專利名稱：光學膜片的沖裁裝置及光學膜片的沖裁方法
技術領域：
本發(fā)明涉及一種用于將例如偏振膜片等光學膜片沖裁成產品要求的所需大小、形狀從而形成為光學膜的沖裁裝置及光學膜片的沖裁方法。
背景技術：
一般情況下，安裝于顯示器等的表面上的光學膜片是(例如偏振膜)通過使用沖裁刀將長條的光學膜片或矩形的光學膜片沖裁(切斷)成所需大小而制造。例如在下述專利文獻1記載的沖裁裝置中，在基座上立設沖裁刀，隔著光學膜片從其上方將壓板推壓到光學膜片，在沖裁刀與壓板之間將光學膜片沖裁成所需尺寸的光學膜片。
可是，光學膜片通常在對其進行沖裁時容易發(fā)生靜電，光學膜容易帶電。另外，當對光學膜片進行沖裁時，產生粉塵。因此，在沖裁過程中產生的粉塵由靜電作用附著于光學膜，使光學膜的質量下降。
因此，在上述以往的沖裁裝置中，通過使壓板的接觸面的表面粗糙度變大，盡可能地減小與光學膜片的接觸面積，由此抑制沖裁時發(fā)生靜電。
日本特開2002-58405號公報然而，在如上述以往的沖裁裝置那樣增大壓板的接觸面的表面粗糙度時，相反容易產生粉塵，不能有效地防止粉塵附著。

發(fā)明內容
因此，本發(fā)明的目的在于提供一種可通過在沖裁光學膜片時抑制發(fā)生靜電從而防止粉塵附著于光學膜的沖裁裝置及光學膜片的沖裁方法。
本發(fā)明人為了達到上述目的，進行了認真的研究，結果發(fā)現，通過在光學膜片中對與沖裁刀進入一側的面相反側的面進行導電處理，從而可減少發(fā)生靜電，由此完成了本發(fā)明。
即，本發(fā)明的光學膜片的沖裁裝置，可相對接觸離開地設置用于載置光學膜片的墊和沖裁刀，對載置于墊上的光學膜片進行沖裁；其特征在于，在上述墊處對與沖裁刀接觸的面相反側的面進行導電處理。
在上述構成的沖裁裝置中，在墊處對與沖裁刀接觸的面相反側的面進行導電處理，從而防止伴隨著沖裁動作發(fā)生靜電，所以，即使隨著沖裁動作產生粉塵，也可防止該粉塵附著于光學膜。
在此，光學膜片是指將光學膜沖裁成作為商品所需要的大小、形狀之前階段的片，包含長條的片、單片類型這兩種概念。
通常，對于長條的片，一邊依次朝前方送出光學膜片，一邊用沖裁刀連續(xù)地進行沖裁，從而形成光學膜；對于單片類型的光學膜片，大多一張一張地沖裁光學膜片來形成光學膜。
本發(fā)明的光學膜片的沖裁裝置的特征在于，在該墊處將沖裁刀接觸的面形成為平滑面。按照該構成，與將沖裁刀接觸的面形成為粗糙面的情況相比，粉塵的產生量受到抑制。
本發(fā)明的光學膜片的沖裁方法是將光學膜片載置于墊上來進行沖裁；其特征在于，使用對與沖裁刀接觸的面相反側的面進行了導電處理的墊，使上述墊與沖裁刀相對接觸離開。
通過使用對與沖裁刀接觸的面相反側的面進行了導電處理的墊，將光學膜片載置于該墊上來進行沖裁，從而可防止隨著沖裁動作產生的靜電，因此，即使隨著沖裁動作產生粉塵，也可防止該粉塵附著于光學膜。
本發(fā)明的光學膜片的沖裁方法的特征在于，使用將沖裁刀接觸的面形成為平滑面的墊。
按照該方法，與使用沖裁刀接觸的面為粗糙面的墊的情況相比，可抑制粉塵的發(fā)生量。
