專利名稱：形成部分分離薄膜元件條的方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明一般涉及薄膜元件，如空氣支撐滑塊的制造，本發(fā)明特別地涉及部分地處理從晶片上切割的元件條的方法，以使各個(gè)元件的操作最少。
薄膜元件典型地用包含電子的或電磁器件的矩陣陣列的晶片來(lái)制造，大家熟知的淀積方法應(yīng)用到晶體的表面之一。這些器件例如可以是用在磁盤設(shè)備中的磁傳感器或磁頭。且有磁頭的條淀積的晶片還必須進(jìn)一步處理以形成滑塊。一個(gè)滑塊是一種結(jié)構(gòu)，用來(lái)支持一個(gè)或多個(gè)緊靠旋轉(zhuǎn)存儲(chǔ)盤的磁頭，且通常地被安裝到驅(qū)動(dòng)裝置的延伸懸掛體上。通常所有“空氣支撐”滑塊必定具有某些空氣動(dòng)力學(xué)特性，以使磁頭在盤的表面浮(“fly”)起。
空氣支撐滑塊典型地從淀積過(guò)的晶片，切割一條或多條而形成。例如，習(xí)慣地使用研磨刀，并處理這些所得到的條，以形成的各個(gè)滑塊元件及它們的空氣支撐面。這種處理可以包括如熟悉的腐蝕(etching)，碾磨(milling)，研磨(grinding)和拋光(lapping)方法。然后這各個(gè)滑塊按小塊從條中切成，檢驗(yàn)，包裝并運(yùn)輸?shù)窖b配地，用來(lái)連接到懸架上。
在檢驗(yàn)，包裝及拆包期間，特別注意各個(gè)元件的操作，因?yàn)殡娢痪蜁?huì)損壞嬌小的薄膜器件。而且，在裝配期間的操作具有損壞的危險(xiǎn)性，并減少收益。例如，薄膜滑塊在手工地送到懸架位置時(shí)經(jīng)常損壞。當(dāng)滑塊越小，這種擔(dān)心越大，如“微微滑塊”更容易破碎。
這里所需要的是一種處理，它用在薄膜元件的制造中，例如，空氣支撐滑塊在檢驗(yàn)，包裝和拆包期間保持一完整條，可是在裝配場(chǎng)所可以很容易地分離成單個(gè)元件，通過(guò)保持完整的元件條，各個(gè)元件的損壞就減少了，產(chǎn)量就相應(yīng)地增加。
很多條處理方法已發(fā)展起來(lái)，以增加在薄膜元件制造中的收益，但是既沒(méi)有制造后處理?yè)p壞情況的報(bào)導(dǎo)，也沒(méi)有保持完整條直到裝配的建議。例如，美國(guó)專利號(hào)為5,095,613敘述了一種處理滑塊條的方法，其中單條或雙條被固定到堅(jiān)硬加固結(jié)構(gòu)上以便研磨，在處理形成各個(gè)元件以后這滑塊從條上被分離。美國(guó)專利號(hào)4,226,018類似地討論了在制造期間和條分離以前滑塊條的處理。美國(guó)的專利號(hào)4,624,048敘述了一種制造過(guò)程，在那里，從晶片中切割一條磁頭元件，在元件之間形成分離槽。然后這條固定到工作表面上，此表面相應(yīng)于它的分離槽處具有刻槽，以方便以后滑塊分離，滑塊被拋光并順序地一個(gè)接一個(gè)分離，此時(shí)它仍然附著在工作件上。
然而，還沒(méi)有參考文獻(xiàn)說(shuō)明，在制造完成以后及裝配以前，處理遭受的損壞的問(wèn)題。這里需要的是一種方法，用來(lái)制造薄膜元件，便于容易分離各個(gè)元件，而且，在檢驗(yàn)，包裝和其它制造后的操作中仍保持條結(jié)構(gòu)，以減小操作的損壞。
本發(fā)明的主要目的是提供一種方便方法，用來(lái)制造薄膜元件，在那里所完成的元件形成條結(jié)構(gòu)，這種制造避免了在裝配以前，對(duì)各個(gè)元件的過(guò)多操作。本發(fā)明的另一目的是在裝配場(chǎng)所便于從條中容易地分離元件。
