專利名稱：：保密性薄膜的制作方法
技術領域：
：本發(fā)明涉及保密性薄膜。具體地講，本發(fā)明涉及基于聚合物的保密性薄膜，其具有多個導光元件，每個元件都以與下一個鄰近導光元件基本上平行的方式設置，該薄膜非常適合用于證件。
背景技術：
：能夠為消費者提供保密性的產品數量增多。例如，大多數個人計算機或自動柜員機包括保密性屏幕現在已非常普遍，這使得使用者可以看到屏幕上的圖象，同時限制旁觀者(或至少那些不在屏幕視角內的人)看到該圖象。對于證件包含敏感材料的使用者，一些產品已經使用光控薄膜來提供保密性。其方法都是類似的，都是允許使用者看到證件上的圖象，但限制旁觀者看到證件的內容。本領域公開了各種同樣可達到為使用者提供保密性目的的光控薄膜。然而，由于消費者對證件保密性的需求越來越強，本領域的技術人員尋求不同的解決方案來提供這一所需的特征。因此，對新的保密性薄膜構造有著持續(xù)的需求。
發(fā)明內容本發(fā)明提供的保密性薄膜可用于證件，以限制觀察者能夠閱讀證件上信息的角度。具體地講，當保密性薄膜以使用方向放置從而使得視角與使用者的視線重合時，使用者能夠看到證件的內容，而其他人只能看到證件內容的有限部分。在一個方面，本發(fā)明涉及包含透光性聚合物基片的保密性薄膜，該透光性聚合物基片包含(i)第一聚合材料，基片具有相對的第一和第二表面；(ii)多個包含第二聚合材料的導光元件，其中每個元件均具有基座、高度h和沿高度方向設置的短軸，其中元件從基片的第一表面伸出，并且其中每個元件均這樣設置，使得一個元件的短軸基本上平行于下一鄰近元件的短軸，且一個元件的基座與下一鄰近元件的基座不相連。在另一方面，該保密性薄膜包括細長的導光元件。如本文所用，術語"透光性"是指透射可見光的能力。在一個實施方案中，透光性基片具有90或更低的不透明度，該數據的測量使用了實驗室掃描6000測試儀，運用了HuterLab母版色彩數據分析方法(可從弗吉尼亞州瑞思頓的HunterAssociatesLaboratory公司商購獲得)。結合導光元件，術語"細長的"通常表示該元件具有類似導軌的外觀。導軌在沿保密性薄膜的整個長度方向上可以是連續(xù)的，或者是不連續(xù)的。在一個實施方案中，不連續(xù)的導光元件是具有桿狀(例如，類似蘑菇的桿)外表的分立主體。本發(fā)明的一個優(yōu)點是它提供了保密性特征并具有相對容易制造的靈活構造。該保密性薄膜能夠以非永久性的方式快速粘附到證件上。此外，該保密性薄膜持久耐用，可反復使用。在本文檔中，應認為所有的數值均用術語"大約"修飾。結合以下附圖可以更好地理解本發(fā)明，其中圖1是本發(fā)明一個實施方案的透視圖；圖2是圖1中保密性薄膜沿線2-2截取的剖視圖；圖3是本發(fā)明另一個實施方案的剖視圖，其示出了具有多段的導光元件；圖4是本發(fā)明另一個實施方案的剖視圖，其示出了覆蓋有吸光涂層的導光元件的頂端部分。圖5是本發(fā)明另一個實施方案的剖視圖，其示出了不同傾斜角度的導光元件；圖6是本發(fā)明另一個實施方案的剖視圖，其示出了以平行于基座層方向延伸的導光元件的頂端部分；以及圖7是本發(fā)明另一個實施方案的透視圖，其示出了細長的導光元件的組合。這些圖不是按比例繪制的，其僅用于示例性目的。具體實施例方式圖1是本發(fā)明一個示例性實施方案的透視圖，其示出了具有細長導光元件18的保密性薄膜10，導光元件設置在可能包含敏感信息的基板50上。