)的最低電壓的時(shí)間段稱為笫二保持時(shí)間段w3。在PDP的溫度或PDP的外周溫度升高到第二溫度的情況下，當(dāng)將在第一多個(gè)子場(chǎng)的復(fù)位時(shí)間段提供復(fù)位信號(hào)的最低電壓的時(shí)間段稱為第三保持時(shí)間段w5和w6,并將在第二多個(gè)子場(chǎng)的復(fù)位時(shí)間段提供復(fù)位信號(hào)的最低電壓的時(shí)間段稱為第
四保持時(shí)間段w7時(shí)，第二保持時(shí)間段w3實(shí)際上可以長(zhǎng)于第四保持時(shí)間段w7。
在第一多個(gè)子場(chǎng)的第一子場(chǎng)1SF中，在第一和第二溫度所提供的復(fù)位信號(hào)BRP幾乎是相似的，并且最低電壓的維持時(shí)間段實(shí)際上與wl相同。例如，可以將wli殳置為5/ ~15 /"s。
在第一多個(gè)子場(chǎng)中的第二到第四子場(chǎng)2SF 4SF中，在第一和第二溫度所提供的復(fù)位下降信號(hào)SRP幾乎是相似的，并且最低電壓的維持時(shí)間段實(shí)際上與w2相同。例如，可以將w2i更置為20邙~40 / 。
另一方面，在第二多個(gè)子場(chǎng)的第五到第十子場(chǎng)5SF 10SF中，在第一溫度和第二溫度所提供的復(fù)位下降信號(hào)SRP幾乎是相似的，然而最低電壓的維持時(shí)間勤目互不同，為w3和w7。
也就是說，當(dāng)在第二溫度驅(qū)動(dòng)PDP時(shí)的最低電壓的維持時(shí)間段w7可以短于在基準(zhǔn)溫度驅(qū)動(dòng)PDP時(shí)的最低電壓的維持時(shí)間段w3。這里，第十子場(chǎng)IOSF是構(gòu)成一個(gè)幀的多個(gè)子場(chǎng)中的最后的子場(chǎng)。
最后，在提供給最后的子場(chǎng)的擦除信號(hào)中，在第一和第二溫度擦除信號(hào)幾乎是相似的，并且最低電壓的維持時(shí)間段實(shí)際上相同，為w4和w8。例如，w4實(shí)際上可以與wl相同，wl是第一多個(gè)子場(chǎng)1SF的最4氐電壓的維持時(shí)間段。
另一方面，下面將根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例，說明最低電壓的維持時(shí)間段因各子場(chǎng)根據(jù)驅(qū)動(dòng)溫度而變化的原因。
在第一溫度，在第一子場(chǎng)1SF中，通過電壓逐漸增大的復(fù)位上升信號(hào)Ramp-up所產(chǎn)生的壁電荷的量可以小于由最后的維持信號(hào)所形成的壁電荷的量，其中最后的維持信號(hào)有助于其余子場(chǎng)2SF 10SF中的下一個(gè)子場(chǎng)的復(fù)位時(shí)間段。因此，通過提供給前一幀的最后的子場(chǎng)的擦除信號(hào)EP擦除放電單元中的大多數(shù)壁電荷，從而使得點(diǎn)火粒子的量少。因此，通過提供給第一子場(chǎng)1SF的復(fù)位上升信號(hào)Ramp-up所形成的壁電荷的量可以小于沒有提,除信號(hào)EP時(shí)的量。
因此，作為最低電壓的維持時(shí)間段的wl小于作為其余子場(chǎng)中的最低電壓的維持時(shí)間段的維持時(shí)間段w2和w3，以減少所擦除的壁電荷的量。
另一方面，在除第一子場(chǎng)1SF之外的其余子場(chǎng)2SF 10SF中，由于因在前一子場(chǎng)中所產(chǎn)生的最后的維持放電而引起壁電荷的量大，因而為w2和w3的最低電壓的維持時(shí)間段增大，從而使得充分擦除壁電荷，并且穩(wěn)定放電單元的狀態(tài)以有利于尋址放電。
另夕卜，使得作為提供給最后的子場(chǎng)的擦除信號(hào)EP的最低電壓的維持時(shí)間段的w4小，從而使得不過多地擦除用于初始化下一幀的初始子場(chǎng)的點(diǎn)火粒子。
