專利名稱::多層導(dǎo)電抗反射涂層的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域:
:本發(fā)明涉及一種涂布在柔性基片上的多層抗反射涂層。在導(dǎo)納曲線圖中,構(gòu)成抗反射涂層的疊層的復(fù)合光導(dǎo)納矢量Y被繪制在復(fù)平面中,始于基片,終于該疊層的前表面-好象在整個(gè)沉積過(guò)程中繪制該疊層的導(dǎo)納。對(duì)于作為該疊層一部分的每一個(gè)介電層,這個(gè)矢量是圓心位于實(shí)數(shù)軸的圓弧,軌跡為順時(shí)針?lè)较?。如果?dǎo)納曲線的結(jié)束點(diǎn)在入射端介質(zhì)空氣的光導(dǎo)納點(diǎn)(1,0)附近,整個(gè)涂層疊層具有最佳的抗反射性。在反射曲線圖中,入射光的反射百分?jǐn)?shù)(以下稱為反射率)作為它波長(zhǎng)的函數(shù)被繪制。在大致為約400-約700nm的可見(jiàn)光波長(zhǎng)范圍內(nèi),該反射率應(yīng)當(dāng)盡可能的低。在圖1中表示的所謂擴(kuò)展的V-涂層,平整的V-涂層或Vermeulen涂層,是一般熟知的抗反射涂層。該涂層6包括一由四個(gè)材料層構(gòu)成的疊層。距離基片最遠(yuǎn)的第一層1是四分之一波長(zhǎng)層,這意味著它的厚度是約λ0/4,λ0是設(shè)定的約510nm的波長(zhǎng),它是可見(jiàn)光波長(zhǎng)的倒數(shù)平均。第二層2是半波長(zhǎng)層,其厚度是約λ0/2。最靠近基片的第三層3和第四層4是很薄的材料層,其厚度分別是約λ0/12和λ0/16。美國(guó)專利US5450238中描述了這種涂層的例子。為了得到例如低反射率和大帶寬的最佳光學(xué)性能,該四層疊層應(yīng)當(dāng)同時(shí)兼有具有很低和很高折射率的材料。實(shí)際上,二氧化硅被用作具有很低折射率(約為1.46)的材料,而二氧化鈦被用作具有很高折射率(約為2.35)的材料。圖2表示此類四層Vermeulen抗反射玻璃涂層的導(dǎo)納曲線,該曲線表示由距離基片最遠(yuǎn)的光學(xué)厚度為0.25λ0的二氧化硅層,接下來(lái)的厚度為0.52λ0的二氧化鈦層,厚度為0.09λ0的二氧化硅層,以及最后的距離基片最近的厚度為0.06λ0二氧化鈦層組成的疊層,其中λ0是約510nm。圖7中的曲線A是其相應(yīng)的反射率曲線圖。從這些曲線圖中可以看出,這種Vermeulen型涂層的光學(xué)性能很好在可見(jiàn)光波長(zhǎng)范圍內(nèi)的低反射率和高帶寬;后者定義為在反射率水平為1%時(shí)長(zhǎng)波長(zhǎng)λL和短波長(zhǎng)λS的比值。但是這種涂層最重要的缺點(diǎn)是它們的高電阻(一般大于20000Ω/sq),這使得該涂層不適合用于抗靜電或EMI(電磁干擾)屏蔽用途,例如作為陰極射線管(CRT)的涂層。為了改善該涂層的電導(dǎo)率,一般用導(dǎo)電材料層,例如銦或鋁摻雜的氧化鋅,銻或氟摻雜的氧化錫,錫摻雜的氧化鎘,或銦-氧化錫層,代替二氧化鈦層。但是這些改進(jìn)的Vermeulen涂層其光學(xué)性能比前述的那些Vermeulen涂層要差,因?yàn)檫@些改進(jìn)的涂層包括一個(gè)同時(shí)兼有二氧化硅和具有比二氧化鈦折射率(一般為2.0-2.1)低的導(dǎo)電材料的疊層。因此入射光的反射率更高,帶寬更低。