專利名稱：曝光裝置和圖像形成裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及曝光裝置和圖像形成裝置。
背景技術(shù)：
未審查的日本專利申請(qǐng)公開No. 2005-047012披露了一種結(jié)構(gòu)，在該結(jié)構(gòu)中，透明的撓性基板被設(shè)置為使得該撓性基板沿感光體的外周表面彎曲。在曝光處理中，從形成在撓性基板上的多個(gè)有機(jī)電致發(fā)光(EL)發(fā)光單元發(fā)射的光會(huì)聚在感光體的曝光位置上。

發(fā)明內(nèi)容
因此，本發(fā)明的目的是提供一種曝光裝置和一種圖像形成裝置，即使當(dāng)因第一發(fā)光單元的劣化而使來自第一發(fā)光單元的光量減小，也能夠保持曝光光量。根據(jù)本發(fā)明的第一方面，提供一種曝光裝置，其朝向構(gòu)造為承載潛像的潛像承載部件發(fā)射光，形成在所述潛像承載部件上的所述潛像用于由顯影裝置所執(zhí)行的顯影處理中，所述曝光裝置包括第一發(fā)光單元，其包括沿所述潛像承載部件的主掃描方向設(shè)置的有機(jī)電致發(fā)光元件，所述第一發(fā)光單元朝向所述潛像承載部件發(fā)射光；以及第二發(fā)光單元，其沿所述主掃描方向設(shè)置，所述第二發(fā)光單元協(xié)同所述第一發(fā)光單元來校正使所述潛像承載部件曝光的光量。根據(jù)本發(fā)明的第二方面，在根據(jù)本發(fā)明第一方面的曝光裝置中，所述第二發(fā)光單元包括有機(jī)電致發(fā)光元件。根據(jù)本發(fā)明的第三方面，在根據(jù)本發(fā)明第一或第二方面的曝光裝置中，多個(gè)所述第一發(fā)光單元沿所述主掃描方向排列，并且所述第二發(fā)光單元的數(shù)量至少為一個(gè)，每個(gè)第二發(fā)光單元協(xié)同兩個(gè)或更多個(gè)所述第一發(fā)光單元來校正使所述潛像承載部件曝光的光量。根據(jù)本發(fā)明的第四方面，在根據(jù)本發(fā)明第三方面的曝光裝置中，所述至少一個(gè)第二發(fā)光單元包括一個(gè)或更多個(gè)長(zhǎng)方形元件，所述長(zhǎng)方形元件設(shè)置為緊鄰所述第一發(fā)光單元并且沿所述主掃描方向而排列。根據(jù)本發(fā)明的第五方面，根據(jù)本發(fā)明第一至第四方面中任一方面的曝光裝置還包括檢測(cè)器，其檢測(cè)從所述第一發(fā)光單元發(fā)出的光量，并且當(dāng)由所述檢測(cè)器所檢測(cè)出的光量減小時(shí)，所述第二發(fā)光單元發(fā)射光以補(bǔ)償所述光量的不足。根據(jù)本發(fā)明的第六方面，在根據(jù)本發(fā)明第一至第四方面中任一方面的曝光裝置中，當(dāng)所述第一發(fā)光單元發(fā)射光時(shí)所述第二單元發(fā)射光，從所述第二發(fā)光單元發(fā)出的光量被調(diào)節(jié)為使所述潛像承載部件的電位被限定在所述顯影裝置不會(huì)執(zhí)行所述顯影處理的范圍內(nèi)。根據(jù)本發(fā)明的第七方面，在根據(jù)本發(fā)明第六方面的曝光裝置中，從所述第二發(fā)光單元發(fā)出的光量基本恒定，并且由所述第一發(fā)光單元調(diào)節(jié)使所述潛像承載部件曝光的光量。 根據(jù)本發(fā)明的第八方面，提供一種圖像形成裝置，其包括潛像承載部件，其構(gòu)造為承載潛像；根據(jù)本發(fā)明第一至第七方面中任一方面的曝光裝置，所述曝光裝置用光照射所述潛像承載部件以形成所述潛像；以及顯影裝置，其使用顯影劑對(duì)所述潛像承載部件上的所述潛像進(jìn)行顯影。根據(jù)本發(fā)明的第九方面，提供一種圖像形成裝置，包括下述部件中的一者構(gòu)造為承載潛像的潛像承載部件，對(duì)所述潛像承載部件充電的充電裝置，以及采用顯影劑對(duì)所述潛像承載部件上的所述潛像進(jìn)行顯影的顯影裝置；以及根據(jù)本發(fā)明第一至第七方面中任一方面的曝光裝置，所述曝光裝置用光照射所述潛像承載部件以形成所述潛像。所述圖像形成單元能夠可拆卸地安裝在圖像形成裝置上。根據(jù)本發(fā)明的第一方面，即使當(dāng)因所述第一發(fā)光單元的劣化而使來自所述第一發(fā)光單元的光量減小時(shí)，通過使所述第二發(fā)光單元發(fā)射光，也能夠使所述曝光光量得以保持。根據(jù)本發(fā)明的第二方面，所述第一發(fā)光單元和所述第二發(fā)光單元可以形成在單個(gè)基板上。根據(jù)本發(fā)明的第三方面，單個(gè)第二發(fā)光單元可以協(xié)同多個(gè)第一發(fā)光單元校正所述曝光光量。根據(jù)本發(fā)明的第四方面，第二發(fā)光單元和多個(gè)第一發(fā)光單元可以相互形成為一體，并且單個(gè)第二發(fā)光單元可以協(xié)同多個(gè)第一發(fā)光單元校正所述曝光光量。根據(jù)本發(fā)明的第五方面，即使當(dāng)來自所述第一發(fā)光單元的光量減小時(shí)，所述第二發(fā)光單元也可以發(fā)射光從而補(bǔ)償所述光量的不足。根據(jù)本發(fā)明的第六和第七方面，可以將用于校正所述曝光光量的反饋?zhàn)钚』?。根?jù)本發(fā)明的第八和第九方面，在以光照射所述潛像承載部件的處理中，即使當(dāng)因所述第一發(fā)光單元的劣化而使來自所述第一發(fā)光單元的光量減小時(shí)，通過使所述第二發(fā)光單元發(fā)射光，也能夠使所述曝光光量得以保持。