另一方面，隨著PDP的溫度增高，空間電荷和充電顆粒的熱運(yùn)動(dòng)速度增大，從而使得活躍地產(chǎn)生重新組合，以增加放電空間的空間電荷和壁電荷的損耗。此外，當(dāng)空間電荷和充電顆粒的量大時(shí)，空間電荷和壁電荷的損耗增大。
在第二溫度，在第一子場(chǎng)1SF中，由于因提供給前一幀的最后的子場(chǎng)的擦除信號(hào)EP而充分減少了點(diǎn)火粒子，因而在復(fù)位上升信號(hào)Ramp-up中所積累的壁電荷的量不大于在其余子場(chǎng)2SF 10SF中所積累的壁電荷的量。
因此，由于與基準(zhǔn)溫度的情況相比，才艮據(jù)驅(qū)動(dòng)溫度的增高的空間電荷或壁電荷的損耗沒有顯著增大，因而，考慮穩(wěn)定的尋址放電，最低電壓的維持時(shí)間段w5可以為實(shí)際上與第 一溫度相同的wl 。
也就S一說，當(dāng)考慮隨著第一子場(chǎng)1SF中的溫度的增高壁電荷的額外損耗，最低電壓的維持時(shí)間段與第一溫度相比縮短時(shí)，壁電荷沒有被充分擦除，從而可能使得尋址放電特性下降。
另夕卜，根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例，由于第二到第四子場(chǎng)2SF 4SF顯示低灰度級(jí)，因而在維持時(shí)間段所提供的維持信號(hào)的數(shù)量明顯小于第五到第十子場(chǎng)5SF 10SF中的數(shù)量。因此，在第二到第四子場(chǎng)2SF 4SF中，在前一子場(chǎng)的維持時(shí)間段所形成的壁電荷的量少于在第五到第十子場(chǎng)5SF 10SF中所形成的壁電荷的量，從而可以使得才艮據(jù)溫度增高的壁電荷的損耗小。
因此，在第二溫度，可以使得第二到第四子場(chǎng)2SF 4SF的最低電壓的維持時(shí)間段w6為實(shí)際上與第一溫度的最低電壓的維持時(shí)間段相同的w2,以充分擦除壁電荷。
另一方面，在第二溫度，由于第五到第十子場(chǎng)5SF 10SF顯示高灰度級(jí)，因而在維持時(shí)間段所提供的維持信號(hào)的數(shù)量比第二到第四子場(chǎng)2SF 4SF中的大。因此，在第五到第十子場(chǎng)5SF 10SF中，在前一子場(chǎng)的維持時(shí)間段所形成的壁電荷的量大于在第二到第四子場(chǎng)2SF 4SF中所形成的壁電荷的量，從而使得根據(jù)溫度的增高的壁電荷的損耗明顯增大。
因此，在第二溫度，4吏得第五到第十子場(chǎng)5SF 10SF的最低電壓的維持時(shí)間段為w7，其小于在基準(zhǔn)溫度的最低電壓的維持時(shí)間段，從而使得不過多損耗壁電荷。才艮據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例，w7小于在第一溫度應(yīng)用于相同子場(chǎng)的w3、或應(yīng)用于第二到第四子場(chǎng)2SF 4SF的w2和w6。另夕卜，w7可以小于作為第一子場(chǎng)1SF和最后的子場(chǎng)的擦除信號(hào)的最^f氐電壓的維持時(shí)間段的wl、 w4、 w5和w8。例如，w7可以為2 /"s ~10 /ws。當(dāng)w7小于2 //s時(shí)，可能幾乎不進(jìn)行作為復(fù)位下降信號(hào)Ramp-down的功能的、用于穩(wěn)定放電單元的功能。當(dāng)w7大于10 /fi時(shí)，壁電荷被過多地擦除，因而4吏得不平滑地產(chǎn)生尋址放電。
最后，在第二溫度，為了在下一幀的第一子場(chǎng)1SF中形成足夠的壁電荷，可以使得提供給最后的子場(chǎng)的擦除信號(hào)的最低電壓的維持時(shí)間段w8為實(shí)際上與第一溫度的最低電壓的維持時(shí)間段相同的w4。
另一方面，才艮據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例，在第五到最后的子場(chǎng)5SF 10SF中，復(fù)位下降信號(hào)Ramp-down的最低電壓的維持時(shí)間^:根據(jù)溫度而改變。應(yīng)用溫度驅(qū)動(dòng)的子場(chǎng)的數(shù)量或初始子場(chǎng)可以改變。