因此，要提供一種處理，在預(yù)處理晶片切割條上的各個(gè)元件之間形成部分切割。一個(gè)包含晶片襯底如Al2O3—TiC的晶片，淀積上器件的陣列，如磁頭。在晶片處理期間，在器件元件之間(如滑塊)，形成部分切割，在優(yōu)選實(shí)施例中，在條切割以前形成部分切割；它們或者是在晶片的單面上形成槽，或者是在晶片相對(duì)的面上形成雙槽。
另外，部分切割也可以在晶片被切成條以后形成，根據(jù)第一種條處理方法，槽被切入器件單元之間條的前表面，在背面留下條的完整性。在第二種方法中，槽是在鄰近器件表面的條的上表面。在第三種方法中，槽對(duì)被形成在器件單元之間條的上表面和下表面。最后一種方法，槽的深度從前表面到后表面是變化的，它在條的上表面按照第四種條的處理方法形成。
所公開(kāi)的每一種方法，都得到用部分切割分離完成的器件單元條。因此，條結(jié)構(gòu)被保留用到后面制造處理中，而僅在裝配以前方便地將元件分離。
本發(fā)明前述的和其它的特點(diǎn)和優(yōu)點(diǎn)從


的優(yōu)選方法和實(shí)施例中將是很明顯的。
圖1(a)是一個(gè)典型的預(yù)處理過(guò)的晶片的透視圖，在晶片上已經(jīng)淀積上了磁傳感器元件的陣列；圖1(b)是圖1(a)中晶片的滑塊單元的一個(gè)放大圖，包括一個(gè)磁傳感器元件；圖2是從圖1(a)晶片上切割一條滑塊的透視圖。
圖3(a)—(c)分別是在元件淀積以后預(yù)處理過(guò)的晶片的透視圖；在3邊整修后的同樣晶片圖和在行方向劃線以后同樣晶片圖。
圖4(a)是根據(jù)本發(fā)明的晶片處理方法，圖3(c)的晶片切槽以后的透視圖；圖4(b)是一放大的圖4(a)的晶片端視圖。
圖5(a)是根據(jù)本發(fā)明的晶片處理方法，部分切割的一條滑塊的透視圖。
圖5(b)是軌道(rail)成形后圖5(a)的一條滑塊的透視圖。
圖6是根據(jù)本發(fā)明的另一種晶片處理方法，部分切割的一條滑塊的透視圖。
圖7(a)是根據(jù)本發(fā)明的條處理方法，在部分切割以前從晶片切下的一條的透視圖。
圖7(b)是根據(jù)本發(fā)明的優(yōu)選條處理方法，部分切割的一條滑塊的透視圖。
圖8，9和10是根據(jù)本發(fā)明另外的條處理方法，部分切割的一條滑塊的透視圖。
現(xiàn)在，本發(fā)明將根據(jù)優(yōu)選實(shí)施例作詳細(xì)說(shuō)明。特別論及薄膜滑塊的制造。而且對(duì)在晶片制造領(lǐng)域有一般技術(shù)的人將會(huì)了解本發(fā)明亦可以用于其它小規(guī)模的器件的制造方面。此外，本發(fā)明并不限于目前了解的晶片制造技術(shù)。
圖1(a)顯示了具有預(yù)定厚度10的晶片11，典型地包括大約75％Al2O3和25％TiC的襯底。磁變換器的陣列12已經(jīng)在晶片的表面用通常方法形成，如化學(xué)蒸汽淀積或噴霧法，晶片11用熟知研磨技術(shù)被刻劃成滑塊單元14的多個(gè)條13。每一個(gè)這種滑塊單元14在滑塊制造完成時(shí)將成為獨(dú)立的薄膜滑塊。
圖1(b)是在圖1(a)的晶片11上形成的滑塊單元14中之一的放大視圖，它包括一個(gè)單個(gè)按照中心軌道(center—rail)滑塊設(shè)計(jì)的中心定向的傳感器元件16。根據(jù)本發(fā)明的方法，單或雙傳感器邊軌道(side—rail)設(shè)計(jì)亦可被采納。滑塊的空氣支撐23在條切片期間被顯露出來(lái)，并直接地與傳感器16鄰近。
圖2(a)顯示了根據(jù)已知的方法，從晶片切片滑塊單元的條21，每個(gè)滑塊單元的空氣支撐表面23是直接地在傳感器元件27附近，從后邊18延伸到前邊19的尺寸為長(zhǎng)度28。每個(gè)滑塊22的長(zhǎng)度28由晶片11的寬度10所決定。按照傳統(tǒng)的腐蝕和碾磨技術(shù)，滑塊條被處理，形成空氣支撐表面23的軌道。例如，圖2(b)中顯示了一軌道結(jié)構(gòu)。它包括在ABS23上定義的3個(gè)軌道23，24，25。許多在滑塊的條21上形成空氣支撐表面23的方法是目前知道的且同本發(fā)明無(wú)關(guān)。因此，不再進(jìn)一步詳細(xì)討論。
