專利名稱：液晶顯示器的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種液晶顯示(LCD)器件，具體涉及一種高開口率 和高對(duì)比度的面內(nèi)切換(IPS)模式中的有源矩陣型的LCD器件。
背景技術(shù)：
具有高對(duì)比度的扭曲向列型(TN)系統(tǒng)的顯示器被廣泛地使用。 但是，由于液晶(LC)分子的分子軸被垂直電場(chǎng)提升，因此TN系統(tǒng)的 顯示器件包括顯著的視角相關(guān)性。近年來，用于TV的大監(jiān)視器的需求 增加，IPS模式變得普遍。在IPS模式的顯示器件中，LC分子的分子軸 被平行于基板的平面內(nèi)的水平電場(chǎng)旋轉(zhuǎn)，以進(jìn)行顯示。由于IPS模式對(duì) 于分子軸的提升角度不包括視角相關(guān)性，因此其視角性能實(shí)質(zhì)上比TN 系統(tǒng)更有利。在IPS模式的顯示器件中，用類似梳齒的形狀布置像素電極和公共 電極，以及在像素電極和公共電極之間施加水平電場(chǎng)。為此，電極區(qū) 與顯示區(qū)的比率是大的。亦即，IPS模式的顯示器件包括低開口率。由 于IPS模式的顯示器件由水平電場(chǎng)驅(qū)動(dòng)，顯示區(qū)中的LC分子易于受從視 頻信號(hào)布線泄漏的電場(chǎng)影響，以及容易發(fā)生垂直串?dāng)_。例如，在日本專利申請(qǐng)?zhí)亻_號(hào)2002-323706 (專利文獻(xiàn)l)中公開 了這種問題的解決辦法。圖35A示出了一個(gè)像素平面圖和圖35B示出了沿線i-i、 n-ii以及ni-m的剖面圖。在基板上形成多個(gè)掃描信號(hào)布線35Qi
和與其平行的兩個(gè)公共信號(hào)布線3502，該掃描信號(hào)布線3501是第一金 屬層。在多個(gè)掃描信號(hào)布線和多個(gè)公共信號(hào)布線上形成第一絕緣膜 3503。在第一絕緣膜上形成多個(gè)視頻信號(hào)布線3504、薄膜晶體管(TFT) 3505以及源電極3506。源電極3506被布置在多個(gè)像素的兩側(cè)，并連接 到像素輔助布線3506B，該像素輔助布線3506B位于與源電極相同層中。 各個(gè)源電極3506在重疊多個(gè)公共信號(hào)布線3502的區(qū)域中形成存儲(chǔ)電 容。源電極3506和多個(gè)公共信號(hào)布線3502被類似鋸齒形狀地構(gòu)圖。
在顯示區(qū)的邊緣中，鋸齒狀圖形部分抑制導(dǎo)致LC分子的反向旋轉(zhuǎn) 的電場(chǎng)。在多個(gè)視頻信號(hào)布線3504、 TFT3505和源電極3506上形成第二 絕緣膜3507。在第二絕緣膜3507上形成第三絕緣膜3508，該第三絕緣 膜3508是透明絕緣膜。在第三絕緣膜3508上形成像素電極3509和電極 3510，像素電極3509和電極3510是透明電極。在布線寬度方向，經(jīng)由 第二絕緣膜3507和第三絕緣膜3508，多個(gè)視頻信號(hào)布線3504被公共電 極3510完全覆蓋。像素電極3509和公共電極3510分別經(jīng)由接觸孔3511 和3512電連接到源電極3506和多個(gè)公共信號(hào)布線3502。
用梳齒形狀布置的像素電極3509和公共電極3510是透明電極。因 此，電極上的區(qū)域有助于透射。根據(jù)模擬，對(duì)透明電極的透射的貢獻(xiàn) 增加有效開口率約8%。由于在布線寬度方向上，多個(gè)視頻信號(hào)布線上 的區(qū)域被公共電極完全覆蓋，因此開口可以延伸到鄰近多個(gè)視頻信號(hào) 布線的區(qū)域。因此，在顯示區(qū)的邊緣中防止液晶分子的反向旋轉(zhuǎn)，以 及光利用效率上升到最大程度。
通過該公共電極屏蔽來自多個(gè)視頻信號(hào)布線的泄漏電場(chǎng)。由此， 垂直串?dāng)_減小。此外，盡管在多個(gè)視頻信號(hào)布線和公共電極之間出現(xiàn) 負(fù)載電容，但是因?yàn)榻^緣膜具有低介電常數(shù)，因此該負(fù)載電容不影響 顯示器件的驅(qū)動(dòng)。
在日本專利申請(qǐng)?zhí)亻_號(hào)2003-207803 (專利文獻(xiàn)2)中公開了以上 問題的解決辦法。圖37A示出了一個(gè)像素的平面圖，圖37B示出了沿線 I-I、 II-II以及m-m的剖面圖。形成多個(gè)掃描信號(hào)布線3701和與其平行 的兩個(gè)公共信號(hào)布線3702，該掃描信號(hào)布線3701是第一金屬層。在多 個(gè)掃描信號(hào)布線3701和多個(gè)公共信號(hào)布線3702上形成第一絕緣膜 3703。在第一絕緣膜上形成多個(gè)視頻信號(hào)布線3704、 TFT 3705和源電 極3706,多個(gè)視頻信號(hào)布線3704是第二金屬層。盡管在圖37A中，源電 極3706被設(shè)置在多個(gè)像素的兩側(cè)，但是在相同層中源電極不相互連接。 各個(gè)源電極3706經(jīng)由接觸孔3711、 3713和像素電極3709電連接。各個(gè) 源電極3706在重疊多個(gè)公共信號(hào)布線3702的區(qū)域中形成存儲(chǔ)電容。源電極3706和多個(gè)公共信號(hào)布線3702被構(gòu)圖類似鋸齒形狀。在顯 示區(qū)的邊緣中，該鋸齒狀圖形抑制導(dǎo)致LC分子的反向旋轉(zhuǎn)的電場(chǎng)。在 多個(gè)視頻信號(hào)布線3704、 TFT 3705和源電極3706上形成第二絕緣膜 3707。在第二絕緣膜3707上形成第三透明絕緣膜3708。在第三絕緣膜 3708上形成像素電極3709和公共電極3710，像素電極3709和公共電極 3710是透明電極。在布線寬度方向，經(jīng)由第二絕緣膜3707和第三絕緣 膜370S，多個(gè)視頻信號(hào)布線3704被公共電極3710完全覆蓋。像素電極 3709和公共電極3710分別經(jīng)由接觸孔3711、 3712和3713電連接到源電 極3706和多個(gè)公共信號(hào)布線3702。近年來，需要一種具有高清晰度的液晶顯示(LCD)器件。在專 利文獻(xiàn)1中，沒有實(shí)現(xiàn)高清晰度LCD。在圖36A中圖示了第二金屬層。 當(dāng)在相同層中，多個(gè)視頻信號(hào)布線3604和像素輔助布線3606B變得靠近 時(shí)，外來顆粒等等易于在其間引起短路。圖36B示出了其中兩條布線短 路的例子。多個(gè)視頻信號(hào)布線3604和像素輔助布線3606B通過泄漏通道 3606C連接。在該狀態(tài)中，像素電極的電位受視頻信號(hào)布線3604的電位 變化影響。泄漏通道在暗屏幕上看起來像一個(gè)亮點(diǎn)，以及在亮屏幕上 看起來像暗點(diǎn)。在下文中，上面的這種點(diǎn)缺陷被稱作"泄漏亮點(diǎn)"。 近年來對(duì)于圖像質(zhì)量的要求提髙，具體，強(qiáng)烈地要求沒有泄漏亮點(diǎn)的 顯示器件。
在專利文獻(xiàn)2中，接觸孔3713被布置，以及兩個(gè)源電極3706經(jīng)由透 明像素電極3709連接。通過除去相同層中的像素輔助布線，相同層中 的多個(gè)視頻信號(hào)布線的短路被降低。但是，即使在這種結(jié)構(gòu)中，源電 極和多個(gè)視頻信號(hào)布線往往引起短路。圖38A僅僅示出第二金屬層。因 為在源電極3806和多個(gè)公共信號(hào)布線3802之間形成存儲(chǔ)電容，源電極 3806必須被布置為比像素輔助布線更接近多個(gè)視頻信號(hào)布線3804。圖 38B示出了形成在相同層中的多個(gè)視頻信號(hào)布線3804和源電極3806通 過泄漏通道3806C產(chǎn)生短路。在這種結(jié)構(gòu)中，像素電極的電位受多個(gè)視 頻信號(hào)布線3804的電位變化影響，以及發(fā)生如專利文獻(xiàn)l所述的泄漏亮 點(diǎn)。與專利文獻(xiàn)l相比較，通過除去像素輔助布線，相同層中的短路在 一定程度上被減小。但是，沒有實(shí)現(xiàn)顯著的減小。相關(guān)技術(shù)顯示器中的顯示器件通過在多個(gè)公共信號(hào)布線和源電極 之間的重疊形成存儲(chǔ)電容。在該顯示器件中，多個(gè)視頻信號(hào)布線和源 電極之間仍然有可能短路。因此，在相關(guān)技術(shù)中顯著提高成品率是困 難的。發(fā)明內(nèi)容本申請(qǐng)的主要目的是抑制多個(gè)視頻信號(hào)布線和源電極之間的短 路，提供一種可以實(shí)現(xiàn)高成品率的橫向電場(chǎng)型的有源矩陣LCD器件。根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)方面， 一種有源矩陣液晶顯示器包括第一基 板，面對(duì)第一基板的第二基板，以及被第一基板和第二基板夾入的液 晶層。該第一基板包括多個(gè)掃描信號(hào)布線；沿該多個(gè)掃描信號(hào)布線 布置的多個(gè)公共信號(hào)布線；交叉該多個(gè)掃描信號(hào)布線和多個(gè)公共信號(hào) 布線的多個(gè)視頻信號(hào)布線；以及多個(gè)像素。該多個(gè)像素被布置在由多 個(gè)掃描信號(hào)布線和多個(gè)視頻信號(hào)布線圍繞的第一區(qū)域中。該像素包括 薄膜晶體管；在布置多個(gè)視頻信號(hào)布線的層中形成的薄膜晶體管的源 電極；連接到該源電極的像素電極；以及連接到該多個(gè)公共信號(hào)布線 的公共電極。該源電極包括重疊多個(gè)掃描信號(hào)布線的第一部分和與像 素電極連接的第二部分。該第二部分被設(shè)置在多個(gè)像素的側(cè)面中的視 頻信號(hào)布線之間的中心部分周圍。在電場(chǎng)作用下，液晶層中的液晶分 子的分子軸在近似平行于第一基板的平面中的第一方向上旋轉(zhuǎn)，該電 場(chǎng)近似平行于第一基板，以及被施加在像素電極和公共電極之間。根據(jù)本發(fā)明的橫向電場(chǎng)型的有源矩陣LCD器件，獲得以下有利的 效果。首先，由于高度地減小源電極和多個(gè)視頻信號(hào)布線之間的短路， 高清晰產(chǎn)品的高成品率變?yōu)榭赡?。該原因如下所述。在不同于設(shè)置多 個(gè)視頻信號(hào)布線的層的層中形成源電極和像素輔助布線，該源電極和 像素輔助布線都設(shè)置在多個(gè)像素的側(cè)面中。設(shè)置在像素的另一側(cè)和與 多個(gè)視頻信號(hào)布線相同層中的源電極的面積被減小。相同層中的圖形 邊緣之間的距離(圖形的相對(duì)側(cè)面的間隔)變大。其次，在上述結(jié)構(gòu)中，還防止LC分子的反向旋轉(zhuǎn)。在頂層中的像 素電極和底層中的多個(gè)公共信號(hào)布線交叉的區(qū)域中，LC層中的基于邊緣電場(chǎng)的分子軸旋轉(zhuǎn)方向和其中分子軸旋轉(zhuǎn)的希望方向是相同的。在 該區(qū)域中，產(chǎn)生在正向旋轉(zhuǎn)方向上旋轉(zhuǎn)分子軸的強(qiáng)電場(chǎng)。因此，即使源電極被除去，LC分子的反向旋轉(zhuǎn)也被新的反向-旋轉(zhuǎn)防止結(jié)構(gòu)防止。結(jié)合附圖，從以下詳細(xì)描述將明白本發(fā)明的其他示例性特點(diǎn)和優(yōu) 點(diǎn)，其中，在其整個(gè)圖中，相同參考符號(hào)指定相同的或類似的部分。