將基于以下附圖詳細(xì)說明本發(fā)明的示例性實(shí)施例，其中圖1是示出根據(jù)第一示例性實(shí)施例的包括曝光頭的圖像形成裝置的結(jié)構(gòu)的示意圖；圖2是示出根據(jù)第一示例性實(shí)施例的每個(gè)曝光頭的結(jié)構(gòu)的示意圖；圖3是示出從根據(jù)第一示例性實(shí)施例的曝光頭發(fā)射的光會(huì)聚在感光鼓上的狀態(tài)的示意圖；圖4是示出根據(jù)第一示例性實(shí)施例的曝光頭的結(jié)構(gòu)的平面示意圖；圖5是示出底部發(fā)射型的第一有機(jī)EL裝置和第二有機(jī)EL裝置的結(jié)構(gòu)示意圖；圖6是示出感光鼓的表面電位與由曝光頭所提供的曝光能量的關(guān)系實(shí)例的示圖；圖7是示出感光鼓的表面電位與由曝光頭所提供的曝光能量的關(guān)系的另一個(gè)實(shí)例的示圖；圖8是示出根據(jù)第二示例性實(shí)施例的曝光頭的結(jié)構(gòu)的平面示意圖；以及圖9是示出根據(jù)第三示例性實(shí)施例的曝光頭的結(jié)構(gòu)的平面示意圖。
具體實(shí)施方式

下面將參考附圖詳細(xì)說明本發(fā)明的示例性實(shí)施例。圖像形成裝置10的總體結(jié)構(gòu)首先，對(duì)根據(jù)第一示例性實(shí)施例的包括曝光頭的圖像形成裝置10的結(jié)構(gòu)進(jìn)行說明。圖1是示出根據(jù)本示例性實(shí)施例的圖像形成裝置10的結(jié)構(gòu)的示意圖。參考圖1，根據(jù)本示例性實(shí)施例的圖像形成裝置10包括裝置殼體11，其容納各個(gè)部件；記錄介質(zhì)儲(chǔ)存部分12，其中儲(chǔ)存諸如紙張等記錄介質(zhì)P ；圖像形成部分14，其在記錄介質(zhì)P上形成色調(diào)劑圖像；傳送部分16，其將記錄介質(zhì)P從記錄介質(zhì)儲(chǔ)存部分12傳送至圖像形成部分14 ；定影裝置18，其對(duì)由圖像形成部分14形成在記錄介質(zhì)P上的色調(diào)劑圖像進(jìn)行定影；以及記錄介質(zhì)排出部分(未示出)，由定影裝置18對(duì)色調(diào)劑圖像進(jìn)行了定影的記錄介質(zhì)P被排出到該記錄介質(zhì)排出部分。記錄介質(zhì)儲(chǔ)存部分12、圖像形成部分14、傳送部分16和定影裝置18容納在裝置殼體11中。圖像形成部分14包括圖像形成單元22C、22M、22Y和22K，其形成各種顏色的色調(diào)劑圖像，所述顏色為藍(lán)綠色(C)、品紅色(M)、黃色⑴和黑色⑷；中間轉(zhuǎn)印帶24，其為中間轉(zhuǎn)印體的實(shí)例，并且圖像形成單元22C、22M、22Y和2 (所形成的色調(diào)劑圖像被轉(zhuǎn)印到其上；一次轉(zhuǎn)印輥沈，其為一次轉(zhuǎn)印部件的實(shí)例，該一次轉(zhuǎn)印部件將由圖像形成單元22C、 22M、22Y和2 (所形成的色調(diào)劑圖像轉(zhuǎn)印到中間轉(zhuǎn)印帶M上；以及二次轉(zhuǎn)印輥觀，其作為二次轉(zhuǎn)印部件的實(shí)例，該二次轉(zhuǎn)印部件將中間轉(zhuǎn)印帶M上的色調(diào)劑圖像轉(zhuǎn)印到記錄介質(zhì)P 上。每個(gè)圖像形成單元22C、22M、22Y和2 (包括感光鼓30，感光鼓30是構(gòu)造為承載潛像的潛像承載部件的實(shí)例。感光鼓30沿著一個(gè)方向旋轉(zhuǎn)(圖1中的順時(shí)針方向)。沿感光鼓30的旋轉(zhuǎn)方向從上游側(cè)起圍繞每個(gè)感光鼓30依次設(shè)置有充電裝置32、 曝光頭34、顯影裝置36和清除裝置40。充電裝置32對(duì)感光鼓30的表面充電。曝光頭34 是曝光裝置的實(shí)例，該曝光裝置朝向感光鼓30的已充電的表面發(fā)射光，從而在感光鼓30的表面形成靜電潛像。顯影裝置36對(duì)形成在感光鼓30表面上的靜電潛像進(jìn)行顯影以形成色調(diào)劑圖像。在色調(diào)劑圖像已經(jīng)被轉(zhuǎn)印到中間轉(zhuǎn)印帶M上之后，由清除裝置40清除殘留在感光鼓30表面上的色調(diào)劑。