通常，一旦條處理被完成時(shí)，一條滑塊被切成小塊形成獨(dú)立的滑塊。根據(jù)本發(fā)明，在滑塊單元之間形成部分切割，以限定各個(gè)滑塊，但它們并不分離。因此，這條滑塊原封不動(dòng)保留著，以便以后檢查，包裝和運(yùn)輸。部分切割亦可以通過(guò)下面所述處理，在條切下之前或之后形成。
圖3(a)—(c)顯示了條切割處理過(guò)的晶片31的準(zhǔn)備步驟。在元件淀積以后，晶片被安裝到某種形式的夾持裝置上，對(duì)它整理，形成一對(duì)垂直邊沿32，34和一個(gè)水平邊沿33，如圖3(b)所示。然后這晶片如圖3(e)所示被劃線，在變換器元件(沒(méi)有顯示出)的條之間形成很多水平線35。I.晶片處理的部分切割A(yù).雙槽根據(jù)本發(fā)明優(yōu)先選用的“雙槽”方法，現(xiàn)在，有很多垂直槽41對(duì)準(zhǔn)備好的晶片的淀積面進(jìn)行切割，如圖4(a)所示。最好，槽41具有小于一半的晶片厚度36的深度。例如在厚度36的1/a和1/b之間。通常，研磨可用于“毫微—滑塊”的制造中，如那些當(dāng)今所用典型的31/2英寸溫徹斯特(winchester)盤驅(qū)動(dòng)器，具有尺寸大約如2mm長(zhǎng)×1.6mm寬×0.425mm厚。對(duì)更小尺寸的滑塊，如“微微—滑塊”(如1.25mm長(zhǎng)×1.0mm寬×0.3mm厚)，用如激光燒蝕，離子研磨和超聲波切削更為合適。
在形成槽以后，晶片從夾持裝置上移出，翻轉(zhuǎn)過(guò)來(lái)，再安裝。然后，在晶片反面切槽，再則最好深度是小于晶片厚度36的一半。使每個(gè)槽同晶片的淀積面上槽相對(duì)準(zhǔn)。每個(gè)調(diào)整的槽對(duì)的總深度是大于總的晶片厚度。因此，在器件列之間留下襯底的連結(jié)部分。
雙槽41，42起因于圖4(b)所示前面各步?；瑝K單元的2條44部分被顯示，它包括晶片的淀積面37，及顯露的第一條空氣面40。條44由劃線35限定。在一條內(nèi)的每個(gè)滑塊單元進(jìn)一步由根據(jù)本發(fā)明形成的雙槽41，42所限定。通過(guò)不切開(kāi)留在槽41，42之間襯底的連接部分45，保持晶片完整性。連結(jié)部分的厚度是仔細(xì)選擇的，以提供足夠阻力，防止在切割條處理和操作時(shí)破損。還有它也必須容易用很小切斷力分離滑塊，不致在以后損壞滑塊。例如，在50％滑塊制造中，厚度48的優(yōu)選值是在0.300nm和0.600nm之間。
在條分離以前，每個(gè)連結(jié)部分45的區(qū)域用虛線49表示，它們從空氣支撐表面40附近被切割成凹槽連結(jié)器45，這凹槽的深度仔細(xì)選擇，以保證完成的滑塊的空氣支撐特性不變。例如，在50％滑塊制造中，凹槽接近0.020nm。通過(guò)在箭頭38A和38B方向中每個(gè)滑塊單元46之間研磨得到分離。另外，分離亦可在條切片以后(參見(jiàn)圖5(a)中的虛線)在各條上實(shí)現(xiàn)。再返回到圖4(a)，參看從晶片31的邊33切割下的一個(gè)滑塊條。一橫條的一段顯示于圖5(a)中。每個(gè)滑塊單元46包括一淀積表面3 7，數(shù)據(jù)頭43處于此表面上，一個(gè)空氣支撐表面40和處于ABS40隱蔽處的連結(jié)部分45，每個(gè)橫條可以裝到為下面條處理用的工作表面上。例如，圖5(b)顯示在形成軌道以后的圖5(a)的橫條。一個(gè)3軌道結(jié)構(gòu)51，52，53被顯示。一旦條處理完成，完整的條準(zhǔn)備好以檢查，包裝和運(yùn)輸?shù)窖b配場(chǎng)所。