結(jié)合附圖，從以下詳細(xì)描述將使本發(fā)明的示例性特點(diǎn)和優(yōu)點(diǎn)變明白，其中圖1A示出了根據(jù)第一示例性實(shí)施例的LCD器件的一個(gè)像素結(jié)構(gòu)的 平面圖1B示出了根據(jù)第一 示例性實(shí)施例的LCD器件的圖1A中的具體 部分結(jié)構(gòu)的剖面圖；圖2A示出了根據(jù)第二示例性實(shí)施例的LCD器件的第二金屬層結(jié)構(gòu) 的平面圖；圖2B是常規(guī)LCD器件的第二金屬層結(jié)構(gòu)的平面圖； 圖3A示出了根據(jù)第三和第四示例性實(shí)施例的LCD器件的一個(gè)像素 結(jié)構(gòu)的平面圖；圖3B示出了根據(jù)第三和第四示例性實(shí)施例的LCD器件的圖3A中的具體部分結(jié)構(gòu)的剖面圖；圖4示出了根據(jù)第五示例性實(shí)施例的LCD器件的一個(gè)像素結(jié)構(gòu)的 平面圖；圖5示出了根據(jù)第六示例性實(shí)施例的LCD器件的一個(gè)像素結(jié)構(gòu)的 平面圖；圖6A和6B示出了根據(jù)第七示例性實(shí)施例的LCD器件的一個(gè)像素 結(jié)構(gòu)的平面圖；圖7A和7B是說明根據(jù)第七示例性實(shí)施例的LCD器件中的防止第 一反向-旋轉(zhuǎn)防止結(jié)構(gòu)的結(jié)構(gòu)視圖；圖8示出了根據(jù)第八和第九示例性實(shí)施例的LCD器件的像素結(jié)構(gòu)的平面圖；圖9示出了根據(jù)第十示例性實(shí)施例的LCD器件的像素結(jié)構(gòu)的平面圖；圖10示出了根據(jù)第十一示例性實(shí)施例的LCD器件的像素結(jié)構(gòu)的平面圖；圖11示出了根據(jù)第十二示例性實(shí)施例的LCD器件的像素結(jié)構(gòu)的平面圖；圖12示出了根據(jù)第十三至第十四示例性實(shí)施例的LCD器件的像素 結(jié)構(gòu)的平面圖；圖13示出了根據(jù)第十五示例性實(shí)施例的LCD器件的像素結(jié)構(gòu)的平面圖；圖14示出了根據(jù)第十六示例性實(shí)施例的LCD器件的像素結(jié)構(gòu)的平
面圖；圖15示出了根據(jù)第十七示例性實(shí)施例的LCD器件的像素結(jié)構(gòu)的平面圖；圖16是說明根據(jù)第第十八至二十示例性實(shí)施例的LCD器件中的第一反向-旋轉(zhuǎn)防止結(jié)構(gòu)的視圖；圖17示出了根據(jù)二十一至二十二示例性實(shí)施例的LCD器件的像素結(jié)構(gòu)的平面圖；圖18圖示了根據(jù)第二十一示例性實(shí)施例的LCD器件中的第二反向 -旋轉(zhuǎn)防止結(jié)構(gòu)的視圖；圖19示出了根據(jù)二十三示例性實(shí)施例的LCD器件的像素結(jié)構(gòu)的平面圖；圖20示出了根據(jù)第二十四示例性實(shí)施例的LCD器件的像素結(jié)構(gòu)的 平面圖；圖21示出了根據(jù)第二十五示例性實(shí)施例的LCD器件的像素結(jié)構(gòu)的 平面圖；圖22示出了根據(jù)第二十六至二十七示例性實(shí)施例的LCD器件的像 素結(jié)構(gòu)的平面圖；圖23是說明根據(jù)第二十六示例性實(shí)施例的LCD器件中的第二反向 -旋轉(zhuǎn)防止結(jié)構(gòu)的視圖；圖24示出了根據(jù)第二十八示例性實(shí)施例的LCD器件的像素結(jié)構(gòu)的 平面圖；圖25示出了根據(jù)第二十九示例性實(shí)施例的LCD器件的像素結(jié)構(gòu)的 平面圖；圖26示出了根據(jù)第三十示例性實(shí)施例的LCD器件的像素結(jié)構(gòu)的平面圖；圖27示出了根據(jù)三十一至三十二示例性實(shí)施例的LCD器件的像素 結(jié)構(gòu)的平面圖；圖28示出了根據(jù)三十三示例性實(shí)施例的LCD器件的像素結(jié)構(gòu)的平面圖；圖29示出了根據(jù)第三十四示例性實(shí)施例的LCD器件的像素結(jié)構(gòu)的'
平面圖；圖30示出了根據(jù)第三十五示例性實(shí)施例的LCD器件的像素結(jié)構(gòu)的 平面圖；圖31示出了根據(jù)三十六至三十七示例性實(shí)施例的LCD器件的像素 結(jié)構(gòu)的平面圖；圖32示出了根據(jù)第三十八示例性實(shí)施例的LCD器件的像素結(jié)構(gòu)的 平面圖；圖33示出了根據(jù)第三十九示例性實(shí)施例的LCD器件的像素結(jié)構(gòu)的 平面圖；圖34是說明根據(jù)第四十示例性實(shí)施例的LCD器件中的第二反向-旋轉(zhuǎn)防止結(jié)構(gòu)附近中的平面圖；圖35A示出了相關(guān)技術(shù)的LCD器件的像素結(jié)構(gòu)的平面圖； 圖35B示出了相關(guān)技術(shù)的LCD器件的圖35A中的具體部分結(jié)構(gòu)的剖面圖；圖36A示出了相關(guān)技術(shù)的LCD器件的第二金屬層結(jié)構(gòu)的平面圖； 圖36B圖示了其中在相關(guān)技術(shù)的LCD器件的第二金屬層中發(fā)生多個(gè)視頻信號(hào)布線和像素輔助布線的層間短路例子的視圖；圖37A示出了另一相關(guān)技術(shù)的LCD器件的像素結(jié)構(gòu)的平面圖； 圖37B示出了相關(guān)技術(shù)的LCD器件的圖37A中的具體部分結(jié)構(gòu)的剖面圖；圖38A示出了相關(guān)技術(shù)的LCD器件的第二金屬層結(jié)構(gòu)的平面圖；以及圖38B圖示了其中在與相關(guān)技術(shù)的LCD器件的第二金屬層相同的 層中發(fā)生的多個(gè)視頻信號(hào)布線和像素輔助布線之間的短路例子的視 圖。
具體實(shí)施方式
現(xiàn)在將根據(jù)附圖詳細(xì)描述本發(fā)明的示例性實(shí)施例。在示例性實(shí)施例中，IPS模式的有源矩陣液晶顯示器包括TFT的源
電極。TFT的源電極形成在與TFT連接的第一部分、與像素電極連接的 第二部分以及連接第一部分和第二部分的第三部分中。第二部分被布 置在視頻信號(hào)布線之間的幾乎中心部分中。源電極和視頻信號(hào)布線之 間的位置關(guān)系由當(dāng)面對(duì)多個(gè)視頻信號(hào)布線的至少一部分的源電極的每 個(gè)區(qū)域的寬度除以該區(qū)域和多個(gè)視頻信號(hào)布線之間的距離獲得的值的 總和限定。通過控制該總值，源電極和多個(gè)視頻信號(hào)布線的短路被抑 制。因此，可以制造具有高成品率的高清晰度顯示器件。在基板的法 線方向上，在像素電極重疊多個(gè)公共信號(hào)布線的部分中形成存儲(chǔ)電容。 當(dāng)僅僅像素電極下面的第二絕緣膜的至少一部分被除去，以形成凹入 部分時(shí)，形成存儲(chǔ)電容。在頂層像素電極與底層公共信號(hào)布線交叉的 區(qū)域中，通過邊緣電場(chǎng)，LC層中的LC分子的分子軸在希望的旋轉(zhuǎn)方向 上旋轉(zhuǎn)。在該區(qū)域中，產(chǎn)生用于正向旋轉(zhuǎn)的強(qiáng)電場(chǎng)。即使當(dāng)在這種結(jié) 構(gòu)中減小源電極時(shí)，LC分子的反向旋轉(zhuǎn)也被防止。下面，根據(jù)附圖詳 細(xì)描述該示例性實(shí)施例。[示例性實(shí)施例l]通過參考圖1 A和1B描述第一示例性實(shí)施例。圖1 A示出了LCD器件 的像素結(jié)構(gòu)的平面圖。圖1B是沿圖1A中的IV-IV線和V-V線的剖面圖。如圖1A和1B所示，LCD器件的TFT基板包括多個(gè)掃描信號(hào)布線101 和沿掃描信號(hào)布線101的兩個(gè)公共信號(hào)布線102，該多個(gè)掃描信號(hào)布線 IOI是第一金屬層。在多個(gè)掃描信號(hào)布線101和多個(gè)公共信號(hào)布線102上 形成第一絕緣膜103。在第一絕緣膜103上形成多個(gè)視頻信號(hào)布線104、 TFT105和源電極106，該視頻信號(hào)布線104是第二金屬層。這里，源電 極106包括與TFT 105連接的第一部分(1)和與像素電極109連接的第 二部分(2)。第二部分(2)被布置在多個(gè)像素兩側(cè)上的視頻信號(hào)布 線104的近似中心中。源電極106包括第一和第二部分，但是其形狀不 局限于圖中的結(jié)構(gòu)。在多個(gè)視頻信號(hào)布線104、 TFT 105和源電極106上形成第二絕緣膜
107。在第二絕緣膜107上形成第三透明絕緣膜108。在第三絕緣膜108 上形成像素電極109和公共電極110，像素電極109和公共電極110是透 明電極。在布線寬度方向，經(jīng)由第二絕緣膜107和第三絕緣膜108，多 個(gè)視頻信號(hào)布線104被公共電極110完全覆蓋。僅僅在該像素下面形成 設(shè)置在布置多個(gè)視頻信號(hào)布線104的層中的源電極106，如圖1A所示。 在該像素的上側(cè)中，頂層中的像素電極109的寬度增加。在多個(gè)公共信 號(hào)布線102重疊像素電極109的區(qū)域中，形成存儲(chǔ)電容。像素電極109和公共電極110分別經(jīng)由接觸孔111和112電連接到源 電極106的第二部分2和多個(gè)公共信號(hào)布線102。與相關(guān)技術(shù)相比較，第一示例性實(shí)施例除去了形成在像素的上側(cè) 和形成在布置多個(gè)視頻信號(hào)布線的層中的源電極。由此，不需要在多 個(gè)像素的下層中形成的用于電連接像素電極和源電極的接觸孔。短路 顯著地減小。源電極的第二部分和多個(gè)視頻信號(hào)布線存在于相同層中。當(dāng)在位 于像素兩側(cè)的視頻信號(hào)布線之間的近似中心中布置源電極的第二部分 時(shí)，其第二部分和布線之間的短路可以被減小到最小。結(jié)果，可以實(shí) 現(xiàn)具有高成品率的LCD器件。在像素電極重疊多個(gè)公共信號(hào)布線的部分，形成存儲(chǔ)電容的大半 部分。由此，即使當(dāng)源電極的面積被減小時(shí)，也形成存儲(chǔ)電容。因此 獲得優(yōu)異的圖像質(zhì)量。[示例性實(shí)施例2]接下來，通過參考圖2A和2B描述第二示例性實(shí)施例。圖2A示出了 根據(jù)第二示例性實(shí)施例的LCD器件的第二金屬層結(jié)構(gòu)的平面圖。圖2B 示出了根據(jù)相關(guān)技術(shù)的LCD器件的第二金屬層結(jié)構(gòu)的平面圖。