感光鼓30、充電裝置32、曝光頭34、顯影裝置36和清除裝置40作為一個(gè)單元設(shè)置在每個(gè)圖像形成單元22C、22M、22Y和22K中。圖像形成單元22C、22M、22Y和2 形成為以可更換的形式可拆卸地安裝在裝置殼體11上的處理盒。不必要將所有的感光鼓30、充電裝置32、曝光頭34、顯影裝置36和移除裝置40 — 體化為一個(gè)單元。例如，感光鼓30、充電裝置32和顯影裝置36中的至少一者可以連同曝光頭34作為一個(gè)單元設(shè)置在各個(gè)圖像形成單元22C、22M、22Y和22K中。中間轉(zhuǎn)印帶M由與二次轉(zhuǎn)印輥28相對(duì)的相對(duì)輥42、驅(qū)動(dòng)輥44以及多個(gè)保持輥 46所保持，并且沿一個(gè)方向(圖1中的逆時(shí)針方向)旋轉(zhuǎn)，同時(shí)與感光鼓30相接觸。一次轉(zhuǎn)印輥沈隔著中間轉(zhuǎn)印帶M與各個(gè)感光鼓30相對(duì)。感光鼓30上的色調(diào)劑圖像在一次轉(zhuǎn)印位置轉(zhuǎn)印到中間轉(zhuǎn)印帶M上，該一次轉(zhuǎn)印位置被界定于一次轉(zhuǎn)印輥沈與各個(gè)感光鼓30之間。一次轉(zhuǎn)印位置位于顯影裝置36和各個(gè)移除裝置40之間。一次轉(zhuǎn)印輥沈通過在一次轉(zhuǎn)印位置向中間轉(zhuǎn)印帶M施加壓力和靜電力而將感光鼓30表面上的色調(diào)劑圖像轉(zhuǎn)印到中間轉(zhuǎn)印帶M上。二次轉(zhuǎn)印輥28隔著中間轉(zhuǎn)印帶M與相對(duì)輥42相對(duì)。中間轉(zhuǎn)印帶M上的色調(diào)劑圖像在二次轉(zhuǎn)印位置轉(zhuǎn)印到記錄介質(zhì)P上，該二次轉(zhuǎn)印位置被界定于二次轉(zhuǎn)印輥觀和相對(duì)輥42之間。二次轉(zhuǎn)印輥28通過在二次轉(zhuǎn)印位置向記錄介質(zhì)P施加壓力和靜電力，將中間轉(zhuǎn)印帶M表面的色調(diào)劑圖像轉(zhuǎn)印到記錄介質(zhì)P上。傳送部分16包括供給輥50，其供應(yīng)儲(chǔ)存在記錄介質(zhì)儲(chǔ)存部分12中的各記錄介質(zhì)P ；以及多對(duì)傳送輥52，其將由供給輥50所供給的記錄介質(zhì)P傳送至二次轉(zhuǎn)印位置。定影裝置18沿傳送方向設(shè)置在二次轉(zhuǎn)印位置的下游，并且在二次轉(zhuǎn)印位置對(duì)已轉(zhuǎn)印到記錄介質(zhì)P上的色調(diào)劑圖像進(jìn)行定影。作為將記錄介質(zhì)P傳送至定影裝置18的傳送部件的實(shí)例的傳送帶M沿傳送方向設(shè)置在二次轉(zhuǎn)印位置的下游并沿傳送方向設(shè)置在定影裝置18的上游。在根據(jù)本示例性實(shí)施例的具有上述結(jié)構(gòu)的圖像形成裝置10中，首先，從記錄介質(zhì)儲(chǔ)存部分12供給的記錄介質(zhì)P通過各對(duì)傳送輥52被傳送至二次轉(zhuǎn)印位置。由圖像形成單元22C、22M、22Y和2 (形成的各種顏色的色調(diào)劑圖像疊加在中間轉(zhuǎn)印帶M上從而形成彩色圖像。形成在中間轉(zhuǎn)印帶M上的彩色圖像被轉(zhuǎn)印到已傳送至二次轉(zhuǎn)印位置的記錄介質(zhì)P上。轉(zhuǎn)印有色調(diào)劑圖像的記錄介質(zhì)P被傳送至定影裝置18，并且由定影裝置18對(duì)記錄介質(zhì)P上的色調(diào)劑圖像進(jìn)行定影。定影有色調(diào)劑圖像的記錄介質(zhì)P被排出至記錄介質(zhì)排出部分(未示出)。如此，圖像形成操作得以執(zhí)行。圖像形成裝置的結(jié)構(gòu)不限于上述結(jié)構(gòu)，并且圖像形成裝置可以具有各種類型的結(jié)構(gòu)。例如，圖像形成裝置可以為省略了中間轉(zhuǎn)印體的直接轉(zhuǎn)印型。曝光頭34的結(jié)構(gòu)下面將對(duì)曝光頭34的結(jié)構(gòu)進(jìn)行說明。圖2、圖3和圖4是示出根據(jù)第一示例性實(shí)施例的每個(gè)曝光頭34的結(jié)構(gòu)的示意圖。如圖2和圖3所示，每個(gè)曝光頭34包括基板60，其具有沿著感光鼓30的軸向在主掃描方向X上延伸的長(zhǎng)方形形狀；有機(jī)電致發(fā)光(EL)裝置列陣62，其是發(fā)光裝置列陣的實(shí)例；以及klfoc (注冊(cè)商標(biāo))透鏡列陣64，其是聚集由有機(jī)EL裝置列陣62所產(chǎn)生的光并且將光聚焦在照射表面(也就是說，感光鼓30的表面)上的圖像元件列陣的實(shí)例?；?0由諸如玻璃基板或樹脂基板的絕緣基板形成。如圖4所示，每個(gè)有機(jī)EL裝置列陣62包括用于主曝光光源的多個(gè)第一有機(jī)EL裝置70和用于輔助曝光光源的一個(gè)第二有機(jī)EL裝置72。