一種微晶鏡面拋光墻面磚的制作方法
【專利摘要】一種微晶鏡面拋光墻面磚，屬于陶質施釉磚【技術領域】。包括底磚，其特征在于：所述的底磚為陶坯底磚（1），在所述的陶坯底磚（1）上設有由自下而上逐層施加的底釉層（2）、面釉層（3）、噴花層（4）、全拋釉層（5）形成的秞面層。本實用新型的微晶鏡面拋光磚中增加特定組成的發(fā)色面釉層，使得本實用新型微晶鏡面拋光磚在陶坯底磚上實現了釉下彩。解決了低溫燒結的陶質磚的釉層間膨脹系數不匹配的問題，釉面不會發(fā)生開裂。
【專利說明】一種微晶鏡面拋光墻面磚

【技術領域】
[0001]—種微晶鏡面拋光墻面磚,屬于陶質施釉磚【技術領域】。

【背景技術】
[0002]陶瓷磚從底坯的用料可以分為瓷質磚和陶質磚兩類。目前的技術中只有在瓷質底坯的磚中應用全拋釉技術制得微晶磚。瓷質磚采用一次燒成工藝，即在未燒制的素坯上堆積各種釉和噴花后一次煅燒即得。因為瓷的燒成溫度較高，大都在1200°C以上，甚至有的達到1400°C左右。所得瓷質磚在高溫下能夠更好的發(fā)色，噴花層之上的拋光釉層透明度也較高，也不會出現鼓泡、氣孔、釉面不平的現象。
[0003]但是陶質磚因為底坯是陶質的原因，需采用二次燒結工藝，即先進行素坯燒結，再在燒結陶坯上施釉后進行二次燒結。陶的燒成溫度最低達到800°C以下，最高也只有1100°C左右。因為陶質磚釉層間膨脹系數不匹配的原因，造成釉層易龜裂、表面拋光亮度低的問題。
實用新型內容
[0004]本實用新型要解決的技術問題是:克服現有技術的不足，提供一種不易磨損、表面拋光亮度高的微晶鏡面拋光磚。
[0005]本實用新型解決其技術問題所采用的技術方案是:該微晶鏡面拋光磚，包括底磚，其特征在于:所述的底磚為陶坯底磚，在所述的陶坯底磚上設有由自下而上逐層施加的底釉層、面釉層、噴花層、全拋釉層形成的釉面層。
[0006]本實用新型微晶鏡面拋光磚的特點是在陶坯底磚上實現了釉下彩，即噴花層之上還有透明的全拋釉層。通過在底釉層和噴花層之間加設面釉層，解決了低溫燒結的陶質磚的釉層間膨脹系數不匹配的問題，釉面不會發(fā)生開裂。從而使微晶鏡面拋光磚的噴花層和全拋釉層結合牢固可靠，全拋釉層的釉面平整、透明度高。因為噴花層之上有更抗磨的全拋釉層，噴花層的花面不會出現磨損，花面保持時期更長久。
[0007]所述的陶坯底磚的底面上設有防脫凸起。在微晶鏡面拋光磚在立墻上使用時粘接牢固。不易脫落。
[0008]所述的面釉層的厚度為0.15 mm?0.3mm。發(fā)色面釉的發(fā)色作用保證噴墨在陶的燒成溫度下發(fā)色完全，發(fā)色面釉的厚度在該范圍時能夠保證發(fā)色不受底釉的影響，應能保證陶還底磚形成的氣泡快速通過。
[0009]本實用新型的鏡面拋光磚采用二次燒成工藝，熱穩(wěn)定性更好，亮度提高，從傳統(tǒng)的80%提高到95%以上。解決了釉面不平表面毛糙有針孔的問題。
[0010]與現有技術相比，本實用新型的微晶鏡面拋光磚所具有的有益效果是:本實用新型的微晶鏡面拋光磚中增加特定組成的發(fā)色面釉層，使得本實用新型微晶鏡面拋光磚在陶坯底磚上實現了釉下彩。解決了低溫燒結的陶質磚的釉層間膨脹系數不匹配的問題，釉面不會發(fā)生開裂。從而使微晶鏡面拋光磚的噴花層和全拋釉層結合牢固可靠，全拋釉層的釉面平整、透明度高，使得本實用新型的這種陶至墻面磚的釉面層形成鏡面效果。板面平整潔凈，色調均勻一致，紋理清新雅致、光澤柔和晶瑩、質地堅硬細膩、不吸水、防污染、耐酸堿抗風化。通過發(fā)色面釉形成的發(fā)色作用保證噴墨在陶的燒成溫度下發(fā)色完全，色彩效果更加。同時在發(fā)色面釉的保濕性下在噴花層外施加拋光釉后，釉層也不再龜裂、不起釉泡，表面拋光亮度也提高到95%以上。