第二示例性實(shí)施例限定了源電極的區(qū)域、源電極區(qū)的每個(gè)寬度以 及該區(qū)域和相對(duì)的視頻信號(hào)布線之間的距離。如圖2A所示，關(guān)于源電極206的每個(gè)區(qū)域，面對(duì)多個(gè)視頻信號(hào)布線204的至少一部分的其邊緣，Wi表示該區(qū)域的寬度，Li表示該區(qū)域和多 個(gè)視頻信號(hào)布線204的距離。像素中的Wi/Li的累計(jì)值(EWi/Li)用作 表示相同層中的短路頻率的良好參數(shù)。小的EWi/Li值意味著合符需要 的條件。當(dāng)EWi/Li的值在值(WO/LO)的兩倍范圍內(nèi)時(shí)，源電極和多個(gè) 視頻信號(hào)布線之間的短路頻率變得足夠小，該WO/LO是TFT的溝道寬度 WO除以其溝道距離LO獲得的值。在這種條件下，獲得高成品率。在相關(guān)技術(shù)的顯示器件中，在面板中探測(cè)到三個(gè)或四個(gè)泄漏亮點(diǎn)。 在示例性實(shí)施例中，沒有探測(cè)到泄漏亮點(diǎn)。在另一觀點(diǎn)中，源電極206的區(qū)域較小是合符需要的。當(dāng)源電極的 總面積是源電極中的第一部分和第二部分的面積總和的4倍或4倍以下 時(shí)，源電極和多個(gè)視頻信號(hào)布線之間的短路頻率變得足夠小。因此， 獲得具有高成品率的顯示器件。當(dāng)其總面積是第一部分和.第二部分的 面積總和的4倍或4倍以下時(shí)，出現(xiàn)一個(gè)或零個(gè)泄漏亮點(diǎn)。當(dāng)其總面積 是第一部分和第二部分的面積總和的3倍或3倍以下時(shí)，不出現(xiàn)漏泄亮 點(diǎn)。接下來，詳細(xì)描述第二示例性實(shí)施例。在圖2A所示的示例性實(shí)施 例的結(jié)構(gòu)中，由于源電極206的面積較小，參數(shù)EWi/Li ，即 (W1/L1+...+W5/L5)的值也較小。源電極的總面積約為第一部分和第 二部分的面積總和的2.5倍。參數(shù)EWi/Li的值約為W0/L0值的2.5倍，并 與WO/LO值幾乎相同。在該條件下，不發(fā)生泄漏亮點(diǎn)。另一方面，在圖2B所示的相關(guān)技術(shù)的結(jié)構(gòu)中，源電極206的面積較 大。存在許多Wi大的區(qū)域和Li小的區(qū)域。參數(shù)EWi/Li，即.，(W1/L1+...+W8/L8)的值是大的。源電極的總面積約為第一部分和第 二部分的面積總和的9倍。參數(shù)SWi/Li的值約為W0/L0值的20倍和約等 于W0/L0值的8倍。在這種條件下，出現(xiàn)四個(gè)或三個(gè)泄漏亮點(diǎn)。因此，根據(jù)第二示例性實(shí)施例，給出顯著地減小短路的像素結(jié)構(gòu)。[示例性實(shí)施例3]接下來，通過參考圖3A和3B描述第三示例性實(shí)施例。圖3A示出了LCD器件的一個(gè)像素結(jié)構(gòu)的平面圖，圖3B是沿圖3A中的i:-i:線和i:-i:線的剖面圖。與第一示例性實(shí)施例不同，在形成存儲(chǔ)電容的區(qū)域中， 僅僅設(shè)置在像素電極下面的部分第三絕緣層被除去預(yù)定厚度。詳細(xì)描述第三示例性實(shí)施例。在第一示例性實(shí)施例中，在底層中 的多個(gè)公共信號(hào)布線和頂層中的像素電極之間形成存儲(chǔ)電容。但是， 由于在第一示例性實(shí)施例中，在多個(gè)公共信號(hào)布線和像素電極之間布 置了三個(gè)絕緣層，用于存儲(chǔ)電容的絕緣層厚度是大的。因此，存儲(chǔ)電 容的電容量是小的。根據(jù)該示例性實(shí)施例，在形成存儲(chǔ)電容的區(qū)域中， 僅僅設(shè)置在像素電極下面的第三絕緣層308被除去，以形成凹入部分 314。由于電容形成區(qū)中的絕緣層厚度變薄，因此形成具有較大電容量 的存儲(chǔ)電容。此外，通過CVD (化學(xué)氣相淀積)方法形成氮化硅膜作為第一絕 緣膜303和第二絕緣膜307。此后，涂敷由丙烯酸樹脂制成的光敏有機(jī) 膜作為第三絕緣膜。接下來，通過曝光和顯影，有選擇地除去第三絕 緣層308，形成凹入部分314。丙烯酸樹脂具有低介電常數(shù)。即使經(jīng)由 絕緣層，在多個(gè)視頻信號(hào)布線304上形成公共電極，多個(gè)視頻信號(hào)布線 和公共電極之間的存儲(chǔ)電容的電容值也是小的。該存儲(chǔ)電容不影響多 個(gè)像素的驅(qū)動(dòng)。第三絕緣膜308通過CVD方法來形成，以及凹入部分314可以通過 刻蝕來形成。僅僅設(shè)置在像素電極309下面的第三絕緣膜可以被完全除 去?？梢粤粝卤〉牡谌^緣膜308。在多個(gè)視頻信號(hào)布線304上布置的絕緣膜可以僅僅包括由一個(gè)層 形成的第二絕緣膜307，以及在存儲(chǔ)電容形成區(qū)中，可以除去部分該第 二絕緣膜。在多個(gè)視頻信號(hào)布線304上布置的絕緣層包括三層或更多層的情 況下，在存儲(chǔ)電容形成區(qū)中可以除去層疊絕緣層的一個(gè)或多個(gè)層。因此，根據(jù)第三示例性實(shí)施例，在形成存儲(chǔ)電容時(shí)，可以顯著地 減小短路的頻率。[示例性實(shí)施例4]接下來，通過參考圖3A和3B描述第四示例性實(shí)施例。在該示例性 實(shí)施例中，限定了從凹入部分的邊緣至顯示區(qū)的距離。通過除去僅僅 設(shè)置在像素電極下面的第三絕緣層，形成凹入部分。該顯示區(qū)是公共 信號(hào)布線302對(duì)之間的區(qū)域。接下來，詳細(xì)描述第四示例性實(shí)施例。當(dāng)通過除去第三絕緣膜308 形成的凹入部分314的邊緣接近顯示區(qū)時(shí)，由于臺(tái)階產(chǎn)生而引起光泄 漏。這種光泄漏使得黑-階亮度(black-level luminance)增加。在該示 例性實(shí)施例中，限定了從通過除去第三絕緣膜308形成的凹入部分314 的邊緣至顯示區(qū)的距離。當(dāng)該距離變大時(shí)，光泄漏可以被很好的抑制。 如果該距離不少于2口m，那么用公共信號(hào)布線302截取由于臺(tái)階而引起 的光泄漏，以及黑-階亮度不增加。因此，根據(jù)第四示例性實(shí)施例，在短路頻率顯著地減小的同時(shí)， 形成與相關(guān)技術(shù)相等的存儲(chǔ)電容。因?yàn)楹?階亮度不增加，所以顯示屏 的對(duì)比度提高。接下來，通過參考圖4描述第五示例性實(shí)施例。分別對(duì)應(yīng)于第一存 儲(chǔ)電容形成部分和第二存儲(chǔ)電容形成部分的像素的上半部和下半部中 布置的兩個(gè)公共信號(hào)布線被沿多個(gè)視頻信號(hào)布線布置的連接部分電連 接。由于像素的上半部和下半部的兩個(gè)公共信號(hào)布線402被連接部分 402B電連接，公共信號(hào)的延遲被減小，以及表面內(nèi)的亮度或閃變幅度 的分布變均勻。該結(jié)構(gòu)有助于具有高清晰度的顯示器。因此，當(dāng)器件 變大和非常需要高清晰度時(shí)，該結(jié)構(gòu)變得有效。在示例性實(shí)施例中，連接部分402B沿多個(gè)視頻信號(hào)布線的側(cè)面布置，從多個(gè)視頻信號(hào)布線 到顯示區(qū)的泄漏電場(chǎng)被強(qiáng)烈地抑制，以及垂直串?dāng)_被抑制。因此，根據(jù)第五示例性實(shí)施例，因?yàn)轱@著地減小短路頻率和減小 公共信號(hào)的延遲，獲得圖像質(zhì)量的改進(jìn)以及更高的成品率。[示例性實(shí)施例6]接下來，通過參考圖5描述第六示例性實(shí)施例。在橫向方向上，在 多個(gè)視頻信號(hào)布線與其交叉的區(qū)域中，位于第二存儲(chǔ)電容形成部分中 的上公共信號(hào)布線不被連接到其他線路或其他電極。該上公共信號(hào)布線經(jīng)由連接部分502B與下公共信號(hào)布線電連接。 該多個(gè)視頻信號(hào)布線和多個(gè)公共信號(hào)布線之間的交叉電容量變?yōu)榻?一半。[示例性實(shí)施例7]接下來，通過參考圖6A和7B描述第七示例性實(shí)施例。圖6A示出了 根據(jù)該示例性實(shí)施例的LCD器件的一個(gè)像素結(jié)構(gòu)的平面圖。圖6B示出 了未設(shè)有反向-旋轉(zhuǎn)防止結(jié)構(gòu)的一個(gè)像素結(jié)構(gòu)的平面圖。圖7A示出了設(shè) 有示例性實(shí)施例的反向-旋轉(zhuǎn)防止結(jié)構(gòu)的結(jié)構(gòu)中的LC分子的操作。圖7B示出了未設(shè)有示例性實(shí)施例的反向-旋轉(zhuǎn)防止結(jié)構(gòu)的結(jié)構(gòu)中的LC分子的操作。在如圖35A和37A所示的相關(guān)技術(shù)的顯示器件中，多個(gè)公共信號(hào)布 線和源電極被構(gòu)圖為鋸齒狀并被層疊。這種結(jié)構(gòu)抑制引起LC分子的反 向-旋轉(zhuǎn)的電場(chǎng)。下面簡(jiǎn)要地描述反向-旋轉(zhuǎn)。當(dāng)電場(chǎng)未被施加到LC分子 時(shí)，LC分子如圖所示的研磨(rubbing)方向均勻地取向。當(dāng)在像素電 極和公共電極之間產(chǎn)生電位差時(shí)，在圖35A中的橫向方向上施加電場(chǎng)。 在這種情況中，基于電場(chǎng)和LC分子的初始取向之間的關(guān)系，LC分子變 形，以便對(duì)應(yīng)于電場(chǎng)的方向。在如圖所示的例子中，這種移動(dòng)是順時(shí) 針方向旋轉(zhuǎn)。該方向的旋轉(zhuǎn)被定義為正向旋轉(zhuǎn)。與正向旋轉(zhuǎn)相對(duì)的旋 轉(zhuǎn)方向中的LC分子的旋轉(zhuǎn)被定義為反向-旋轉(zhuǎn)。在圖35A中，像素電極 和公共電極的邊緣形成為鋸齒形狀。由此，在電極邊緣部分中，在LC 分子從LC分子的初始對(duì)準(zhǔn)執(zhí)行正向旋轉(zhuǎn)的方向上形成電場(chǎng)。由此，在 電極邊緣部分中保持LC分子的良好取向狀態(tài)。相反，在所示的圖1A中， 因?yàn)樵措姌O的面積較小，未形成與圖35A相同的結(jié)構(gòu)。例如，在圖1A 中，在像素電極的左上側(cè)中從左對(duì)角線至右對(duì)角線的方向中形成電場(chǎng)。 在該區(qū)域，LC分子逆時(shí)針旋轉(zhuǎn)。在該區(qū)域中形成其中LC分子反向-旋轉(zhuǎn) 的疇區(qū)(domina)，并發(fā)生旋轉(zhuǎn)位移(disclination)。該旋轉(zhuǎn)位移減小 對(duì)比度和白色亮度。因此，電場(chǎng)引起反向-旋轉(zhuǎn)發(fā)生的區(qū)域被定義為與 LC層中的LC分子軸的希望旋轉(zhuǎn)方向不一致的部分。另一方面，在圖1A 中，在像素電極的右上側(cè)中，電場(chǎng)的方向是從右對(duì)角線至下對(duì)角線。 在該部分的LC分子中引起順時(shí)針方向旋轉(zhuǎn)。該部分被定義為與液晶層 的LC分子軸的希望旋轉(zhuǎn)方向一致的部分。在該示例性實(shí)施例中，在其 中減小源電極面積的第一示例性實(shí)施例的結(jié)構(gòu)中也采取防止反向旋轉(zhuǎn) 的措施。在底層的多個(gè)公共信號(hào)布線602與頂層的像素電極609交叉的部分 (即，附圖的虛線包圍的部分)中，具體如圖6A所示，像素電t及fe0922 在不同于顯示區(qū)中的其方向的方向上傾斜，該顯示區(qū)是公共信號(hào)布線對(duì)602之間的區(qū)域。在多個(gè)公共信號(hào)布線602上的區(qū)域中，形成反向-旋 轉(zhuǎn)防止結(jié)構(gòu)615A，以便LC層中的LC分子軸的旋轉(zhuǎn)根據(jù)像素電極609的 前沿產(chǎn)生的邊緣電場(chǎng)變?yōu)檎蛐D(zhuǎn)。