這一點(diǎn)可以從圖7中反射曲線B看出來(lái),該曲線表示包括了由距離基片最遠(yuǎn)的其光學(xué)厚度是0.24λ0的二氧化硅層,接下來(lái)的厚度是0.39λ0的銦-氧化錫層,厚度是0.06λ0的二氧化硅層,和距離基片最近的厚度是0.07λ0的銦-氧化錫層構(gòu)成疊層的改進(jìn)的Vermeulen玻璃涂層。圖3表示其相應(yīng)的導(dǎo)納曲線。在美國(guó)專利US5270858中公開(kāi)了一種多層抗反射涂層,其中該Vermeulen涂層的中間二氧化鈦層被一個(gè)例如摻雜的氧化鋅或銦-氧化錫層的導(dǎo)電材料層部分代替,以致成為一個(gè)包括由五種材料層構(gòu)成的疊層的涂層。盡管該涂層具有稍微導(dǎo)電的優(yōu)點(diǎn),它還有重要的缺點(diǎn)。因?yàn)椴糠侄趸佉呀?jīng)被導(dǎo)電材料(具有更低的折射率)代替,該涂層的光學(xué)性質(zhì)比前述的Vermeulen涂層的那些性質(zhì)要差。這一點(diǎn)可以從圖7中反射曲線C看出來(lái),該曲線表示涂在玻璃上的包括了由距離基片最遠(yuǎn)的其光學(xué)厚度是0.28λ0的二氧化硅層,接下來(lái)的厚度是0.13λ0的二氧化鈦層,然后是光學(xué)厚度是0.37λ0氧化鋅層,厚度是0.12λ0的二氧化硅層,和最后的距離基片最近的厚度是0.03λ0的二氧化鈦層組成疊層的涂層。并且,組成疊層的導(dǎo)電材料層的厚度是非常關(guān)鍵的,應(yīng)嚴(yán)格遵照設(shè)計(jì)要求,因?yàn)樗鼘?duì)涂層的光學(xué)性能有直接的影響。因此該涂層的導(dǎo)電率是完全不可調(diào)的,并且經(jīng)常不夠高以使該涂層可適用于EMI屏蔽。發(fā)明目的本發(fā)明的一個(gè)目的是提供一種可用于柔性基片上的抗反射涂層,它具有最佳的光學(xué)性能,例如在可見(jiàn)光波長(zhǎng)范圍內(nèi)入射光的低反射率和高帶寬。本發(fā)明的另一個(gè)目的是提供一種導(dǎo)電的,適用于抗靜電和EMI屏蔽用途的抗反射涂層。本發(fā)明的另一個(gè)目的是提供一種具有與涂層光學(xué)性能無(wú)關(guān)的導(dǎo)電率可調(diào)的抗反射涂層。本發(fā)明的另一個(gè)目的是提供一種以適當(dāng)?shù)乃俣仍诨贤坎伎狗瓷渫繉拥姆椒?,以使該涂布工藝適合于工業(yè)應(yīng)用。距離基片最遠(yuǎn)的第一層,其折射率小于基片的折射率,其光學(xué)厚度為0.2-0.3λ0,這意味著大約0.25λ0(四分之一波長(zhǎng))。第二層折射率大于約2.2,其光學(xué)厚度界于0.4-0.6λ0之間,即大約0.5λ0(二分之一波長(zhǎng))。第四層的折射率與第一層的折射率大致相同,其光學(xué)厚度小于約0.1λ0,即在任何情況下小于0.15λ0。第五層的折射率與所述第二層的折射率大致相同,其光學(xué)厚度界于0.025-0.1λ0之間,即大約0.04λ0,λ0是界于480-560nm之間的設(shè)計(jì)波長(zhǎng),即約為510nm。根據(jù)本發(fā)明的抗反射涂層通過(guò)單程或雙程真空磁控濺射操作可涂布于柔性基片上(例如聚合物膜片),該操作可在一個(gè)包括以下部分的真空室中進(jìn)行(1)柔性基片解開(kāi)和再纏繞的區(qū)域;(2)組成該涂層的材料層被濺射至基片上的沉積區(qū)域;(3)一個(gè)中央冷卻鼓,在其表面上基片移動(dòng)通過(guò)沉積區(qū)。在進(jìn)行單程操作的情況下,至少需要五個(gè)沉積區(qū);在進(jìn)行雙程操作的情況下,只需要至少三個(gè)沉積區(qū)?,F(xiàn)在參照以下附圖對(duì)本發(fā)明進(jìn)行更詳細(xì)的描述。附圖2表示四層Vermeulen涂層的導(dǎo)納曲線(