僅在裝配前，通過(guò)給完成的滑塊單元之間連接部分45施加很小切斷力，滑塊從橫條中分開(kāi)，這或者用人工或者用適當(dāng)分離器輔助。
B.單槽在另一種情況中是“單槽”方法。很多垂直槽切在準(zhǔn)備的晶片31的淀積面37內(nèi)深度大約是晶片厚度36的4/5(參考圖4(a))。然后，條被切割，如圖6所示，從滑塊形成橫條，用這種方法制備的條包括部分62如顯示的那樣，沿條棒的基同滑塊單元46相連。連結(jié)器62故意被定位遠(yuǎn)離滑塊的“尾部邊沿”傳感器63，以使空氣支撐特性改變最小。這方法消除了很多在雙槽方法時(shí)的步驟。另一方面，因?yàn)闂l分離發(fā)生在薄的連結(jié)部分62中，整個(gè)收益可能是比較低的。II.條處理的部分切割作為晶片處理的另一種，通過(guò)條處理能形成部分切割，例如在圖7(a)中，所顯示條有正面的表面72，在這面上有很多傳感器件71，已被淀積，后表面73，上下表面74，75和兩個(gè)端表面76，77。經(jīng)處理的條被放在工作面上并按照知道的方法，如真空吸附保持在這地方。
圖7(b)說(shuō)明根據(jù)本發(fā)明的第一種方法形成部分切割條。很多槽78被切割到條上，例如，通過(guò)運(yùn)轉(zhuǎn)一個(gè)工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)研磨刀具，進(jìn)入到滑塊單元83之間條的器件邊72。刀具從器件邊72向著后表面73切割，在切割完全通過(guò)襯底之前停止。因此，限定但不切斷滑塊單元83.5個(gè)單元83僅為了說(shuō)明目的而被顯示，一個(gè)相對(duì)小襯底79部分保持在滑塊單元83之間并沿后表面73方向把它們連結(jié)起來(lái)。槽長(zhǎng)度70是小心選擇的，以提供足夠強(qiáng)度為了在以后處理時(shí)期保持條結(jié)構(gòu)，此外，也要保證用很小切斷力時(shí)容易使滑塊分離。槽78可以是平行的，如圖7(b)所示。另外，對(duì)非矩形的薄膜元件條，楔形或斜向切割更為合適。而且，切割亦可以用如激光燒蝕方法，離子研磨，超聲波切削和活性離子腐蝕方法。注意，圖7(b)的結(jié)果條在結(jié)構(gòu)上實(shí)質(zhì)上同根據(jù)本發(fā)明的晶片處理得到圖6是相同的。
現(xiàn)在參考圖8來(lái)說(shuō)明第2種條處理方法。如同前面方法一樣，滑塊單元的條如圖7(a)那樣被固定在工作面上。其次，很多V型凹槽81在上面74上形成，例如，用工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)楔形研磨刀(taperedgrinding blade)。凹槽81從元件面72水平地延伸到背面73，且有一個(gè)預(yù)定深度，以使襯底82部分保持沿底面75方向連接滑塊單元。如同前面方法，凹槽深度是小心選擇的，以使強(qiáng)度均衡，滑塊切割容易。凹槽81可以是平行的，如顯示那樣，斜形是為適合其它薄膜元件的形狀。
圖9顯示了V—凹槽方法的變化。V型凹槽在條的上表面74上形成，例如用楔型研磨刀，以限定各個(gè)滑塊單元。然后，整個(gè)條從工作面上拿開(kāi)，反轉(zhuǎn)過(guò)來(lái)并重新安裝上以顯露下表面75。然后在那表面上形成很多V型凹槽，調(diào)整每個(gè)槽92同上表面74上形成的槽81相符合，如顯示的那樣。