根據(jù)研磨方向，在圖6A中的多個(gè) 像素的兩側(cè)上(即，圖6A中的左側(cè)和右側(cè))，反向-旋轉(zhuǎn)防止結(jié)構(gòu)615A 的傾斜方向變?yōu)榛ハ喾聪?。通過參考圖7A和7B描述這種反向-旋轉(zhuǎn)防止結(jié)構(gòu)。在圖7B中，使 LC分子發(fā)生反向旋轉(zhuǎn)的電場(chǎng)的區(qū)域位于顯示區(qū)的邊緣。另一方面，在 圖7A中，在LC分子發(fā)生反向旋轉(zhuǎn)的電場(chǎng)的區(qū)域中布置反向旋轉(zhuǎn)防止結(jié) 構(gòu)715B。該反向旋轉(zhuǎn)防止結(jié)構(gòu)715B包括一結(jié)構(gòu)，其中多個(gè)公共信號(hào)布 線702的邊緣與在不同于顯示區(qū)中的其方向的方向上傾斜的部分像素 電極交叉。在多個(gè)公共信號(hào)布線702上的區(qū)域中，產(chǎn)生用于正向旋轉(zhuǎn)的 邊緣電場(chǎng)。以及反向-旋轉(zhuǎn)電場(chǎng)的影響被抑制。由此，在整個(gè)顯示區(qū)中， LC分子在正向上旋轉(zhuǎn)。此后，圖7A所示的反向旋轉(zhuǎn)防止結(jié)構(gòu)被稱作第 一反向旋轉(zhuǎn)防止結(jié)構(gòu)。因此，根據(jù)第七示例性實(shí)施例，顯著地減小短路頻率，在整個(gè)顯 示區(qū)中防止LC分子的反向旋轉(zhuǎn)，以及增加光利用效率。[示例性實(shí)施例8]接下來，通過參考圖8描述第八示例性實(shí)施例。圖8示出了LCD器 件的多個(gè)像素結(jié)構(gòu)的平面圖。在該示例性實(shí)施例中，在其中形成存儲(chǔ) 電容的區(qū)域中移除在像素電極下面的第三絕緣膜。具體地，在底層中的多個(gè)公共信號(hào)布線和頂層中的像素電極之間 形成存儲(chǔ)電容。在該結(jié)構(gòu)中，因?yàn)樵诙鄠€(gè)公共信號(hào)布線和像素電極之 間布置三層絕緣膜，薄膜厚度是厚的，由此存儲(chǔ)電容是小的。在該示 例性實(shí)施例中，通過在其中形成存儲(chǔ)電容的區(qū)域中除去在像素電極809 下面的第三絕緣膜，形成凹入部分814。結(jié)果，在存儲(chǔ)電容形成區(qū)中布
置兩層絕緣層。因此，在該區(qū)域中形成具有較大電容量的存儲(chǔ)電容。
例如，通過化學(xué)氣相淀積(CVD)方法形成氮化硅膜作為第一絕 緣膜和第二絕緣膜。丙烯酸樹脂的光敏有機(jī)膜被用作第三絕緣膜。通過曝光和顯影有選擇地除去第三絕緣層，形成凹入部分814?？梢酝ㄟ^ CVD方法形成第三絕緣膜308，以及可以通過刻蝕形成凹入部分814。 在像素電極809下面的第三絕緣膜可以被完全除去或可以被薄薄地留 下。
根據(jù)第八示例性實(shí)施例，顯著地減小短路頻率，在整個(gè)顯示區(qū)中 防止LC分子的反向-旋轉(zhuǎn)，以及可以形成較大的存儲(chǔ)電容。
接下來，通過參考圖8描述第九示例性實(shí)施例。此外，盡管器件的 結(jié)構(gòu)與第八示例性實(shí)施例的結(jié)構(gòu)相同，但是在該示例性實(shí)施例中限定 了從凹入部分的邊緣到顯示區(qū)的距離，該凹入部分通過除去在像素電 極下面的第三絕緣膜而形成。
當(dāng)通過除去第三絕緣膜而形成的凹入部分814的邊緣接近顯示區(qū) 時(shí)，由于臺(tái)階發(fā)生光泄漏。該光泄漏導(dǎo)致黑-階亮度的增加。在該示例 性實(shí)施例中，限定了從通過除去第三絕緣膜形成的凹入部分814的邊緣 至顯示區(qū)的距離。當(dāng)該距離較大時(shí)，光泄漏被有效地抑制。如果保持 不少于2口m的距離，那么用公共信號(hào)布線802截取由于臺(tái)階而引起的光 泄漏。由此，黑-階亮度不增加。
根據(jù)該示例性實(shí)施例，顯著地減小短路的頻率，以及在整個(gè)顯示 區(qū)中防止LC分子的反向-旋轉(zhuǎn)。由于形成足夠的存儲(chǔ)電容量和黑-階亮度 不增加，因此提高顯示器件的屏幕的對(duì)比度。
接下來，通過參考圖9描述第十示例性實(shí)施例。位于第一存儲(chǔ)電容 形成部分和第二存儲(chǔ)電容形成部分的像素的上半部和下半部中布置的 兩個(gè)公共信號(hào)布線經(jīng)由沿多個(gè)視頻信號(hào)布線布置的連接部分互相電連 接。當(dāng)通過連接部分902B電連接像素的上側(cè)和下側(cè)的兩個(gè)公共信號(hào)布線902時(shí)，公共信號(hào)的延遲被減小，以及亮度或閃變級(jí)的面內(nèi)分布變均勻。該結(jié)構(gòu)有助于顯示器的高清晰度。當(dāng)器件較大和需要高清晰度時(shí)， 對(duì)于顯示器的高清晰度，該結(jié)構(gòu)是有效的。在該示例性實(shí)施例中，當(dāng)沿多個(gè)視頻信號(hào)布線的側(cè)面布置連接部分902B時(shí)，從多個(gè)視頻信號(hào)布 線到顯示區(qū)的泄漏電場(chǎng)被強(qiáng)烈地抑制，以及垂直串?dāng)_被抑制。根據(jù)第十示例性實(shí)施例，由于顯著地減小短路的頻率和減小公共 信號(hào)的延遲，獲得圖像質(zhì)量的改進(jìn)和高成品率。[示例性實(shí)施例ll]接下來，通過參考圖10描述第十一示例性實(shí)施例。圖10示出了LCD 器件的多個(gè)像素結(jié)構(gòu)的平面圖。在該示例性實(shí)施例中，公共電極IOIO、像素電極1009以及多個(gè)視 頻信號(hào)布線1004彎曲以形成多疇區(qū)結(jié)構(gòu)。根據(jù)該結(jié)構(gòu)，第一反向旋轉(zhuǎn) 防止結(jié)構(gòu)1015a的方向從單疇區(qū)方向改變。根據(jù)第十一示例性實(shí)施例，顯著地減小短路的頻率，以及在整個(gè) 顯示區(qū)中防止LC分子的反向-旋轉(zhuǎn)。形成足夠的存儲(chǔ)電容量。在該示例 性實(shí)施例的顯示器件中，由于黑-階亮度不增加，因此獲得髙對(duì)比度。 在該示例性實(shí)施例的顯示器件中，即使當(dāng)在傾斜方向觀察屏幕時(shí)，色 移也被多疇區(qū)結(jié)構(gòu)抑制。[示例性實(shí)施例12]
通過參考圖ll描述第十二示例性實(shí)施例。在位于第一存儲(chǔ)電容形 成部分和第二存儲(chǔ)電容形成部分中的像素的上半部和下半部中布置的 兩個(gè)公共信號(hào)布線通過沿多個(gè)視頻信號(hào)布線布置的連接部分互相電連 接。當(dāng)像素的上側(cè)和下側(cè)的兩個(gè)公共信號(hào)布線1102經(jīng)由連接部分1102B互相電連接時(shí)，公共信號(hào)的延遲被減小，以及亮度或閃變級(jí)的面內(nèi)分布變均勻。該結(jié)構(gòu)有助于顯示器的高清晰度。當(dāng)器件較大和需要 高清晰度時(shí)，對(duì)于顯示器的高清晰度，該結(jié)構(gòu)是很有效的。在該示例性實(shí)施例中，由于沿多個(gè)視頻信號(hào)布線的側(cè)面布置連接部分1102B，從 多個(gè)視頻信號(hào)布線到顯示區(qū)的泄漏電場(chǎng)被強(qiáng)烈地抑制，以及垂直串?dāng)_ 被抑制。根據(jù)第十二示例性實(shí)施例，顯著地減小短路的頻率，以及在整個(gè) 顯示區(qū)中防止反向旋轉(zhuǎn)。在該示例性實(shí)施例中，形成足夠的存儲(chǔ)電容 量。在該示例性實(shí)施例的顯示器件中，因?yàn)楹?階亮度不增加，獲得高 對(duì)比度。即使當(dāng)在傾斜方向上觀察屏幕時(shí)，色移也被多疇區(qū)結(jié)構(gòu)抑制。 因?yàn)轱@著地減小短路和減小公共信號(hào)的延遲，在該示例性實(shí)施例的顯 示器中獲得圖像質(zhì)量的改進(jìn)和高成品率。[示例性實(shí)施例13]接下來，通過參考圖12描述第十三示例性實(shí)施例。在第一反向旋 轉(zhuǎn)防止結(jié)構(gòu)1215A中產(chǎn)生邊緣電場(chǎng)的側(cè)面上，接近像素電極1209的公共 電極1210包括近似曲柄形狀，與像素電極1209的形狀一致?；诠?電極的圍繞效果被添加到邊緣電場(chǎng)的效果，由此獲得強(qiáng)反向旋轉(zhuǎn)防止 效果。因此，根據(jù)第十三示例性實(shí)施例，顯著地減小短路的頻率和在整 個(gè)顯示區(qū)中防止LC分子的反向旋轉(zhuǎn)，以及增加光利用效率。[示例性實(shí)施例14]通過參考圖12描述第十四示例性實(shí)施例。從凹入部分1214的邊緣 至顯示區(qū)的距離被限定，凹入部分1214由除去在像素電極下面的第三 絕緣膜而形成。當(dāng)通過除去第三絕緣膜308形成的凹入部分1214的邊緣接近顯示 區(qū)時(shí)，由于臺(tái)階發(fā)生光泄漏，使得黑-階亮度增加。在該示例性實(shí)施例 中，從通過除去第三絕緣膜而形成的凹入部分1214的邊緣至顯示區(qū)的 距離被限定。當(dāng)該距離較大時(shí)，光泄漏被有效地抑制。如果保持不少 于2/mi的距離，那么用公共信號(hào)布線1202截取由于臺(tái)階而引起的光泄 漏，以及黑-階亮度不增加。根據(jù)第十四示例性實(shí)施例，顯著地減小短路的頻率和在整個(gè)顯示 區(qū)中防止LC分子的反向-旋轉(zhuǎn)，以及形成足夠的存儲(chǔ)電容量。由于黑-階亮度不增加，因此顯示屏的對(duì)比度提高。[示例性實(shí)施例15]接下來，通過參考圖13描述第十五示例性實(shí)施例。在位于第一存 儲(chǔ)電容形成部分和第二存儲(chǔ)電容形成部分的像素的上半部和下半部中 布置的兩個(gè)公共信號(hào)布線通過沿多個(gè)視頻信號(hào)布線布置的連接部分 1302B互相電連接。當(dāng)像素的上側(cè)和下側(cè)的兩個(gè)公共信號(hào)布線1302經(jīng)由連接部分 1302B互相電連接時(shí)，公共信號(hào)的延遲被減小以及亮度或閃變級(jí)的面內(nèi) 分布變均勻。該結(jié)構(gòu)有助于具有高清晰度的顯示器。當(dāng)器件較大和需 要高清晰度時(shí)，對(duì)于顯示器的高清晰度，該結(jié)構(gòu)是很有效的。在該示 例性實(shí)施例中，當(dāng)沿多個(gè)視頻信號(hào)布線的側(cè)面布置連接部分1302B時(shí)， 從多個(gè)視頻信號(hào)布線到顯示區(qū)的泄漏電場(chǎng)被強(qiáng)烈地抑制，以及垂直串 擾被抑制。
