專利名稱：電阻分壓電路以及使用該分壓電路的液晶驅(qū)動裝置和液晶顯示裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及灰度電位生成電路內(nèi)含的電阻分壓電路。
背景技術(shù)：
所述灰度電位生成電路為生成驅(qū)動液晶元件等顯示元件用的灰度電位的電路。例如，在驅(qū)動液晶顯示裝置中的液晶元件的例子中，首先將兩個及兩個以上成為基準的電位輸入灰度電位生成電路?；叶入娢簧呻娐吠ㄟ^將各基準電位間的電壓細化分壓，生成液晶元件驅(qū)動所需的灰度電位(或γ校正灰度電位)。
另外，最近幾年，由于以液晶面板為主流的顯示面板實現(xiàn)多灰度、高清晰度化，需要更多的灰度電位。因而，相鄰灰度的電位差變小。這也就意味著，在用電阻形成灰度電位生成電路時，更需要電阻值精度高的小電阻。
公知的灰度電位生成電路例如有特開平11-95726號公報揭示的電路。該灰度電位生成電路具有設(shè)置串聯(lián)連接多個基準電阻的電阻組的電阻分壓電路。該電阻分壓電路是這樣構(gòu)成的，它選擇各電阻組的基準電阻的連接點，通過連接選好的基準點，能精細地設(shè)定分壓電阻的阻值。然后，將基準電壓加在電阻組的兩端，在連接好的基準點得到所需的灰度電壓。另外，該灰度電位生成電路通過層間絕緣膜在各灰度電壓布線層上設(shè)置電阻布線層，用接點(或通孔)連接灰度電壓布線層和電阻布線層，構(gòu)成各電阻分壓電路。
因為所述接點的電阻越低越好，故通常接點用電阻值低的物質(zhì)制成。這種電阻值低的物質(zhì)中有一種稱為硅化物的硅的金屬化合物。由于半導體制造上的限制在想把接點形成硅化物時，其下面的電阻部分也形成硅化物。另一方面，電阻本身為了以更小的面積以高的效率形成電阻分量，大多用不是硅化物的物質(zhì)(以下稱為非硅化物)構(gòu)成。因此，在用非硅化物的物質(zhì)構(gòu)成電阻時，在電阻中就存在硅化物和非硅化物兩種物質(zhì)。這里，人們已知在半導體制造中，在硅化物和非硅化物的界面上產(chǎn)生被稱為界面電阻的電阻分量，具有與電阻的寬度無關(guān)的一定的值。
想在所述電阻分壓電路中生成精細的灰度電位時，必須高精度地生成電阻值小的電阻分量，但在接點附近的電阻和通常的電阻的界面上存在較大的界面電阻分量時，難以制造出低于界面電阻的小的電阻值。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明為解決這些問題而提出，其目的在于提供一種電阻分壓電路，該電阻分壓電路用別的物質(zhì)象硅化物和非硅化物那樣地構(gòu)成接點(或通孔)部分和電阻，即使在其邊界上產(chǎn)生界面電阻時，仍能高精度地形成電阻值小的電阻，生成精細的灰度電位，另外并提供一種使用這種電阻分壓電路的液晶驅(qū)動裝置以及液晶顯示裝置。
為了達到上述目的，本申請的電阻分壓電路設(shè)置電阻值相等、并在相等的位置上有接點的多個電阻，分別連接各電阻相等位置上的接點，將這些電阻并聯(lián)連接，在并聯(lián)連接的電阻的兩端輸入基準電位，利用電阻分壓而在各接點的連接點上生成灰度電壓。
采用這樣的構(gòu)成，通過在相等位置上的接點并聯(lián)連接多根電阻，從而即使是界面電阻大的電阻的場合，也能高精度地制成電阻值小的電阻。因此，能高精度地生成分得更細的灰度電位。
另外，使用本發(fā)明的電阻分壓電路的液晶驅(qū)動裝置，包括上述的電阻分壓電路、及根據(jù)該電阻分壓電路輸出的灰度電位及輸入的數(shù)字指令值而輸出模擬電位(驅(qū)動電位)的DA變換電路。
采用這樣的構(gòu)成，DA變換電路能將電阻分壓電路輸出的灰度電位作為與數(shù)字指令值對應(yīng)的模擬電位輸出，利用高精度的灰度電位驅(qū)動液晶元件。因而能提高灰度顯示即提高液晶面板等的顯示的鮮艷度。
另外，使用本發(fā)明的電阻分壓電路的液晶顯示裝置，包括在基板上形成的多個液晶元件、形成于所述基板上并通過多個TFT公共連接所述多個液晶元件的驅(qū)動線、及通過連接所述驅(qū)動線輸出模擬電位而驅(qū)動所述驅(qū)動線的所述液晶驅(qū)動裝置。
