一種特殊膜系的綠色雙銀low-e玻璃的制作方法
【專利摘要】一種特殊膜系的綠色雙銀LOW-E玻璃，包括玻璃基材，其特征在于：所述玻璃基材為白色浮法玻璃，其上表面由下而上依次設(shè)有Si3N4底層介質(zhì)層、第一ZnO膜層、第一Ag層、第一NiCrOx膜層、第一ZnSnO3介質(zhì)層、第二ZnO膜層、第二Ag層、第二NiCrOx膜層、第二ZnSnO3介質(zhì)層、以及Si3N4頂層介質(zhì)層。本發(fā)明具有如下優(yōu)點：1、本發(fā)明結(jié)構(gòu)簡單，創(chuàng)造性地采用普通白色浮法玻璃作為玻璃基材，制造的綠色雙銀LOW-E玻璃，生產(chǎn)成本下降20％以上，成本較低。2、具有比傳統(tǒng)LOW-E玻璃更低的輻射率，輻射率僅0.04，節(jié)能效果顯著。
【專利說明】—種特殊膜系的綠色雙銀LOW-E玻璃

【技術(shù)領(lǐng)域】
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[0001]本發(fā)明涉及一種特殊膜系的綠色雙銀LOW-E玻璃。

【背景技術(shù)】
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[0002]LOff-E玻璃，是一種高端的低輻射玻璃，是在玻璃基材表面鍍制包括銀層在內(nèi)的多層金屬及其它化合物組成的膜系產(chǎn)品，具有節(jié)能減排及裝飾幕墻的雙重功效。
[0003]而綠色玻璃作為鍍膜玻璃的一個非常規(guī)品種，深受人們喜愛。隨著節(jié)能指標要求越來越嚴，在很多城市雙銀LOW-E玻璃都已無法滿足客戶需求，再加上設(shè)計師對綠色產(chǎn)品的熱寵，綠色雙銀LOW-E玻璃的市場需求龐大。但目前大多數(shù)廠家生產(chǎn)綠色雙銀LOW-E玻璃均采用綠色原片作為基底，生產(chǎn)成本較高。
[0004]故有必要對現(xiàn)有的產(chǎn)品作出改進，以提供一種成本較低的綠色雙銀LOW-E玻璃。
【發(fā)明內(nèi)容】
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[0005]本發(fā)明的目的在于提供一種特殊膜系的綠色雙銀LOW-E玻璃，其結(jié)構(gòu)簡單，成本較低。
[0006]一種特殊膜系的綠色雙銀LOW-E玻璃，包括玻璃基材，其特征在于:所述玻璃基材為白色浮法玻璃，其上表面由下而上依次設(shè)有Si3N4底層介質(zhì)層、第一 ZnO膜層、第一 Ag層、第一 NiCrOx膜層、第一 ZnSnO3介質(zhì)層、第二 ZnO膜層、第二 Ag層、第二 NiCrOx膜層、第二ZnSnO3介質(zhì)層、以及Si3N4頂層介質(zhì)層。
[0007]本發(fā)明可通過如下方案進行改進:
[0008]所述Si3N4底層介質(zhì)層的厚度為50nm。
[0009]所述第一 ZnO膜層的厚度為18nm。
[0010]所述第一 Ag層的厚度為5nm,所述第二 Ag層的厚度為llnm。
[0011]所述第一 NiCrOx膜層的厚度為1.2nm。
[0012]所述第一 ZnSnO3介質(zhì)層的厚度為60nm。
[0013]所述第二 ZnO膜層的厚度為20nm。
[0014]所述第二 NiCrOx膜層的厚度為lnm。
[0015]所述第二 ZnSnO3介質(zhì)層的厚度為30nm。
[0016]所述Si3N4頂層介質(zhì)層的厚度為50nm。
[0017]本發(fā)明具有如下優(yōu)點:1、本發(fā)明結(jié)構(gòu)簡單，創(chuàng)造性地采用普通白色浮法玻璃作為玻璃基材，制造的綠色雙銀LOW-E玻璃，生產(chǎn)成本下降20%以上，成本較低。2、具有比傳統(tǒng)LOff-E玻璃更低的輻射率，輻射率僅0.04，節(jié)能效果顯著。