根據(jù)第十五示例性實(shí)施例，顯著地減小短路的頻率和在整個(gè)顯示 區(qū)中防止LC分子的反向旋轉(zhuǎn)，以及增加光利用效率。亮度或閃變級(jí)的 面內(nèi)分布變均勻，垂直串?dāng)_被抑制，以及提高圖像質(zhì)量。[示例性實(shí)施例16]接下來，通過參考圖14描述第十六示例性實(shí)施例。在該示例性實(shí)施例中，公共電極1410、像素電極1409以及多個(gè)視頻信號(hào)布線1404彎 曲，以在顯示區(qū)的中心形成多疇區(qū)結(jié)構(gòu)。根據(jù)該結(jié)構(gòu)，第一反向旋轉(zhuǎn) 防止結(jié)構(gòu)1415A的方向不同于第十三和第十四示例性實(shí)施例中上述的 單疇區(qū)方向。根據(jù)第十六示例性實(shí)施例，顯著地減小短路的頻率和在整個(gè)顯示 區(qū)中防止LC分子的反向旋轉(zhuǎn)，以及增加光利用效率。在該示例性實(shí)施 例的顯示器件中，即使當(dāng)在傾斜方向觀察屏幕時(shí)，色移也被抑制。[示例性實(shí)施例17]接下來，通過參考圖15描述第十七示例性實(shí)施例。位于第一存儲(chǔ) 電容形成部分和第二存儲(chǔ)電容形成部分的像素的上半部和下半部中布 置的兩個(gè)公共信號(hào)布線經(jīng)由沿多個(gè)視頻信號(hào)布線布置的連接部分電連 接。當(dāng)像素的上側(cè)和下側(cè)的兩個(gè)公共信號(hào)布線1502經(jīng)由連接部分 1502B互相電連接時(shí)，公共信號(hào)的延遲被減小以及亮度或閃變級(jí)的面內(nèi) 分布變均勻。該結(jié)構(gòu)有助于顯示器的高清晰度。當(dāng)器件較大和需要高 清晰度時(shí)，對(duì)于顯示器的高清晰度，該結(jié)構(gòu)是很有效的。在該示例性 實(shí)施例中，當(dāng)沿多個(gè)視頻信號(hào)布線的側(cè)面布置連接部分1502B時(shí)，從多 個(gè)視頻信號(hào)布線到顯示區(qū)的泄漏電場(chǎng)被強(qiáng)烈地抑制，以及垂直串?dāng)_被 抑制。根據(jù)第十七示例性實(shí)施例，顯著地減小短路的頻率和在整個(gè)顯示
區(qū)中防止LC分子的反向旋轉(zhuǎn)，以及增加光利用效率。即使當(dāng)在傾斜方 向上觀察屏幕時(shí)，色移也被多疇區(qū)結(jié)構(gòu)抑制。亮度或閃變級(jí)的面內(nèi)分 布變均勻，垂直串?dāng)_被抑制以及圖像質(zhì)量提高。[示例性實(shí)施例18]接下來，通過參考圖16描述第十八示例性實(shí)施例。在該示例性實(shí)施例中，限定了其中在第一反向旋轉(zhuǎn)防止結(jié)構(gòu)1615A附近出現(xiàn)的邊緣電 場(chǎng)工作的方向和LC層中的LC分子的初始對(duì)準(zhǔn)方向的角度。在圖16中，其中邊緣電場(chǎng)工作的方向和液晶層的初始對(duì)準(zhǔn)方向之間的角度，亦即，研磨方向被調(diào)整為e。當(dāng)角度9是45度時(shí)，在第一反向旋轉(zhuǎn)防止結(jié)構(gòu)1615A附近，最強(qiáng)的旋轉(zhuǎn)扭矩(m皿ing torque)被施加 到LC層中的LC分子，以及反向旋轉(zhuǎn)防止效果變強(qiáng)。由此，角度e是45度是合符需要的。但是，由于多個(gè)像素和布圖的間距，當(dāng)角度e不可能被設(shè)為45度時(shí)，可以給予e值一余量。當(dāng)在其中45度是中心的預(yù)定范圍中安排了角度e時(shí)，實(shí)際上獲得足夠的反向-旋轉(zhuǎn)防止效果。具體地當(dāng)角度e是30至60度時(shí)，獲得足夠的反向旋轉(zhuǎn)防止效果。當(dāng)從50度至40度調(diào)整角度e時(shí)，即使諸如手指推動(dòng)的干擾發(fā)生，也可以保持穩(wěn)定的取向。角度e近似與多個(gè)公共信號(hào)布線1602的邊緣和在不同于其顯示區(qū)中的 方向的方向上傾斜的部分像素電極1609的邊緣之間的角度一致。根據(jù)第十八示例性實(shí)施例，通過限定角度e，獲得強(qiáng)反向旋轉(zhuǎn)防止效果，該角度e由其中邊緣電場(chǎng)工作的方向和LC層中的LC分子的初始對(duì)準(zhǔn)方向形成。[示例性實(shí)施例19]接下來，通過參考圖16描述第十九示例性實(shí)施例。在該示例性實(shí)施例中，限定了由于邊緣電場(chǎng)而引起的液晶層中的液晶分子的分子軸的旋轉(zhuǎn)方向和LC分子的分子軸的希望旋轉(zhuǎn)方向相同的區(qū)域的長度。 如下描述上述長度。當(dāng)距公共信號(hào)布線的邊緣的長度d，被調(diào)整為 比LC層的厚度更長時(shí)，獲得強(qiáng)反向旋轉(zhuǎn)防止效果。因此，根據(jù)第十九示例性實(shí)施例，由于限定了上述角度e和長度d，獲得強(qiáng)反向旋轉(zhuǎn)防止效果。 [示例性實(shí)施例20]接下來，通過參考圖16描述第二十示例性實(shí)施例。在該實(shí)施例中 限定了多個(gè)公共信號(hào)布線的形狀。面對(duì)顯示區(qū)并決定像素的顯示區(qū)邊界多個(gè)公共信號(hào)布線的邊緣形 成為直線。在相關(guān)技術(shù)中，公共信號(hào)布線的邊緣包括鋸齒狀，因?yàn)樵?其上形成反向-旋轉(zhuǎn)防止結(jié)構(gòu)。因此，在布線邊緣散射透射光。根據(jù)第二十示例性實(shí)施例，當(dāng)決定像素的顯示區(qū)中的邊界的多個(gè) 公共信號(hào)布線的邊緣形成為簡(jiǎn)單線性形狀時(shí)，布線邊緣中的透射光的 散射被抑制。由于該示例性實(shí)施例的多個(gè)公共信號(hào)布線不包括鋸齒形 狀，透射光的散射被抑制以及不破壞近似線性偏振光狀態(tài)，特別在黑 色顯示中。由于黑-階亮度不增加，因此獲得高對(duì)比度。[示例性實(shí)施例21]接下來，通過參考圖17和18描述第二十一示例性實(shí)施例。示例性 實(shí)施例的顯示器件設(shè)有與上述的第一反向旋轉(zhuǎn)防止結(jié)構(gòu)不同的反向旋 轉(zhuǎn)防止結(jié)構(gòu)。圖17示出了根據(jù)該示例性實(shí)施例的LCD器件的像素結(jié)構(gòu) 的平面圖，以及圖18示出該示例性實(shí)施例的反向旋轉(zhuǎn)防止結(jié)構(gòu)中的LC 分子的工作視圖。具體地，使像素電極1709兩端的電極寬度朝反向旋轉(zhuǎn)電場(chǎng)發(fā)生的
方向側(cè)較厚。像素電極1709端部的電極寬度被制得較厚的大多數(shù)區(qū)域 重疊底層的多個(gè)公共信號(hào)布線1702。圖18示出通過這種結(jié)構(gòu)防止反向旋轉(zhuǎn)的原因，以及與第一反向旋 轉(zhuǎn)防止結(jié)構(gòu)的差異。在圖18中，在產(chǎn)生反向旋轉(zhuǎn)電場(chǎng)的區(qū)域附近，像 素電極1809的寬度較厚，以及像素電極1809和公共電極1810之間的間 隔較窄。由于這種結(jié)構(gòu)，產(chǎn)生強(qiáng)正向旋轉(zhuǎn)電場(chǎng)，以及反向旋轉(zhuǎn)電場(chǎng)的 工作被抑制。在圖7A所示的第一反向-旋轉(zhuǎn)防止結(jié)構(gòu)中，多個(gè)公共信號(hào) 布線702的邊緣與在不同于顯示區(qū)中的其方向的方向上傾斜的部分像 素電極交叉。在多個(gè)公共信號(hào)布線702和像素電極709的邊緣之間發(fā)生 用于LC分子的正向旋轉(zhuǎn)的邊緣電場(chǎng)。因此反向-旋轉(zhuǎn)電場(chǎng)的影響被抑 制。在圖18所示的反向-旋轉(zhuǎn)防止結(jié)構(gòu)中，在像素電極1809和公共電極 1810之間產(chǎn)生強(qiáng)正向旋轉(zhuǎn)電場(chǎng)。此后，圖18所示的反向旋轉(zhuǎn)防止結(jié)構(gòu) 被稱作第二反向旋轉(zhuǎn)防止結(jié)構(gòu)。根據(jù)第二十一示例性實(shí)施例，顯著地減小短路的頻率，在整個(gè)顯 示區(qū)中防止LC分子的反向旋轉(zhuǎn)的效果增加，以及光利用效率增加。在 LC面板的屏幕上不會(huì)留下手指按壓的標(biāo)記。[示例性實(shí)施例22]接下來，通過參考圖17描述第二十二示例性實(shí)施例。從凹入部分 1714的邊緣至顯示區(qū)的距離被限定，該凹入部分1714由除去在像素電 極下面的第三絕緣層而形成。當(dāng)通過除去第三絕緣膜308形成的凹入部分1714的邊緣接近顯示 區(qū)時(shí)，由于臺(tái)階發(fā)生光泄漏，使得黑-階亮度增加。由此，在該示例性 實(shí)施例中，從通過除去第三絕緣膜形成的凹入部分1714的邊緣至顯示 區(qū)的距離被限定。當(dāng)該距離較大時(shí)，光泄漏被很好的抑制。如果保持 不少于2/mi的距離，那么用公共信號(hào)布線1702截取由于臺(tái)階而引起的光 泄漏，以及黑-階亮度不增加。
根據(jù)第二十二示例性實(shí)施例，顯著地減小短路的頻率，在整個(gè)顯 示區(qū)中防止LC分子的反向旋轉(zhuǎn)，以及形成足夠的存儲(chǔ)電容。由于黑-階 亮度不增加，因此對(duì)比度提高。[示例性實(shí)施例23]接下來，通過參考圖19描述第二十三示例性實(shí)施例。位于第一存 儲(chǔ)電容形成部分和第二存儲(chǔ)電容形成部分的像素的上半部和下半部中 布置的兩個(gè)公共信號(hào)布線通過沿多個(gè)視頻信號(hào)布線布置的連接部分 1902B互相電連接。通過將像素的上側(cè)和下側(cè)的兩個(gè)公共信號(hào)布線1902與連接部分 1902B電連接，公共信號(hào)的延遲被減小以及亮度或閃變級(jí)的面內(nèi)分布變 均勻。該結(jié)構(gòu)有助于顯示器的高清晰度。當(dāng)器件較大和需要高清晰度 時(shí)，對(duì)于顯示器的高清晰度，該結(jié)構(gòu)是有效的。在該示例性實(shí)施例中， 當(dāng)沿多個(gè)視頻信號(hào)布線的側(cè)面布置連接部分1902B時(shí)，從多個(gè)視頻信號(hào) 布線到顯示區(qū)的泄漏電場(chǎng)被強(qiáng)烈地抑制，以及垂直串?dāng)_被抑制。根據(jù)第二十三示例性實(shí)施例，顯著地減小短路的頻率，整個(gè)顯示 區(qū)中防止LC分子的反向旋轉(zhuǎn)的效果增加，以及光利用效率增加。在LC 面板的屏幕上不會(huì)留下手指按壓的標(biāo)記。亮度或閃變級(jí)的面內(nèi)分布變 均勻，垂直串?dāng)_被抑制，圖像質(zhì)量提高。[示例性實(shí)施例24]接下來，通過參考圖20描述第二十四示例性實(shí)施例。在該示例性 實(shí)施例中，公共電極2010、像素電極2009以及多個(gè)視頻信號(hào)布線2004 彎曲，以在顯示區(qū)的中心形成多疇區(qū)結(jié)構(gòu)。根據(jù)該結(jié)構(gòu)，第二反向旋轉(zhuǎn)防止結(jié)構(gòu)2015B的方向從第二十一和第 二十二示例性實(shí)施例中描述的單疇區(qū)方向改變。