所形成部分切割的另一種方法示于圖10中。很多具有變化深度的槽101在條上被形成。例如，一個(gè)工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)楔形研磨刀，用一可以調(diào)節(jié)的切割高度開(kāi)始對(duì)滑塊單元83之間條的前表面進(jìn)行切割。當(dāng)切刀從器件邊72向著背面73切割時(shí)，切割深度逐漸降低，然后再逐漸增加。在滑塊單元83之間，沿著下面75，襯底102部分連結(jié)在一起。連結(jié)部分102呈鐘形曲線形狀，雖然，其它形狀也是可以的。影響形狀的主要因素是工藝性，所需的連結(jié)強(qiáng)度，滑塊分離容易和在滑塊分離以后，在空氣支撐特性方面，襯底部分102的影響。鐘形曲線形狀包含一相對(duì)地簡(jiǎn)單的切割處理。并故意地隱蔽在離ABS一足夠的距離，以便有效地消除空氣支撐干擾。槽101如顯示那樣不必平行，也可以是斜形以適合不同元件類型。另外一種研磨如前面提出的方法亦可以用來(lái)形成槽101。
雖然已經(jīng)參照有關(guān)的幾種薄膜塊的制造方法，描述了本發(fā)明，但是，可以理解的，其他的一般慨念的實(shí)現(xiàn)也可以形成，它并不脫離本發(fā)明權(quán)利要求書的精神和范圍。
權(quán)利要求
1.在薄膜元件條內(nèi)，形成部分切割的方法，包括步驟在預(yù)先確定厚度的晶片上有第一和第二平面的表面，所說(shuō)的第一平面的表面包括很多器件，以行和列陣列淀積在上面，在所說(shuō)第一平面的表面上，首先形成很多預(yù)定深度的槽，每個(gè)槽靠近所說(shuō)器件列的一個(gè)；從所說(shuō)晶片上切割所說(shuō)器件條，每條包括很多器件單元，通過(guò)在附近槽上施加很小切斷力，單元能從所說(shuō)條上分離。
2.權(quán)利要求1的方法，其特征在于，在條切斷以前，在所說(shuō)第二平面的表面上，第二次預(yù)定深的很多槽被形成，每個(gè)槽實(shí)質(zhì)上同所說(shuō)第一平面的表面上的對(duì)應(yīng)槽對(duì)準(zhǔn)，且實(shí)質(zhì)上每個(gè)定位槽對(duì)的聯(lián)合深度是小于所說(shuō)晶片的的厚度。
3.權(quán)利要求1的方法，其特征在于所說(shuō)的槽由研磨開(kāi)成。
4.權(quán)利要求1的方法，其特征在于所說(shuō)的槽由離子研磨形成。
5.權(quán)利要求1的方法，其特征在于所說(shuō)的槽由超聲波切割形成。
6.權(quán)利要求1的方法，其特征在于所說(shuō)的槽由激光燒蝕形成。
7.權(quán)利要求1的方法，其特征在于所說(shuō)的槽由活性離子腐蝕形成。
8.權(quán)利要求1的方法，其特征在于所說(shuō)的器件單元還包括滑塊。
9.權(quán)利要求8的方法，其特征在于所說(shuō)的每個(gè)薄膜滑塊至少包括一個(gè)傳感器元件。
10.權(quán)利要求9的方法，其特征在于所說(shuō)的傳感器元件包括一磁記錄頭。
11.在一條薄膜元件中，形成部分切割的方法，包括步驟從預(yù)定厚度的晶片中切割器件的一條，所說(shuō)晶片包括第一和第二平面的表面，且很多器件以行和列陣列淀積在所說(shuō)第一平面的表面；且為了確定很多器件單元，在條上的器件之間，形成部分切割，其中，每個(gè)器件單元是可從所說(shuō)條上分離開(kāi)，只要對(duì)附近的部分切割處施加小的切斷力。
12.權(quán)利要求11的方法，其特征在于所說(shuō)的條包括一個(gè)前表面，其上有很多的淀積器件，一個(gè)后表面，延伸達(dá)所說(shuō)條長(zhǎng)度的上表面和下表面，第一和第二個(gè)端表面，所說(shuō)的部分切割被通過(guò)很多預(yù)定深度的凹槽形成，這些凹槽沿著所說(shuō)上表面，從所說(shuō)前表面延伸到后表面，所說(shuō)的器件單元，沿著所說(shuō)的下表面保持連結(jié)。
