一種中性透過色的單銀low-e玻璃的制作方法
【專利摘要】一種中性透過色的單銀LOW-E玻璃，包括玻璃基材，所述玻璃基材的上表面由下而上依次設(shè)有SnO2底層介質(zhì)層、AZO平整層、Cu層、Ag層、CrNxOy膜層、以及SnO2頂層介質(zhì)層。本發(fā)明的透過色更中性。
【專利說明】 —種中性透過色的單銀LOW-E玻璃

【技術(shù)領(lǐng)域】
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[0001]本發(fā)明涉及一種中性透過色的單銀LOW-E玻璃。

【背景技術(shù)】
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[0002]LOff-E玻璃，是一種高端的低輻射玻璃，是在玻璃基材表面鍍制包括銀層在內(nèi)的多層金屬及其它化合物組成的膜系產(chǎn)品。
[0003]隨著現(xiàn)代建筑的發(fā)展，人們審美觀念的提高，對幕墻玻璃的外觀色調(diào)與整體的建筑的協(xié)調(diào)性越來越受到人們的關(guān)注。而在眾多顏色中，中性色越來越受到人們的喜歡。許多大型的工程建筑不約而同的都采用了中性色。傳統(tǒng)的單銀LOW-E玻璃，由于功能層均采用Ag層，透過色偏綠。
[0004]故有必要對現(xiàn)有的單銀LOW-E玻璃作出改進，以提供一種透過色呈中性的單銀LOff-E玻璃。


【發(fā)明內(nèi)容】

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[0005]本發(fā)明的目的在于提供一種中性透過色的單銀LOW-E玻璃，其透過色更中性。
[0006]一種中性透過色的單銀LOW-E玻璃，包括玻璃基材，所述玻璃基材的上表面由下而上依次設(shè)有SnO2底層介質(zhì)層、AZO平整層、Cu層、Ag層、CrNxOy I旲層、以及SnO2頂層介質(zhì)層。
[0007]本發(fā)明可通過如下方案進行改進:
[0008]所述SnO2底層介質(zhì)層的厚度為30nm。
[0009]所述AZO平整層的厚度為10nm。
[0010]所述Cu層的厚度為3?5nm。
[0011]所述Ag層的厚度為8?10nm。
[0012]所述CrNxOy膜層的厚度為3nm。
[0013]所述SnO2頂層介質(zhì)層的厚度為60nm。
[0014]本發(fā)明具有如下優(yōu)點:1、本發(fā)明創(chuàng)造性地在Ag層前面，增加一層Cu層，從而在保證輻射率不變的情況下，使本發(fā)明的透過色更中性。2、具有比傳統(tǒng)單銀LOW-E玻璃更低的輻射率。

【專利附圖】

【附圖說明】
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[0015]圖1為本發(fā)明結(jié)構(gòu)剖視圖。

【具體實施方式】
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[0016]如圖所示，一種中性透過色的單銀LOW-E玻璃，包括玻璃基材1，所述玻璃基材I的上表面由下而上依次設(shè)有SnO2底層介質(zhì)層2、AZO平整層3、Cu層4、Ag層5、CrNxOy膜層6、以及SnO2頂層介質(zhì)層7。
[0017]進一步地，所述SnO2底層介質(zhì)層2的厚度為30nm。其采用磁控濺射鍍膜工藝，用交流中頻電源、以氬氣為濺射氣體、氧氣作反應(yīng)氣體濺射Sn靶，其中，氬氧比為(400SCCM?420SCCM): (450SCCM?500SCCM)，最終在玻璃基材上形成SnO2底層介質(zhì)層，氬氧比是該膜層的核心，決定了成膜的質(zhì)量。
[0018]再進一步地，所述AZO平整層3的厚度為10nm，用于平滑Cu層。其采用磁控濺射鍍膜工藝，用中頻交流電源濺射陶瓷Zn(AZO)靶，用氬氣作為濺射氣體，摻入少量氧氣，其中，氬氧比為:(400SCCM?420SCCM): (20?40SCCM)，最終形成AZO平整層，為Cu層、Ag層作鋪墊，降低輻射率。
[0019]更進一步地，所述Cu層4的厚度為3?5nm。其采用磁控濺射鍍膜工藝，用直流電源濺射銅靶，用氬氣作為濺射氣體，氣體流量500?550SCCM，最終形成Cu層，用以提供中性的透過色。
[0020]又進一步地，所述Ag層5的厚度為8?10nm。其采用磁控濺射鍍膜工藝，用直流電源濺射銀靶，用氬氣作為濺射氣體，氣體流量500?550SCCM，最終形成Ag層。
[0021]再進一步地，所述CrNxOy膜層6的厚度為3nm。其采用磁控濺射鍍膜工藝，用直流電源濺射鉻靶，用氮氣做反應(yīng)氣體，滲少量氧氣，最終形成CrNxOy膜層，提高膜層耐磨性、提高透光率、提高鋼化時抗高溫氧化性。
[0022]更進一步地，所述SnO2頂層介質(zhì)層7的厚度為60nm。其采用磁控濺射鍍膜工藝，用交流中頻電源、用氬氣作為濺射氣體、氧氣作反應(yīng)氣體濺射錫靶，其中，氬氧比為(400SCCM?420SCCM): (450SCCM?500SCCM)，最終形成SnO2頂層介質(zhì)層，氬氧比是該膜層的核心，決定了成膜的質(zhì)量。
[0023]本發(fā)明創(chuàng)造性地在Ag層前面，增加一層Cu層，從而在保證輻射率不變的情況下，使本發(fā)明的透過色更中性。另外，本發(fā)明具有比傳統(tǒng)單銀LOW-E玻璃更低的輻射率。
[0024]以上所述僅為本發(fā)明的較佳實施例，并非用來限定本發(fā)明實施的范圍，凡依本發(fā)明專利范圍所做的同等變化與修飾，皆落入本發(fā)明專利涵蓋的范圍。
【權(quán)利要求】
1.一種中性透過色的單銀LOW-E玻璃，包括玻璃基材，其特征在于:所述玻璃基材的上表面由下而上依次設(shè)有SnO2底層介質(zhì)層、AZO平整層、Cu層、Ag層、CrNxOy I旲層、以及SnO2頂層介質(zhì)層。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種中性透過色的單銀LOW-E玻璃，其特征在于:所述SnO2底層介質(zhì)層的厚度為30nm。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種中性透過色的單銀LOW-E玻璃，其特征在于:所述AZO平整層的厚度為10nm。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種中性透過色的單銀LOW-E玻璃，其特征在于:所述Cu層的厚度為3?5nm。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種中性透過色的單銀LOW-E玻璃，其特征在于:所述Ag層的厚度為8?10nm。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種中性透過色的單銀LOW-E玻璃，其特征在于:所述CrNxOy膜層的厚度為3nm。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種中性透過色的單銀LOW-E玻璃，其特征在于:所述SnO2頂層介質(zhì)層的厚度為60nm。
【文檔編號】B32B33/00GK104309221SQ201410607113
【公開日】2015年1月28日 申請日期:2014年10月30日 優(yōu)先權(quán)日:2014年10月30日
【發(fā)明者】陳圓, 禹幸福 申請人:中山市亨立達(dá)機械有限公司