根據(jù)第二十四示例性實(shí)施例，顯著地減小短路的頻率，整個(gè)顯示 區(qū)中防止LC分子的反向旋轉(zhuǎn)的效果增加，以及光利用效率增加。在LC 面板的屏幕上不會(huì)留下手指按壓的標(biāo)記。即使在傾斜方向上觀察屏幕 時(shí)，色移也被該多疇區(qū)結(jié)構(gòu)抑制。[示例性實(shí)施例25]接下來，通過參考圖21描述第二十五示例性實(shí)施例。在位于第一 存儲(chǔ)電容形成部分和第二存儲(chǔ)電容形成部分的像素的上半部和下半部 中布置的兩個(gè)公共信號(hào)布線通過沿多個(gè)視頻信號(hào)布線布置的連接部分 互相電連接。通過將像素的上側(cè)和下側(cè)的兩個(gè)公共信號(hào)布線2102與連接部分 2102B電連接，公共信號(hào)的延遲被減小，以及亮度或閃變級(jí)的面內(nèi)分布 變均勻。該結(jié)構(gòu)有助于顯示器的高清晰度，以及當(dāng)器件較大并需要高 清晰度時(shí)，對(duì)于顯示器的高清晰度，該結(jié)構(gòu)是很有效的。在該示例性 實(shí)施例中，當(dāng)沿多個(gè)視頻信號(hào)布線的側(cè)面布置連接部分2102B時(shí)，從多 個(gè)視頻信號(hào)布線到顯示區(qū)的泄漏電場(chǎng)被強(qiáng)烈地抑制，以及垂直串?dāng)_被 抑制。根據(jù)第二十五示例性實(shí)施例，顯著地減小短路的頻率，整個(gè)顯示 區(qū)中防止LC分子的反向旋轉(zhuǎn)的效果增加，以及光利用效率增加。在LC 面板的屏幕上不會(huì)留下手指按壓的標(biāo)記。即使在傾斜方向上觀察屏幕 時(shí)，色移也被多疇區(qū)結(jié)構(gòu)抑制。亮度或閃變級(jí)的面內(nèi)分布變均勻以及 垂直串?dāng)_被抑制，以及圖像質(zhì)量提高。[示例性實(shí)施例26]接下來，通過參考圖22和23描述第二十六示例性實(shí)施例。在第二 反向旋轉(zhuǎn)防止結(jié)構(gòu)2215B中，接近具有寬邊緣的像素電極2209的公共電 極2210變?yōu)榻魄托螤睿c像素電極2209的形狀一致。那么在該
示例性實(shí)施例中，抑制反向旋轉(zhuǎn)電場(chǎng)的效果仍然變得較高。通過參考圖23描述該效果的原因。在電極邊緣的拐角部分互相靠 近的區(qū)域中，發(fā)生強(qiáng)正向旋轉(zhuǎn)電場(chǎng)。該電場(chǎng)在LC分子的初始對(duì)準(zhǔn)方向上施加強(qiáng)旋轉(zhuǎn)力矩。具體地，LC分子的初始對(duì)準(zhǔn)方向和正向旋轉(zhuǎn)電場(chǎng) 工作的方向形成45度。在該示例性實(shí)施例中，用于抑制反向旋轉(zhuǎn)電場(chǎng)的效果仍然變得較高。根據(jù)第二十六示例性實(shí)施例，顯著地減小短路的頻率，在整個(gè)顯示區(qū)中防止LC分子的反向旋轉(zhuǎn)的效果，以及光利用效率增加。在LC面 板的屏幕上不會(huì)留下手指按壓的標(biāo)記。[示例性實(shí)施例27]接下來，通過參考圖22描述第二十七示例性實(shí)施例。在該示例性 實(shí)施例中限定了從凹入部分2214的邊緣至顯示區(qū)的距離，該凹入部分 2214由除去在像素電極下面的第三絕緣層而形成。接下來，詳細(xì)描述該示例性實(shí)施例。當(dāng)通過除去第三絕緣膜形成 的凹入部分2214的邊緣接近顯示區(qū)時(shí)，通過臺(tái)階發(fā)生引起的光泄漏使 得黑-階亮度增加。由此，在該示例性實(shí)施例中，從通過除去第三絕緣 膜形成的凹入部分2214的邊緣至顯示區(qū)的距離被限定。當(dāng)該距離較大 時(shí)，光泄漏被很好的抑制。如果保持不少于2/mi的距離，那么用多個(gè)公 共信號(hào)布線1702截取由于臺(tái)階的光泄漏，以及黑-階亮度不增加。因此，根據(jù)第二十七示例性實(shí)施例，顯著地減小短路的頻率，在 整個(gè)顯示區(qū)中防止LC分子的反向旋轉(zhuǎn)，以及形成足夠的存儲(chǔ)電容量。 由于黑-階亮度不增加，因此對(duì)比度提高。[示例性實(shí)施例28]接下來，通過參考圖24描述第二十八示例性實(shí)施例。位于第一存
儲(chǔ)電容形成部分和第二存儲(chǔ)電容形成部分的像素的上半部和下半部中 布置的兩個(gè)公共信號(hào)布線經(jīng)由沿多個(gè)視頻信號(hào)布線布置的連接部分電 連接。當(dāng)像素的上側(cè)和下側(cè)的兩個(gè)公共信號(hào)布線2402與連接部分2402B電連接時(shí)，公共信號(hào)的延遲被減小，以及亮度或閃變級(jí)的面內(nèi)分布變 均勻。該結(jié)構(gòu)有助于顯示器的高清晰度，以及當(dāng)器件較大并需要高清 晰度時(shí)，對(duì)于顯示器的高清晰度，該結(jié)構(gòu)是很有效的。在該示例性實(shí)施例中，當(dāng)沿多個(gè)視頻信號(hào)布線的側(cè)面布置連接部分2402B時(shí)，從多個(gè) 視頻信號(hào)布線到顯示區(qū)的泄漏電場(chǎng)被強(qiáng)烈地抑制，以及垂直串?dāng)_被抑 制。根據(jù)第二十八示例性實(shí)施例，顯著地減小短路的頻率，在整個(gè)顯 示區(qū)中防止LC分子的反向旋轉(zhuǎn)，以及光利用效率增加。在LC面板的屏 幕上不會(huì)留下手指按壓的標(biāo)記。亮度或閃變級(jí)的面內(nèi)分布變均勻，垂 直串?dāng)_被抑制以及圖像質(zhì)量提高。[示例性實(shí)施例29]接下來，通過參考圖25描述第二十九示例性實(shí)施例。公共電極 2510、像素電極2509以及多個(gè)視頻信號(hào)布線2504彎曲，以在顯示區(qū)的 中心形成多疇區(qū)結(jié)構(gòu)。根據(jù)該結(jié)構(gòu)，第二反向旋轉(zhuǎn)防止結(jié)構(gòu)2015B的方 向從第二十六和二十七示例性實(shí)施例中描述的單疇區(qū)中的方向改變。根據(jù)第二十九示例性實(shí)施例，顯著地減小短路的頻率，在整個(gè)顯 示區(qū)中防止LC分子的反向旋轉(zhuǎn)，以及光利用效率增加。在LC面板的屏 幕上不會(huì)留下手指按壓的標(biāo)記。即使在傾斜方向上觀察屏幕時(shí)，色移 也被多疇區(qū)結(jié)構(gòu)抑制。[示例性實(shí)施例30]接下來，通過參考圖26描述第三十示例性實(shí)施例。位于第一存儲(chǔ)
電容形成部分和第二存儲(chǔ)電容形成部分的像素的上半部和下半部中布 置的兩個(gè)公共信號(hào)布線經(jīng)由沿多個(gè)視頻信號(hào)布線布置的連接部分電連 接。當(dāng)像素的上側(cè)和下側(cè)的兩個(gè)公共信號(hào)布線2602與連接部分2602B 連接時(shí)，公共信號(hào)的延遲被減小，以及亮度或閃變級(jí)的面內(nèi)分布變均 勻。該結(jié)構(gòu)有助于顯示器的高清晰度以及當(dāng)器件較大并需要高清晰度 時(shí)，對(duì)于顯示器的高清晰度，該結(jié)構(gòu)是很有效的。在該示例性實(shí)施例 中，當(dāng)沿多個(gè)視頻信號(hào)布線的側(cè)面布置連接部分2602B時(shí)，從多個(gè)視頻 信號(hào)布線到顯示區(qū)的泄漏電場(chǎng)被強(qiáng)烈地抑制，以及垂直串?dāng)_被抑制。因此，根據(jù)第二十五示例性實(shí)施例，顯著地減小短路的頻率，在 整個(gè)顯示區(qū)中防止LC分子的反向旋轉(zhuǎn)，以及光利用效率增加。在LC面 板的屏幕上不會(huì)留下手指按壓的標(biāo)記。即使在傾斜方向上觀察屏幕時(shí)， 色移也被該多疇區(qū)結(jié)構(gòu)抑制。亮度或閃變級(jí)的面內(nèi)分布變均勻，垂直 串?dāng)_被抑制以及圖像質(zhì)量提高。[示例性實(shí)施例31]接下來，通過參考圖27描述第三十一示例性實(shí)施例。在像素的一 側(cè)(即，下側(cè))中使用第一反向旋轉(zhuǎn)防止結(jié)構(gòu)2715A，以及在像素的另 一側(cè)(即，上側(cè))中使用第二反向-旋轉(zhuǎn)防止結(jié)構(gòu)2715B。這種反向旋 轉(zhuǎn)防止結(jié)構(gòu)的組合可以顛倒，并可以根據(jù)設(shè)計(jì)條件自由地設(shè)置。根據(jù)第三十一示例性實(shí)施例，顯著地減小短路的頻率，在整個(gè)顯 示區(qū)中防止LC分子的反向旋轉(zhuǎn)，以及光利用效率增加。在LC面板的屏 幕上不會(huì)留下手指按壓的標(biāo)記。[示例性實(shí)施例32]接下來，通過參考圖27描述第三十二示例性實(shí)施例。從凹入鄰分 2714的邊緣至顯示區(qū)的距離被限定，凹入部分2714由除去在像素電極
下面的第三絕緣層而形成。當(dāng)通過除去第三絕緣膜形成的凹入部分2714的邊緣接近顯示區(qū) 時(shí)，通過臺(tái)階產(chǎn)生而引起的光泄漏使得黑-階亮度增加。由此，在該示例性實(shí)施例中，從通過除去第三絕緣膜形成的凹入部分2714的邊緣至顯示區(qū)的距離被限定。當(dāng)該距離較大時(shí)，光泄漏被很好的抑制。如果保持不少于2^mi的距離，那么用多個(gè)公共信號(hào)布線1702截取由于臺(tái)階而 引起的光泄漏，以及黑-階亮度不增加。根據(jù)第三十二示例性實(shí)施例，顯著地減小短路的頻率，在整個(gè)顯 示區(qū)中防止LC分子的反向旋轉(zhuǎn)，以及形成足夠的存儲(chǔ)電容量。由于黑-階亮度不增加，因此對(duì)比度提高。[示例性實(shí)施例33]接下來，通過參考圖28描述第三十三示例性實(shí)施例。位于第一存 儲(chǔ)電容形成部分和第二存儲(chǔ)電容形成部分的像素的上半部和下半部中 布置的兩個(gè)公共信號(hào)布線經(jīng)由沿多個(gè)視頻信號(hào)布線布置的連接部分電 連接。當(dāng)通過連接部分2802B連接像素的上側(cè)和下側(cè)的兩個(gè)公共信號(hào)布 線2802時(shí)，公共信號(hào)的延遲被減小，以及亮度或閃變級(jí)的面內(nèi)分布變 均勻。該結(jié)構(gòu)有助于顯示器的高清晰度，以及當(dāng)器件較大并需要高清 晰度時(shí)，對(duì)于顯示器的高清晰度，該結(jié)構(gòu)是很有效的。在該示例性實(shí) 施例中，當(dāng)沿多個(gè)視頻信號(hào)布線的側(cè)面布置連接部分2802B時(shí)，從多個(gè) 視頻信號(hào)布線到顯示區(qū)的泄漏電場(chǎng)被強(qiáng)烈地抑制，以及垂直串?dāng)_被抑 制。根據(jù)第三十三示例性實(shí)施例，顯著地減小短路的頻率，整個(gè)顯示 區(qū)中防止LC分子的反向旋轉(zhuǎn)的效果增加，以及光利用效率增加。在LC 面板的屏幕上不會(huì)留下手指按壓的標(biāo)記。亮度或閃變級(jí)的面內(nèi)分布變 均勻，垂直串?dāng)_被抑制以及圖像質(zhì)量提高。 [示例性實(shí)施例34]接下來，通過參考圖29描述第三十四示例性實(shí)施例。公共電極2910、像素電極2909以及多個(gè)視頻信號(hào)布線2904彎曲，以在顯示區(qū)的 中心形成多疇區(qū)結(jié)構(gòu)。根據(jù)該結(jié)構(gòu)，第二反向旋轉(zhuǎn)防止結(jié)構(gòu)2915B的方 向從第二十三示例性實(shí)施例中描述的單疇區(qū)方向改變。根據(jù)第三十四示例性實(shí)施例，顯著地減小短路的頻率和在整個(gè)顯 示區(qū)中防止LC分子的反向旋轉(zhuǎn)的效果增加，以及光利用效率增加。在 LC面板的屏幕上不會(huì)留下手指按壓的標(biāo)記。即使在傾斜方向上觀察屏 幕時(shí)，色移也被多疇區(qū)結(jié)構(gòu)抑制。[示例性實(shí)施例35]接下來，通過參考圖30描述第三十五示例性實(shí)施例。