本發(fā)明的光學膜片的沖裁方法的特征在于，將光學膜片形成為卷筒體，從該卷筒體拉出光學膜片，將其載置于墊上。
在上述方法中，將光學膜片形成為卷筒體，當從卷筒體拉出光學膜片時，成為容易發(fā)生剝離帶電的狀態(tài)，但由于對載置光學膜片的墊實施導電處理，當將光學膜片載置于墊上時，除去剝離帶電，所以，即使隨著光學膜片的沖裁動作產生粉塵，也可防止該粉塵附著于光學膜。
按照本發(fā)明的光學膜片的沖裁裝置，通過在墊處對與沖裁刀接觸的面相反側的面進行導電處理，從而可防止光學膜片由沖裁刀切斷時發(fā)生靜電，所以，可防止光學膜帶電，因此，即使隨著沖裁動作產生粉塵，也可有效地防止該粉塵附著于光學膜，可容易地制造高質量的光學膜。
按照本發(fā)明的光學膜片的沖裁方法，通過使用對與沖裁刀接觸的面相反側的面實施了導電處理的墊，從而可防止光學膜片由沖裁刀切斷時發(fā)生靜電，所以，可防止光學膜帶電，因此，即使隨著沖裁動作產生粉塵，也可有效地防止該粉塵附著于光學膜，可容易地制造高質量的光學膜。


圖1為示出本發(fā)明實施方式的沖裁裝置整體構成的概略圖。
圖2為示出該沖裁刀裝置的離開位置和沖裁位置的概略剖視圖。
圖3為示出墊的剖視圖。
圖4為示出該偏振膜片的層疊構成的放大剖視圖。
圖5為示出另一實施方式的光學膜片的層疊構成的放大剖視圖。
具體實施例方式
下面，根據附圖以沖裁裝置為例說明本發(fā)明的實施方式，光學膜片為僅透射特定振動方向的光的偏振膜片。圖1為示出沖裁裝置的整體構成的概略圖，圖2為示出該沖裁刀裝置的離開位置和沖裁位置的概略剖視圖，圖3為示出墊的剖視圖，圖4和圖5為示出該偏振膜片的層疊構成的放大剖視圖。
在本發(fā)明實施方式中處理的偏振膜片2具有作為保護膜20、21的高透明、高耐久性的三乙酰纖維素(TAC)膜夾住聚乙烯醇(PVA)膜的構造，該聚乙烯醇(PVA)膜為吸附了碘絡合物或二色性染料的偏振膜18(作為芯構件的偏振膜)。
另外，在上側的保護膜20的表面?zhèn)葘盈B微粘接劑層22，在該微粘接劑層22的表面?zhèn)葘盈B防護膜23。另外，在下側的保護膜21的表面層疊比微粘接劑層22厚的粘接劑層24，在該粘接劑層24的表面層疊分離膜25。
偏振膜片2還可考慮如圖5所示那樣層疊相位差膜30將其形成為光學膜片2的情況。在該情況下，相位差膜30層疊到粘接劑層24的下側，再通過另一粘接劑層31將分離膜25層疊到該粘接劑層31。這樣的偏振膜4在從粘接劑層24剝離分離膜25后粘貼到顯示器進行使用。
在圖1所示情況，圖示了這樣的例子，即，預先將偏振膜片2形成為層疊體，然后將其卷繞成卷筒體2A，但也可分別將構成偏振膜片2的多種膜等形成為卷筒體，依次將其拉出，形成為層疊體后進行使用。也有形成為偏振膜片2的層疊體的情況。偏振膜片2形成為與后述的墊5大體相同寬度。
下面，說明偏振膜片2的沖裁裝置1。沖裁裝置1在將偏振膜片2載置于上述墊5上的狀態(tài)下，使用沖裁刀裝置7將其沖裁成作為商品所需要的大小和形狀，從而形成偏振膜4。在該實施方式中，示出偏振膜片2是將長條的偏振膜片卷成卷筒狀的情況，但不限于此，例如也可適用于使用單片狀的偏振膜片2，由該偏振膜片2沖裁偏振膜4。