另外，可以將根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的溫度驅(qū)動(dòng)應(yīng)用于易受高溫4f^電的電極的配置。例如，可以連續(xù)配置設(shè)置在PDP中的掃描電極Y和維持電極Z。也就是說，如按照掃描電極Y、維持電極Z、維持電極Z和掃描電極Y的順序配置電極的電極結(jié)構(gòu)(以下稱之為YZZY結(jié)構(gòu)) 一樣，連續(xù)配置具有相同功能的兩個(gè)電極。在YZZY結(jié)構(gòu)中，掃描不是順序進(jìn)行的。也就是說，首先掃描奇數(shù)掃描電極Y，然后掃描偶數(shù)掃描電極Y，或者首先掃描偶數(shù)掃描電極Y,然后掃描奇數(shù)掃描電極Y。在這種情況下，由于首先掃描的掃描電極Y的尋址放電，因而在后來掃描的掃描電極Y的放電單元中所形成的壁電荷的量減少。因此，才艮據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例，需要縮短顯示高H級(jí)的多個(gè)子場(chǎng)的復(fù)位下降信號(hào)Ramp-down的最低電壓的維持時(shí)間段。此外，在YZZY結(jié)構(gòu)中，如上所述，后來掃描的掃描電極Y中的壁電荷的損耗更加增大。在顯示低灰變級(jí)的子場(chǎng)中，與基準(zhǔn)溫度相比，可以縮短復(fù)位下降信號(hào)的最低電壓的維持時(shí)間段。
上述實(shí)施例和優(yōu)點(diǎn)僅是示例性的，并且不應(yīng)被認(rèn)為是限制本發(fā)明。本教導(dǎo)可以容易地應(yīng)用于其它類型的設(shè)備。上述實(shí)施例的說明旨在進(jìn)行說
明，并不限制本權(quán)利要求書的范圍。對(duì)于本技術(shù)領(lǐng)域的技術(shù)人員來說，顯然可以做出許多可選方案、修改和改變。
工業(yè)應(yīng)用性
在根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的等離子體顯示設(shè)備中，由于維持復(fù)位信號(hào)的最低電壓的保持時(shí)間段隨各子場(chǎng)而變化，因而可以防止4H^t電，并且可以防止圖像質(zhì)量下降。
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權(quán)利要求
1.一種等離子體顯示設(shè)備，包括等離子體顯示面板，包括掃描電極和維持電極；傳感器單元，用于檢測(cè)所述等離子體顯示面板的溫度或所述等離子體顯示面板的外周溫度；以及掃描驅(qū)動(dòng)器，用于在預(yù)定基準(zhǔn)溫度，在多個(gè)子場(chǎng)中的至少一個(gè)子場(chǎng)的復(fù)位時(shí)間段向所述掃描電極提供復(fù)位信號(hào)，從而使得提供所述復(fù)位信號(hào)的最低電壓的第一時(shí)間段不同于在所述等離子體顯示面板的溫度或所述等離子體顯示面板的外周溫度偏離所述預(yù)定基準(zhǔn)溫度時(shí)的最低電壓的提供時(shí)間段。
2. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的等離子體顯示設(shè)備，其中所述多個(gè)子場(chǎng)包 括第一多個(gè)子場(chǎng)和第二多個(gè)子場(chǎng)；其中，當(dāng)所述等離子體顯示面板的溫度或所述等離子體顯示面板的外 周溫度包括在所逸基準(zhǔn)溫度中時(shí)，將在所述第一多個(gè)子場(chǎng)的復(fù)位時(shí)間段中 提供所述復(fù)位信號(hào)的最低電壓的時(shí)間段稱為第 一保持時(shí)間段，并將在所述 第二子場(chǎng)的復(fù)位時(shí)間段中提供所述復(fù)位信號(hào)的最低電壓的時(shí)間段稱為第 