第一有機(jī)EL裝置70是第一發(fā)光單元的實(shí)例并且沿主掃描方向X設(shè)置。第二有機(jī)EL裝置72是第二發(fā)光單元的實(shí)例，該第二發(fā)光單元沿副掃描方向Y(與主掃描方向X垂直的方向)在第一有機(jī)EL裝置70的一側(cè)沿單線而延伸。有機(jī)EL裝置是有機(jī)電致發(fā)光元件的實(shí)例。數(shù)量與像素的數(shù)量(點(diǎn)的數(shù)量)對(duì)應(yīng)的第一有機(jī)EL裝置70設(shè)置在基板60上。第一有機(jī)EL裝置70從平面圖上看具有大致正方形的形狀，并且沿主掃描方向X以彼此間基本恒定的間隔布置。第二有機(jī)EL裝置72具有長(zhǎng)方形(帶狀)形狀并且形成在基板60上， 從而在與第一有機(jī)EL裝置70相鄰的位置沿著主掃描方向X延伸。第二有機(jī)EL裝置72具有矩形形狀，該矩形形狀包括沿主掃描方向X延伸的長(zhǎng)邊。在本示例性實(shí)施例中，設(shè)置單個(gè)第二有機(jī)EL裝置72。從第一有機(jī)EL裝置70發(fā)出的光量被設(shè)定為通過對(duì)已由充電裝置32(見圖1)充電的感光鼓30進(jìn)行曝光來形成靜電潛像所必須的光量。當(dāng)來自第一有機(jī)EL裝置70的光量因第一有機(jī)EL裝置70的劣化而減小時(shí)，第二有機(jī)EL裝置72補(bǔ)償來自第一有機(jī)EL裝置 70的光量。從第二有機(jī)EL裝置72發(fā)出的光量被設(shè)定為小于從第一有機(jī)EL裝置70發(fā)出的光量。第二有機(jī)EL裝置72大致平行于沿主掃描方向X設(shè)置的第一有機(jī)EL裝置70的行列而延伸。單個(gè)第二有機(jī)EL裝置72用于校正來自于多個(gè)第一有機(jī)EL裝置70的光量。如圖2所示，在基板60上設(shè)置有作為用于驅(qū)動(dòng)第一有機(jī)EL裝置70和第二有機(jī)EL 裝置72的驅(qū)動(dòng)電路實(shí)例的多個(gè)驅(qū)動(dòng)IC(驅(qū)動(dòng)集成電路)66。每個(gè)驅(qū)動(dòng)IC 66單獨(dú)地驅(qū)動(dòng)第一有機(jī)EL裝置70和第二有機(jī)EL裝置72。在klfoc透鏡列陣64中設(shè)置有作為成像元件實(shí)例的多個(gè)棒形透鏡64A。klfoc 透鏡列陣64設(shè)置在第一有機(jī)EL裝置70和第二有機(jī)EL裝置72的發(fā)光側(cè)。在klfoc透鏡列陣64中，棒形透鏡64A是二維設(shè)置的，從而可以由用于與各個(gè)點(diǎn)對(duì)應(yīng)的第一有機(jī)EL裝置70的多個(gè)棒形透鏡64A執(zhí)行正立等比成像。因此，來自各個(gè)第一有機(jī)EL裝置70和第二有機(jī)EL裝置72的光通過相應(yīng)的多個(gè)棒形透鏡64A聚焦在感光鼓30 的表面。從而，通過利用從第一有機(jī)EL裝置70和第二有機(jī)EL裝置72發(fā)射的光對(duì)感光鼓 30進(jìn)行曝光來形成靜電潛像。曝光頭34包括傳感器68，傳感器68是檢測(cè)從第一有機(jī)EL裝置70發(fā)出的光量的檢測(cè)器的實(shí)例。從傳感器68輸出的檢測(cè)信號(hào)被輸入驅(qū)動(dòng)IC 66，并且每個(gè)驅(qū)動(dòng)IC 66根據(jù)從第一有機(jī)EL裝置70發(fā)出的光量的減小來控制從第二有機(jī)EL裝置72發(fā)出的光量。圖6是示出來自曝光頭34的曝光能量(光量)與感光鼓30的表面電位之間的關(guān)系的示圖。從圖中可以清楚地看出，如果因第一有機(jī)EL裝置70的劣化而使第一有機(jī)EL裝置70所提供的曝光能量減小，則存在感光鼓30的表面電位在曝光處理中不能降低到預(yù)定的顯影電位的可能性。因此，在本示例性實(shí)施例中，如果來自第一有機(jī)EL裝置70的光量減小，則將來自第二有機(jī)EL裝置72的光量控制為使得感光鼓30的表面電位在曝光處理中可以降低到預(yù)定的顯影電位。更具體地說，根據(jù)由傳感器68所檢測(cè)到的來自第一有機(jī)EL裝置70的光量而控制第二有機(jī)EL裝置72，以使第二有機(jī)EL裝置72發(fā)射光，從而補(bǔ)償(校正)來自第一有機(jī)EL裝置70的光量的減小。因此，感光鼓30的表面電位可在曝光處理中改變至預(yù)定的顯影電位。安裝到第一有機(jī)EL裝置70和第二有機(jī)EL裝置72上的透鏡不限于klfoc透鏡列陣64，也可以用圓柱形透鏡來代替。作為選擇，在各個(gè)第一有機(jī)EL裝置70上可結(jié)合有微透鏡。第一有機(jī)EL裝置70和第二有機(jī)EL裝置72的結(jié)構(gòu)下面對(duì)各第一有機(jī)EL裝置70和第二有機(jī)EL裝置72的結(jié)構(gòu)進(jìn)行說明。