位于第一存 儲(chǔ)電容形成部分和第二存儲(chǔ)電容形成部分的像素的上半部和下半部中 布置的兩個(gè)公共信號(hào)布線通過沿多個(gè)視頻信號(hào)布線布置的連接部分 1902B互相電連接。當(dāng)像素的上側(cè)和下側(cè)的兩個(gè)公共信號(hào)布線3002被連接部分3002B 連接時(shí)，公共信號(hào)的延遲被減小，以及亮度或閃變級(jí)的面內(nèi)分布變均 勻。該結(jié)構(gòu)有助于顯示器的高清晰度，以及當(dāng)器件較大并需要高清晰 度時(shí)，對(duì)于顯示器的高清晰度，該結(jié)構(gòu)是很有效的。在該示例性實(shí)施 例中，當(dāng)沿多個(gè)視頻信號(hào)布線的側(cè)面布置連接部分3002B時(shí)，從多個(gè)視 頻信號(hào)布線到顯示區(qū)的泄漏電場(chǎng)被強(qiáng)烈地抑制，以及垂直串?dāng)_被抑制。根據(jù)第三十五示例性實(shí)施例，顯著地減小短路的頻率，在整個(gè)顯 示區(qū)中防止LC分子的反向旋轉(zhuǎn)的效果增加，以及光利用效率增加。在 LC面板的屏幕上不會(huì)留下手指按壓的標(biāo)記。在該示例性實(shí)施例的顯示 器件中，由于多疇區(qū)結(jié)構(gòu)，即使在傾斜方向觀察屏幕時(shí)，色移也被抑 制。亮度或閃變級(jí)的面內(nèi)分布變均勻，垂直串?dāng)_被抑制以及圖像質(zhì)量 提高。[示例性實(shí)施例36]接下來，通過參考圖31描述第三十六示例性實(shí)施例。在第二反向 旋轉(zhuǎn)防止結(jié)構(gòu)3115B中，鄰近于像素電極3109的公共電極3110不包括徹 底地與像素電極3109的形狀一致的形狀，而是包括其中其尖端附近被 傾斜的形狀。即使當(dāng)改變形狀時(shí)，用于抑制反向-旋轉(zhuǎn)電場(chǎng)的效果保持 不變，以及可以根據(jù)設(shè)計(jì)條件自由地形成公共電極3110的形狀。當(dāng)列 寬較窄和直角曲柄狀的公共電極不能容易地制成時(shí)，根據(jù)該示例性實(shí) 施例的公共電極3110的形狀是有效的。根據(jù)第三十六示例性實(shí)施例，顯著地減小短路的頻率，在整個(gè)顯 示區(qū)中防止LC分子的反向旋轉(zhuǎn)，以及光利用效率增加。在LC面板的屏 幕上不會(huì)留下手指按壓的標(biāo)記。[示例性實(shí)施例37;i接下來，通過參考圖31描述第三十七示例性實(shí)施例。從凹入部分 的邊緣至顯示區(qū)的距離被限定，該凹入部分由除去在像素電極下面的 第三絕緣層而形成。當(dāng)通過除去第三絕緣膜形成的凹入部分3114的邊緣接近顯示區(qū) 時(shí)，通過臺(tái)階產(chǎn)生而引起的光泄漏使得黑-階亮度增加。由此，在該示 例性實(shí)施例中，從通過除去第三絕緣膜而形成的凹入部分3114的邊緣 至顯示區(qū)的距離被限定。當(dāng)該距離較大時(shí)，光泄漏被很好的抑制。如 果保持不少于2口m的距離，那么用公共信號(hào)布線1702截取由于臺(tái)階而引 起的光泄漏，以及黑-階亮度不增加。根據(jù)第三十七示例性實(shí)施例，顯著地減小短路的頻率，在整個(gè)顯 示區(qū)中防止LC分子的反向旋轉(zhuǎn)，以及形成足夠的存儲(chǔ)電容量。由于黑-
階亮度不增加，因此對(duì)比度提高。 [示例性實(shí)施例38]接下來，通過參考圖32描述第三十八示例性實(shí)施例。位于第一存 儲(chǔ)電容形成部分和第二存儲(chǔ)電容形成部分的像素的上半部和下半部中 布置的兩個(gè)公共信號(hào)布線通過沿多個(gè)視頻信號(hào)布線布置的連接部分1902B互相電連接。當(dāng)像素的上側(cè)和下側(cè)的兩個(gè)公共信號(hào)布線3202被連接部分3202B 連接時(shí)，公共信號(hào)的延遲被減小，以及亮度或閃變級(jí)的面內(nèi)分布變均 勻。該結(jié)構(gòu)有助于顯示器的高清晰度，以及當(dāng)器件較大并需要高清晰 度時(shí)，對(duì)于顯示器的高清晰度，該結(jié)構(gòu)是很有效的。在該示例性實(shí)施 例中，當(dāng)沿多個(gè)視頻信號(hào)布線的側(cè)面布置連接部分3002B時(shí)，從多個(gè)視 頻信號(hào)布線到顯示區(qū)的泄漏電場(chǎng)被強(qiáng)烈地抑制，以及垂直串?dāng)_被抑制。根據(jù)第三十八示例性實(shí)施例，顯著地減小短路的頻率，在整個(gè)顯 示區(qū)中防止LC分子的反向旋轉(zhuǎn)，以及光利用效率增加。在LC面板的屏 幕上不會(huì)留下手指按壓的標(biāo)記。亮度或閃變級(jí)的面內(nèi)分布變均勻，垂 直串?dāng)_被抑制以及圖像質(zhì)量提高。[示例性實(shí)施例39]接下來，通過參考圖33描述第三十九示例性實(shí)施例。公共電極 3310、像素電極3309以及多個(gè)視頻信號(hào)布線3304彎曲，以在顯示區(qū)的 中心形成多疇區(qū)結(jié)構(gòu)。根據(jù)該結(jié)構(gòu)，第二反向旋轉(zhuǎn)防止結(jié)構(gòu)3315B的方 向從第三十六和三十七示例性實(shí)施例中描述的單疇區(qū)方向改變。根據(jù)第三十九示例性實(shí)施例，顯著地減小短路的頻率，在整個(gè)顯 示區(qū)中防止LC分子的反向旋轉(zhuǎn)，以及光利用效率增加。在LC面板的屏 幕上不會(huì)留下手指按壓的標(biāo)記。即使在傾斜方向上觀察屏幕時(shí)，色移 也被該多疇區(qū)結(jié)構(gòu)抑制。[示例性實(shí)施例40]接下來，通過參考圖34描述第四十示例性實(shí)施例。位于第一存儲(chǔ) 電容形成部分和第二存儲(chǔ)電容形成部分的像素的上半部和下半部中布 置的兩個(gè)公共信號(hào)布線通過沿多個(gè)視頻信號(hào)布線布置的連接部分 1902B互相電連接。當(dāng)像素的上側(cè)和下側(cè)的兩個(gè)公共信號(hào)布線3402被連接部分3402B 連接時(shí)，公共信號(hào)的延遲被減小，以及亮度或閃變級(jí)的面內(nèi)分布變均 勻。該結(jié)構(gòu)有助于顯示器的高清晰度，以及當(dāng)器件較大并需要高清晰 度時(shí)，對(duì)于顯示器的高清晰度，該結(jié)構(gòu)是很有效的。在該示例性實(shí)施 例中，當(dāng)沿多個(gè)視頻信號(hào)布線的側(cè)面布置連接部分3402B時(shí)，從多個(gè)視 頻信號(hào)布線到顯示區(qū)的泄漏電場(chǎng)被強(qiáng)烈地抑制，以及垂直串?dāng)_被抑制。根據(jù)第四十示例性實(shí)施例，顯著地減小短路的頻率，在整個(gè)顯示 區(qū)中防止LC分子的反向旋轉(zhuǎn)，以及光利用效率增加。在LC面板的屏幕 上不會(huì)留下手指按壓的標(biāo)記。即使在傾斜方向上觀察屏幕時(shí)，色移也 被多疇區(qū)結(jié)構(gòu)抑制。亮度或閃變級(jí)的面內(nèi)分布變均勻，垂直串?dāng)_被抑 制以及圖像質(zhì)量提高。[示例性實(shí)施例41]接下來，通過參考圖18和23描述第四十一示例性實(shí)施例。在像素 電極的兩端具有較寬寬度的區(qū)域的邊緣和多個(gè)公共信號(hào)布線的邊緣之 間的位置關(guān)系被限定。如圖18和23所示，為了抑制反向旋轉(zhuǎn)電場(chǎng)，像素電極端部的較寬 寬度區(qū)邊緣從多個(gè)公共信號(hào)布線的邊緣凸出^m至4/im是合符需要的。 但是，即使當(dāng)像素電極的端部的較寬寬度區(qū)的邊緣從多個(gè)公共信號(hào)布 線的邊緣退回約l/mi時(shí)，LC分子的反向旋轉(zhuǎn)也被防止。因此，可以相 對(duì)于多個(gè)公共信號(hào)布線的邊緣在向內(nèi)l/mi至向外4/mi的范圍內(nèi)形成像
素電極端部的較寬寬度區(qū)的邊緣。根據(jù)第四十一示例性實(shí)施例，整個(gè)顯示區(qū)中的LC分子的反向旋轉(zhuǎn) 防止結(jié)構(gòu)包括容易對(duì)準(zhǔn)掩模等的大工藝余量。[示例性實(shí)施例42]接下來，通過參考圖18和23描述第四十二示例性實(shí)施例。在該實(shí)施例中限定多個(gè)公共信號(hào)布線的形狀。面對(duì)顯示區(qū)并限定像素的顯示區(qū)邊界的多個(gè)公共信號(hào)布線的邊緣 包括直線形狀。在相關(guān)技術(shù)中，由于在其處形成反向-旋轉(zhuǎn)防止結(jié)構(gòu)， 公共信號(hào)布線的邊緣包括鋸齒狀。因此，在布線的邊緣中散射傳輸光。根據(jù)第四十二示例性實(shí)施例，由于限定像素的顯示區(qū)中的邊界的 多個(gè)公共信號(hào)布線的邊緣形成為簡(jiǎn)單線性形狀，布線邊緣中的透射光 的散射被抑制。由于透射光的散射被抑制，黑色顯示中的線性偏振光 態(tài)不被破壞。此外，由于黑-階亮度不增加，因此獲得高對(duì)比度。在每個(gè)上述的示例性實(shí)施例中，TFT被描述為開關(guān)元件。但是在 本發(fā)明中，諸如薄膜二極管(TFD)的其他元件也可以被用作開關(guān)元件。 面對(duì)TFT基板的基板結(jié)構(gòu)、布置在包括TFT基板、反基板和LC層的液晶 面板外面的光學(xué)部件的結(jié)構(gòu)以及用于點(diǎn)亮LC面板的背光的結(jié)構(gòu)等等不 局限于上述結(jié)構(gòu)，以及可以采用任意可用的技術(shù)。在每個(gè)上述示例性實(shí)施例中，第一和第二反向旋轉(zhuǎn)防止結(jié)構(gòu)和其 中減小源電極的結(jié)構(gòu)被結(jié)合。但是這種反向旋轉(zhuǎn)防止結(jié)構(gòu)未必僅僅應(yīng) 用于其中減小源電極的結(jié)構(gòu)。這種反向旋轉(zhuǎn)防止結(jié)構(gòu)可以被應(yīng)用于包括多個(gè)公共信號(hào)布線和公共電極以及其上的像素電極的器件，以及可 以防止多個(gè)像素的端部的旋轉(zhuǎn)位移，以實(shí)現(xiàn)高對(duì)比度。
上述示例性實(shí)施例描述了其中在多個(gè)視頻信號(hào)布線上布置兩個(gè)絕 緣層以及在其上布置像素電極和公共電極的例子。但是，在上述結(jié)構(gòu) 中， 一個(gè)絕緣層或不止一個(gè)絕緣層是可用的。[工業(yè)實(shí)用性]本發(fā)明可以于橫向電場(chǎng)型的有源矩陣型LCD器件，以及使用該LCD器件作為顯示器件的任意設(shè)備。盡管已根據(jù)其示例性實(shí)施例具體展示和描述了本發(fā)明，但是本發(fā) 明不局限于這些實(shí)施例。所屬領(lǐng)域的普通技術(shù)人員應(yīng)當(dāng)明白，在不脫 離由權(quán)利要求所限定的本發(fā)明的精神和范圍的條件下，可以在形式上 和細(xì)節(jié)上進(jìn)行各種改變。此外，本發(fā)明人旨在保留所要求的發(fā)明的全部等效權(quán)利，即使在 訴訟過程中該權(quán)利要求被修改。
權(quán)利要求
