r>[0022]在此參照附圖對示例性實施例進行詳細說明，相同的參照符號表示相同的元件。應(yīng)理解，在此所述的實施例僅用于說明，并不局限于此，本技術(shù)領(lǐng)域的技術(shù)人員在不脫離后附的權(quán)利要求書的精神和范圍下可進行各種修改。
[0023]參照圖3，示出示例性VIG窗單元I的部分橫截面示圖。VIG窗單元I包括隔開的第一和第二透明玻璃基片2、3，可通過邊緣密封4被互連，例如含有釩基或VBZ型密封或焊料玻璃型密封，但并不局限于此。示例性釩基或VBZ型密封組合物，其在2012年I月20日提交的美國專利申請N0.13/354, 963中被公開，其全部內(nèi)容被納入此處作為參考?；赩BZ (例如，釩，鋇，鋅)的密封組合物在N0.13/354，963中被公開，并可在示例性實施例中用于邊緣密封4。在示例性實施例中，現(xiàn)有的焊料玻璃熔塊材料也可用于邊緣密封4。但是，與用于在VIG單元中形成密封的其他常規(guī)玻璃熔塊組合物(例如，約500°C )相比，由于VBZ組合物具有更低的燃燒溫度(例如，<250°C )，因此在使用VBZ類型的密封組合物時，使用低溫密封熱屬性來維持VIG單元的玻璃的回火。應(yīng)注意，在此公開的實施例同樣適用于使用任何合適的密封材料的VIG配置。如上所述，邊緣密封4的周長在基片之間定義氣密密封的腔6，并如上所述被排空。
[0024]根據(jù)示例性實施例，透明玻璃基片2、3可具有幾乎相同的尺寸。但是，在其他示例性實施例中，一個玻璃基片可大于所提供的另一個玻璃基片，例如，接近VIG單元的邊緣具有L形階梯。玻璃基片2、3中的一個或兩者可選擇性地包括至少一個涂層材料(未示圖)，例如低輻射涂層，但并不局限于此。應(yīng)理解，玻璃基片2、3中的至少一個的內(nèi)表面上可存在多種涂層，且該涂層可向VIG窗單元I提供多種優(yōu)秀性能特征。在示例性實施例中，VIG窗單元具有至少約30%的可見光透射率，更優(yōu)選是至少約40%，甚至更優(yōu)選是至少約50%，且甚至更優(yōu)選是至少約60%或70%。
[0025]考慮到低于基片2、3之間的腔6中最終所提供的大氣壓力，玻璃基片2，3之間可包括一組支承柱/隔離片5，來維持基片的間距。在示例性實施例中，該隔離片的高度約為0.l-ι.0mm，更優(yōu)選是約0.2-0.4mm。隔離片的高度可定義真空腔6的高度。如上所述，隔離片5優(yōu)選是不引人注目的小尺寸。根據(jù)示例性實施例，隔離片可由焊料玻璃、玻璃、陶瓷、金屬、聚合物，或任何其他合適的材料制成。此外，隔離片5可以是，例如，常規(guī)圓柱形，圓形，球形，硬幣狀，C狀，枕狀和/或任何其他合適的形狀。
[0026]泵出管(圖3中未示出)在過程中被用來排空基片2，3之間的腔6，例如通過將真空泵與泵出管連接，并以低壓將腔排空，例如低于大氣壓的壓力。在優(yōu)選的示例中，腔6中的壓力優(yōu)選是約10_2托以下，且更優(yōu)選是約10 _3托以下，甚至更優(yōu)選是約5x10 _4托以下。將腔6排空后，泵出管可被密封，例如通過合適的方式來熔融管的頂端，類似激光。VIG單元可在住宅、商業(yè)大樓、公寓大樓、門、和/或類似中作為玻璃窗被使用，但并不局限于此。
[0027]根據(jù)示例性實施例，控制密封高度的變化來減輕泵送期間VIG單元上的壓力(例如，減少玻璃基片中的大量彎曲或折曲)并減少泵送期間VIG單元玻璃的破損情況。根據(jù)實驗結(jié)果，密封高度變化或公差可被減少，例如，通過控制初始分配的密封材料(例如，熔塊材料)的高度，在燒制期間控制密封材料的流動，和/或在密封期間控制溫度均勻性。例如，在此發(fā)現(xiàn)，優(yōu)選是將最終邊緣密封高度變化控制在，小于約0.20mm，更優(yōu)選是小于約0.15mm，且甚至更優(yōu)選是小于約0.10mm，可顯著地減少泵送期間的破損，但并不局限于此。"變化"可被視為最大密封高度和最小密封高度之間的差異。因此，在圍繞低壓腔的邊緣密封的整個外圍，邊緣密封的最大高度至邊緣密封的最小高度的變化小于0.20_，更優(yōu)選是小于約0.15mm，且甚至更優(yōu)選是小于約0.10mm。根據(jù)示例性實施例，例如，可通過提供一種機器應(yīng)用處理來減少密封高度變化，更好地控制初始分配的密封材料(例如，熔塊)的高度，但并不局限于此。此外，減少VIG窗單元的玻璃基片的翹曲或彎曲，可有助于最終邊緣密封高度變化，來更好地控制燒制過程，例如具有較小的溫度變化和/或使用更長的燒制時間。此外，根據(jù)進一步的示例性實施例，長時間的燒制過程可用來控制燒制期間密封材料的流動，例如在燒制期間使密封材料流動來更好地匹配支柱或隔離片的高度，進一步減少密封高度變化。