在一個實施方案中，保密性薄膜可以使用透光性粘結劑(未示出)粘附。所述元件具有長軸L和短軸1。一個示例性基板是承載機密信息的證件，所述證件的所有者需要受限制的査看權限。在應用中，本發(fā)明的保密性薄膜設置在證件上，以使得長軸L基本上平行于證件上的圖像或文本行。例如，在81/2X11英寸的豎向紙張(其文本基本上平行于紙張81/2英寸的側邊)上，保密性薄膜的方向設置使得長軸也沿著相同的方向。保密性薄膜可以臨時設置在證件上(這就意味著薄膜可以從基板上移除，而不會損壞基板)，或永久性地設置在證件上(這就意味著移除保密性薄膜，很可能會導致證件的損壞)。有多種方法將保密性薄膜粘附或設置在證件上。例如，可以使用粘結劑。粘結劑可以是壓敏或熱熔融的。粘結劑可以是可重新定位的粘結劑，這就意味著它可以在基板上應用或移除多次而不會損壞基板，且不會使可重新定位粘結劑的附著力顯著降低。在另一個應用中，保密性薄膜形成口袋，其中保密性薄膜形成前面，聚合物背襯或保密性薄膜形成背面，保密性薄膜和背面在三個側邊處連接在一起，第四個側邊(通常為頂部側邊)不封閉以便插入和移除證件?？梢允褂闷渌鼧嬙?。導光元件影響光的透射，從而提供本發(fā)明薄膜的保密性特征。可以包括光學活性材料，如反光或吸光材料。下面詳細討論導光元件的幾何形狀、間距和光學活性材料。在一個示例性實施方案中，保密性薄膜上導光元件的高度基本上相同。由于生產條件的不同，元件的高度可能會有些不同。在另一個示例性實施方案中，元件的高度在保密性薄膜的不同區(qū)域存在差異，并且甚至一個元件與下一個鄰近元件的高度也不同。高度的變化通常意味著一個元件的高度將是另一個元件高度的75%到95%。圖3大致示出了具有不同高度的反光元件的實施方案。圖2示出了圖1中保密性薄膜沿線2-2截取的剖視圖。所述保密性薄膜包括具有相對的第一表面14和第二表面16以及分界線13的基片12。導光元件18從基片的第一表面伸出。盡管圖2示出的分界線13與第一表面14是共線的，但該分界線可以在不同的位置。每個導光元件均具有高度h、寬度W，以及一個元件與下一個鄰近元件的中心至中心間距P。沿短軸1從基片的第一表面14到頂端20測量高度h。垂直于短軸方向測量寬度W。在一個示例性實施方案中，h與P的比率(h:P)大于0.5。在另一個實施方案中，h:P比率小于5。在一個實施方案中，導光元件的寬度(在接近基片第一表面處測量)大于25微米。在另一個實施方案中，寬度小于750微米。在圖2所示的實施方案中，導光元件傾斜e設置在基片上。該傾斜角度是第一表面14與每個導光元件的短軸之間的角度。在一個實施方案中，傾斜角大于15°。在另一個實施方案中，傾斜角小于90°。在又一個實施方案中，傾斜角的范圍從40°到85°。在又一個實施方案中，傾斜角的范圍從55°到75°。如果需要，在基片的第二表面上提供粘結劑22，以粘附到基板上。盡管本具體實施方案的導光元件在其橫截面尺寸上基本上均勻，但元件到頂端20可能會有輕微的偏移(即輕微的變窄)。而且，如圖2中所示，兩個鄰近的導光元件的放置方式為一個元件的頂端(沿垂直于基片第一表面的假想線(如虛線N所示)截取)位于下一個元件的基座(如參考字母b所示)旁邊?？梢允褂闷渌恢脴嬙?，只要導光元件提供保密性特征，并且前提條件是h:P的比率在確定的范圍內。在本具體實施方案中，導光元件包括吸光材料或反光材料。適合的反光材料包括，例如，二氧化鈦、氧化鋅、硫化鋅、磷酸鋅、碳酸鈣、氧化鋁、二氧化硅、氧化銻、硫酸鋇、鋅鋇白(硫酸鋇和氧化鋅的共同沉淀物)、煅燒高嶺土、碳酸鉛、氧化鎂、以及它們的組合。