采用上述構(gòu)成，能從液晶驅(qū)動裝置將高精度灰度電位(模擬電位)加在液晶元件的驅(qū)動線上。因此，能提高灰度顯示即液晶顯示裝置顯示的鮮艷度。


圖1為本發(fā)明實施例1的液晶驅(qū)動器用電阻分壓電路構(gòu)成圖。
圖2為同上的液晶驅(qū)動器用電阻分壓電路的并聯(lián)電阻說明圖。
圖3為本發(fā)明實施例2的液晶驅(qū)動器用電阻分壓電路構(gòu)成圖。
圖4為本發(fā)明實施例3的液晶驅(qū)動器用電阻分壓電路構(gòu)成圖。
圖5為本發(fā)明實施例4的液晶驅(qū)動器用電阻分壓電路構(gòu)成圖。
圖6為本發(fā)明的液晶驅(qū)動裝置構(gòu)成圖。
圖7為本發(fā)明的液晶顯示裝置構(gòu)成圖。
具體實施例方式
以下，參照

本發(fā)明的實施示例。另外，以后所有實施示例的說明中，均以將本發(fā)明的電阻分壓電路應(yīng)用于液晶顯示裝置及液晶驅(qū)動裝置的情形為例進行說明。
圖1中表示本發(fā)明實施例1的液晶驅(qū)動器用電阻分壓電路(為了驅(qū)動液晶元件而生成灰度電位的灰度電位生成電路內(nèi)所包含的電阻分壓電路)的構(gòu)成圖。
如圖1所示，設(shè)置在圖中沿水平方向相等位置上有電阻值近似相等、用于取出灰度電位的多個(圖中為7個)接點12的多根(圖中為三根)電阻11。即3根電阻11的接點12間的電阻值的關(guān)系為，若設(shè)電阻11中的第一電阻的接點間電阻值為R11、R12、R13……R16，設(shè)第二電阻的接點間電阻值為R21、R22、R23……R26，設(shè)第三電阻的接點間電阻值為R31、R32、R33……R36，則R11∶R12∶R13……R16＝R21∶22∶23……R26＝R31∶R32∶R33……R36。
最理想的實施例為，多個電阻11的電阻值近似相等。這里，近似相等這句話的意義為，只要是半導體制造過程中制造條件的差異為可以忽略不計的程度，則多個電阻11的阻值就視作全部相等。例如，作為最理想的實施例，在半導體制造中，電阻11能以具有近似相等的長度、近似相等的寬度的多晶硅等布線層的形式而形成，電阻11的阻值近似相等。本說明書中所謂近似相等的用語完全依照該用法使用。
然后，利用各灰度電位輸出布線13連接各電阻11在相等位置上的接點12，將這些電阻11并聯(lián)連接。在這些并聯(lián)連接的電阻11的兩端接點12的基準電位供給布線14上輸入基準電位V1、V2，利用三根電阻11的分壓，在中間5個各接點12的連接點(布線13)上生成灰度電位V51、V52、V53、V54、V55。
具體為，圖1示出的電阻分壓電路如以下那樣形成。
先在基板上設(shè)置用N+多晶硅電阻形成的電阻11。然后，在電阻11之上隔著層間絕緣膜(未圖示)設(shè)置和電阻11正交的、用鋁等形成的灰度電位輸出布線13。接著，用由阻值低的物質(zhì)(例如稱為硅化物的硅的金屬化合物)組成的接點12，連接電阻11和灰度電位輸出布線13。
試分析如圖2所示兩根并聯(lián)電阻的情形，設(shè)兩根電阻的合成電阻為RA，各電阻值為R1及R2，則1/RA＝1/R1+1/R2的關(guān)系式成立。這里，如設(shè)R1＝R2＝R，則1/RA＝2/R，即變成RA＝R/2，變成用電阻的根數(shù)除原來的電阻值后的商。這里，設(shè)并聯(lián)連接的電阻的根數(shù)為N(N為2及2以上的正整數(shù))，則使N根電阻值R的電阻連接時的合成電阻值RN變成RN＝R/N。另外，即使R1≠R2時，R1、R2和合成電阻RA的關(guān)系滿足R1＞RA，而且R2＞RA。因此，可知并聯(lián)連接的電阻越多，合成電阻越小。
