透明的反射紅外線的層系統(tǒng)的制作方法
【專利摘要】一種透明的、反射紅外線的層系統(tǒng)，其布置在基材(S0)上并且從基材(S0)向上觀察包括至少帶有一個(gè)基底層的基底層組件(GA)，至少帶有一個(gè)功能層(F)的功能層組件(FA、FA1、FA2)以及至少帶有一個(gè)覆蓋層(D1、D2)的覆蓋層組件(DA)。為了在維持能通過層系統(tǒng)獲得的、特別是在透射和色彩穩(wěn)定性方面的退火能力的情況下，進(jìn)一步降低反射紅外線的層系統(tǒng)的發(fā)射率，功能層組件(FA、FA1、FA2)包括位于功能層之下的起始層，該起始層包括下方起始子層(K1)和上方起始子層(K2)。
【專利說明】透明的反射紅外線的層系統(tǒng)

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001] 本實(shí)用新型涉及一種透明的反射紅外線（IR)的層系統(tǒng)，其布置在透明的基材上。

【背景技術(shù)】
[0002] 透明的反射紅外線的層系統(tǒng)，屬于它的還有半透明的層系統(tǒng)并且在以下被稱為反 射紅外線的層系統(tǒng)，在隔熱玻璃中被公知為所謂的低輻射層系統(tǒng)。這種反射紅外線的層系 統(tǒng)應(yīng)當(dāng)防止熱輻射，也就是說具有微小的能量發(fā)射。根據(jù)基爾霍夫輻射定律，其在紅外線 (IR)的波長(zhǎng)范圍內(nèi)同樣地具有低吸收以及高反射。按照不同地應(yīng)用，在陽光總輻 射（太陽能透射）的范圍中的高透射或者可針對(duì)性地調(diào)整的透射是同時(shí)期望的，該陽光總 輻射的范圍包括300nm直至小于3iim(陽光范圍）的近紅外線（NIR)和可見光（VIS)的波 長(zhǎng)范圍。限定在可見光范圍的透射相對(duì)于能量透射的比例表明了對(duì)于可見光的濾光效果， 并被稱為選擇性（SelektivitSt)。在建筑物玻璃中，玻璃的高的太陽能透射在以能量損失為 主的氣候區(qū)中是優(yōu)選的，據(jù)此獲得太陽能增益，而在主要通過玻璃來保有能量的氣候區(qū)中， 微小的能量透射以及與之相關(guān)地所使用的玻璃的高選擇性是有優(yōu)勢(shì)的。
[0003] 在第一種、以隔熱玻璃來實(shí)施所需的低輻射層系統(tǒng)的情況下，在光的NIR到IR過 渡中的陡峭的邊緣是所期望的，其代表了透射的強(qiáng)烈下降以及反射的強(qiáng)烈上升，其中有規(guī) 律地，反射-透射邊緣隨著起作用的紅外線反射層數(shù)量的上升而變得更加陡峭。在第二種、 也被稱為防曬玻璃（陽光低輻射）的情況下，在整個(gè)陽光范圍中的透射是減少的和/或防 曬玻璃是能針對(duì)性地調(diào)整層系統(tǒng)的色調(diào)的。此外，以上描述的透射下降的邊緣優(yōu)選在從可 見光（VIS)的光譜范圍到近紅外線（NIR)的光譜范圍過渡（位于約800nm處）的方向上偏 移。
[0004] 通常，反射紅外線的層系統(tǒng)從基材向上觀察首先包括基底層組件，其特別是用于 系統(tǒng)在玻璃上的粘附、化學(xué)和/或機(jī)械的耐久性和/或?qū)ο到y(tǒng)光學(xué)特性的調(diào)整，例如用于防 反光。
[0005] 在基底層組件上的是功能層組件，該功能層組件包括紅外線反射層以及可選地包 括其它的能夠支持這種功能的且影響它們的光學(xué)、化學(xué)、機(jī)械和電特性的層。紅外線反射層 通常由貴金屬（通常是銀）或貴金屬合金構(gòu)成。還使用包括金屬的或介電的鎳或鉻或二者 的合金的其它材料（通常為層）。這些材料又要求匹配其它屬于層系統(tǒng)的層。特別是阻隔 層以及吸收層屬于功能層組件的可選地補(bǔ)充性的層，這些阻隔層阻止或至少明顯減少了功 能層中的擴(kuò)散過程和遷移過程并且布置在紅外線反射層之上和/或之下，而光透射通過吸 收層設(shè)計(jì)為能調(diào)整的。