適合的吸光材料包括，例如，炭黑、黑尖晶石、黑金紅石、鐵黑、以及它們的組合。使用反光材料時，將重量為1到50份的材料(基于總體重量100份)加入聚合物樹脂以形成導光元件。在一些實施方案中，使用重量為1到15份的材料。在其它實施方案中，使用重量為2到10份的材料。使用吸光材料時，將重量為0.1到50份的材料(基于總體重量100份)加入聚合物樹脂以形成導光元件。在一些實施方案中，使用重量為1到15份的吸光材料。在其它實施方案中，使用重量為1到5份的材料。如下面進一步論述，反光材料和吸光材料的組合可用于形成單個導光元件。在其它實施方案中，可在導光元件中添加著色顏料、熒光顏料和閃光劑。圖3示出了本發(fā)明另一個實施方案的剖視圖，其中保密性薄膜100包括具有相對的第一表面114和第二表面116的基片112。導光元件118從基片的第一表面伸出。分隔線113稍微位于導光元件內。在本具體實施方案中，導光元件包括設置在基片第一表面遠側的第一部分119，設置在接近第一表面的第二部分117，以及從第一表面到線113的第三部分。在一些實施方案中，基片的組成和第三部分類似，并且甚至可能是相同的。線115將第一部分和第二部分分開。第一部分包括吸光材料，第二部分包括反光材料。第一部分的高度表示為1119，是線115和頂端之間沿元件短軸方向的距離。第二部分的高度表示為1117，是線113和115之間沿元件短軸方向的距離。在一個實施方案中，1119與1117的比率為3:0.1。兩個鄰近的導光元件的放置方式為一個元件的頂端(沿假想線N截取)與下一個鄰近元件的基座交搭。盡管圖2中的導光元件包括具有基本上徑直邊緣的頂端，但是如圖3所示，頂端可以彎成圓形。可以使用其它幾何形狀，只要導光元件影響光的透射以提供保密性特征。圖4示出了本發(fā)明另一個實施方案的剖視圖，其中保密性薄膜200包括具有相對的第一表面214和第二表面216以及分界線213的基片212。導光元件218從第一表面伸出。在導光元件的頂端，采用了吸光涂層219。該涂層可沿導光元件的側面移動。在本具體實施方案中，導光元件可以包括反光材料。該涂層可以使用已知的涂層技術施加到元件上。在一個實施方案中，該涂層的干燥厚度為0.01到l.Omm。在一個實施方案中，使用數字印刷方法(如噴墨印刷、彩色噴墨印刷、激光印刷和染料或大規(guī)模轉移印花)或通過傳統的印刷技術(如偏移平版印刷、苯胺印刷和凹版印刷)將吸光涂層施加到頂端上。元件的頂端可吸收印刷工藝中使用的墨水或染料。圖5示出了本發(fā)明另一個實施方案的剖視圖，其中保密性薄膜300包括具有相對的第一表面314和第二表面316的基片312。導光元件318從基片的第一表面伸出。為了便于理解，僅示出了5個導光元件的橫截面。在本具體實施方案中，每個導光元件的傾斜角都不同于下一個鄰近的元件。例如，傾斜角將與傾斜角e2相似。例如，e！可以為90°，e！可以為88°。因此，這兩個導光元件將基本上平行。然而，第五個導光元件的傾斜角(e5)可能與第一個導光元件的傾斜角有很大不同。在本圖中，如果e,為90°，e5可能為60°，因此將不認為第一個導光元件與第五個導光元件平行。在本圖中，傾斜角各種變化的量級都被夸大了，以示出不同的傾斜角度。圖6示出了本發(fā)明又一個實施方案的剖視圖，其中保密性薄膜400包括具有相對的第一表面414和第二表面416以及分界線413的基片412。