二保持時(shí)間段；以及其中，當(dāng)所述等離子體顯示面板的溫度或所述等離子體顯示面板的外 周溫度包括在所逸基準(zhǔn)溫度中時(shí)，在將所述第 一 多個(gè)子場(chǎng)的復(fù)位時(shí)間段中 提供所述復(fù)位信號(hào)的最低電壓的時(shí)間段稱為第三保持時(shí)間段、并將所述第 二子場(chǎng)的復(fù)位時(shí)間段中提供所述復(fù)位信號(hào)的最低電壓的時(shí)間段稱為第四 保持時(shí)間段的情況下，所述第 一保持時(shí)間段和所述第三保持時(shí)間段實(shí)際上 相同，并且所述第二保持時(shí)間段實(shí)際上長(zhǎng)于所述第四保持時(shí)間段。
3. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的等離子體顯示設(shè)備，還包括維持驅(qū)動(dòng)器， 所述維持驅(qū)動(dòng)器用于向所述維持電極提供維持偏置信號(hào)，以實(shí)際對(duì)應(yīng)于終 止所述復(fù)位信號(hào)的最低電壓的時(shí)間點(diǎn)，其中所述維持偏置信號(hào)從第 一維持 偏置電壓升高至第二維持偏置電壓。
4. 根據(jù)權(quán)利要求2所述的等離子體顯示設(shè)備，其中所述第一多個(gè)子 場(chǎng)是所述多個(gè)子場(chǎng)中最先提供的第 一子場(chǎng)到第四子場(chǎng)。
5. 根據(jù)權(quán)利要求2所述的等離子體顯示設(shè)備，其中所述第一保持時(shí) 間段和所述第三保持時(shí)間段不少于5 //s且不多于15 。
6. 根據(jù)權(quán)利要求2所述的等離子體顯示設(shè)備，其中所述第二保持時(shí) 間段不少于20/zs且不多于40/e;以及其中所述第四保持時(shí)間段不少于2 //s且不多于10 /fi。
7. 根據(jù)權(quán)利要求3所述的等離子體顯示i殳備，其中所述第一維持偏 置電壓和所述第二維持偏置電壓之間的差不少于2V且不多于10V。
8. 根據(jù)權(quán)利要求2所述的等離子體顯示設(shè)備，其中在所述多個(gè)子場(chǎng) 中的至少一個(gè)子場(chǎng)中，在提供最后的維持信號(hào)之后，向所述掃描電極或所 述維持電極提 除信號(hào)。
9. 根據(jù)權(quán)利要求8所述的等離子體顯示設(shè)備，其中提供所述擦除信 號(hào)的最低電壓的時(shí)間段實(shí)際上與所述第 一保持時(shí)間段或所述第三保持時(shí) 間^L相同。
10. 根據(jù)權(quán)利要求l所述的等離子體顯示設(shè)備，其中所述基準(zhǔn)溫度不 低于0度且不高于40度。
11. 根據(jù)權(quán)利要求l所述的等離子體顯示設(shè)備，在所述等離子體顯示 面板的至少 一個(gè)區(qū)域中連續(xù)配置所述掃描電極或所述維持電極。
12. —種用于驅(qū)動(dòng)包括掃描電極和維持電極的等離子體顯示設(shè)備的 方法,該方、法包括檢測(cè)所述等離子體顯示面板的溫度或所述等離子體顯示面板的外周 溫度；以及在預(yù)定基準(zhǔn)溫度，在多個(gè)子場(chǎng)中的至少一個(gè)子場(chǎng)的復(fù)位時(shí)間段向所述 掃描電極提供復(fù)位信號(hào)，從而使得提供所述復(fù)位信號(hào)的最低電壓的第一時(shí) 間段不同于在所述等離子體顯示面板的溫度或所述等離子體顯示面板的 外周溫度偏離所述預(yù)定基準(zhǔn)溫度時(shí)的最低電壓的提供時(shí)間段。