[0006] 反射紅外線的層系統(tǒng)通過覆蓋層組件向上地進(jìn)行封閉，該覆蓋層組件至少包括機(jī) 械上和/或化學(xué)上起穩(wěn)定作用的保護(hù)層。覆蓋層組件通常由金屬和/或金屬混合物和/或 半導(dǎo)體的介電的氧化物、氮化物或氮氧化物的一個(gè)或多個(gè)層構(gòu)成。這些介電材料被認(rèn)為是 無吸收的材料，這使其能具備所描述的光學(xué)功能。
[0007] 術(shù)語"層組件"通常情況下包括多于一個(gè)的層，但同樣也意味著：僅由本身實(shí)現(xiàn)相 應(yīng)的功能的單層構(gòu)成的層組件。各單層是歸屬于基底層組件、功能層組件、覆蓋層組件或其 它層組件，這不是在任何情況下都能被明確地實(shí)行的，這是因?yàn)槊恳粚蛹葘?duì)相鄰的層又對(duì) 整個(gè)系統(tǒng)有影響。通常，層的歸屬借助它的功能實(shí)現(xiàn)。
[0008] 因此，基底層組件通常歸為這樣的層，S卩，其主要是在基材和其它層序列之間的中 介?；讓咏M件的其它層，例如防反光層或保護(hù)層也可以影響作為整體的層系統(tǒng)的特性。
[0009] 功能層組件除了紅外線反射層之外還包括直接影響其特性的層，例如用來抑制相 鄰層到紅外線反射層中的擴(kuò)散過程的阻隔層，或者例如用于粘附相鄰層或調(diào)整相鄰層電學(xué) 或化學(xué)性征的中介層。
[0010] 覆蓋層組件的層向上地封閉層系統(tǒng)并且也可以像基底層組件那樣在功能方面影 響整個(gè)系統(tǒng)。
[0011] 如此構(gòu)建的所謂單層低輻射可以通過附加一個(gè)（雙層低輻射）或多個(gè)其它的功能 層組件來補(bǔ)充，所述其它的功能層組件通過聯(lián)接層組件或中間層組件構(gòu)建在第一功能層組 件上。上述的考慮還基于，層歸屬于中間層組件。單個(gè)層以及層組件的相應(yīng)的順序可以在 層組件的內(nèi)部或者在層組件的相繼次序中如下地修正，即，使得特殊的、通過應(yīng)用或制造過 程出現(xiàn)的要求可以被滿足。
[0012] 因此在層系統(tǒng)的制造進(jìn)程中，在已經(jīng)施布的層序列中出現(xiàn)不同的溫度負(fù)荷，所述 溫度負(fù)荷取決于與沉積相關(guān)的能量輸入或?qū)Τ练e的層的不同的處理步驟。
[0013] 除此之外，反射紅外線的層系統(tǒng)經(jīng)常經(jīng)受退火過程（Temperprozess)來使基材硬 化和/或變形。在這種情況下，這些層系統(tǒng)具有帶有這樣的層特性的層序列，這些層特性使 承載層系統(tǒng)的基材經(jīng)受熱處理，并且把層系統(tǒng)的此時(shí)出現(xiàn)的光學(xué)、機(jī)械和化學(xué)特性的變化 保持在限定的界限內(nèi)。根據(jù)經(jīng)涂層的基材的應(yīng)用的不同，基材的層系統(tǒng)在退火過程中在不 同的時(shí)間段內(nèi)經(jīng)受不同的環(huán)境條件。
[0014] 由于這些溫度負(fù)荷而發(fā)生了不同的、改變紅外線反射層的反射能力以及層系統(tǒng)的 透射的過程，特別是發(fā)生其它層的組分?jǐn)U散到紅外線反射層中以及相反的過程，并因此在 紅外線反射層中發(fā)生氧化過程。
[0015] 為了避免這種擴(kuò)散和氧化過程，在紅外線反射層的一側(cè)或兩側(cè)添加阻隔層，其用 作對(duì)擴(kuò)散組分的緩沖件。相應(yīng)于出現(xiàn)的溫度負(fù)荷來結(jié)構(gòu)化并布置這些阻隔層，并且保護(hù)敏 感的、經(jīng)常是非常薄的紅外線反射層或者多個(gè)紅外線反射層免受相鄰層的影響。通過添加 一個(gè)或多個(gè)阻隔層，特別是減少了由于退火過程而發(fā)生的層系統(tǒng)的色彩偏移和層系統(tǒng)的表 面電阻的增加。