背景技術(shù):
)。附圖3表示改進(jìn)的四層Vermeulen涂層的導(dǎo)納曲線(
背景技術(shù):
)。附圖4表示導(dǎo)電的五層涂層的導(dǎo)納曲線(
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)。附圖5大致表示根據(jù)本發(fā)明的抗反射五層涂層的結(jié)構(gòu)。附圖6表示根據(jù)本發(fā)明的抗反射五層涂層的導(dǎo)納曲線。附圖7表示四層Vermeulen涂層的反射曲線(A),改進(jìn)的四層Vermeulen涂層的反射曲線(B),導(dǎo)電的五層涂層的反射曲線(C),這些都是
背景技術(shù):
的一部分,以及根據(jù)本發(fā)明的五層涂層的反射曲線(D)。附圖8表示根據(jù)本發(fā)明的四種五層導(dǎo)電涂層(以透明的PET膜作基片)的反射曲線,其中包括實(shí)際厚度分別為25nm(E),30nm(F),35nm(G),40nm(H)的銦-氧化錫虛層。附圖9大致表示使用根據(jù)本發(fā)明的抗反射涂層涂布柔性基片的單程濺射工藝。附圖10大致表示利用寬卷筒涂布機(jī)或輥式涂布機(jī),使用根據(jù)本發(fā)明的抗反射涂層涂布柔性基片的雙程濺射工藝。附圖11表示根據(jù)本發(fā)明的五層導(dǎo)電涂層的反射曲線,其中使用實(shí)際厚度為25nm的銦-氧化錫虛層并沉積在一個(gè)硬涂布的PET基片上。該涂層使用具有五個(gè)沉積室的寬卷筒涂布機(jī)或輥式涂布機(jī)(基片寬度為1200mm)涂布。本發(fā)明的詳細(xì)說(shuō)明在以下的描述中,“光學(xué)性能”尤其包括反射率,即入射光的反射百分?jǐn)?shù),和帶寬BW,即在反射率水平為1%時(shí)長(zhǎng)波長(zhǎng)λL和短波長(zhǎng)λS的比值(BW=λL/λS),如附圖7中反射曲線D所示。根據(jù)本發(fā)明,推薦使用涂布在柔性基片上的包括附圖5所示的由五個(gè)材料層組成的疊層形成的多層抗反射涂層7。距離基片最遠(yuǎn)的第一層8,由折射率小于基片折射率的材料組成,其光學(xué)厚度為0.2-0.3λ0,一般為約0.25λ0(四分之一波長(zhǎng))。該厚度表示為λ0的分?jǐn)?shù),λ0約為510nm,也就是可見(jiàn)光波長(zhǎng)邊界即400-700nm的倒數(shù)平均。組成該涂層的第二層9,由折射率大于約2.2的材料組成,其光學(xué)厚度界于0.4-0.6λ0之間,一般為約0.5λ0(二分之一波長(zhǎng))。第三層10由一種導(dǎo)電材料組成,稍后將會(huì)更詳細(xì)的描述。第四層11由折射率與第一層8的折射率大致相同的材料組成,其光學(xué)厚度小于約0.1λ0,一般界于0.05-0.15λ0之間。距離基片13最近的第五層12由折射率與所述第二層9的折射率大致相同的材料組成,其光學(xué)厚度界于0.025-0.1λ0之間,一般為約0.05λ0。疊層最好兼有作為分別具有很高和很低折射率的材料的二氧化鈦和二氧化硅,以使該涂層具有與前述的那些四層Vermeulen涂層相當(dāng)?shù)暮玫墓鈱W(xué)性能。