如圖1所示那樣，沖裁裝置1具有將兩端卷繞到輥3、3的環(huán)式的上述墊5、輥3、3的未圖示的驅動裝置、及沖裁刀裝置7。兩輥3、3為了具有除電功能，使用金屬制成?；蛘?，也可考慮通過對其表面實施導電處理，從而使其具有除電功能。
如圖2和圖3所示那樣，墊6為由上側(載置偏振膜片2的表面?zhèn)?的基材10和通過涂覆或蒸鍍等設于基材10下表面的導電處理層11即帶電防止層構成的塑料片。作為墊6的基材10，例如最好使用聚苯乙烯(PS)、聚對苯二甲酸乙二醇酯(PET)、聚丙烯(PP)。作為基材10的厚度t1，例如設定為500～600μm。作為導電處理層11的厚度t1，如為可發(fā)揮帶電防止功能的厚度，則也可比基材10的厚度t1薄。作為基材10的上面10a的粗糙度，即表面粗糙度(JIS B 0601 1994年版)，最好為Ra0.01～0.6μm(如為0.02～0.1μm則更好)、Rz0.1～2μm(如為0.2～1μm則更理想)。Ra表示中心線平均粗糙度，Rz表示十點平均粗糙度。即，基材10的表面粗糙度與以前的基材10的表面粗糙度相比是極平滑的平滑面的值。
作為構成導電處理層11的材料，例如可列舉出由鋁等金屬或銦錫氧化物、錫氧化物的蒸鍍、濺鍍獲得的導電膜，含有從錫、銻、銦中選擇的至少一種金屬成分和硅的酒精性溶膠的帶電防止用膜組成物，由從錫、銻、銦中選擇的至少一種的導電性金屬氧化物的水分散性溶膠和水性硅溶膠構成的帶電防止用膜組成物，金屬醇鹽的水解縮聚物，共軛系導電性高分子、高分子型的帶電防止劑、低分子型的界面活性劑等材料。
在這些帶電防止用的材料中，特別是共軛系導電性高分子、高分子型的帶電防止劑可由下述方法在基材10容易地形成耐久性高的導電處理層11，所以，可以較好地得到使用。作為共軛導電性高分子的具體例，最好使用聚苯胺、聚噻吩、聚吡咯、聚對苯乙炔、或它們的置換體。它們可通過將溶解于溶劑中的可溶性的導電性高分子涂到基材上形成導電處理層11，或由單體和氧化劑直接在基材10上聚合而形成導電處理層11。
作為高分子型的帶電防止劑的具體例，最好使用非離子系的聚環(huán)氧乙烷、聚醚酯酰胺、聚醚酰胺酰亞胺、環(huán)氧乙烷表鹵醇共聚物、甲氧基聚乙二醇(甲基)丙烯酸酯共聚物，陽離子系的含有季銨基的(甲基)丙烯酸鹽共聚物、含有季銨基的馬來酰亞胺共聚物、含有季銨基的甲基丙烯酰亞胺共聚物，陰離子系的聚苯乙烯磺酸鈉、兩性類的羰基甜菜堿-接枝共聚物等。它們可在溶解到適當的溶劑后涂到基材上，或也可與適當的聚合物混合后進行熔融擠壓而形成薄膜，然后粘合到基材膜。
上述沖裁刀裝置7具有支承臺15、固定于該支承臺15的底面的沖裁刀(也稱為湯姆孫刀)16、及可上下自由移動地對支承臺進行支承的未圖示的上下驅動裝置。沖裁刀裝置7在基準位置將沖裁刀16配置到相對于墊6的上表面(載置表面)6a朝上方離開的位置。沖裁刀16形成為可根據情況將偏振膜片2沖裁成所期望的形狀的形狀。例如，在該實施方式的情況，形成為從底面觀察時為矩形。