導光元件418從第一表面伸出。每個導光元件均具有位于基片第一表面遠側的第一部分419和接近第一表面的第二部分417。線415將第一部分和第二部分分開。線413將第二部分和第三部分分開。第一部分具有偏向一側的伸出部分，類似于倒"L"形。該伸出部分可都位于相同側，例如，都向左或都向右(如圖中所示)，或者它們可以交替向左和向右。該伸出部分也可以無規(guī)取向的方式向左或向右，或者在左側和右側之間有任意角度。換句話講，如果要截取圖6所示實施方案的俯視圖，以使得所有能看到的是第一部分419，可沿360°路徑以任意不同角度將其旋轉。在一個實施方案中，第一和第二部分中至少一個包括反光材料。在另一個實施方案中，第一部分包括吸光材料，第二部分包括反光材料。在又一個實施方案中，不同導光元件(如圖2、3和6中所示的元件)的組合一同使用以形成保密性薄膜。圖1將導光元件表示為沿證件的長度方向連續(xù)延伸的細長導軌。在其它實施方案中，元件可以包括間斷，間斷或者是指定的長度以生成均勻的間斷，或者是無規(guī)的長度以生成不均勻的間斷。在所有不同的元件中，可以具有在整個基板長度上連續(xù)的導光元件。例如，圖7示出了設置在基板550上的示例性保密性薄膜500。該保密性薄膜包括導光元件518，其在左側具有均勻的間斷，在右側具有不均勻的間斷。散布在其中的是在薄膜整個長度上連續(xù)的導光元件。盡管所有實施方案中的基片都是光透射性的，但它可以包括反光材料。在基片中使用的反光材料的量可以(但不是必須)類似于導光元件中使用的數量。使用類似數量的優(yōu)點是，制作保密性薄膜的方法(如下面進一步所述)可以簡化為使用單螺桿擠出機代替多螺桿擠出機。在基本上使用相同數量的情況下，應注意選擇足夠的量，以賦予薄膜保密性特征，而不會對下面的證件的可讀性產生不利影響。可以不同的方式制作本發(fā)明的導光元件。在一個示例性方法中，本發(fā)明的保密性薄膜可通過將聚合物巻材擠壓通過具有開口切割(例如，通過電子放電加工)的模具形成。該巻材將包括基片以及設置于其上的導光元件?？梢栽O計模具開口的形狀，以生成具有預期橫截面形狀或輪廓的巻材。巻材離開模具開口后，可通過將它拉動通過驟冷材料(如水)進行淬火?？梢栽隗E冷介質中添加潤濕劑，以潤濕擠出巻材的整個表面，包括導光元件之間的間隙?？梢赃M一步處理擠出的巻材，例如，在元件的頂端(如圖4所示)施加吸光涂層，或切割擠出的元件并拉伸巻材以形成不連續(xù)的導光元件。當本發(fā)明的保密性薄膜包含多個不同層面時(如基片和導光元件為不同的材料時，或如導光元件包含多個部分時(參閱，例如，圖3和6))，可通過復合擠壓成型技術(例如，如PCT專利申請WO99/17630中所描述)形成薄膜。復合擠壓成型技術可以涉及將來自不同擠出機的不同熔融流注注入多歧管模具或多層進料嵌段和薄膜模具。各個流注在進料嵌段融合在一起，并作為分層層疊件進入模具，分層層疊件在材料離開模具時流入分層的薄板中。適合用于形成保密性薄膜的材料包括熱塑性聚合物和彈性體。適合的熱塑性聚合物包括，例如，聚烯烴(如聚丙烯或聚乙烯)、聚苯乙烯、聚碳酸酯、聚甲基丙烯酸甲酯、乙烯-醋酸乙烯酯共聚物、丙烯酸酯-改性的乙烯-醋酸乙烯酯聚合物、乙烯丙烯酸共聚物、尼龍、聚氯乙烯、和工程聚合物(如聚酮或聚甲基戊垸)。適合的彈性體包括，例如，天然或合成橡膠、包含異戊二烯的苯乙烯嵌段共聚物、丁二烯或乙烯(丁烯)嵌段、茂金屬催化的聚烯烴、聚氨酯、和聚二有機硅氧垸。