這可以從附圖7中反射曲線D看出,該曲線表示根據(jù)本發(fā)明在下面的實(shí)施例2中表示的涂層。使用二氧化鈦?zhàn)鳛榫嚯x基片13最近的第五層12,還有其它的優(yōu)點(diǎn),它使該層具有防潮性,防止外面的水氣滲透進(jìn)入該基片和第五層12之間的界面,并因此防止涂層疊層老化,例如形成裂紋。根據(jù)本發(fā)明的抗反射涂層,當(dāng)涂布在透明的PET膜上時(shí)產(chǎn)生的明視反射率不超過(guò)0.15%,在具有例如由高度交聯(lián)紫外固化的丙烯酸酯形成的硬涂層的基片上產(chǎn)生的明視反射率不超過(guò)0.25%。明視反射率是眼睛敏感度和反射曲線的卷積,在380-780nm的波長(zhǎng)范圍內(nèi),采用D65標(biāo)準(zhǔn)照度和由國(guó)際照明委員會(huì)于1931年確定的2°觀察者加以測(cè)量。并且,該涂層帶寬(定義如上)大于約1.60,這比大多數(shù)涂布在柔性基片上的常規(guī)涂層的帶寬大。但實(shí)際上,層厚度或折射率(作為層結(jié)構(gòu)小偏差的結(jié)果)的小的和/或局部的偏差可能會(huì)導(dǎo)致明視反射率值的增加。當(dāng)涂布在柔性透明基片上時(shí)這些值會(huì)上升至約0.60%,當(dāng)涂布在具有硬涂層的柔性基片上時(shí)會(huì)升至約0.70%。這些值優(yōu)選分別不超過(guò)0.60%和0.70%,最優(yōu)選分別不超過(guò)0.45%和0.55%。根據(jù)本發(fā)明的涂層疊層的第三層10,由導(dǎo)電材料組成,它使該抗反射涂層具有理想的導(dǎo)電性。該層是所謂的“虛層”,這意味著它的厚度對(duì)該涂層的光學(xué)性能沒(méi)有或幾乎沒(méi)有影響。通過(guò)改變?cè)撎搶拥暮穸?,可以在一個(gè)寬的范圍內(nèi)調(diào)節(jié)該涂層的導(dǎo)電性,而不影響該涂層的光學(xué)性能。一個(gè)層,如果它插入到疊層中位于該疊層的復(fù)合光導(dǎo)納Y取實(shí)值的位置,并且該插入層的折射率等于所述實(shí)值時(shí),可以起到虛層的作用。在基片上沉積第五和第四疊層11和12后,從導(dǎo)納圖附圖6中可以看出,該新生的疊層具有約2的實(shí)數(shù)導(dǎo)納。如果此時(shí)插入其材料折射率約為2的層,該導(dǎo)納曲線以極小的半徑(或理想的是一個(gè)點(diǎn))繼續(xù)成為一個(gè)圓,意味著該涂層的光學(xué)性能實(shí)際上保持不變。因?yàn)殂?氧化錫(ITO)的折射率約為2,它非常適合用于上述目的。作為第三層插入到組成根據(jù)本發(fā)明的抗反射涂層的疊層中的一個(gè)ITO層,可以因此起到虛層的作用。該ITO虛層是導(dǎo)電的,并使該涂層具有可調(diào)的導(dǎo)電性。實(shí)際上,通過(guò)在5-50nm之間調(diào)整該ITO虛層的厚度,可以使該涂層的薄膜電阻在25-2000Ω/sq之間(優(yōu)選在20-40nm)調(diào)節(jié),而不影響該涂層的光學(xué)性能。當(dāng)用于例如陰極射線管時(shí),該涂層的薄膜電阻最好很低,在25-500Ω/sq之間。薄膜電阻定義為具有一方形表面(長(zhǎng)=寬)的導(dǎo)體的電阻,它可以被計(jì)算作導(dǎo)電層的電阻率和該導(dǎo)電層厚度的比值。