各第一有機(jī)EL裝置70和第二有機(jī)EL裝置72可以是底部發(fā)射型有機(jī)EL裝置，其中來自發(fā)光層84(將在后面進(jìn)行說明)的光從基板60—側(cè)發(fā)射出；也可以是頂部發(fā)射型有機(jī)EL裝置，其中來自發(fā)光層84的光從與基板60的相對(duì)一側(cè)發(fā)射出。在本示例性實(shí)施例中，對(duì)采用底部發(fā)射型有機(jī)EL裝置的結(jié)構(gòu)進(jìn)行說明。曝光頭34中包括的有機(jī)EL裝置不局限于底部發(fā)射型有機(jī)EL裝置，并且可以用頂部發(fā)射型有機(jī)EL裝置來代替。有機(jī)EL裝置的結(jié)構(gòu)首先，對(duì)各第一有機(jī)EL裝置70和第二有機(jī)EL裝置72的結(jié)構(gòu)進(jìn)行說明。圖5示出底部發(fā)射型的各第一有機(jī)EL裝置70和第二有機(jī)EL裝置72的結(jié)構(gòu)。圖5是沿副掃描方向Y(與主掃描方向X垂直的方向)截取的包含有圖4所示的第一有機(jī)EL裝置70和第二有機(jī)EL裝置72的曝光頭34的縱向剖視圖。如圖5所示，每個(gè)第一有機(jī)EL裝置70包括陽極80Α，其形成在透光基板60的表面上；空穴注射層82Α，其形成在陽極80Α的表面上；發(fā)光層84Α，其形成在空穴注射層82Α 的表面上并限定了發(fā)光區(qū)域；陰極86Α，其形成在發(fā)光層84Α的表面上并且注射電子；以及反射層88Α，其形成在陰極86Α的表面上。密封層90形成在反射層88Α的表面上，從而密封層90覆蓋陽極80Α、空穴注射層82Α、發(fā)光層84Α、陰極86Α和反射層88Α的側(cè)面。從而，每個(gè)第一有機(jī)EL裝置70包括陽極80Α、空穴注射層82Α、發(fā)光層84Α、陰極86Α、反射層88Α和密封層90，它們按上述順序堆疊在基板60上。第一有機(jī)EL裝置70 (見圖4)設(shè)置有彼此相分隔的各個(gè)陽極80Α，從能夠單獨(dú)地控制供應(yīng)到發(fā)光區(qū)域的電流。陽極80Α具有與第一有機(jī)EL裝置70的發(fā)光區(qū)域的形狀對(duì)應(yīng)的矩形形狀。陰極86Α呈帶狀并且沿主掃描方向X延伸，從而與多個(gè)陽極80Α中每個(gè)成對(duì)。陰極86Α設(shè)置為第一有機(jī)EL裝置70中的所有發(fā)光區(qū)域共用。第二有機(jī)EL裝置72包括陽極80Β、空穴注射層82Β、發(fā)光層84Β、陰極86Β、反射層 88Β和密封層90，它們按上述順序堆疊在基板60上。從平面圖上看，陽極80Β、空穴注射層 82Β、發(fā)光層84Β、陰極86Β和反射層88Β呈沿主掃描方向X延伸的長(zhǎng)方形形狀。在本示例性實(shí)施例中，第一有機(jī)EL裝置70和第二有機(jī)EL裝置72所分別包括的陽極80Α和80Β、空穴注射層82Α和82Β、發(fā)光層84Α和84Β、陰極86Α和86Β以及反射層88Α 和88Β由相同的材料制成。在下述說明中，將由末尾不附帶A或B的附圖標(biāo)記表示第一有機(jī)EL裝置70和第二有機(jī)EL裝置72共用的部件。陽極80是透光并且透射光線，從而使來自發(fā)光層84的光可以從基板60 —側(cè)發(fā)射出。陽極80例如由例如氧化錫(SnO2)、三氧化二銦(In2O3)、導(dǎo)電金屬氧化物(ITO)或 ΙΖ0:Α1(ΙΖ0:氧化銦鋅，Al 招)的導(dǎo)電金屬氧化物制成。然而，陽極80的材料不限于上述材料。陽極80的厚度例如為lOOnm。然而，陽極80的厚度不限于此。當(dāng)電壓施加到陰極86和陽極80之間時(shí)，從陽極80將空穴注射到空穴注射層82 中?？昭ㄗ⑸鋵?2是由例如酞菁基材料(例如酞菁銅)或靛蒽醌基化合物的低分子材料， 或諸如4，4'，4〃 -三(3-甲基苯基苯基氨基)三苯胺(MTDATA)、聚苯胺或聚乙烯二羥噻吩/聚苯乙烯磺酸鹽(PED0T/PSQ的高分子材料制成。然而，空穴注射層82的材料不限于上述材料。空穴注射層82的厚度例如為30nm。然而，空穴注射層82的厚度不限于此?？梢栽诳昭ㄗ⑸鋵?2和陽極80之間設(shè)有空穴輸送層以提高空穴注射效率。當(dāng)電壓施加到陰極86和陽極80之間時(shí)，電子從陰極86注射到發(fā)光層84中。注射到空穴注射層82中的空穴移動(dòng)到發(fā)光層84，并與電子相結(jié)合。從而，發(fā)光層84發(fā)光。發(fā)光層84可以由例如螯合型金屬有機(jī)化合物、多芳環(huán)或稠芳環(huán)化合物、二萘嵌苯衍生物、香豆素衍生物、苯乙烯亞芳香衍生物、硅雜環(huán)戊二烯衍生物、惡唑衍生物、惡噻唑衍生物、二唑類衍生物、聚對(duì)苯撐衍生物、聚對(duì)苯乙炔衍生物、聚噻吩衍生物或聚乙炔衍生物形成。然而，發(fā)光層84的材料不限于上述材料。發(fā)光層84的厚度例如為50nm。然而，發(fā)光層84的厚度不限于此。