[0016] 作為能退火的層系統(tǒng)的阻隔層，特別公知的是NiCr層或NiCrOx層，其封閉反射紅 外線的銀層或者至少在一側(cè)保護(hù)銀層。然而，阻隔層導(dǎo)致銀層的導(dǎo)電能力的下降，并因此導(dǎo) 致紅外線反射的減小。假如銀層以約50hm/sq的表面電阻沉積并嵌入到兩個(gè)NiCrOx層中， 那么這種嵌入導(dǎo)致表面電阻提高約1. 50hm/sq而達(dá)到6. 50hm/sq。在功能層厚度相同的情 況下的表面電阻的減小通過把起始層（Keimschicht)直接沉積在功能層之下來實(shí)現(xiàn)。對(duì)于 常見的反射紅外線的層系統(tǒng)，使用氧化鋅作為起始層。然而，表面電阻的下降從約8nm的厚 度起就達(dá)到了極限。
[0017] 除此之外確定了，層系統(tǒng)的反射特性和透射特性也通過由玻璃出發(fā)的擴(kuò)散過程而 受到影響。為了去除這種影響，通常在功能層組件的下方添加壁壘層，其應(yīng)當(dāng)減少玻璃的 鈉離子到層系統(tǒng)中的擴(kuò)散。還可以通過這種壁壘層減少質(zhì)量問題，其歸因于在未加工的玻 璃中未限定的初始狀態(tài)，也就是說，玻璃的（特別是在玻璃的鈉成分方面的）波動(dòng)的化學(xué)組 成。除此之外，其它的對(duì)玻璃的影響（如腐蝕或用于處理玻璃的抽吸器的擠壓）造成層系 統(tǒng)的特性的所不希望的改變，所述影響通過視覺上的檢查經(jīng)常是不確定的并且通過一般的 清潔不能清除。在這些對(duì)玻璃的影響的情況下特別不利的是，它們對(duì)層系統(tǒng)的特性的效應(yīng) 只有在退火過程之后才能被發(fā)現(xiàn)。
[0018] 不同的、起光學(xué)作用的層系統(tǒng)的沉積經(jīng)常借助濺射實(shí)現(xiàn)，這能夠?qū)崿F(xiàn)即使帶有非 常微小的層厚度的、適當(dāng)?shù)膯螌拥纳a(chǎn)，這些單層的組成和特性可以借助靶材、濺射類型以 及濺射參數(shù)以公知方式非常良好地且可復(fù)現(xiàn)地調(diào)整。
[0019] 起光學(xué)作用的、特別是反射紅外線的層系統(tǒng)經(jīng)常經(jīng)受不同的熱處理，例如用于使 經(jīng)涂層的基材硬化和/或變形的退火過程。在這種情況下，這些層系統(tǒng)具有這種帶有以下 層特性的層序列，即，使得在熱處理時(shí)出現(xiàn)的層系統(tǒng)的光學(xué)、機(jī)械和化學(xué)特性的改變保持在 規(guī)定的、狹窄的界限以內(nèi)。根據(jù)經(jīng)涂層的基材的應(yīng)用的不同，基材的層系統(tǒng)在退火過程中在 不同的時(shí)間段內(nèi)經(jīng)受不同的環(huán)境條件。 實(shí)用新型內(nèi)容
[0020] 本實(shí)用新型的任務(wù)在于，給出一種反射紅外線的層系統(tǒng)，其在維持可通過層系統(tǒng) 獲得的、特別是在透射和色彩穩(wěn)定性方面的退火能力的情況下，提高了公知的層系統(tǒng)的紅 外線反射并且因此降低了其發(fā)射率。
[0021] 為了解決這個(gè)任務(wù)，根據(jù)權(quán)利要求1提出了一種反射紅外線的層系統(tǒng)。其從屬權(quán) 利要求說明了有利的設(shè)計(jì)方案。
[0022] 被發(fā)現(xiàn)的是，通過根據(jù)本實(shí)用新型的兩件式起始層，能獲得功能層的表面電阻的 超出迄今為止的界限的進(jìn)一步降低。