根據(jù)上述實施例1的構(gòu)成，通過設(shè)置三根電阻值近似相等、在相等位置上形成取出灰度電位用的接點12的電阻11，用灰度電位輸出布線13連接相等位置的接點12，并聯(lián)連接電阻11，從而將接點12間的電阻11并聯(lián)連接，就能減小接點12間的電阻值。因此，即使在接點12附近的電阻11及其以外區(qū)域的電阻11的界面上有較大的電阻分量(界面電阻)存在時，仍能高精度地制造出阻值小的電阻，并生成精細的灰度電位V51、V52、V53、V54、V55。另外，由于接點12排成一列，所以能簡單地形成從接點12取出灰度電位的布線，也能期盼版面容易配置的效果。
還有，在實施例1中，說明了設(shè)置三根電阻11的例子，但從前面所述的合成電阻的效果可知，電阻11只要是設(shè)置兩根及兩根以上的構(gòu)成即可。另外，說明了電阻11上設(shè)置七個接點12的例子，但即使在硅化物(接點12下面部分的電阻11)物質(zhì)和非硅化物物質(zhì)(接點12下面部分之外的電阻11)之間上存在邊界的情況下，通過用合成電阻構(gòu)成用非硅化物物質(zhì)構(gòu)成的部分電阻11，也能獲得本發(fā)明的效果。即，接點12如除去和基準電位供給布線14的接點外，則在電阻11上至少存在一個即可，灰度電位輸出布線13至少設(shè)置1根的構(gòu)成中，就可以獲得本發(fā)明的效果。

圖3表示本發(fā)明實施例2的液晶驅(qū)動器用電阻分壓電路的構(gòu)成圖。
如圖3所示，將電阻值近似相等的2N(N為大于等于2的正整數(shù))根(圖中為四根)電阻21使其長軸方向一致依次平行地配置，各接點22分別設(shè)置在上述各電阻21的兩端。再在依次配置的各電阻21中，對于從圖的上面開始數(shù)起第一和第二電阻21，將各接點23設(shè)置在沿圖的水平方向相等位置上，對于從圖的上面開始數(shù)起第三和第四電阻21，將各接點24設(shè)置在沿圖的水平方向相等的位置上。還有，圖3示出的實施例中，表示了接點24水平方向的位置和接點23水平方向的位置不同的例子，但是，接點24水平方向的位置和接點23水平方向的位置也可以相同，這些都可以。
然后，利用各灰度電位輸出布線25連接從圖的上面開始數(shù)起第一、第二電阻21上的接點23。又利用各灰度電位輸出布線26連接從圖的上面開始數(shù)起第三、第四電阻21上的接點24。另外，利用各連接用布線27依次連接奇數(shù)序號(從圖的上面開始數(shù)起第一、第三)的電阻21端部的接點22。又利用各連接用布線28依次連接偶數(shù)序號(從圖的上面開始數(shù)起第二、第四)的電阻21端部的接點22。
然后，連接第一和第二電阻21始端的接點22，連接序號(2N-1)和2N(圖中為第三和第四)的電阻21終端的接點22。通過基準電位供給用布線(未圖示)，將基準電位V1、V2輸入上述連接后的各端部，通過電阻21的分壓，在各接點23的連接點(灰度電位輸出布線25)和各接點24的連接點(灰度電位輸出布線26)上生成灰度電位V61、V62、V63、V64、V65、V66。
圖3示出的電阻分壓電路具體形成方法如下。
先在基板上設(shè)置用N+多晶硅電阻形成的電阻21。接著，在電阻21上，隔著層間絕緣膜(未圖示)，設(shè)置和電阻21正交、用鋁等形成的灰度電位輸出布線25、26及連接用布線27、28。接著，用電阻值低的物質(zhì)(例如，稱為硅化物的硅和金屬化合物)組成的接點22、23、24連接所述電阻布線層和灰度電壓布線層。
這樣，根據(jù)實施例2，通過將多個電阻21并聯(lián)連接來減小電阻值的原理和實施例1的構(gòu)成相同，但通過連接奇數(shù)序號的電阻21，連接偶數(shù)序號的電阻21，即2N根的電阻21每隔一根地連接，能減少電阻制造工藝中電阻值面內(nèi)誤差的影響。
即，通常在半導體制造中制造電阻時，為了控制電阻值，而使雜質(zhì)在將成為電阻的物質(zhì)中擴散，以該法來制造。這時形成電阻的布線層的雜質(zhì)擴散濃度不是一樣的，有某些誤差。因此，僅如圖1的版面配置那樣單純地將電阻并排，第一根電阻和最后(第2N)一根電阻21的電阻值的誤差恐怕會變得很大。對于這一點，若如圖3所示，第一電阻和第三電阻連接、第二電阻和第四電阻連接那樣，一個隔一個地連接電阻21，則能減少電阻面內(nèi)誤差的影響。因此，利用圖3的版面配置構(gòu)成，即使在界面電阻為較大的時候，仍能減輕電阻21面內(nèi)誤差的影響，形成精度更高、阻值小的電阻，生成更精細的灰度電位。