13.權(quán)利要求12的方法，其特征在于沿著所說(shuō)的下表面，有很多凹槽被形成，每個(gè)槽實(shí)質(zhì)上同所說(shuō)的上表面的槽對(duì)準(zhǔn)，并從所說(shuō)的前表面延伸到后表面，所說(shuō)的器件單元，實(shí)質(zhì)上每對(duì)定位槽之間保持著連結(jié)。
14.權(quán)利要求12的方法，其特征在于所說(shuō)的槽用楔型研磨刀形成。
15.權(quán)利要求11的方法，其特征在于每個(gè)條包括一前表面，有很多器件淀積在上面，一個(gè)后表面，延伸達(dá)所說(shuō)條的長(zhǎng)度的上表面和下表面，及第一個(gè)和第二個(gè)端面，所說(shuō)的部分切割通過(guò)切割很多槽口形成，這些槽口在所說(shuō)的條的元件單元之間，以預(yù)定的距離，從所說(shuō)前表面到所說(shuō)的后表面，所說(shuō)器件單元沿后表面保持著連結(jié)。
16.權(quán)利要求11的方法，其特征在于，每條包括一個(gè)前表面，在上面淀積很多器件，一個(gè)后表面，延伸了所說(shuō)條的長(zhǎng)度的上表面和下表面，及第一和第二端表面，所說(shuō)的部分切割被形成，通過(guò)首先切割很多槽口，通過(guò)所說(shuō)的條從所說(shuō)前表面延伸到所說(shuō)的后表面，其次切割很多槽口，通過(guò)所說(shuō)的條從所說(shuō)的后表面延伸到對(duì)應(yīng)的從前表面延伸的槽口之一，所說(shuō)的器件單元，在各自的前槽口和后槽口對(duì)之間保持著連結(jié)。
17.權(quán)利要求11的方法，其特征在于每條包括一個(gè)前表面，其上淀積很多器件，一個(gè)后表面，延伸了所說(shuō)條的長(zhǎng)度的上表面和下表面，第一端面和第二端面，且所說(shuō)的部分切割是通過(guò)在所說(shuō)的上表面的很多切割，從所說(shuō)前表面延伸到所說(shuō)的后表面形成，其深度從所說(shuō)前表面到后表面是不同的，所說(shuō)的器件單元沿著所說(shuō)的下表面保持著連結(jié)。
18.權(quán)利要求17的方法，其特征在于每個(gè)切割深度，從所說(shuō)前表面開(kāi)始，以預(yù)定的距離逐漸降低，然后，向著所說(shuō)后表面逐漸增加。
19.制造薄膜磁頭的方法，包括步驟在具有第一和第二平面的表面的預(yù)定厚度的晶片上，以行和列陣列形式在所說(shuō)的第一平面的表面上淀積很多磁頭；首先在第一平面的表面上，形成很多預(yù)定深度的槽，每個(gè)槽在所說(shuō)的磁頭列之一附近，且從所說(shuō)晶片上，切割所說(shuō)磁頭條，每條包括很多滑塊，這些滑塊可以從所說(shuō)條中分開(kāi)，只要適當(dāng)小的切斷力加到鄰近的槽上。
20.權(quán)利要求19的方法，其特征在于，在要切割之前，第二個(gè)預(yù)定深度的很多槽被形成在所說(shuō)第二平面的表面，每個(gè)槽實(shí)質(zhì)上同第一平面的表面上槽相對(duì)準(zhǔn)，實(shí)質(zhì)上，每個(gè)槽對(duì)的聯(lián)合深度是小于晶片的厚度。
21，制造薄膜磁頭的方法，包括步驟預(yù)定厚度的晶片上具有第一和第二平面的表面，在第一平面表面上，以行和列陣列的形式淀積很多磁頭；從所說(shuō)晶片上，切割磁頭的一條。在所說(shuō)的條上，所說(shuō)的器件之間形成部分切割，以限定出許多滑塊，每個(gè)滑塊通過(guò)施加很小的切斷力到相鄰的切割部分，可從所說(shuō)的條上分離。