沖裁刀16的構造為在離開位置X和沖裁位置Y之間由上述上下驅動裝置支承其支承臺15，在該X位置，沖裁刀16的尖端狀的刀尖17相對于墊6的上表面6a離開，該沖裁位置Y為從該離開位置X下降使刀尖17接觸于墊6(實際上稍進入到墊6的基材10)的位置。
下面，說明使用上述構成的沖裁位置1將偏振膜片2沖裁成作為商品所需要的面積和形狀(剪斷地沖裁)的順序。墊6與輥3、3的驅動同步地從下游側C1朝上游側C2移動，翻轉后，從上游側C2朝下游側C1移動，反復進行這樣的動作。在墊6上載置偏振膜片2并使得其防護膜23處于上方(分離膜25處于下方)，使用從寬度方向兩側的夾持機構等適當的機構，使其與墊6成為一體，從而使墊6與偏振膜片2同步地從上游側C1移動到下游側C2。此時，在沖裁刀裝置7中，在離開位置X，可將偏振膜片2插入到沖裁刀16與墊6之間。
偏振膜片2一到達沖裁刀裝置7的正下方，則暫時停止墊6的驅動部的驅動，對沖裁刀裝置7的驅動部進行驅動，使沖裁刀裝置7從離開位置X下降。這樣，沖裁刀16的刀尖17從防護膜23側進入到偏振膜片2。當使沖裁刀裝置7進一步下降時，如圖4所示，沖裁刀16的刀尖17成為稍進入到墊6的沖裁位置Y。通過這樣使沖裁刀裝置7下降到沖裁位置Y，從而由沖裁刀16將載置于墊6的偏振膜片2剪斷成與沖裁刀16相應的面積和形狀，沖裁成偏振膜4。沖裁后的偏振膜片2在下游側C2對其進行卷取，或直接廢棄等，受到適當處理。
在如上述那樣將偏振膜片2沖裁成偏振膜4后，再次驅動沖裁刀裝置7的驅動部，使沖裁刀裝置7上升，到達離開位置X。由這樣的各驅動部的間歇動作依次沖裁偏振膜片2，從而依次制造偏振膜4。然后，沖裁的偏振膜4可例如重疊起來進行保管。
在偏振膜4的制造過程中，當沖裁刀16進入到偏振膜片2的合成樹脂層時，容易由兩者的摩擦發(fā)生偏振膜片2帶電的狀態(tài)，但由于在墊6上將導電處理層11設于上側的基材10的下表面，所以，由該導電處理層11防止偏振膜4帶電。另一方面，當對偏振膜片2進行沖裁將其切斷時，主要從切斷面、墊6的基材10產生合成樹脂的粉塵，但如上述那樣，在墊6上將導電處理層11設于上側的基材10的下表面，防止粉塵的附著，所以，粉塵不附著到制造的偏振膜4，因此，可制造高質量的偏振膜4。
特別是當沖裁偏振膜4時，如沖裁刀16的刀尖17成為從墊6的上面6a進入到基材10的沖裁位置Y，則容易從基材10發(fā)生粉塵，但在如上述那樣將墊6的基材10的表面變平滑的情況，即使沖裁刀16的刀尖17進入到基材10，與基材10的表面粗糙度較粗的已有技術的情況相比，其粉塵產生量也較低。即，與以前相比，可減少粉塵的產生量，而且可防止偏振膜4帶電，所以，可比以前減少粉塵的產生量，而且由導電處理層11防止偏振膜4帶電，所以，可確實地防止粉塵附著于偏振膜4。
另外，在該實施方式中，用金屬制成卷繞墊6的輥3、3，而對其施加帶電防止功能，或在表面施加帶電防止功能，而且，將墊6卷繞到輥3、3的一側為導電處理層11，墊6的導電處理層11與輥3、3時常接觸，相應地提高除電能力，所以，可確實地防止粉塵的附著，制造高質量的偏振膜4。