【專利附圖】

【附圖說明】
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[0018]圖1為本發(fā)明結(jié)構(gòu)剖視圖。【具體實施方式】:
[0019]如圖所示，一種特殊膜系的綠色雙銀LOW-E玻璃，包括玻璃基材1，所述玻璃基材I為白色浮法玻璃，其上表面由下而上依次設(shè)有Si3N4底層介質(zhì)層2、第一 ZnO膜層3、第一 Ag層4、第一 NiCrOx膜層5、第一 ZnSnO3介質(zhì)層6、第二 ZnO膜層7、第二 Ag層8、第二 NiCrOx膜層9、第二 ZnSnO3介質(zhì)層10、以及Si3N4頂層介質(zhì)層11。
[0020]進一步地，所述Si3N4底層介質(zhì)層2的厚度為50nm。其采用磁控濺射鍍膜工藝，用交流中頻電源、以氬氣為濺射氣體、氮氣作反應(yīng)氣體濺射硅鋁靶(硅鋁比為92:8)制備而成，其中，氬氮比為(400SCCM?420SCCM): (450SCCM?500SCCM)，氬氮比是該膜層的核心，決定了成膜的質(zhì)量。
[0021]再進一步地，所述第一 ZnO膜層3的厚度為18nm。其采用磁控濺射鍍膜工藝，用中頻交流電源濺射陶瓷Zn(AZO)靶、用氬氣作為濺射氣體、摻入少量氧氣制備而成，其中，氬氧比為:(400SCCM?420SCCM): (20?40SCCM)，為第一 Ag層4作鋪墊，降低輻射率。
[0022]更進一步地，所述第一 Ag層4的厚度為5nm，為功能層。其采用磁控濺射鍍膜工藝，用直流電源濺射銀靶、氬氣作為濺射氣體制備而成，氬氣氣體流量500?550SCCM。
[0023]又進一步地，所述第一 NiCrOx膜層5的厚度為1.2nm。其采用磁控濺射鍍膜工藝，用直流電源濺射鎳鉻合金靶、用氬氣作為濺射氣體、摻入少量氧氣制備而成，其中，氬氧比為:(400SCCM?420SCCM): (20?40SCCM)，提高膜層耐磨性、提高透光率、提高鋼化時抗高溫氧化性。
[0024]再進一步地,所述第一 ZnSnO3介質(zhì)層6的厚度為60nm,作為保護層。其采用磁控派射鍍膜工藝，用交流中頻電源、氬氣作為濺射氣體、氧氣作反應(yīng)氣體濺射ZnSn(質(zhì)量百分比Zn: Sn = 50:50)靶制備而成，其中，氬氧比為(400SCCM?420SCCM): (450SCCM?500SCCM)，氬氧比是該膜層的核心，決定了成膜的質(zhì)量。
[0025]更進一步地，所述第二 ZnO膜層7的厚度為20nm。其采用磁控濺射鍍膜工藝，用中頻交流電源濺射陶瓷Zn(AZO)靶、用氬氣作為濺射氣體、摻入少量氧氣制備而成，其中，氬氧比為:(400SCCM?420SCCM): (20?40SCCM)，為第二 Ag層8作鋪墊，降低輻射率。
[0026]又進一步地，所述第二 Ag層8的厚度為llnm，為功能層。其采用磁控濺射鍍膜工藝，用直流電源濺射銀靶、氬氣作為濺射氣體制備而成，氣體流量500?550SCCM。
[0027]再進一步地，所述第二 NiCrOx膜層9的厚度為lnm。其采用磁控濺射鍍膜工藝，用直流電源濺射鎳鉻合金靶、用氬氣作為濺射氣體、摻入少量氧氣制備而成，其中，氬氧比為:(400SCCM?420SCCM): (20?40SCCM)，提高膜層耐磨性、提高透光率、提高鋼化時抗高溫氧化性。
[0028]更進一步地，所述第二 ZnSnO3介質(zhì)層10的厚度為30nm，作為保護層。其采用磁控濺射鍍膜工藝，用交流中頻電源、氬氣作為濺射氣體、氧氣作反應(yīng)氣體濺射ZnSn(質(zhì)量百分比Zn:Sn = 50:50)靶制備而成，其中，氬氧比為(400SCCM?420SCCM): (450SCCM?500SCCM)，氬氧比是該膜層的核心，決定了成膜的質(zhì)量。