1. 一種有源矩陣液晶顯示器，包括 第一基板，包括多個(gè)掃描信號(hào)布線； . 沿該多個(gè)掃描信號(hào)布線布置的多個(gè)公共信號(hào)布線； 交叉該多個(gè)掃描信號(hào)布線和多個(gè)公共信號(hào)布線的多個(gè)視頻信號(hào)布 線；以及多個(gè)像素，每個(gè)像素被布置在由多個(gè)掃描信號(hào)布線和多個(gè)視頻信 號(hào)布線圍繞的第一區(qū)域中，以及包括薄膜晶體管；在其中布置多個(gè) 視頻信號(hào)布線的層中形成的薄膜晶體管的源電極；連接到該源電極的 像素電極；以及連接到該多個(gè)公共信號(hào)布線的公共電極，該源電極包 括重疊多個(gè)掃描信號(hào)布線的第一部分和與像素電極連接的第二部分， 該第二部分被設(shè)置在多個(gè)像素的側(cè)面中的視頻信號(hào)布線之間的中心部 分周圍；面對(duì)該第一基板的第二基板；以及被第一基板和第二基板夾入的液晶層，在電場(chǎng)作用下，該液晶層 中的液晶分子的分子軸在近似平行于第一基板的平面中的第一方向上 旋轉(zhuǎn)，該電場(chǎng)近似平行于第一基板并被施加在該像素電極和公共電極 之間。
2. 根據(jù)權(quán)利要求l的有源矩陣液晶顯示器，其中 該源電極的面積不超過第一部分的面積和第二部分的面積總和的四倍。
3. 根據(jù)權(quán)利要求l的有源矩陣液晶顯示器，其中 在多個(gè)像素中，面對(duì)該多個(gè)視頻信號(hào)布線的至少一部分的源電極的區(qū)域?qū)挾扰c其區(qū)域和面對(duì)該區(qū)域的多個(gè)視頻信號(hào)布線之間的距離的 比率的總和不超過該薄膜晶體管的溝道寬度與其溝道距離的比率的兩 倍。
4. 根據(jù)權(quán)利要求l的有源矩陣液晶顯示器，其中在一個(gè)層中形成多個(gè)掃描信號(hào)布線和多個(gè)公共信號(hào)布線，該層經(jīng) 由第一絕緣層設(shè)置在該多個(gè)視頻信號(hào)布線下面，以及在一個(gè)層中形成像素電極和公共電極，該層經(jīng)由第二絕緣層設(shè)置 在該多個(gè)視頻信號(hào)布線上方。
5. 根據(jù)權(quán)利要求4的有源矩陣液晶顯示器，還包括 第一存儲(chǔ)電容形成區(qū)，形成在該像素電極和該多個(gè)公共信號(hào)布線重疊的區(qū)域中，其中在不插入液晶層的條件下，在源電極或像素電極，和公共電極或 多個(gè)公共信號(hào)布線之間形成第二存儲(chǔ)電容，以及第一存儲(chǔ)電容形成區(qū)中的第一存儲(chǔ)電容量大于第二存儲(chǔ)電容量的 一半。
6. 根據(jù)權(quán)利要求5的有源矩陣液晶顯示器，其中 第一存儲(chǔ)電容形成區(qū)包括其中部分絕緣膜被除去的第二區(qū)域，該絕緣膜形成在一個(gè)層中，該層被設(shè)置在多個(gè)視頻信號(hào)布線上方和像素 電極下面。
7. 根據(jù)權(quán)利要求6的有源矩陣液晶顯示器，其中 該絕緣膜包括兩層或多于兩層，每一層包括不同的材料，以及 在第二區(qū)域中除去至少一層。
8. 根據(jù)權(quán)利要求7的有源矩陣液晶顯示器，其中 該兩層或多于兩層包括無機(jī)層和有機(jī)層。
9. 根據(jù)權(quán)利要求6的有源矩陣液晶顯示器，其中該第二區(qū)域的邊 緣和顯示區(qū)之間的距離不少于2pim。
10. 根據(jù)權(quán)利要求4的有源矩陣液晶顯示器，還包括 第一存儲(chǔ)電容形成區(qū)和第二存儲(chǔ)電容形成區(qū)，沿多個(gè)掃描信號(hào)布線設(shè)置在第一區(qū)域中，其中該第一存儲(chǔ)電容形成區(qū)形成在鄰近該薄膜晶體管的側(cè)面中，并包 括通過將多個(gè)公共信號(hào)布線與像素電極重疊而形成的第一存儲(chǔ)電容， 和通過將多個(gè)公共信號(hào)布線與源電極重疊而形成的第二存儲(chǔ)電容，以 及該第二存儲(chǔ)電容形成區(qū)形成在遠(yuǎn)離薄膜晶體管的側(cè)面中并包括第 三存儲(chǔ)電容，該第三存儲(chǔ)電容通過將多個(gè)公共信號(hào)布線與像素電極重 疊而形成。
11. 根據(jù)權(quán)利要求10的有源矩陣液晶顯示器，其中在第一區(qū)域中 電連接包括第一存儲(chǔ)電容形成區(qū)的第一公共信號(hào)布線和包括第二存儲(chǔ) 電容形成區(qū)的第二公共信號(hào)布線。
12. 根據(jù)權(quán)利要求ll的有源矩陣液晶顯示器，其中 沿多個(gè)視頻信號(hào)布線布置電連接第一公共信號(hào)布線和第二公共信號(hào)布線的部分。
13. 根據(jù)權(quán)利要求4的有源矩陣液晶顯示器，還包括 顯示區(qū)的邊緣中的第三區(qū)域，其中在顯示區(qū)的側(cè)面上的顯示區(qū)中的像素電極的邊緣和多個(gè)公共信號(hào)布線的邊緣之間施加的電場(chǎng)作用 下，液晶層中的液晶分子的分子軸在不同于第一方向的方向上旋轉(zhuǎn)； 以及多個(gè)公共信號(hào)布線上的第四區(qū)域，該第四區(qū)域靠近第三區(qū)域，其中在邊緣電場(chǎng)的作用下，液晶層中的液晶分子的分子軸在第一方向 上旋轉(zhuǎn)，該邊緣電場(chǎng)發(fā)生在第四區(qū)域中的像素電極的邊緣附近，在第 四區(qū)域中，該像素電極與多個(gè)公共信號(hào)布線重疊。
14. 根據(jù)權(quán)利要求13的有源矩陣液晶顯示器，其中鄰近于像素電極側(cè)面的公共電極的邊緣，在其中發(fā)生邊緣電場(chǎng)的 其邊緣附近，根據(jù)像素電極的形狀彎曲。
15. 根據(jù)權(quán)利要求14的有源矩陣液晶顯示器，其中 該公共電極的彎曲形狀包括近似曲柄形狀。
16. 根據(jù)權(quán)利要求13的有源矩陣液晶顯示器，其中 該邊緣電場(chǎng)工作的方向和液晶層的初始對(duì)準(zhǔn)方向之間的角度是30度至60度。
17. 根據(jù)權(quán)利要求13的有源矩陣液晶顯示器，其中 該邊緣電場(chǎng)工作的方向和液晶層的初始對(duì)準(zhǔn)方向之間的角度是40度至50度。
18. 根據(jù)權(quán)利要求13的有源矩陣液晶顯示器，其中 該邊緣電場(chǎng)工作的方向和液晶層的初始對(duì)準(zhǔn)方向之間的角度近似45度。
19. 根據(jù)權(quán)利要求13的有源矩陣液晶顯示器，其中 在該邊緣電場(chǎng)的作用下，其中該液晶層中的液晶分子的分子軸在第一旋轉(zhuǎn)方向上旋轉(zhuǎn)的區(qū)域包括一區(qū)域，在超過液晶層厚度的距離處， 該區(qū)域與多個(gè)公共信號(hào)布線的邊緣隔開。
20. 根據(jù)權(quán)利要求13的有源矩陣液晶顯示器，其中 在該多個(gè)公共信號(hào)布線的邊緣中限定像素的顯示區(qū)邊界的部分包括直線形狀，該邊緣面對(duì)該顯示區(qū)。
21. 根據(jù)權(quán)利要求4的有源矩陣液晶顯示器，還包括 該顯示區(qū)的邊緣中的第三區(qū)域，其中在顯示區(qū)中的像素電極的邊 緣和多個(gè)公共信號(hào)布線的邊緣之間施加的電場(chǎng)作用下，液晶層中的液 晶分子的分子軸在不同于第一方向的方向上旋轉(zhuǎn)，其中在一方向上像素電極的寬度增加至多個(gè)公共信號(hào)布線，以便像素 電極的邊緣接近該面對(duì)的公共電極，以及形成在像素電極的端部具有增加寬度的大多數(shù)區(qū)域，以便在該多 個(gè)像素的部分顯示區(qū)中，覆蓋底層的多個(gè)公共信號(hào)布線。
22. 根據(jù)權(quán)利要求21的有源矩陣液晶顯示器，其中在像素電極的端部該區(qū)域的邊緣具有增加的寬度，該面對(duì)顯示區(qū)的邊緣被設(shè)置在多個(gè)公共信號(hào)布線內(nèi)l/mi至多個(gè)公共信號(hào)布線外4/mi。
23. 根據(jù)權(quán)利要求21的有源矩陣液晶顯示器，其中 在像素電極的端部，鄰近于具有增加寬度的區(qū)域的公共電極的邊緣根據(jù)像素電極的形狀彎曲。
24. 根據(jù)權(quán)利要求23的有源矩陣液晶顯示器，其中 在像素電極的端部，具有根據(jù)像素電極的邊緣而彎曲的邊緣的像素電極和公共電極的邊緣彎曲成曲柄形狀。
25. 根據(jù)權(quán)利要求21的有源矩陣液晶顯示器，其中 在多個(gè)公共信號(hào)布線的邊緣中限定像素的顯示區(qū)邊界的部分包括直線形狀，該邊緣面對(duì)顯示區(qū)。
26. —種制造有源矩陣液晶顯示器的方法，該顯示器包括第一基 板，面對(duì)第一基板的第二基板，以及被第一基板和第二基板夾入的液 晶層，該方法包括在第一基板上形成多個(gè)掃描信號(hào)布線； 沿該多個(gè)掃描信號(hào)布線布置的多個(gè)公共信號(hào)布線； 將該多個(gè)視頻信號(hào)布線與多個(gè)掃描信號(hào)布線和多個(gè)公共信號(hào)布線 交叉；以及 多個(gè)像素，每個(gè)像素被布置在由多個(gè)掃描信號(hào)布線和多個(gè)視頻信 號(hào)布線圍繞的第一區(qū)域中，以及包括薄膜晶體管；在其中布置多個(gè) 視頻信號(hào)布線的層中形成的薄膜晶體管的源電極；連接到源電極的像 素電極；以及連接到多個(gè)公共信號(hào)布線的公共電極，該源電極包括重 疊多個(gè)掃描信號(hào)布線的第一部分和與像素電極連接的第二部分，該第 二部分被設(shè)置在該像素側(cè)面中的視頻信號(hào)布線之間的中心部分周圍， 在電場(chǎng)作用下，液晶層中的液晶分子的分子軸在近似平行于第一基板 的平面中旋轉(zhuǎn)，該電場(chǎng)近似平行于第一基板并被施加在像素電極和公 共電極之間。
27. —種在由多個(gè)掃描信號(hào)布線和多個(gè)視頻信號(hào)布線圍繞的區(qū)域 中的有源矩陣液晶顯示器中布置的像素，包括 薄膜晶體管；在其中布置多個(gè)視頻信號(hào)布線的層中形成的薄膜晶體管的源電極；連接到該源電極的像素電極；以及連接到沿多個(gè)掃描信號(hào)布線布置的多個(gè)公共信號(hào)布線的公共電 極，該源電極包括重疊多個(gè)掃描信號(hào)布線的第一部分和與像素電極連 接的第二部分，該第二部分被設(shè)置在視頻信號(hào)布線之間的中心部分周 圍，在像素電極和公共電極之間施加的電場(chǎng)作用下，該液晶層中的液 晶分子的分子軸旋轉(zhuǎn)。
全文摘要
公開了一種包括基板和液晶層的有源矩陣液晶顯示器。該基板包括掃描信號(hào)布線；公共信號(hào)布線；交叉這些布線的視頻信號(hào)布線；以及由掃描信號(hào)布線和視頻信號(hào)布線圍繞的像素。每個(gè)像素包括薄膜晶體管；具有視頻信號(hào)布線的層中的源電極；連接到該源電極的像素電極；以及連接到該公共信號(hào)布線的公共電極，該源電極包括重疊掃描信號(hào)布線的第一部分和與像素電極連接的第二部分，被設(shè)置視頻信號(hào)布線之間的中心部分周圍。在像素電極和公共電極之間施加的電場(chǎng)作用下，該液晶層中的分子軸旋轉(zhuǎn)。
文檔編號(hào)G09G3/20GK101122723SQ20071014119
公開日2008年2月13日 申請(qǐng)日期2007年8月13日 優(yōu)先權(quán)日2006年8月11日
發(fā)明者今野隆之, 西田真一, 野上祐輔, 鈴木照晃 申請(qǐng)人:Nec液晶技術(shù)株式會(huì)社