可是，在制造偏振膜4時，即使如上述那樣驅動墊6，使載置于上表面6a的偏振膜片2同步移動，可以認為在墊6與偏振膜片2的接觸面也產生微小的位置偏移。換言之，發(fā)生驅動側的墊6的上面6a與從動側的偏振膜片2的下表面2a摩擦的狀態(tài)，成為偏振膜片2容易帶電的狀態(tài)，但由于在墊6設有用于防止偏振膜4帶電的導電處理層11，所以，可防止墊6與偏振膜片2的位置偏移帶來的偏振膜片2的帶電，因此，即使如上述那樣在墊6與偏振膜片2的接觸面產生位置偏移，也可同樣地防止粉塵的附著，獲得高質量的偏振膜4。
另外，雖然通常當從輥2A拉出偏振膜片2時成為容易發(fā)生剝離帶電的狀態(tài)，但由于在墊6設有導電處理層11，所以，如將偏振膜片2載置于墊6上，則剝離帶電被除去，這一點也可防止粉塵的附著，所以，可制造高質量的偏振膜4。另外，如上述那樣，偏振膜片2不限于預先形成為卷筒狀，有時也將構成偏振膜片2的多個膜分別形成為獨立的卷筒體，一邊載置于后述的墊5上，一邊形成為偏振膜片2的層疊體。然而，即使在從各卷筒體拉出薄膜時產生剝離帶電的狀態(tài)，如在墊6上相互重疊薄膜，則由墊6的導電處理層11除電，結果可制造高質量的偏振膜4。
由于墊6的基材10的表面粗糙度形成為平滑面，所以，當沖裁刀16的刀尖17從墊6的上面6a進入到基材10而形成偏振膜4時，可有效地防止空氣進入到粘接劑層24與分離膜25間，因此，可有效地防止漏光，可制造高質量的偏振膜4。
偏振膜片2從上依次層疊防護膜23、微粘接劑層22、保護膜20、偏振膜18、保護膜21、粘接劑層24、及分離膜25。當從下側使沖裁刀16進入到這樣的偏振膜片2時，則形成粘接劑層24的漿料附著于沖裁刀16，難以獲得平整的切斷面。然而，在該實施方式中，使沖裁刀16從偏振膜片2的上方即防護膜23側進入到偏振膜片2，通過微粘接劑層22切斷偏振膜片2。該微粘接劑層22比粘接劑層24的厚度小，而且粘接力小，所以，與沖裁刀16從粘接劑層24側進入的情況相比，可平整地進行偏振膜片2的切斷(切斷面平整)。
墊6成為環(huán)形，在沖裁偏振膜4時沖裁刀16的刀尖17進入的位置隨機變化，所以，不需要在墊6的一圈對其進行更換，可連續(xù)地反復使用。然而，若反復使用墊6，使沖裁刀16的刀尖17多次進入到同一位置或接近其的部分，則該部分脆弱化，變得不能順利地進行偏振膜4的沖裁，所以，最好每隔預定時間或預定回轉數更換墊6。
本發(fā)明不限于上述實施方式。例如在上述實施方式中，偏振膜4為從偏振膜片2每次1列地進行沖裁的情況，但不限于此，也可相應于墊6的寬度使用比上述實施方式的偏振膜片2寬的偏振膜4，或減小沖裁刀16的外徑，同時地從偏振膜片2沖裁多列偏振膜4。
在這樣的情況，沖裁的偏振膜4的數量變多，可以認為粉塵的量也相應地變多，但在本發(fā)明的實施方式中，由于在墊6處對與沖裁刀16接觸的面相反側的面進行了導電處理，所以，即使粉塵的量變多，也可有效地防止其粉塵附著于偏振膜4，獲得高質量的偏振膜4。
在上述實施方式的沖裁裝置1中，墊6為環(huán)形，將偏振膜片2載置于其上，但不限于此。例如也可作為沖裁裝置，設置墊6之外的卷繞于輥3、3的環(huán)形皮帶，將長條的墊6供給并進行載置到該環(huán)形皮帶上，將偏振膜片2載置到墊6上，使用沖裁刀裝置7對偏振膜片2進行沖裁。在這樣的沖裁裝置中，通過使用與上述實施方式同樣的墊6，從而可防止粉塵附著于偏振膜4，可制造高質量的偏振膜4。