22.權(quán)利要求21的方法，其特征在于所說(shuō)條包括一個(gè)前表面，其上淀積很多磁頭，一后表面，延伸了條的長(zhǎng)度的上表面和下表面，第一和第二端表面，所說(shuō)的部分切割是通過(guò)很多預(yù)定深度的凹槽形成，這些槽沿著所說(shuō)上表面，從所說(shuō)前表面延伸到所說(shuō)后表面，所說(shuō)滑塊沿著下表面保持著連結(jié)。
23.權(quán)利要求22的方法，其特征在于沿著所說(shuō)下表面形成很多凹槽，每個(gè)槽實(shí)質(zhì)上同上表面槽對(duì)準(zhǔn)，從所說(shuō)前表面向后表面延伸，所說(shuō)滑塊實(shí)質(zhì)上在槽對(duì)之間保持相連。
24.權(quán)利要求22的方法，其特征在于所說(shuō)凹槽用楔型研磨刀作成。
25.權(quán)利要求21的方法，其特征在于每條包括一個(gè)前表面，其上淀積很多磁頭，一個(gè)后表面，延伸了所說(shuō)條的長(zhǎng)度的上表面和下表面，及第一和第二端表面，所說(shuō)的部分切割是，通過(guò)在所說(shuō)的條的器件單元之間，切割很多槽口形成，以預(yù)定距離從所說(shuō)前表面到所說(shuō)后表面，所說(shuō)器件單元沿著所說(shuō)后表面保持連結(jié)。
26.權(quán)利要求21的方法，共特征在于每條包括一前表面，其上淀積很多器件，一個(gè)后表面，延伸了所說(shuō)條的長(zhǎng)度的上表面和下表面，第一和第二端面，且所說(shuō)的部分切割是通過(guò)首先切割很多槽口，通過(guò)所說(shuō)條從所說(shuō)前表面延伸到所說(shuō)后表面；其次切割很多槽口，通過(guò)所說(shuō)的條，從所說(shuō)的后表面延伸到對(duì)應(yīng)的從所說(shuō)前表面延伸的槽口之一，所說(shuō)的滑塊，在各自的前槽口和后槽口之間保持著連結(jié)。
27.權(quán)利要求21的方法，其特征在于，每條包括一前表面，其上淀積很多磁頭，一后表面，延伸了所說(shuō)條的長(zhǎng)度的上表面和下表面，第一和第二端面，所說(shuō)的部分切割是通過(guò)在上表面的很多切割，從前表面延伸到后表面形成，其深度從前表面到后表面是不同的，所說(shuō)的滑塊沿著所說(shuō)的下表面部分保持著連結(jié)。
28.權(quán)利要求27的方法，其特征在于每個(gè)切割深度，從所說(shuō)前表面開(kāi)始，以預(yù)定距離逐漸減低，然后，向著所說(shuō)后表面逐漸增加。
29.按照一方法形成的薄膜元件的條，包括步驟在具有第一和第二平面的預(yù)定厚度的晶片上，以行和列陣列的形式，在所說(shuō)的第一平面的表面上淀積很多器件。首先在第一平面的表面，形成很多預(yù)定深度的槽，每個(gè)槽被安排靠近所說(shuō)器件的一列；且從所說(shuō)晶片切割器件條，每條包括很多器件單元，用適當(dāng)小切斷力加到槽附近，器件單元可從所說(shuō)的條分離開(kāi)。
30.權(quán)利要求29的條，其特征在于，在條切割之前，預(yù)定深度的另外一些大量槽在所說(shuō)第二平面的表面形成，每個(gè)槽實(shí)質(zhì)上同相應(yīng)第一平面的表面的槽相對(duì)準(zhǔn)，每個(gè)定位槽對(duì)聯(lián)合深度實(shí)質(zhì)上小于晶片厚度。
31.權(quán)利要求29的條，其特征在于，所說(shuō)的器件包括磁傳器器及包括滑塊的器件單元。
32.按照一種方法形成的薄膜元件條，包括步驟在預(yù)定厚度的晶片上具有第一和第二平面的表面，在第一平面的表面上，以行列陣列的形式淀積很多器件；從所說(shuō)的晶片上切割一個(gè)所說(shuō)的器件條；在條內(nèi)，器件之間形成部分切割，因此，大量器件單元被限定，且通過(guò)對(duì)鄰近切割處施加很小切斷力器件單元從條上可分離開(kāi)。