13. 根據(jù)權(quán)利要求12所述的方法，其中所述多個(gè)子場(chǎng)包括第一多個(gè) 子場(chǎng)和第二多個(gè)子場(chǎng)；其中，當(dāng)所述等離子體顯示面板的溫度或所述等離子體顯示面板的外 周溫度包括在所述基準(zhǔn)溫度中時(shí)，將在所述第 一多個(gè)子場(chǎng)的復(fù)位時(shí)間段中 提供所迷復(fù)位信號(hào)的最低電壓的時(shí)間段稱為第 一保持時(shí)間段，并且將在所 述第二多個(gè)子場(chǎng)的復(fù)位時(shí)間段中提供所述復(fù)位信號(hào)的最低電壓的時(shí)間段 稱為第二保持時(shí)間段；以及其中，當(dāng)所述等離子體顯示面板的溫度或所述等離子體顯示面板的外周溫度包括在所逸基準(zhǔn)溫度中時(shí)，在將所述第 一多個(gè)子場(chǎng)的復(fù)位時(shí)間段中 提供所述復(fù)位信號(hào)的最低電壓的時(shí)間段稱為第三保持時(shí)間段、并將在所述 第二多個(gè)子場(chǎng)的復(fù)位時(shí)間段中提供所述復(fù)位信號(hào)的最低電壓的時(shí)間段稱為第四保持時(shí)間段的情況下，所述第 一保持時(shí)間段和所述第三保持時(shí)間段 實(shí)際上相同，并且所述第二保持時(shí)間段實(shí)際上長(zhǎng)于所述第四保持時(shí)間段。
14. 根據(jù)權(quán)利要求12所述的方法，還包括維持驅(qū)動(dòng)器，所述維持驅(qū) 動(dòng)器用于向所述維持電極提供維持偏置信號(hào)，以實(shí)際對(duì)應(yīng)于終止所述復(fù)位 信號(hào)的最低電壓的時(shí)間點(diǎn)，其中所述維持偏置信號(hào)從第一維持偏置電壓升 高至第二維持偏置電壓。
15. 根據(jù)權(quán)利要求13所述的方法，其中所述第一多個(gè)子場(chǎng)是所述多 個(gè)子場(chǎng)中最先提供的第一子場(chǎng)到第四子場(chǎng)。
16. 根據(jù)權(quán)利要求13所述的方法，其中在所述多個(gè)子場(chǎng)中的至少一 個(gè)子場(chǎng)中，在提供最后的維持信號(hào)之后，向所述掃描電極或所述維持電極 提鄉(xiāng)除信號(hào)。
17. 根據(jù)權(quán)利要求16所述的方法，其中提供所述擦除信號(hào)的最低電 壓的時(shí)間段實(shí)際上與所述第 一保持時(shí)間段或所述第三保持時(shí)間勸目同。
18. 根據(jù)權(quán)利要求13所述的方法，其中所述第一保持時(shí)間段和所述 第三保持時(shí)間段不少于5 /fi且不多于15 //s;其中，所述第二保持時(shí)間段不少于20邙且不多于40/fi;以及 其中，所述第四保持時(shí)間段不少于2//8且不多于10//8。
19. 根據(jù)權(quán)利要求13所述的方法，其中在所述多個(gè)子場(chǎng)中的至少一 個(gè)子場(chǎng)中，在提供最后的維持信號(hào)后，向所述掃描電極或所述維持電極提 鄉(xiāng)除信號(hào)。
20. 根據(jù)權(quán)利要求12所述的方法，其中所述基準(zhǔn)溫度不低于0度且 不高于40度。
全文摘要
公開一種等離子體顯示設(shè)備及驅(qū)動(dòng)該等離子體顯示設(shè)備的方法。該等離子體顯示設(shè)備包括等離子體顯示面板，包括掃描電極和維持電極；傳感器單元，用于檢測(cè)該面板的溫度或該面板的外周溫度；以及掃描驅(qū)動(dòng)器，用于在預(yù)定基準(zhǔn)溫度，在多個(gè)子場(chǎng)中的至少一個(gè)子場(chǎng)的復(fù)位時(shí)間段，向掃描電極提供復(fù)位信號(hào)，從而使得提供復(fù)位信號(hào)的最低電壓的第一時(shí)間段不同于在PDP的溫度或PDP的外周溫度偏離預(yù)定基準(zhǔn)溫度時(shí)的最低電壓的提供時(shí)間段。
文檔編號(hào)G09G3/288GK101542565SQ200880000456
公開日2009年9月23日 申請(qǐng)日期2008年1月10日 優(yōu)先權(quán)日2007年9月28日
發(fā)明者樸記洛, 柳圣煥, 裴鐘運(yùn) 申請(qǐng)人:Lg電子株式會(huì)社