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殼體及其制備方法

文檔序號:2445505閱讀:167來源:國知局
殼體及其制備方法
【專利摘要】本發(fā)明提供一種殼體,包括基體、形成于該基體表面的打底層、形成于打底層表面的過渡層及形成于該過渡層表面的色彩層,該過渡層為氧化鋁層,該色彩層為碳氮化鈦鋯層,該色彩層呈現(xiàn)的色度區(qū)域于CIELAB表色系統(tǒng)的L*坐標介于70至80之間,a*坐標介于10至15之間,b*坐標介于22至30之間。本發(fā)明還提供一種上述殼體的制備方法。
【專利說明】殼體及其制備方法

【技術領域】
[0001] 本發(fā)明涉及一種殼體及其制備方法,尤其涉及一種具有黃色釉膜外觀的殼體及其 制備方法。

【背景技術】
[0002] 為了使電子裝置的殼體具有豐富色彩,目前主要通過陽極氧化、烤漆、烤瓷等工藝 制備裝飾性涂層。相比這些傳統(tǒng)工藝,PVD鍍膜技術更加綠色環(huán)保,且采用PVD鍍膜技術可 在產(chǎn)品殼體表面形成具有金屬質感的裝飾性色彩層。
[0003] 然而現(xiàn)有技術中,利用PVD鍍膜技術于殼體表面形成的膜層的色彩非常有限,目 前能夠廣泛制備和使用的PVD膜層主要為金黃色、黑色、白色等色系,而且現(xiàn)有的黃色系 PVD膜層硬度較低,容易被磨損。


【發(fā)明內容】

[0004] 有鑒于此,本發(fā)明提供一種具有黃色釉膜外觀且耐磨損的殼體。
[0005] 另外,本發(fā)明還提供一種上述殼體的制備方法。
[0006] -種殼體,包括基體,該殼體還包括形成于該基體表面的打底層、形成于打底層表 面的過渡層及形成于該過渡層表面的色彩層,該過渡層為氧化鋁層,該色彩層為碳氮化鈦 鋯層,該色彩層呈現(xiàn)的色度區(qū)域于CIE LAB表色系統(tǒng)的L*坐標介于70至80之間,a*坐標 介于10至15之間,b*坐標介于22至30之間。
[0007] -種殼體的制備方法,包括如下步驟: 提供基體; 通過磁控濺射方法在基體表面沉積打底層,該打底層為鈦鋯合金層; 通過多弧離子鍍在所述打底層上沉積過渡層,該過渡層為氧化鋁層; 通過磁控濺射方法在所述過渡層上沉積色彩層,該色彩層為碳氮化鈦鋯層,該色彩層 呈現(xiàn)的色度區(qū)域于CIE LAB表色系統(tǒng)的L*坐標介于70至80之間,a*坐標介于10至15之 間,b*坐標介于22至30之間。
[0008] 上述殼體的制備方法通過磁控濺射方法形成所述由碳氮化鈦鋯組成的色彩層,使 該色彩層呈現(xiàn)穩(wěn)定的黃色并且具有很好的耐磨性能。該過渡層通過多弧離子鍍形成,沉積 速度快,且使過渡層與打底層具有較高的結合力,而色彩層17采用磁控濺射方法形成,使 色彩層17比較細膩、光滑,具有仿陶瓷釉膜的外觀。

【專利附圖】

【附圖說明】
[0009] 圖1是本發(fā)明較佳實施例殼體的剖面示意圖。
[0010] 圖2是本發(fā)明較佳實施例鍍膜件的制備方法中所用真空鍍膜設備的結構示意圖。
[0011] 主要元件符號說明

【權利要求】
1. 一種殼體,包括基體,其特征在于:該殼體還包括形成于該基體表面的打底層、形成 于打底層表面的過渡層及形成于該過渡層表面的色彩層,該過渡層為氧化鋁層,該色彩層 為碳氮化鈦鋯層,該色彩層呈現(xiàn)的色度區(qū)域于CIE LAB表色系統(tǒng)的L*坐標介于70至80之 間,a*坐標介于10至15之間,b*坐標介于22至30之間。
2. 如權利要求1所述的殼體,其特征在于:該打底層為鈦锫合金層。
3. 如權利要求1所述的殼體,其特征在于:該過渡層通過多弧離子鍍形成。
4. 如權利要求1所述的殼體,其特征在于:該色彩層通過磁控濺射方法形成。
5. 如權利要求1所述的殼體,其特征在于:該基體為不銹鋼或模具鋼。
6. -種殼體,包括基體,其特征在于:該殼體還包括形成于該基體表面的色彩層,該色 彩層為碳氮化鈦鋯層,該色彩層呈現(xiàn)的色度區(qū)域于CIE LAB表色系統(tǒng)的L*坐標介于70至 80之間,a*坐標介于10至15之間,b*坐標介于22至30之間。
7. -種殼體的制備方法,包括如下步驟: 提供基體; 通過磁控濺射方法在基體表面沉積打底層,該打底層為鈦鋯合金層; 通過多弧離子鍍在所述打底層上沉積過渡層,該過渡層為氧化鋁層; 通過磁控濺射方法在所述過渡層上沉積色彩層,該色彩層為碳氮化鈦鋯層,該色彩層 呈現(xiàn)的色度區(qū)域于CIE LAB表色系統(tǒng)的L*坐標介于70至80之間,a*坐標介于10至15之 間,b*坐標介于22至30之間。
8. 如權利要求7所述的殼體的制備方法,其特征在于:磁控濺射沉積該打底層采用鈦 靶和鋯靶。
9. 如權利要求7所述的殼體的制備方法,其特征在于:多弧離子鍍沉積該過渡層采用 鋁靶及采用氧氣為反應氣體,氧氣的流量為150sccm-200sccm。
10. 如權利要求7所述的殼體的制備方法,其特征在于:磁控濺射沉積該色彩層采用 鈦靶和鋯靶,采用氮氣和乙炔為反應氣體,氮氣的流量為200sccm-230sccm,乙炔的流量為 200sccm-230sccm〇
【文檔編號】B32B9/04GK104228182SQ201310248644
【公開日】2014年12月24日 申請日期:2013年6月21日 優(yōu)先權日:2013年6月21日
【發(fā)明者】張春杰 申請人:深圳富泰宏精密工業(yè)有限公司
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