也可以使用熱塑性聚合物和彈性體的混合物。實例在下面的實例中，所有的重量都表示為重量按份數計。導光元件使用Davis-Standard2.5英寸單螺桿擠出機(SSE)和或0.75英寸KillionSSE擠出，并且基片使用Davis-Standard1.5英寸SSE擠出。使用的元件在表1中列出。表1<table>tableseeoriginaldocumentpage15</column></row><table>實例1向DavisStandard2.5英寸SSE料斗器的料斗中加入92份BASELLPRO-FAX7523聚丙烯樹脂和8份CLARIANT白色顏料濃縮物。向Davis-Standard1.5英寸SSE料斗器的料斗中加入BASELLPRO-FAX7523聚丙烯樹脂。2.5SSE以15轉每分(RPM)的速度運行，1.5SSE以23RPM的速度運行。從模具產生的共擠出巻材通過成型出口，并且隨后在水浴(包含1%的潤濕劑，實際水溫為80°F)中淬火。所得的保密性薄膜以橫過巻材的方向用剃刀刀片切斷。使用光學顯微鏡，可以確定基片為74微米厚。導光元件中心至中心間距為345微米，高度為605微米，寬度為120微米，傾斜角為70°。幾乎整個長度的導光元件基本上由92份BASELLPRO-FAX7523和8份CLARIANT白色顏料濃縮物的共混物組成，基座層基本上由BASELLPRO-FAX7523組成。實例2向DavisStandard2.5英寸SSE料斗器的料斗中加入70份BASELLPRO-FAX7523聚丙烯樹脂和30份CLARIANT白色顏料濃縮物。向DavisStandard1.5英寸SSE料斗器的料斗中加入70份BASELLPRO-FAX7523聚丙烯樹脂和30份CLARIANT白色顏料濃縮物。向KillionO.75英寸SSE的料斗中加入BASELLPRO-FAX7523聚丙烯樹脂。2.5SSE以13RPM的速度運行，1.5英寸SSE以11RPM的速度運行，0.75英寸SSE以50RPM的速度運行。從模具產生的共擠出巻材通過成型出口，隨后在水浴(包含1%的潤濕劑，實際水溫為83°F)中淬火。所得的保密性薄膜以橫過巻材的方向用剃刀刀片切斷。使用光學顯微鏡，可以確定基片為90微米厚。導光元件中心至中心間距為360微米，高度為700微米，寬度為120微米，傾斜角為54°。兒乎整個長度的導光元件基本上由70份BASELLPRO-FAX7523禾n30份CLARIANT白色顏料濃縮物的共混物組成，基座層基本上由BASELLPRO-FAX7523組成。實例3向DavisStandard2.5英寸SSE料斗器的料斗中加入96份BASELLPRO-FAX7523聚丙烯樹脂和4份黑色顏料濃縮物。向DavisStandard1.5英寸SSE料斗器的料斗中加入70份BASELLPRO-FAX7523聚丙烯樹脂和30份CLARIANT白色顏料濃縮物。向KillionO.75英寸SSE的料斗中加入BASALLPRO-FAX7523聚丙烯樹脂。2.5SSE以15RPM的速度運行，1.5英寸SSE以50RPM的速度運行，0.75英寸SSE以100RPM的速度運行。從模具產生的共擠出巻材通過成型出口，并且隨后在水浴(包含1%的潤濕劑，實際水溫為83°F)中淬火。所得的保密性薄膜(類似于圖3所示的保密性薄膜)以橫過巻材的方向用剃刀刀片切斷。使用光學顯微鏡，可以確定基片為56微米厚。導光元件中心至中心間距為340微米，高度為640微米，寬度為130微米，傾斜角為70°。