圖4為表示本發(fā)明實施例3的液晶驅(qū)動器用電阻分壓電路的構(gòu)成圖。
如圖4所示，設(shè)置兩端有接點31、中間有多個(圖中為四個)接點32-1～32-4的一根第一電阻33。再在只需要小的電阻的部位設(shè)置與第一電阻33的接點32-1～32-4對向的第二電阻。圖4中，與第一電阻33的接點32-1、32-2間對向、平行地設(shè)置兩端有接點37的一根第二電阻34，并且與第一電阻33的接點32-3、32-4間對向、平行地設(shè)置兩端有接點37的兩根第二電阻35、36。
然后，利用各灰度電位輸出布線38連接第一電阻33的接點32-1、32-2和第二電阻34兩端的接點37。又利用各灰度電位輸出布線39連接第一電阻33的接點32-3、32-4和兩根第二電阻35、36兩端的接點37。另外，通過基準電位供給布線(未圖示)向第一電阻33的兩端(接點31)輸入基準電位V1、V2。利用第一電阻33的分壓在各接點32-1～32-4、37的連接點(布線38、39)上生成灰度電位V71、V72、V73、V74。
圖4所示的電阻分壓電路具體如以下那樣地形成。
先在基板上設(shè)置用N+多晶硅電阻形成的電阻33、34、35、36。然后在電阻33、34、35、36上隔著層間絕緣膜(未圖示)，設(shè)置和電阻33、34、35、36正交的用鋁等形成的灰度電位輸出布線38、39。然后，用由阻值低的物質(zhì)(例如稱為硅化物的硅的金屬化合物)組成的接點32-1～32-4、37連接電阻33、34、35、36和灰度電位輸出布線38、39。
這樣，根據(jù)實施例3，用一根第一電阻33構(gòu)成基本的液晶驅(qū)動用電阻分壓電路，通過第二電阻34、35、36并聯(lián)連接，從而能形成精度高、阻值小的電阻，生成精細的灰度電位。另外，通過僅在需要產(chǎn)生精細的灰度電位差的小阻值的部分并聯(lián)連接第二電阻34、35、36，相比將好幾根相同長度的電阻并排在一起而使版面配置面積增大的情況，而今，只要在需要形成這樣小的電阻處將電阻并聯(lián)配置，就能減小版面配置面積。
圖5表示本發(fā)明實施例4的液晶驅(qū)動器用電阻分壓電路構(gòu)成圖。
如圖5所示，沿圖的垂直方向平行地設(shè)置電阻值近似相等、沿圖的水平方向在相等的位置上有取出灰度電位用的多個{(n+1)個，n為大于等于2的正整數(shù)}的接點42的多根(圖中為3根)電阻41。即電阻41的接點42間電阻值的關(guān)系為，若設(shè)電阻41中第一電阻41-1的接點間電阻值為R11、R12、R13…R1n，第二電阻41-2的接點間電阻值為R21、R22、R23…R2n，第三電阻41-3的接點間電阻值R31、R32、R33…R3n，則R11∶R12∶R13∶…R1n＝R21∶R22∶R23∶…∶R2n＝R31∶R32∶R33∶…R3n。
另外，通過第一開關(guān)45和第二開關(guān)46(這些開關(guān)45、46均是控制開關(guān)的一個例子)，利用灰度電位輸出布線44分別連接各電阻41的中間相等位置的接點，將這些電阻41并聯(lián)連接。另外，各電阻41兩端的接點42分別連接第三、第四、第五開關(guān)47、48、49(這些開關(guān)47、48、49均為電源開關(guān)的一個例子)。
然后，從第一節(jié)點E1將高電平側(cè)基準電位V1及從第二節(jié)點E2將低電位側(cè)基準電位V2分別通過第三、第四、第五開關(guān)47、48、49供給各電阻41的兩端。通過供給高電位側(cè)基準電位V1和低電位側(cè)基準電位V2，利用三根電阻41的分壓，從中間的各接點42的連接點通過第一、第二…第(n-1)灰度電位輸出布線44，輸出灰度電位V81、V82、…V8(n-1)。