在這里，示出實施例1～實施例4。作為在這些實施例中示出的除電評價方法，使用表面電阻值表面電阻測定器(三菱化學(制)的Hiresta MCP-HT450)按外加電壓500V測定導電處理層11的表面電阻值Ω/□(單位歐姆每方)。
實施例1
(將有機溶劑可溶性聚苯胺用于導電處理層11的聚丙烯膜的情況)在具有攪拌裝置、溫度計、及直管接頭的101(10升)容量的可分離燒瓶中依次加入蒸餾水6000g、36％鹽酸360ml、及苯胺400g(4.295摩爾)，使苯胺溶解。另外，一邊用冰水冷卻，一邊將97％濃硫酸434g(4.295摩爾)加入到燒杯中的蒸餾水1493g中并進行混合，調制硫酸水溶液。將該硫酸水溶液加入到上述可分離燒瓶中，用低溫恒溫槽將燒瓶整體冷卻到-4℃。
然后，在燒杯中將過二硫酸銨980g(4.295摩爾)加入到蒸餾水2293g使其溶解，調制氧化劑水溶液。在低溫恒溫槽中對燒瓶整體進行冷卻，將反應混合物的溫度保持在-3℃以下，同時，在攪拌下使用管泵從直管接頭將上述過二硫酸銨水溶液按1ml/分以下的比例慢慢地滴下到苯胺鹽的酸性水溶液中。最初，無色透明的溶液隨著聚合的進行，從銅綠色變成墨綠色，接著，析出墨綠色的粉末。將反應系內的溫度調整到0℃以下。這樣，需要7小時，結束過二硫酸銨水溶液的滴下后，在-3℃以下的溫度繼續(xù)攪拌1小時。
過濾分選獲得的聚合物粉末，進行水洗、丙酮清洗，在室溫下進行真空干燥，獲得墨綠色的聚合物粉末430g。將其加壓成形為直徑13mm、厚700μm的圓盤，由范德堡法(van derPauw)測定其導電度，得知為14S/cm。
另外，將上述添加的導電性有機聚合物粉末350g加到2N氨水41中，用自動均相混合機按轉速5000rpm攪拌5小時?；旌衔飶哪G色變成藍紫色。
由平底漏斗對粉末進行過濾分選，在燒杯中一邊攪拌，一邊用蒸餾水反復清洗，直到濾液成為中性，然后，用丙酮進行清洗，直到濾液變成無色。
此后，在室溫下對粉末進行10小時的真空干燥，獲得黑褐色的去雜了的聚合物粉末280g。將獲得的聚苯胺溶解到N-甲基-2-吡咯，調制0.5重量％的溶液。然后，混合該溶液100重量份、丙二酸200份、及異丙醇900份，獲得涂覆液。
將該涂覆液涂覆到厚500μm的聚丙烯膜的單面，在80℃的熱風干燥機中干燥2分鐘，形成厚0.07μm的導電處理層11。
獲得的薄膜的表面電阻為7×107Ω/□。與聚丙烯膜的導電處理層11相反側的面的表面粗糙度的Ra為0.063μm，Rz為0.275μm。
實施例2(將有機溶劑可溶性聚苯胺與粘接劑聚合物的混合物用于導電處理層11的聚對苯二甲酸乙二醇酯膜的情況)調制由實施例1獲得的聚苯胺100重量份、丙二酸200份、東洋紡織株式會社制的線狀飽和聚酯樹脂“バイロンRV-290”100份的、1.0重量％的N-甲基-2-吡咯溶液而做成涂覆液。
將該涂覆液涂覆到厚480μm的聚對苯二甲酸乙二醇酯膜的單面，在80℃的熱風干燥機中干燥2分鐘，形成厚0.1μm的導電處理層11。