陰極86不必需是透明及導(dǎo)光的。這是因?yàn)椋瑏碜园l(fā)光層84的光穿過每個(gè)第一有機(jī)EL裝置70中的基板60。在本示例性實(shí)施例中，陰極86由單層形成。然而，陰極86也可以為由多層形成。陰極86由例如鈣(Ca)構(gòu)成。然而，陰極86的材料不限于此。陰極86的材料例如可以是諸如Sn02、In203, ITO或IZ0:A1的導(dǎo)電金屬氧化物。陰極86的厚度例如為30nm。 然而，陰極86的厚度不限于此?？梢栽陉帢O86和發(fā)光層84之間設(shè)置電子注射層或電子傳輸層以提高電子注射效率。反射層88向發(fā)光層84反射來自發(fā)光層84的光。反射層88可以是例如鋁(Al)、 銀(Ag)、鉬(Mo)、鎢(W)、鎳(Ni)或鉻(Cr)。然而，反射層88的材料不限于上述材料。反射層88的厚度例如為150nm。然而，反射層88的厚度不限于此。每個(gè)第一有機(jī)EL裝置70中的發(fā)光區(qū)域的寬度Wl (沿主掃描方向X和副掃描方向Y)是根據(jù)曝光頭34的分辨率而測(cè)定的，并且例如，當(dāng)分辨率為600dpi時(shí)該寬度Wl約為 20 μ m，而當(dāng)分辨率為1200dpi時(shí)該寬度約為10 μ m。第二有機(jī)EL裝置72中的發(fā)光區(qū)域的寬度W2 (沿副掃描方向Y)為例如約20 μ m。下面對(duì)根據(jù)本示例性實(shí)施例的曝光頭34的操作進(jìn)行說明。在曝光頭34中，當(dāng)用來自第一有機(jī)EL裝置70的光對(duì)感光鼓30進(jìn)行曝光以形成靜電潛像時(shí)，由傳感器68檢測(cè)從第一有機(jī)EL裝置70發(fā)出的光量。換句話說，在由曝光頭 34所執(zhí)行的曝光處理期間，監(jiān)測(cè)從第一有機(jī)EL裝置70發(fā)出的光量。如圖6所示，當(dāng)由于第一有機(jī)EL裝置70的劣化而使曝光能量(光量)減小至低于預(yù)定值L1的值時(shí)，使第二有機(jī)EL裝置72發(fā)射光，從而校正由第一有機(jī)EL裝置70所提供的曝光能量。從而，通過將從第一有機(jī)EL裝置70發(fā)射的光和從第二有機(jī)EL裝置72發(fā)射的光結(jié)合，將曝光能量校正為預(yù)定的曝光能量U。因此，通過從第一有機(jī)EL裝置70和第二有機(jī)EL裝置72發(fā)射的光對(duì)感光鼓30進(jìn)行曝光，將感光鼓30的電位設(shè)定為預(yù)定的顯影電位V”在上述曝光頭34中，通過單個(gè)第二有機(jī)EL裝置72來校正來自多個(gè)第一有機(jī)EL 裝置70的光量。在根據(jù)本示例性實(shí)施例的變型例的曝光頭34中，使第二有機(jī)EL裝置72從初始階段開始發(fā)射光。調(diào)節(jié)從第二有機(jī)EL裝置72發(fā)出的光量，從而將感光鼓30的電位限定在顯影裝置36不會(huì)執(zhí)行顯影的范圍內(nèi)。例如，事先預(yù)計(jì)出因第一有機(jī)EL裝置70的劣化而引起的第一有機(jī)EL裝置70的光量的減小，并使第二有機(jī)EL裝置72發(fā)出恒定或基本恒定的光量，從而補(bǔ)償來自第一有機(jī)EL裝置70的光量的減小。更具體地說，如圖7所示，第二有機(jī)EL裝置72可以從初始階段起發(fā)出基本恒定的光量，并且通過調(diào)節(jié)從第一有機(jī)EL裝置70發(fā)出的光量，可以將感光鼓30的電位控制為預(yù)定的顯影電位V1。在該情況下，不必要控制來自第二有機(jī)EL裝置72的光量，并且可以使對(duì)用于校正光量的驅(qū)動(dòng)IC 66的反饋簡(jiǎn)單化。本發(fā)明不限于上述示例性實(shí)施例，并且可以作出各種修改、替換以及變型。
接下來，參考圖8對(duì)根據(jù)第二示例性實(shí)施例的曝光頭進(jìn)行說明。將以相同的附圖標(biāo)記來表示與上述第一示例性實(shí)施例中的部件類似的部件，并且將省略對(duì)這些部件的說明。如圖8所示，包含在曝光頭34內(nèi)的有機(jī)EL裝置列陣100包括作為第二發(fā)光單元的實(shí)例的多個(gè)第二有機(jī)EL裝置102，該第二發(fā)光單元沿主掃描方向X彼此相分隔。第二有機(jī)EL裝置102沿副掃描方向Y設(shè)置在沿主掃描方向X排列的第一有機(jī)EL裝置70的一側(cè)。 更具體地說，第二有機(jī)EL裝置102是矩形的元件，其沿主掃描方向X的長(zhǎng)度小于于根據(jù)第一示例性實(shí)施例的第二有機(jī)EL裝置72 (見圖4)的該長(zhǎng)度。各第二有機(jī)EL裝置102基本平行于沿主掃描方向X排列的第一有機(jī)EL裝置70的行列而延伸。每個(gè)第二有機(jī)EL裝置 102用于校正來自第一有機(jī)EL裝置70的光量，該第一有機(jī)EL裝置70比第一示例性實(shí)施例中的第一有機(jī)EL裝置70的數(shù)量少。