圖5示出的電阻分壓電路具體如以下那樣地形成。
首先在基板上沿所述第二方向(圖中的垂直方向)并排設(shè)置具有沿第一方向(圖中的水平方向)長度近似相等、沿和所述第一方向成直角的第二方向?qū)挾冉葡嗟?、并用N+多晶硅電阻形成的第一電阻41-1、第二電阻41-2、第三電阻41-3，即并排設(shè)置電阻值近似相等的電阻41(41-1、41-2、41-3)。然后，在這些電阻41之上，隔著層間絕緣膜(未圖示)，和電阻41(41-1、41-2、41-3)正交設(shè)置由鋁等形成的灰度電位輸出布線44和P溝道型MOS晶體管形成的第一開關(guān)45、第二開關(guān)46、第三開關(guān)47、第四開關(guān)48及第五開關(guān)49組成的灰度電位輸出部。然后利用阻值低的物質(zhì)(例如，稱為硅化物的硅的金屬化合物)形成的接點42連接電阻41和灰度電位輸出布線44。
這樣，根據(jù)實施例4，由于采用將三根電阻值近似相同的電阻41并聯(lián)連接的構(gòu)成，連接附圖的水平方向上相等位置的接點42，即連接三根電阻的電阻值近似相等的接點42，并連接等電位的節(jié)點，將從等電位的節(jié)點輸出的電位作為灰度電位輸出，所以能用較小的電阻值得到高精度的灰度電位。再在輸出灰度電位的灰度電位輸出布線44上設(shè)置第一開關(guān)45和第二開關(guān)46，通過開關(guān)控制，能夠擇需調(diào)整分開的分壓電阻R11、R12、R13…R1n、R21、R22、R23…R2n、R31、R32、R33、…R3n的根數(shù)。用這樣的構(gòu)成，就能形成可更加精細地設(shè)定的小阻值的電阻，在各灰度電位輸出布線44上得到所需的分得更精細的灰度電位。另外，在基準電位V1、V2和電阻41之間設(shè)置第三開關(guān)47、第四開關(guān)48、及第五開關(guān)49，在不需要灰度電位等時候，擇需進行控制，使所述開關(guān)47、48、49斷開，從而能將電阻41和基準電位V1、V2分開，因此，能防止不需要的電流流過，降低功耗。
實施例1～4中，雖用N+多晶硅電阻形成各電阻，但是也能利用P+多晶硅電阻、或N+擴散電阻、或P+擴散電阻來形成。
另外，實施例4中，第一開關(guān)45、第二開關(guān)46、第三開關(guān)47、第四開關(guān)48及第五開關(guān)49是用P溝道型MOS晶體管形成，但也可用N溝道型MOS晶體管、或P溝道型MOS晶體管和N溝道型MOS晶體管的兩者組合后形成。
還有，通過采用本發(fā)明的電阻分壓電路能生成高精度的灰度電位，本發(fā)明的電阻分壓電路能用作為各種各樣的形態(tài)。例如，能以生成灰度電位并根據(jù)灰度電位生成驅(qū)動顯示元件用的驅(qū)動電位的驅(qū)動裝置的形態(tài)、或者以該驅(qū)動裝置驅(qū)動基板上形成的多個顯示元件那樣一體形成的顯示裝置等的形態(tài)進行實施。
圖6為包括多個本發(fā)明理想的實施例(實施例1～4)的電阻分壓電路的液晶驅(qū)動裝置的構(gòu)成圖。
如圖6所示，液晶驅(qū)動裝置51由多個電阻分壓電路52組成的灰度電位生成電路(灰度電壓生成電路)53、和DA變換器(變換電路)54構(gòu)成，利用灰度電位生成電路53的各電阻分壓電路52，根據(jù)所給的兩個基準電位，生成位于基準電位之間的灰度電位，分別輸入DA變換器54。DA變換器54根據(jù)輸入的灰度電位及輸入的數(shù)據(jù)指令值(未圖示)，生成驅(qū)動多個液晶元件用的驅(qū)動電位(模擬電位)。
圖7為具有將圖6示出的液晶驅(qū)動裝置51作為信號線驅(qū)動電路的液晶顯示裝置的構(gòu)成圖。
液晶顯示裝置61除液晶驅(qū)動裝置51之外，還包括形成于基板上的多個液晶元件62、連接各液晶元件62的多個TFT(Thin FilmTransistor薄膜晶體管)63、連接多個TFT63的柵極的多根掃描線64、和多個TFT63的連接液晶元件62的一端的另外一端連接并利用液晶驅(qū)動裝置51驅(qū)動的多條驅(qū)動線65、及驅(qū)動多條掃描線64用的掃描線驅(qū)動裝置66。