位于基片第一表面遠側的第一區(qū)域的高度為323微米，其基本上由96份BASELLPRO-FAX7523和4份黑色顏料濃縮物的共混物組成。接近基片第一表面的第二區(qū)域的高度為190微米，其基本上由70份BASELLPRO-FAX7523和30份CLARIANT白色顏料濃縮物組成。直接位于基片第一表面旁邊的第三區(qū)域的高度為124微米，其基本上由BASELLPRO-FAX7523組成。第二區(qū)域夾在第一和第三區(qū)域之間。實例4向Davis-Standard2.5英寸SSE料斗器的料斗中加入94份BASELLPRO-FAX7523聚丙烯樹脂和6份CLARIANT白色顏料濃縮物。向Davis-Standard1.5英寸SSE料斗器的料斗中加入94份BASELLPRO-FAX7523聚丙烯樹脂和6份CLARIANT白色顏料濃縮物。2.5SSE以28RPM的速度運行，1.5英寸SSE以30RPM的速度運行。產生的共擠出巻材通過成型出口，隨后在水浴(包含1%的潤濕劑，實際水溫為83°F)中淬火。所得的保密性薄膜以橫過巻材的方向用剃刀刀片切斷。使用光學顯微鏡，可以確定基片為145微米厚。導光元件中心至中心間距為330微米，高度為670微米，寬度為120微米，傾斜角為55°。權利要求1.一種保密性薄膜，所述保密性薄膜包括透光性聚合物基片，其包含第一聚合材料，所述基片具有相對的第一和第二表面；以及多個導光元件，其包含第二聚合材料，其中每個元件均具有基座、高度h和沿高度方向設置的短軸，其中所述元件從所述基片的第一表面伸出，并且其中每個元件均這樣設置，使得一個元件的短軸基本上平行于下一個鄰近元件的短軸，并且一個元件的基座與下一個鄰近元件的基座不相連。2.根據權利要求1所述的保密性薄膜，其中所述元件以大于約15°且小于約90°的傾斜角設置在所述基片上，其中所述傾斜角在所述基片的第一表面和所述元件的短軸之間形成。3.根據權利要求1所述的保密性薄膜，其中所述元件具有一個元件到下一個鄰近元件的中心至中心間距P，并且其中h:P的比率為從約0.5至IJ5。4.根據權利要求1所述的保密性薄膜，其中所述元件沿垂直于所述短軸方向測量的寬度大于約25微米且小于約750微米。5.根據權利要求1所述的保密性薄膜，其中所述元件的橫截面尺寸基本上是恒定的。6.根據權利要求5所述的保密性薄膜，其中所述元件進一步包含反光材料。7.根據權利要求6所述的保密性薄膜，其中所述反光材料選自由下列物質組成的組二氧化鈦、氧化鋅、硫化鋅、磷酸鋅、碳酸鈣、氧化鋁、二氧化硅、氧化銻、硫酸鋇、鋅鋇白、煅燒高嶺土、碳酸鉛、氧化鎂、以及它們的組合。8.根據權利要求7所述的保密性薄膜，其中所述元件進一步包含涂覆在其頂端上的吸光材料。9.根據權利要求1所述的保密性薄膜，其中所述第一或第二聚合材料是選自由熱塑性聚合物和彈性體組成的組。10.根據權利要求9所述的保密性薄膜，其中所述熱塑性聚合物選自由下列物質組成的組聚丙烯、聚乙烯、聚苯乙烯、聚碳酸酯、聚甲基丙烯酸甲酯、乙烯-醋酸乙烯酯共聚物、丙烯酸鹽-改性的的乙烯-醋酸乙烯酯聚合物、乙烯丙烯酸共聚物、尼龍、聚氯乙烯、以及它們的組合。11.根據權利要求1所述的保密性薄膜，其中所述第一聚合材料不同于所述第二聚合材料。12.根據權利要求1所述的保密性薄膜，其中所述第一聚合材料與所述第二聚合材料基本上相同。13.根據權利要求1所述的保密性薄膜，其中所述元件包含位于所述基片第一表面遠側的第一區(qū)域和接近所述基片第一表面的第二區(qū)域。