根據(jù)本發(fā)明的涂層還具有一個(gè)優(yōu)點(diǎn),就是它的顏色是可調(diào)和可再現(xiàn)的。因?yàn)樗岢龅耐繉悠涔鈱W(xué)性能對(duì)組成它的疊層的厚度和/或材料的化學(xué)計(jì)量的微小變化不很敏感,所以顏色的微調(diào)是可以實(shí)現(xiàn)的。本發(fā)明的實(shí)施例以下給出了根據(jù)本發(fā)明的抗反射涂層的一些非限制性實(shí)施例。實(shí)施例1包括組成如表1所示疊層的抗反射涂層帶寬是1.75,當(dāng)其涂布在(透明的)聚對(duì)苯二甲酸乙二酯(PET)膜基片上時(shí),明視反射率(定義如上)是0.094%,當(dāng)其涂布在具有硬涂層的PET膜基片上時(shí),明視反射率是0.175%。該硬涂層由高度交聯(lián)的紫外固化丙烯酸酯組成,其厚度約為3.5μm。關(guān)于這種涂層的反射率曲線表示在附圖8中的曲線E。該涂層的薄膜電阻小于約250Ω/sq,取決于沉積的ITO材料的確切組成。表1<tablesid="table1"num="001"><table>層材料折射率光學(xué)厚度<空氣>1SiO21.460.26λ02TiO22.350.50λ03ITO2.030.10λ04SiO21.460.09λ05TiO22.350.05λ0<基片></table></tables>實(shí)施例2包括組成如表2所示疊層的抗反射涂層帶寬是1.65,當(dāng)其涂布在聚對(duì)苯二甲酸乙二酯(PET)膜基片上時(shí),明視反射率(定義如上)是0.094%,當(dāng)其涂布在具有硬涂層的PET膜基片上時(shí),明視反射率是0.172%。該硬涂層由高度交聯(lián)的紫外固化丙烯酸酯組成,其厚度約為3.5μm。關(guān)于這種涂層的反射率曲線表示在附圖8中的曲線F,或附圖7中的曲線D。該涂層的薄膜電阻小于約200Ω/sq,取決于沉積的ITO材料的確切組成。表2<tablesid="table2"num="002"><table>層材料折射率光學(xué)厚度<空氣>1SiO21.460.26λ02TiO22.350.49λ03ITO2.030.12λ04SiO21.460.09λ05TiO22.350.05λ0<基片></table></tables>實(shí)施例3包括組成如表3所示疊層的抗反射涂層帶寬是1.64,當(dāng)其涂布在聚對(duì)苯二甲酸乙二酯(PET)膜基片上時(shí),明視反射率(定義如上)是0.087%,當(dāng)其涂布在具有硬涂層的PET膜基片上時(shí),明視反射率是0.166%。該硬涂層由高度交聯(lián)的紫外固化丙烯酸酯組成,其厚度約為3.5μm。關(guān)于這種涂層的反射率曲線表示在附圖8中的曲線G。該涂層的薄膜電阻小于約175Ω/sq,取決于沉積的ITO材料的確切組成。表3<tablesid="table3"num="003"><table>層材料折射率光學(xué)厚度<空氣>1SiO21.460.26λ02TiO22.350.46λ03ITO2.030.14λ04SiO21.460.09λ05TiO22.350.04λ0<基片></table></tables>實(shí)施例4包括組成如表4所示疊層的抗反射涂層帶寬是1.6,當(dāng)其涂布在聚對(duì)苯二甲酸乙二酯(PET)膜基片上時(shí),明視反射率(定義如上)是0.081%,當(dāng)其涂布在具有硬涂層的PET膜基片上時(shí),明視反射率是0.161%。