在上述有機(jī)EL裝置列陣100中，控制多個(gè)第二有機(jī)EL裝置102，從而僅僅使使校正來自第一有機(jī)EL裝置70的光量所需的第二有機(jī)EL裝置102發(fā)射光。接下來，參考圖9對(duì)根據(jù)第三示例性實(shí)施例的曝光頭進(jìn)行說明。以相同的附圖標(biāo)記來表示與上述第一示例性實(shí)施例和第二示例性實(shí)施例中的部件類似的部件將，并且將省略對(duì)這些部件的說明。如圖9所示，包含在曝光頭34內(nèi)的有機(jī)EL裝置列陣110包括作為第二發(fā)光單元的實(shí)例的多個(gè)第二有機(jī)EL裝置112，該第二發(fā)光單元沿主掃描方向X彼此相分隔。第二有機(jī)EL裝置112沿副掃描方向Y設(shè)置在沿主掃描方向X排列的第一有機(jī)EL裝置70的每一側(cè)。更具體地說，第二有機(jī)EL裝置112是長(zhǎng)方形元件，其沿主掃描方向X的長(zhǎng)度短于根據(jù)第一示例性實(shí)施例的第二有機(jī)EL裝置72 (見圖4)的該長(zhǎng)度。各第二有機(jī)EL裝置112基本平行于沿主掃描方向X排列的第一有機(jī)EL裝置70的行列而延伸。在上述有機(jī)EL裝置列陣110中，沿副掃描方向Y位于第一有機(jī)EL裝置70的兩側(cè)的每個(gè)第二有機(jī)EL裝置112補(bǔ)償比來自第一有機(jī)EL裝置70的光量，該第一有機(jī)EL裝置 70比第一示例性實(shí)施例中的第一有機(jī)EL裝置70的數(shù)量少。第一有機(jī)EL裝置和第二有機(jī)EL裝置的形狀和排列不局限于第一示例性實(shí)施例至第三示例性實(shí)施例中的形狀和排列，并且可以改變?yōu)槠渌男螤詈团帕小４送?，盡管采用有機(jī)EL裝置作為根據(jù)上述第一示例性實(shí)施例至第三示例性實(shí)施例的曝光頭中的第二發(fā)光單元，但第二發(fā)光單元也可以是諸如LED等其它類型的發(fā)光單兀。實(shí)例接下來，對(duì)曝光頭的實(shí)例進(jìn)行說明。實(shí)例1和實(shí)例2在實(shí)例1和實(shí)例2中，參考圖4和圖5，利用導(dǎo)電金屬氧化物(ITO)在用作基板60 的玻璃基板上形成用于主曝光光源的陽極80A。陽極80A構(gòu)成為寬20 μ m，并且以20 μ m的節(jié)距排列。此外，沿副掃描方向Y在用于主曝光光源的陽極80A的一側(cè)形成用于輔助曝光光源的陽極80B。陽極80B構(gòu)成為寬20 μ m，并且呈線狀。接下來，通過旋轉(zhuǎn)涂布均勻地施涂 IOnm厚的聚乙烯二羥噻吩/聚苯乙烯磺酸鹽(PED0T/PSS)以形成空穴注射層82A和82B。 接下來，通過制備由下述化學(xué)式(1)所表示的發(fā)光材料的溶液并利用旋轉(zhuǎn)涂布施涂SOnm厚的上述溶液來形成發(fā)光層84A和84B。然后，使用具有與用于主曝光光源的陽極80A 垂直的20 μ m寬的開口的掩膜，以及具有覆蓋用于輔助曝光光源的陽極80B的40 μ m寬的開口的掩膜，通過氣相沉積依次形成由鈣制成的陰極86A和86B以及由鋁制成的反射層88A 和88B。從而，形成了沿主掃描方向X布置在基板60上的多個(gè)第一有機(jī)EL裝置70和設(shè)置為緊鄰第一有機(jī)EL裝置70的線狀的第二有機(jī)EL裝置72。
權(quán)利要求
1.一種曝光裝置，其朝向構(gòu)造為承載潛像的潛像承載部件發(fā)射光，形成在所述潛像承載部件上的所述潛像用于由顯影裝置所執(zhí)行的顯影處理中，所述曝光裝置包括第一發(fā)光單元，其包括沿所述潛像承載部件的主掃描方向設(shè)置的有機(jī)電致發(fā)光元件， 所述第一發(fā)光單元朝向所述潛像承載部件發(fā)射光；以及第二發(fā)光單元，其沿所述主掃描方向設(shè)置，所述第二發(fā)光單元協(xié)同所述第一發(fā)光單元來校正使所述潛像承載部件曝光的光量。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的曝光裝置，其中，所述第二發(fā)光單元包括有機(jī)電致發(fā)光元件。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的曝光裝置，其中，多個(gè)所述第一發(fā)光單元沿所述主掃描方向排列，并且所述第二發(fā)光單元的數(shù)量至少為一個(gè)，每個(gè)第二發(fā)光單元協(xié)同兩個(gè)或更多個(gè)所述第一發(fā)光單元來校正使所述潛像承載部件曝光的光量。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的曝光裝置，其中，所述至少一個(gè)第二發(fā)光單元包括一個(gè)或更多個(gè)長(zhǎng)方形元件，所述長(zhǎng)方形元件設(shè)置為緊鄰所述第一發(fā)光單元并且沿所述主掃描方向而排列。