根據(jù)這樣構(gòu)成的液晶驅(qū)動裝置51或液晶顯示裝置61，因能利用高精度的灰度電位來驅(qū)動液晶元件62，所以能獲得提高灰度顯示、即提高以液晶面板等的顯示鮮艷度的效果。
還有，在上述實施例的說明中，是以液晶為例進行了說明，但本發(fā)明并不限于此。即使是其它的顯示元件、例如有機EL元件等，只要是輸入灰度電位來驅(qū)動的顯示形態(tài)，應(yīng)均屬于本發(fā)明的技術(shù)范圍。
另外，本發(fā)明涉及的電阻分壓電路具有能高精度地形成阻值小的電阻、生成精細的灰度電位的效果，也能應(yīng)用于需要產(chǎn)生高精度的多個基準電壓的計量及測量儀器或控制設(shè)備等用途上。
權(quán)利要求
1.一種電阻分壓電路，是一種生成驅(qū)動顯示元件用的灰度電位的電阻分壓電路，其特征在于，設(shè)置多根電阻值相等、在相等的位置上有接點的電阻，分別連接所述多根電阻相等位置上的接點，并聯(lián)連接這些電阻，并將基準電位輸入所述并聯(lián)連接的電阻的兩端，利用所述電阻的分壓作用，在所述各接點的連接點上生成灰度電壓。
2.如權(quán)利要求1所述的電阻分壓電路，其特征在于，所述電阻用N+多晶硅電阻、或P+多晶硅電阻、或N+擴散電阻、或P+擴散電阻構(gòu)成。
3.一種液晶驅(qū)動裝置，其特征在于，包括如權(quán)利要求1所述的電阻分壓電路；及根據(jù)所述電阻分壓電路輸出的灰度電位及指令值、輸出驅(qū)動在基板上形成的多個液晶元件用的驅(qū)動電位的變換電路。
4.一種液晶顯示裝置，其特征在于，包括如權(quán)利要求3所述的液晶驅(qū)動裝置；形成于基板的多個液晶元件；及形成于所述基板上、通過多個TFT與所述多個液晶元件公共連接的驅(qū)動線，所述液晶驅(qū)動裝置接所述驅(qū)動線，通過輸出驅(qū)動電位來驅(qū)動所述驅(qū)動線。
5.一種電阻分壓電路，是一種生成驅(qū)動顯示元件用的灰度電位的電阻分壓電路，其特征在于，依序設(shè)置2N(N為大于等于2的正整數(shù))根阻值相等的電阻，在上述各電阻端部的相等位置上設(shè)置各連接用接點，上述各電阻中，除了一對相鄰的第(2M-1)的電阻和第2M(M為M≤N的正整數(shù))的電阻的端部外，在各相等位置上設(shè)置輸出灰度電位用接點，分別連接所述相鄰的一對電阻的相等位置上的灰度電位輸出用接點，通過各電阻中第一和第二的一端的連接用接點及各電阻中第(2N-1)和第2N的一端的連接用接點輸入基準電位，連接所述連接用接點，使得從所述第一電阻開始至所述第(2N-1)電阻為止的所有奇數(shù)號的電阻對于所述基準電位的輸入順序排列連接，還連接所述連接用接點，使得從所述第二電阻開始至所述第2N電阻為止的所有偶數(shù)號的電阻對于所述基準電位的輸入順序排列連接，利用所述電阻的分壓，在所述各灰度電位輸出用接點的連接點上生成灰度電位。
6.如權(quán)利要求5所述的電阻分壓電路，其特征在于，用N+多晶硅電阻、或P+多晶硅電阻、或N+擴散電阻、或P+擴散電阻構(gòu)成所述電阻。
7.一種液晶驅(qū)動電路，其特征在于，包括如權(quán)利要求5所述的電阻分壓電路；及根據(jù)所述電阻分壓電路輸出的灰度電位及指令值、輸出驅(qū)動基板上形成的多個液晶元件用的驅(qū)動電位的變換電路。
8.一種液晶顯示裝置，其特征在于，包括如權(quán)利要求7所述的液晶驅(qū)動裝置；形成于基板上的多個液晶元件；及形成于所述基板上、并通過多個TFT公共連接所述多個液晶元件的驅(qū)動線，所述液晶驅(qū)動裝置連接所述驅(qū)動線，并通過輸出驅(qū)動電位來驅(qū)動所述驅(qū)動線。