該硬涂層由高度交聯(lián)的紫外固化丙烯酸酯組成,其厚度約為3.5μm。關(guān)于這種涂層的反射率曲線表示在附圖8中的曲線H。該涂層的薄膜電阻小于約150Ω/sq,取決于沉積的ITO材料的確切組成。表4<tablesid="table4"num="004"><table>層材料折射率光學(xué)厚度<空氣>1SiO21.460.26λ02TiO22.350.46λ03ITO2.030.16λ04SiO21.460.10λ05TiO22.350.04λ0<基片></table></tables>表1-4所示的涂層疊層的例子,彼此之間的ITO虛層的厚度不一樣;所提出的涂層包括實(shí)際厚度分別為25,30,35和40nm的ITO層。表示這四種涂層反射率曲線的附圖8,證明了ITO層的厚度實(shí)際上對(duì)該涂層的反射性能沒(méi)有影響,證實(shí)了ITO層是虛層的論點(diǎn)。在另一方面,ITO虛層的厚度對(duì)該涂層的薄膜電阻有直接的影響;包括實(shí)際厚度為40nmITO層的該涂層的薄膜電阻約比具有25nmITO層的該涂層低約1.6倍。實(shí)施例5包括組成如表5所示疊層的本發(fā)明抗反射涂層,在具有三個(gè)沉積區(qū)的大卷筒涂布機(jī)或輥式涂布機(jī)雙程沉積。該涂層疊層具有均勻的約為1000mm的寬度,并具有如下的特征●在450-650nm之間的平均光譜反射率0.30-0.36%●在波長(zhǎng)450-650nm之間的最大反射率0.51-1.62%●帶寬1.55-1.58●明視反射率0.33%●該涂層的薄膜電阻約500Ω/sq表5<tablesid="table5"num="005"><table>層材料折射率光學(xué)厚度<空氣>1SiO21.500.25λ02TiO22.410.51λ03ITO2.030.13λ04SiO21.500.06λ05TiO22.410.04λ0<基片></table></tables>根據(jù)本發(fā)明,也推薦了一種在柔性基片上涂布抗反射涂層的方法,其中,該涂層是在一真空卷筒涂布機(jī)中以單程或雙程真空磁控濺射的方法涂在該基片上的。這種濺射可在包括如下部分的真空室20中進(jìn)行(1)柔性基片解開(kāi)和再纏繞的區(qū)域30;(2)組成該涂層的材料層被依次濺射至基片上的沉積區(qū)域;(3)一個(gè)中央冷卻鼓24,在其表面上基片移動(dòng)通過(guò)沉積區(qū)。該真空卷筒涂布機(jī)可以是具有例如3或5個(gè)沉積區(qū)的大型卷筒涂布機(jī)或輥式涂布機(jī)??梢允褂貌煌臑R射磁控管來(lái)得到根據(jù)本發(fā)明的涂層。例如可以使用采用硅,鈦和銦/錫合金(90/10,重量百分?jǐn)?shù)%)靶的可旋轉(zhuǎn)的或平面式的磁控管在Ar/O2氛中進(jìn)行活性濺射。但是優(yōu)選從固定在一個(gè)圓柱形支撐體上的(乏氧)TiOx(x<2)可旋轉(zhuǎn)的陶瓷靶濺射該二氧化鈦層?,F(xiàn)有技術(shù)中提出要避免從二氧化鈦(TiO2)靶濺射,因?yàn)閺某R?guī)的平面式二氧化鈦靶濺射的速度太低,以及用于該靶的功率必須保持在低水平,使得該工藝不適合于工業(yè)應(yīng)用。在DC-模式中,靶上的功率密度必須保持在低水平以防止由于二氧化鈦靶的低導(dǎo)電性而帶來(lái)的電弧放電。在RF-模式中,靶上的功率密度因?yàn)槠帘卧驊?yīng)保持在低水平,以避免在該濺射卷筒涂布機(jī)周圍的電磁干擾。