【專利附圖】

【附圖說明】
[0011]圖1是本實用新型微晶鏡面拋光磚的層狀結構示意圖。
[0012]其中:1、陶坯底磚2、底釉層 3、面釉層 4、噴花層5、全拋釉層6、防脫凸起。

【具體實施方式】
[0013]圖1是本實用新型微晶鏡面拋光磚的最佳實施例，下面結合附圖1對本實用新型做進一步說明。
[0014]參照附圖1:本實用新型的一種微晶鏡面拋光墻面磚，包括陶坯底磚1，陶坯底磚I的上表面上自下而上逐層施加有底釉層2、面釉層3、噴花層4、全拋釉層5。底釉層2、面釉層3、噴花層4、全拋釉層5經燒制拋光后，形成具有鏡面效果的釉面層。陶坯底磚I的底面上設有防脫凸起6。
[0015]為防止釉層在燒制過程中龜裂或起釉泡，陶坯底磚I在燒制成陶坯底磚后體膨脹系數在20(Γ210。底釉層2燒制時的體膨脹系數在21(Γ220。面釉層3燒制時的體膨脹系數在18(Γ185。全拋釉層5燒制時的體膨脹系數一般在16(Γ170。
[0016]具體制備方式為:
[0017]I)將陶土原料在球磨、制粉、陳腐后壓制成型制得素坯，將壓制成型的素坯進行一次燒制，控制一次燒制的燒成溫度在1060°C?1100°C，燒結時間43 min?48min，將一次燒制制得的陶坯底磚噴水處理，噴水量控制每0.18平米18?23克；
[0018]2)噴水后的陶坯底磚上先施加底釉，底釉的施加厚度為0.2 mm3mm，在底釉上再施加面釉，面釉的原料可以采用但不限于以下重量份組成:釉料100份、石英3?15份、高嶺土 5?12份、纖維素0.15、.2份，原料一起球磨，面釉的施加厚度為0.15 mm?0.2mm，在面釉上進行噴墨制花，然后再淋上拋光釉；
[0019]3)對三層施釉后的陶坯底磚進行二次燒制，控制二次燒制的燒成溫度在1080°C?1120°C，燒結時間為44 min?49min，二次燒制完成后經拋光即得。
[0020]以上所述，僅是本實用新型的較佳實施例而已，并非是對本實用新型作其它形式的限制，任何熟悉本專業(yè)的技術人員可能利用上述揭示的技術內容加以變更或改型為等同變化的等效實施例。但是凡是未脫離本實用新型技術方案內容，依據本實用新型的技術實質對以上實施例所作的任何簡單修改、等同變化與改型，仍屬于本實用新型技術方案的保護范圍。
【權利要求】
1.一種微晶鏡面拋光墻面磚，包括底磚，其特征在于:所述的底磚為陶坯底磚(1)，在所述的陶坯底磚(I)上設有由自下而上逐層施加的底釉層(2)、面釉層(3)、噴花層(4)、全拋釉層(5)形成的釉面層。
2.根據權利要求1所述的一種微晶鏡面拋光墻面磚，其特征在于:所述的陶坯底磚(I)的底面上設有防脫凸起(6)。
3.根據權利要求1所述的一種微晶鏡面拋光墻面磚，其特征在于:所述的面釉層(3)的厚度為0.15 mm?0.3mm。
【文檔編號】C04B41/89GK204079810SQ201420531010
【公開日】2015年1月7日 申請日期:2014年9月16日 優(yōu)先權日:2014年9月16日
【發(fā)明者】李亮 申請人:淄博格倫凱陶瓷有限公司