9.一種電阻分壓電路，是一種生成驅(qū)動顯示元件用的灰度電位的電阻分壓電路，其特征在于，設(shè)置有多個接點的第一電阻，在與所述第一電阻的接點間相向?qū)χ靡?guī)定的部位上設(shè)置多個兩端有接點的第二電阻，連接和所述第一電阻的接點對向的所述第二電阻的接點，將基準電位輸入所述第一電阻的兩端，利用所述電阻的分壓，在所述各接點的連接點上生成灰度電位。
10.如權(quán)利要求9所述的電阻分壓電路，其特征在于，用N+多晶硅電阻、或P+多晶硅電阻、或N+擴散電阻、或P+擴散電阻構(gòu)成所述第一電阻及第二電阻。
11.一種液晶驅(qū)動裝置，其特征在于，包括如權(quán)利要求9所述的電阻分壓電路；及根據(jù)所述電阻分壓電路輸出的灰度電位及指令值、輸出驅(qū)動形成于基板上的多個液晶元件用的驅(qū)動電位的變換電路。
12.一種液晶顯示裝置，其特征在于，包括如權(quán)利要求11所述的液晶驅(qū)動裝置；形成于基板上的多個液晶元件；及形成于所述基板上、并通過多個TFT公共連接所述多個液晶元件的驅(qū)動線，所述液晶驅(qū)動裝置連接所述驅(qū)動線，通過輸出驅(qū)動電位來驅(qū)動所述驅(qū)動線。
13.一種電阻分壓電路，是一種生成驅(qū)動顯示元件用的灰度電位的電阻分壓電路，其特征在于，設(shè)置多根電阻值相等、并在相等位置上有接點的電阻，分別通過多個控制用開關(guān)連接所述各電阻相等位置上的接點后并聯(lián)連接這些電阻，在所述各電阻的兩端分別設(shè)置多個電源用開關(guān)，分別通過所述多個電源用開關(guān)向所述各電阻的兩端輸入基準電位，利用電阻的分壓作用，在所述各接點的連接點上生成灰度電位。
14.如權(quán)利要求13所述的電阻分壓電路，其特征在于，用N溝道型MOS晶體管、或P溝道型MOS晶體管、或包含N溝道型MOS晶體管和P溝道型MOS晶體管兩者的組合構(gòu)成所述控制用及電源用開關(guān)。
15.如權(quán)利要求13所述的電阻分壓電路，其特征在于，用N+多晶硅電阻、或P+多晶硅電阻、或N+擴散電阻、或P+擴散電阻構(gòu)成所述電阻。
16.一種液晶驅(qū)動電路，其特征在于，包括如權(quán)利要求13所述的電阻分壓電路；及根據(jù)所述電阻分壓電路輸出的灰度電位及指令值、輸出驅(qū)動形成于基板上的多個液晶元件用的驅(qū)動電位的變換電路。
17.一種液晶顯示裝置，其特征在于，包括如權(quán)利要求16所述的液晶驅(qū)動裝置；形成于基板上的多個液晶元件；及形成于所述基板上、并通過多個TFT公共連接所述多個液晶元件的驅(qū)動線，所述液晶驅(qū)動裝置連接所述驅(qū)動線，通過輸出驅(qū)動電位來驅(qū)動所述驅(qū)動線。
18.一種電阻分壓電路，是一種生成驅(qū)動顯示元件用的灰度電位的電阻分壓電路，其特征在于，包括設(shè)置在供給高電位一側(cè)基準電位的第一節(jié)點和供給低電位一側(cè)基準電位的第二節(jié)點之間的第一電阻；第二電阻；及通過所述第一電阻上的第一接點和所述第二電阻上的第一接點連接所述第一電阻和所述第二電阻的等電位的節(jié)點、并將所述等電位節(jié)點輸出的電位作為灰度電位輸出的第一灰度電位輸出布線。
19.如權(quán)利要求18所述的電阻分壓電路，其特征在于，所述第二電阻和所述第一電阻的一部分平行地并排形成，還包括通過所述第一電阻上的第二接點和所述第二電阻上的第二接點連接所述第一電阻和所述第二電阻的等電位的節(jié)點、并將所述等電位節(jié)點輸出的電位作為灰度電位輸出的第二灰度電位輸出布線。
20.如權(quán)利要求18所述的電阻分壓電路，其特征在于，所述第二電阻設(shè)置在所述第一節(jié)點和所述第二節(jié)點之間。
21.如權(quán)利要求20所述的電阻分壓電路，其特征在于，所述第一電阻和所述第二電阻沿第一方向有近似相等的長度，及沿和所述第一方向成直角的第二方向有近似相等的寬度，沿所述第二方向并排構(gòu)成。
22.如權(quán)利要求21所述的電阻分壓電路，其特征在于，所述第一灰度電位輸出布線連接沿所述第一方向位于近似相等位置的所述第一電阻上的第一接點和所述第二電阻上的第一接點，并向所述第二方向輸出所述灰度電位。