由于二氧化鈦的高折射率而帶來(lái)的優(yōu)于其它材料的光學(xué)性能,仍然希望使用二氧化鈦而不是其它任何替代材料。在理論上,二氧化鈦可以從平面的或可旋轉(zhuǎn)的鈦靶在富氧等離子體中通過(guò)DC(或RF)活性濺射沉積而成。但是可以看出,即使是用高的氧流速(可以導(dǎo)致電弧放電和低的沉積速率),這種操作方法也很難得到化學(xué)計(jì)量的二氧化鈦材料層。但是使用一低于化學(xué)計(jì)量的可旋轉(zhuǎn)的TiOx(x<2)靶,濺射速率就提高了,并且基本不需向等離子體中增加氧就可以得到化學(xué)計(jì)量的二氧化鈦層。另外,二氧化鈦從低于化學(xué)計(jì)量的靶材料開(kāi)始沉積會(huì)得到金紅石而不是銳鈦礦,并具有更好的光學(xué)性能,因?yàn)榻鸺t石的折射率比銳鈦礦的折射率稍高一些。采用單程操作,組成疊層的五層8-12(TiO2-SiO2-ITO-TiO2-SiO2,從基片開(kāi)始)被在五個(gè)獨(dú)立而又相鄰的沉積區(qū)依次濺射至基片上。附圖9表示一種可能的單程操作。真空泵在包括柔性基片23的解開(kāi)輥21和再纏繞輥22,濺射源或靶25-29以及冷卻鼓24的室20產(chǎn)生真空。該柔性基片23被從解開(kāi)輥21解開(kāi),移至冷卻鼓24的表面通過(guò)沉積區(qū),最后卷在再纏繞輥22上。距離基片最近的材料層第五層最先從可旋轉(zhuǎn)的TiOx靶25上被濺射。在接下來(lái)的沉積區(qū)中,該疊層的第四,第三,第二和第一層分別從可旋轉(zhuǎn)的硅靶26,平面的銦/錫或ITO靶27,可旋轉(zhuǎn)的TiOx靶28和可旋轉(zhuǎn)的硅靶29上被依次濺射。采用雙程操作,在基片通過(guò)沉積區(qū)的第一程,待沉積至距離基片最近的兩個(gè)材料層(TiO2-SiO2)被濺射,并且剩余的三個(gè)材料層(ITO-TiO2-SiO2)被在第二程中濺射。這暗示著雙程操作只需要三個(gè)沉積區(qū)。附圖10表示可能的雙程操作。組成該涂層的疊層的第五層和第四層在柔性基片23通過(guò)沉積區(qū)的第一程,分別從可旋轉(zhuǎn)的TiOx靶32和可旋轉(zhuǎn)的硅靶33上被濺射。在第二程,各材料層從平面的銦/錫或ITO靶31,可旋轉(zhuǎn)的TiOx靶32和可旋轉(zhuǎn)的硅靶33上被依次濺射至基片23上。從以上描述中可以清楚的看到,每一個(gè)可旋轉(zhuǎn)的磁控管可以被平面的磁控管替換,反之亦然。根據(jù)本發(fā)明的抗反射涂層可以成功的用作構(gòu)成陰極射線管(在電視或計(jì)算機(jī)監(jiān)視器中)或液晶顯示器前表面的聚合物膜的涂層。權(quán)利要求1.一種涂布在柔性基片(13)上的具有預(yù)定光學(xué)性能的多層無(wú)機(jī)抗反射涂層(7),其中所述涂層包括由五個(gè)材料層組成的疊層,從距離該基片最遠(yuǎn)的層開(kāi)始,將其分別標(biāo)記為第一,第二,第三,第四和第五層,其中所述第一層(8)的折射率小于所述基片,光學(xué)厚度為約四分之一波長(zhǎng)(λ0/4),所述第二層(9)折射率大于約2.2,其光學(xué)厚度約為二分之一波長(zhǎng)(λ0/2),所述第四層(11)折射率與所述第一層的折射率大致相同,其光學(xué)厚度小于約0.1λ0,所述第五層(12)折射率與所述第二層的折射率大致相同,其光學(xué)厚度約為0.04λ0,λ0是約510nm,其特征在于所述第三層(10)是一由導(dǎo)電材料組成的虛層,該導(dǎo)電材料使該涂層具有約25-2000Ω/sq的可調(diào)薄膜電阻,而不因此影響所述涂層的光學(xué)性能。