獲得的薄膜的表面電阻為9×107Ω/□。與聚對苯二甲酸乙二醇酯膜的導電處理層11相反側的面的表面粗糙度的Ra為0.067μm，Rz為0.351μm。
實施例3(將聚3、4-二氧噻吩用于導電處理層11的聚丙烯膜的情況)將3、4-二氧噻吩100份和p-甲苯磺酸鐵500份的、5重量％的異丙醇溶液涂覆到厚500μm的聚丙烯膜的單面，在室溫下放置。進行聚合反應而在基材上形成薄膜。用流水對其進行清洗，干燥后，形成厚0.05μm的導電處理層11。
獲得的薄膜的表面電阻為3×108Ω/□。與聚丙烯膜的導電處理層11相反側的面的表面粗糙度與實施例1、實施例2同樣地為非導電處理面的表面粗糙度。
實施例4(將聚3、4-二氧噻吩用于導電處理層11的聚對苯二甲酸乙二醇酯膜的情況)用水/異丙醇(50/50重量比)的混合溶劑稀釋聚噻吩系導電聚合物(ナガセケムテツク公司制，商品名デナトロンP502RG)，調制1.0重量％的涂覆液。
將該涂覆液涂覆到厚480μm的聚對苯二甲酸乙二醇酯膜的單面，在80℃的熱風干燥機中干燥2分鐘，形成厚0.03μm的導電處理層11。
獲得的薄膜的表面電阻為7×107Ω/□。聚對苯二甲酸乙二醇酯與的導電處理層11相反側的面的表面粗糙度的Ra為0.06μm，Rz為0.30μm。
由這些實施例1～實施例4所示導電處理層11可獲得充分的除電效果，可基本消除隨著偏振膜4的沖裁作業(yè)發(fā)生的粉塵在偏振膜4上的附著。另外，通過將導電處理層11形成為這些實施例1～實施例4所示的表面粗糙度，從而可使得當沖裁刀16進入到墊6時發(fā)生的合成樹脂的粉塵的量比以前大幅度減少，獲得高質量的偏振膜4。
權利要求
1.一種光學膜片的沖裁裝置，可相對自由接觸離開地設置用于載置光學膜片的墊和沖裁刀，對載置于墊上的光學膜片進行沖裁；其特征在于，在上述墊處對與沖裁刀接觸的面相反側的面實施了導電處理。
2.根據權利要求1所述的光學膜片的沖裁裝置，其特征在于，在墊處沖裁刀接觸的面為平滑面。
3.一種光學膜片的沖裁方法，將光學膜片載置于墊上進行沖裁；其特征在于，使用對與沖裁刀接觸的面相反側的面實施了導電處理的墊，使上述墊與沖裁刀相對接觸離開。
4.根據權利要求3所述的光學膜片的沖裁方法，其特征在于，使用沖裁刀接觸的面為平滑面的墊。
5.根據權利要求3或4所述的光學膜片的沖裁方法，其特征在于，光學膜片為卷筒體，從該卷筒體拉出光學膜片，將其載置于墊上。
全文摘要
本發(fā)明提供一種光學膜片的沖裁裝置及光學膜片的沖裁方法，該沖裁裝置通過抑制沖裁光學膜片時發(fā)生靜電，從而可防止粉塵附著在光學膜片上。光學膜片的沖裁裝置，可相對自由接觸離開地設置用于載置光學膜片的墊和沖裁刀，對載置于墊上的光學膜片進行沖裁；其中在上述墊處對與沖裁刀接觸的面相反側的面進行導電處理。
文檔編號B26D7/08GK101077586SQ20071010797
公開日2007年11月28日 申請日期2007年5月22日 優(yōu)先權日2006年5月22日
發(fā)明者金子鐵夫, 大谷彰, 重松崇之 申請人:日東電工株式會社