33.權(quán)利要求32的方法，其特征在于所說(shuō)條包括具有很多淀積器件的前表面，一個(gè)后表面，延伸了所說(shuō)條的長(zhǎng)度的上表面和下表面，第一和第二端表面，且所說(shuō)的部分切割是通過(guò)很多預(yù)定深度的凹槽，沿著所說(shuō)上表面，從所說(shuō)的前表面延伸到所說(shuō)后表面形成，所說(shuō)器件單元沿著所說(shuō)下表面保持連結(jié)。
34.權(quán)利要求33的方法，其特征在于，大量的槽沿著所說(shuō)下表面被形成，每個(gè)槽實(shí)質(zhì)上同所說(shuō)上表面的槽對(duì)準(zhǔn)，從所說(shuō)的前表面延伸到后表面，所說(shuō)的器件單元實(shí)質(zhì)上在槽對(duì)之間保持著連結(jié)。
35.權(quán)利要求33的方法，其特征在于所說(shuō)槽用楔型研磨刀形成。
36.權(quán)利要求32的方法，其特征在于每條包括前表面，其上淀積大量器件，一后表面，延伸了所說(shuō)條的長(zhǎng)度的上表面和下表面，第一和第二端表面，且所說(shuō)的部分切割通過(guò)切割很多槽口形成，這些槽口在所說(shuō)的條的元件單元之間，以預(yù)定的距離，從所說(shuō)的前表面到所說(shuō)后表面，所說(shuō)器件單元沿著所說(shuō)后表面保持著連結(jié)。
37.權(quán)利要求32的方法，其特征在于，每條包括一前表面，其上淀積大量器件，一個(gè)后表面，延伸了所說(shuō)條的長(zhǎng)度的上表面和下表面，第一端面和第二端面，且所說(shuō)的部分切割被形成，通過(guò)首先切割很多槽口，通過(guò)所說(shuō)條從所說(shuō)前表面延伸到所說(shuō)后表面；其次切割很多槽口，通過(guò)所說(shuō)的條從所說(shuō)后表面延伸到對(duì)應(yīng)的從所說(shuō)前表面延伸的槽口之一，所說(shuō)的器件單元分別在前和后槽口對(duì)之間保持連結(jié)。
38.權(quán)利要求32的方法，其特征在于每個(gè)條包括一個(gè)前表面，其上淀積大量器件，一個(gè)后表面，延伸達(dá)所說(shuō)條的長(zhǎng)度的上表面和下表面，第一和第二端面，且所說(shuō)的部分切割是通過(guò)在上表面上大量切割形成，其深度從前表面到后表面是變化的，所說(shuō)的器件單元沿著所說(shuō)下表面保持著連結(jié)。
39.權(quán)利要求38的方法，其特征在于每個(gè)切割深度以預(yù)定距離，從所說(shuō)前表面開(kāi)始逐漸降低，然后，通到所說(shuō)的后表面逐漸增加。
40.權(quán)利要求32的條，其特征在于所說(shuō)器件包括磁傳感器，且所說(shuō)器件單元包括滑塊。
全文摘要
一種方法，使得操作各個(gè)薄膜元件引起損壞最小，所公開(kāi)的這種方法給出了完整的滑塊條的結(jié)構(gòu)，這種滑塊可從二種方法中一種來(lái)確定晶片處理或條處理，以在器件各單元之間形成部分切割，這樣得到的部分切割，在制作以后，如在檢驗(yàn)和包裝以后保持著條的結(jié)構(gòu)，但是允許在裝配以前能很容易的分離完整的滑塊。
文檔編號(hào)B28D5/02GK1122518SQ9510504
公開(kāi)日1996年5月15日 申請(qǐng)日期1995年4月17日 優(yōu)先權(quán)日1994年5月23日
發(fā)明者蘭德?tīng)枴ね旭R斯·克什, 約翰·約瑟夫·科特拉 申請(qǐng)人:國(guó)際商業(yè)機(jī)器公司