14.根據權利要求13所述的保密性薄膜，其中所述第一區(qū)域與所述第二區(qū)域的高度比為從約3:0.1。15.根據權利要求13所述的保密性薄膜，其中所述第一區(qū)域包含吸光材料，所述第二區(qū)域包含反光材料。16.根據權利要求15所述的保密性薄膜，其中所述反光材料選自由下列物質組成的組二氧化鈦、氧化鋅、硫化鋅、磷酸鋅、碳酸鈣、氧化鋁、二氧化硅、氧化銻、硫酸鋇、鋅鋇白、煅燒高嶺土、碳酸鉛、氧化鎂、以及它們的組合；并且其中所述吸光材料選自由下列物質組成的組炭黑、黑尖晶石、黑金紅石、鐵黑、以它們的組合。17.根據權利要求1所述的保密性薄膜，所述薄膜還包括設置在所述基片第二表面上的透光性粘結劑。18.根據權利要求17所述的保密性薄膜，其中所述粘結劑為可重新定位的粘結劑。19.根據權利要求1所述的保密性薄膜，其中所述第一或第二聚合材料的熔融指數大于約0.5且小于約200。20.根據權利要求1所述的保密性薄膜，其中所述元件具有頂端，并且一個元件的頂端沿垂直于所述基片第一表面的線量取，緊挨著所述下一個鄰近元件的基座放置。21.根據權利要求1所述的保密性薄膜，其中所述元件具有頂端，并且一個元件所述頂端的位置沿垂直于所述基片第一表面的線量取，懸于所述下一個鄰近元件的基座之上。22.根據權利要求1所述的保密性薄膜，其中所述元件包含位于其頂端的延伸部分。23.根據權利要求1所述的保密性薄膜，其中所述元件的橫截面尺寸不恒定。24.根據權利要求2所述的保密性薄膜，其中每個元件的傾斜角在所述薄膜中基本上恒定。25.根據權利要求2所述的保密性薄膜，其中每個導光元件的傾斜角度與下一個鄰近導光元件的傾斜角度基本上相似。26.根據權利要求25所述的保密性薄膜，其中所述傾斜角度從薄膜的一部分到另一部分變化。27.根據權利要求1所述的保密性薄膜，其中所述元件的高度基本上相似。28.根據權利要求1所述的保密性薄膜，其中所述元件的高度不相似。29.根據權利要求28所述的保密性薄膜，其中所述一個元件的高度是下一個鄰近元件高度的約75%到95%。30.根據權利要求1所述的保密性薄膜，其中所述基片和所述反光元件進一步包含反光材料，該反光材料選自由下列物質組成的組二氧化鈦、氧化鋅、硫化鋅、磷酸鋅、碳酸鈣、氧化鋁、二氧化硅、氧化銻、硫酸鋇、鋅鋇白、煅燒高嶺土、碳酸鉛、氧化鎂、以及它們的組合。31.根據權利要求30所述的保密性薄膜，其中在所述基片和所述導光元件中使用的反光材料的量基本上相等。32.根據權利要求1所述的保密性薄膜，其中所述導光元件包含間斷。33.根據權利要求32所述的保密性薄膜，其中所述間斷是均勻的、或不均勻的、或它們的組合。全文摘要本發(fā)明涉及可用于證件的保密性薄膜。所述保密性薄膜具有包含相對的第一和第二表面的透光性聚合物基片。多個導光元件從所述基片的第一表面伸出。所述基片可以由第一聚合材料制成。所述導光元件可以由第二聚合材料制成。所述第一和第二聚合材料可以是相同的材料。所述導光元件的橫截面尺寸基本上恒定，并且基本上為平行設置。文檔編號B32B1/00GK101287595SQ200680038159公開日2008年10月15日申請日期2006年10月13日優(yōu)先權日2005年10月14日發(fā)明者保羅·D·格雷厄姆,大衛(wèi)·F·斯拉瑪,布倫特·R·漢森,格雷厄姆·M·克萊克,特拉維斯·B·霍姆申請人:3M創(chuàng)新有限公司