2.如權(quán)利要求1中所述的抗反射涂層,其薄膜電阻為25-500Ω/sq。3.如權(quán)利要求1中所述的抗反射涂層,其中所述虛層由銦-氧化錫構(gòu)成。4.如權(quán)利要求1中所述的抗反射涂層,其中所述虛層的厚度在5-50nm之間。5.如權(quán)利要求4中所述的抗反射涂層,其中所述虛層的厚度在20-40nm之間。6.如權(quán)利要求1中所述的抗反射涂層,其中所述第一層和第四層由二氧化硅構(gòu)成,所述第二層和第五層由二氧化鈦構(gòu)成。7.如權(quán)利要求1中所述的抗反射涂層,當(dāng)其涂布在柔性基片上時(shí),在380-780nm波長(zhǎng)區(qū)內(nèi)產(chǎn)生的入射光明視反射率不超過(guò)0.60%。8.如權(quán)利要求1中所述的抗反射涂層,當(dāng)其涂布在具有硬涂層的柔性基片上時(shí),在380-780nm波長(zhǎng)區(qū)內(nèi)產(chǎn)生的入射光明視反射率不超過(guò)0.70%。9.如權(quán)利要求1中所述的抗反射涂層,其帶寬大于約1.50。10.如權(quán)利要求1中所述的抗反射涂層,其中所述第五層具有防潮性。11.如權(quán)利要求1中所述的抗反射涂層,其中所述涂層的顏色是可調(diào)和可再現(xiàn)的。12.一種用如權(quán)利要求1中所述的抗反射涂層涂布柔性基片的方法,其中所述涂層采用單程真空磁控濺射的方法涂布,這種操作在包括如下部分的真空室(20)中進(jìn)行(1)柔性基片(23)解開(kāi)和再纏繞的區(qū)域(30);(2)組成該涂層的各材料層被依次濺射至基片上的五個(gè)沉積區(qū)域;(3)一個(gè)中央冷卻鼓(24),在其表面上基片(23)移動(dòng)通過(guò)所述靶區(qū)。13.一種用如權(quán)利要求1中所述的抗反射涂層涂布柔性基片的方法,其中所述涂層采用雙程真空磁控濺射的方法涂布,這種操作可在包括如下部分的真空室中進(jìn)行(1)柔性基片解開(kāi)和再纏繞的區(qū)域(30);(2)組成該涂層的各材料層被依次濺射至基片上的三個(gè)沉積區(qū)域;(3)一個(gè)中央冷卻鼓(24),在其表面上基片(23)移動(dòng)通過(guò)所述靶區(qū)。14.如權(quán)利要求12或13所述的方法,其中使用了可旋轉(zhuǎn)的或平面的TiOx靶。15.如權(quán)利要求1所述的抗反射涂層的用途,用作構(gòu)成陰極射線管(CRT)前表面的聚合物膜的涂層。全文摘要本發(fā)明包括一涂布在柔性基片上的具有預(yù)定光學(xué)性能的多層無(wú)機(jī)抗反射涂層。該涂層包括一由五個(gè)材料層組成的疊層,其中所述第三層(10)是一由導(dǎo)電材料最好是銦-氧化錫構(gòu)成的虛層,該導(dǎo)電材料使該涂層具有約25-2000Ω/sq的可調(diào)薄膜電阻,而不因此影響所述涂層的光學(xué)性能。該抗反射涂層可采用單程或雙程真空磁控濺射的方法涂布于柔性基片(例如聚合物膜)上。文檔編號(hào)B32B7/02GK1280676SQ98810772公開(kāi)日2001年1月17日申請(qǐng)日期1998年10月27日優(yōu)先權(quán)日1997年10月29日發(fā)明者P·利彭斯,P·珀索恩申請(qǐng)人:創(chuàng)新濺射技術(shù)公司