5.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的曝光裝置，還包括檢測(cè)器，其檢測(cè)從所述第一發(fā)光單元發(fā)出的光量，其中，當(dāng)由所述檢測(cè)器所檢測(cè)出的光量減小時(shí)，所述第二發(fā)光單元發(fā)射光以補(bǔ)償所述光量的不足。
6.根據(jù)權(quán)利要求3所述的曝光裝置，還包括檢測(cè)器，其檢測(cè)從所述第一發(fā)光單元發(fā)出的光量，其中，當(dāng)由所述檢測(cè)器所檢測(cè)出的光量減小時(shí)，所述第二發(fā)光單元發(fā)射光以補(bǔ)償所述光量的不足。
7.根據(jù)權(quán)利要求4所述的曝光裝置，還包括檢測(cè)器，其檢測(cè)從所述第一發(fā)光單元發(fā)出的光量，其中，當(dāng)由所述檢測(cè)器所檢測(cè)出的光量減小時(shí)，所述第二發(fā)光單元發(fā)射光以補(bǔ)償所述光量的不足。
8.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的曝光裝置，其中，當(dāng)所述第一發(fā)光單元發(fā)射光時(shí)所述第二單元發(fā)射光，從所述第二發(fā)光單元發(fā)出的光量被調(diào)節(jié)為使所述潛像承載部件的電位被限定在所述顯影裝置不會(huì)執(zhí)行所述顯影處理的范圍內(nèi)。
9.根據(jù)權(quán)利要求3所述的曝光裝置，其中，當(dāng)所述第一發(fā)光單元發(fā)射光時(shí)所述第二單元發(fā)射光，從所述第二發(fā)光單元發(fā)出的光量被調(diào)節(jié)為使所述潛像承載部件的電位被限定在所述顯影裝置不會(huì)執(zhí)行所述顯影處理的范圍內(nèi)。
10.根據(jù)權(quán)利要求4所述的曝光裝置，其中，當(dāng)所述第一發(fā)光單元發(fā)射光時(shí)所述第二單元發(fā)射光，從所述第二發(fā)光單元發(fā)出的光量被調(diào)節(jié)為使所述潛像承載部件的電位被限定在所述顯影裝置不會(huì)執(zhí)行所述顯影處理的范圍內(nèi)。
11.根據(jù)權(quán)利要求8所述的曝光裝置，其中，從所述第二發(fā)光單元發(fā)出的光量基本恒定，并且由所述第一發(fā)光單元調(diào)節(jié)使所述潛像承載部件曝光的光量。
12.根據(jù)權(quán)利要求9所述的曝光裝置，其中，從所述第二發(fā)光單元發(fā)出的光量基本恒定，并且由所述第一發(fā)光單元調(diào)節(jié)使所述潛像承載部件曝光的光量。
13.根據(jù)權(quán)利要求10所述的曝光裝置，其中，從所述第二發(fā)光單元發(fā)出的光量基本恒定，并且由所述第一發(fā)光單元調(diào)節(jié)使所述潛像承載部件曝光的光量。
14.一種圖像形成裝置，包括 潛像承載部件，其構(gòu)造為承載潛像；根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的曝光裝置，所述曝光裝置用光照射所述潛像承載部件以形成所述潛像；以及顯影裝置，其使用顯影劑對(duì)所述潛像承載部件上的所述潛像進(jìn)行顯影。
15.一種圖像形成單元，包括下述部件中的一者構(gòu)造為承載潛像的潛像承載部件，對(duì)所述潛像承載部件充電的充電裝置，以及采用顯影劑對(duì)所述潛像承載部件上的所述潛像進(jìn)行顯影的顯影裝置；以及根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的曝光裝置，所述曝光裝置用光照射所述潛像承載部件以形成所述潛像，其中，所述圖像形成單元能夠可拆卸地安裝在圖像形成裝置上。
全文摘要
一種曝光裝置和圖像形成裝置。本發(fā)明公開一種曝光裝置，該曝光裝置朝向構(gòu)造為承載潛像的潛像承載部件發(fā)射光，形成在所述潛像承載部件上的所述潛像用于由顯影裝置所執(zhí)行的顯影處理中。所述曝光裝置包括第一發(fā)光單元，其包括沿所述潛像承載部件的主掃描方向設(shè)置的有機(jī)電致發(fā)光元件，所述第一發(fā)光單元朝向所述潛像承載部件發(fā)射光；以及第二發(fā)光單元，其沿所述主掃描方向設(shè)置，所述第二發(fā)光單元協(xié)同所述第一發(fā)光單元來校正使所述潛像承載部件曝光的光量。
文檔編號(hào)B41J2/45GK102189817SQ2010105904
公開日2011年9月21日 申請(qǐng)日期2010年12月9日 優(yōu)先權(quán)日2010年3月18日
發(fā)明者佐藤克洋, 山口義紀(jì), 松村貴志, 真下清和, 米山博人, 西野洋平 申請(qǐng)人:富士施樂株式會(huì)社