23.如權(quán)利要求22所述的電阻分壓電路，其特征在于，還包括第三電阻，該第三電阻設(shè)在所述第一節(jié)點和所述第二節(jié)點之間，沿第一方向長度有和所述第一電阻及所述第二電阻近似相等的長度，沿和所述第一方向成直角的第二方向有近似相等的寬度，在所述第二方向上和所述第一電阻及所述第二電阻并排構(gòu)成，所述第一灰度電位輸出布線連接沿所述第一方向位于近似相等位置的所述第一電阻上的第一接點、所述第二電阻上的第一接點、及所述第三電阻上的第一接點。
24.如權(quán)利要求23所述的電阻分壓電路，其特征在于，還包括設(shè)置在所述第一灰度電位輸出布線上的所述第一電阻上的第一接點和所述第二電阻上的第一接點之間的第一開關(guān)、及設(shè)置在所述第一灰度電位輸出布線上的所述第二電阻上的第一接點和所述第三電阻上的第一接點之間的第二開關(guān)，控制所述第一開關(guān)及所述第二開關(guān)的接通或斷開。
25.如權(quán)利要求24所述的電阻分壓電路，其特征在于，還包括設(shè)在所述第一節(jié)點或所述第二節(jié)點和所述第一至第三電阻的連接點之間的第三至第五開關(guān)，在無需輸出所述灰度電位時，控制所述第三至第五開關(guān)，使其斷開。
26.如權(quán)利要求25所述的電阻分壓電路，其特征在于，用N溝道型MOS晶體管、或P溝道型MOS晶體管、或包含N溝道型MOS晶體管及P溝道型MOS晶體管兩者的組合構(gòu)成所述第一至第五開關(guān)。
27.如權(quán)利要求23所述的電阻分壓電路，其特征在于，包括設(shè)置在所述第一節(jié)點或第二節(jié)點和所述第一至第三電阻的連接點之間的第三至第五開關(guān)，在無需輸出所述灰度電位時，控制所述第三至第五開關(guān)，使其斷開。
28.如權(quán)利要求27所述的電阻分壓電路，其特征在于，用N溝道型MOS晶體管、或P溝道型MOS晶體管、或包含N溝道型MOS晶體管和P溝道型MOS晶體管兩者的組合構(gòu)成所述第三至第五開關(guān)。
29.如權(quán)利要求18所述的電阻分壓電路，其特征在于，用N+多晶硅電阻、或P+多晶硅電阻、或N+擴散電阻、或P+擴散電阻構(gòu)成所述電阻。
30.一種液晶驅(qū)動裝置，其特征在于，包括如權(quán)利要求18所述的電阻分壓電路；及根據(jù)所述電阻分壓電路輸出的灰度電位及指令值、輸出驅(qū)動形成于基板上的多個液晶元件用的驅(qū)動電位的變換電路。
31.一種液晶顯示裝置，其特征在于，包括如權(quán)利要求30所述的液晶驅(qū)動裝置；形成于基板上的多個液晶元件；及形成于所述基板上、并通過多個TFT公共連接所述多個液晶元件的驅(qū)動線，所述液晶驅(qū)動裝置連接所述驅(qū)動線，通過輸出驅(qū)動電位來驅(qū)動所述驅(qū)動線。
全文摘要
本發(fā)明涉及為了驅(qū)動液晶元件等顯示元件而生成灰度電壓的灰度電位生成電路內(nèi)含的電阻分壓電路，將提供能高精度形成阻值小的電阻、能生成精細的灰度電位的電阻分壓電路作為技術(shù)上要解決的課題。為了解決這一課題，本發(fā)明的電阻分壓電路的構(gòu)成為，設(shè)置三根阻值相等、在相等的位置上有接點12的電阻11，分別連接各電阻11在相等位置上的接點12，并聯(lián)地連接這些電阻，并將基準電位V1、V2輸入并聯(lián)連接的電阻的兩端，利用電阻11的分壓作用，在各接點12的連接點上生成灰度電位。本發(fā)明能生成精細的灰度電位，能適用于液晶驅(qū)動裝置、計量及測量儀器、或控制設(shè)備等諸多用途。
文檔編號G09G3/20GK1637471SQ2004100114
公開日2005年7月13日 申請日期2004年12月24日 優(yōu)先權(quán)日2003年12月25日
發(fā)明者西和義, 村田正嗣 申請人:松下電器產(chǎn)業(yè)株式會社