[0028]根據(jù)示例性實施例，提出一種用于制備VIG窗單元的方法。根據(jù)示例性方法，可通過使用機器，將初始密封材料分配在VIG單元的玻璃基片上，來控制初始密封材料高度。初始分配的密封材料高度可取決于用于后續(xù)燒制的過程類型。例如，短波紅外(SWIR)燒制的初始密封材料沉積，優(yōu)選是具有綠色未燃燒(例如，基于標(biāo)準的干燥)熔塊(例如，密封材料)的高度，約為0.4mm-0.9mm，或優(yōu)選是約0.5mm-0.8mm，且甚至更優(yōu)選是約0.6mm-0.7mm，但并不局限于此。由于使用相對較短時間來進行SWIR處理，因此初始綠色熔塊高度沉積的公差低于較長周期燒制過程。例如，在較長周期常規(guī)類型的燒制中，例如，綠色未燃燒恪塊高度可優(yōu)選是約0.4mm-1.0mm,或更優(yōu)選是約0.5mm-0.9mm，且甚至更優(yōu)選是約0.6mm-0.9mm，由于較長的峰值加熱時間，使密封材料流動或沉淀至支柱或隔離片的高度。根據(jù)進一步的實施例，可控制熱周期來提供附加的控制，通過減少VIG單元的玻璃基片的翹曲或扭曲數(shù)量來減少密封高度變化。例如，溫度差異可使玻璃基片變形并扭曲，導(dǎo)致進一步不利的密封高度變化。因此，根據(jù)示例性實施例，控制燃燒條件，提供較好的溫度均勻性(例如，〈2.00C )和足夠的加熱時間(例如，20-30分鐘)，通過使玻璃基片實現(xiàn)均勻溫度和變平，從而使玻璃更穩(wěn)固和平坦。
[0029]參照圖3，示出邊緣密封4的最終密封高度H。根據(jù)示例性實施例，沿VIG單元I的邊緣密封4周長的邊緣密封4的高度H的變化可被控制，例如，通過控制初始分配的密封材料(例如，熔塊材料)的高度變化，但并不局限于此。如上所述，優(yōu)選的示例性初始分配熔塊高度可取決于，例如，用于燒制VIG單元的過程類型。根據(jù)使用SWIR類型燒制過程的示例性實施例，初始分配的密封材料高度可優(yōu)選地是，例如，范圍約0.4mm-0.9mm，或更優(yōu)選是約0.5mm-0.8mm，甚至更優(yōu)選是約0.6mm-0.7mm。根據(jù)其他示例性實施例，例如使用較長周期的常規(guī)類型燒制，初始分配的密封材料高度(例如，綠色未燃燒的熔塊高度)可優(yōu)選是約0.4mm-1.0mm,或更優(yōu)選是約0.5mm-0.9mm，甚至更優(yōu)選是約0.6mm-0.9mm。由于該類型的燒制過程通常具有較長的峰值加熱時間，因此較長周期的常規(guī)類型過程中的變化可能較大。根據(jù)示例性實施例，針對上述示例性實施例說明的精密公差，初始熔塊分配可通過使用機器處理被執(zhí)行。此外，根據(jù)示例性實施例，最選是具有較長的峰值加熱時間，促進燒制期間密封材料的流動并使玻璃基片變平，來進一步減少最終密封高度的變化。此外，如上所述，溫差可使玻璃基片翹曲并扭曲，導(dǎo)致進一步不良的密封高度變化。因此，根據(jù)示例性實施例，控制燃燒條件，例如，提供較好的溫度均勻性(例如，約〈2.0°C )和足夠的加熱時間(例如，約20-30分鐘)，通過使玻璃基片實現(xiàn)均勻溫度并使密封材料流動，從而使玻璃更穩(wěn)固和平坦。由此制成的VIG單元具有減少的最終密封高度變化，例如，其中最終邊緣密封高度變化優(yōu)選是約小于0.20mm，更優(yōu)選是小于或等于0.15mm，且甚至更優(yōu)選是小于或等于約0.1Omm0
[0030]圖4是示出根據(jù)示例性實施例的制備VIG窗單元的方法的流程圖。如圖4所示出的，在步驟SI中提供第一玻璃基片。玻璃基片可被處理來配置典型VIG窗單元的一些結(jié)構(gòu)特征，例如隔離片或支柱等。然后，在步驟S3中，第一玻璃基片可配置密封材料