[0029]又進一步地，所述Si3N4頂層介質(zhì)層11的厚度為50nm。其采用磁控濺射鍍膜工藝，用交流中頻電源、以氬氣為濺射氣體、氮氣作反應(yīng)氣體濺射硅鋁靶(硅鋁比為92:8)制備而成，其中，氬氮比為(400SCCM?420SCCM): (450SCCM?500SCCM)，氬氮比是該膜層的核心，決定了成膜的質(zhì)量。
[0030]本發(fā)明結(jié)構(gòu)簡單，創(chuàng)造性地采用普通白色浮法玻璃作為玻璃基材，制造的綠色雙銀LOW-E玻璃，生產(chǎn)成本下降20%以上，成本較低。另外，本發(fā)明具有比傳統(tǒng)LOW-E玻璃更低的輻射率，輻射率僅0.04，節(jié)能效果顯著。
[0031]以上所述僅為本發(fā)明的較佳實施例，并非用來限定本發(fā)明實施的范圍，凡依本發(fā)明專利范圍所做的同等變化與修飾，皆落入本發(fā)明專利涵蓋的范圍。
【權(quán)利要求】
1.一種特殊膜系的綠色雙銀LOW-E玻璃，包括玻璃基材，其特征在于:所述玻璃基材為白色浮法玻璃，其上表面由下而上依次設(shè)有Si3N4底層介質(zhì)層、第一 ZnO膜層、第一 Ag層、第一 NiCrOx膜層、第一 ZnSnO3介質(zhì)層、第二 ZnO膜層、第二 Ag層、第二 NiCrOx膜層、第二ZnSnO3介質(zhì)層、以及Si3N4頂層介質(zhì)層。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種特殊膜系的綠色雙銀LOW-E玻璃，其特征在于:所述Si3N4底層介質(zhì)層的厚度為50nm。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種特殊膜系的綠色雙銀LOW-E玻璃，其特征在于:所述第一 ZnO膜層的厚度為18nm。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種特殊膜系的綠色雙銀LOW-E玻璃，其特征在于:所述第一 Ag層的厚度為5nm,所述第二 Ag層的厚度為llnm。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種特殊膜系的綠色雙銀LOW-E玻璃，其特征在于:所述第一 NiCrOx膜層的厚度為1.2nm。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種特殊膜系的綠色雙銀LOW-E玻璃，其特征在于:所述第一ZnSnO3介質(zhì)層的厚度為60nm。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種特殊膜系的綠色雙銀LOW-E玻璃，其特征在于:所述第二ZnO膜層的厚度為20nm。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種特殊膜系的綠色雙銀LOW-E玻璃，其特征在于:所述第二 NiCrOx膜層的厚度為lnm。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種特殊膜系的綠色雙銀LOW-E玻璃，其特征在于:所述第二 ZnSnO3介質(zhì)層的厚度為30nm。
10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種特殊膜系的綠色雙銀LOW-E玻璃，其特征在于:所述Si3N4頂層介質(zhì)層的厚度為50nm。
【文檔編號】B32B33/00GK104290404SQ201410606367
【公開日】2015年1月21日 申請日期:2014年10月30日 優(yōu)先權(quán)日:2014年10月30日
【發(fā)明者】禹幸福, 陳圓 申請人:中山市亨立達機械有限公司