[0023] 通過附加下部起始層，成功地把功能層的表面電阻降低了直至10%。層系統(tǒng)的修 改還能應(yīng)用于要退火的層系統(tǒng)。在此，甚至觀察到了增強(qiáng)效果。因此，根據(jù)本實(shí)用新型的經(jīng) 退火的層系統(tǒng)與傳統(tǒng)的層系統(tǒng)相比較具有減小了直至20%的表面電阻。由于表面電阻的厚 度相關(guān)性，能獲得的表面電阻值的比較涉及相同材料以及相同厚度的功能層。
[0024] 通過根據(jù)本實(shí)用新型的兩件式起始層可以修改公知的反射紅外線的層系統(tǒng)，而不 對(duì)層系統(tǒng)的其余光學(xué)性能指標(biāo)產(chǎn)生重大的改變。
[0025] 起始層規(guī)律地沉積在反射紅外線的功能層下方，以便對(duì)功能層的反射特性及其粘 附性產(chǎn)生正面影響。起始層作為種子層（seed layer)意義上的層而附加，其在沉積期間按 以下方式影響功能層的層結(jié)構(gòu)，即，獲得所期望的低表面電阻。優(yōu)化的層厚度通過試驗(yàn)或模 擬測(cè)定。對(duì)于根據(jù)本實(shí)用新型的起始層的子層，優(yōu)化的層厚度還能依賴于層系統(tǒng)所使用的 材料地通過試驗(yàn)或模擬測(cè)定。為了解決所提出的問題，要強(qiáng)調(diào)指出的是下方起始子層的層 厚度，其明顯處于基底層組件中的介電層的層厚度之下。相應(yīng)于本實(shí)用新型的設(shè)計(jì)方案，也 針對(duì)帶有銀功能層以及氧化鋅起始層的可選層系統(tǒng)，有利的是，層厚度處于lnm到18nm的 范圍中，優(yōu)選d = lnm_15nm。
[0026] 針對(duì)反射紅外線的層系統(tǒng)獲得了良好的發(fā)射率值，所述反射紅外線的層系統(tǒng)相應(yīng) 于本實(shí)用新型的設(shè)計(jì)方案地包括作為下方起始子層的主要組成部分的二氧化鈦。在現(xiàn)有技 術(shù)中用作具有較大層厚的介電的、降低反射的基底層的二氧化鈦意料不到地以在此使用的 層厚作為起始層并導(dǎo)致其上的功能層的，即退火的層系統(tǒng)的，表面電阻的所述降低。
[0027] 作為含有二氧化鈦或其它材料的層，在說明書中應(yīng)當(dāng)理解為以下的材料組成，其 主要的及確定光電特征的組成部分是已知的材料。其包含可能含有的工藝造成的污染物或 工藝造成的摻雜物，它們?cè)诔练e期間用于過程控制，或者例如在陰極霧化時(shí)用于靶向制造。 這種類型的污染物或工藝造成的摻雜物大多處在小于1 %的范圍中，但是也可以為幾個(gè)百 分點(diǎn)。
[0028] 可選地含有二氧化鈦的本實(shí)用新型的下部子層在還具有已知的包含銀的功能層 的另外的設(shè)計(jì)中與布置在功能層下的含有氧化鋅的起始層相連接地應(yīng)用。在本實(shí)用新型中 后者是上方起始子層。功能層以及上方起始子層的材料如上所述也可能含有的工藝造成的 污染物或摻雜物。對(duì)于氧化鋅例如已知的是，摻入最多10%的鋁成分。
[0029] 相應(yīng)于另一設(shè)計(jì)方案，根據(jù)本實(shí)用新型的起始層使得功能層通過僅一個(gè)、確切地 說布置在功能層上方的阻隔層來防止受到不期望的劣化?？蛇x地，層系統(tǒng)可以以公知的方 式通過構(gòu)造在基底層組件中的壁壘層防止受到來自基材的影響。
[0030] 根據(jù)本實(shí)用新型的起始層在帶有多于一個(gè)功能層組件的反射紅外線的層系統(tǒng)的 情況下同樣導(dǎo)致發(fā)射率的降低。為此，至少一個(gè)功能層組件例如具有下方的、上述的根據(jù)本 發(fā)明的兩件式起始層。其可具有所述設(shè)計(jì)方案。備選地，可以以這種方式構(gòu)造其它的或者 所有的功能層組件。
[0031] 為了保護(hù)反射紅外線的層系統(tǒng)在其使用期間免受大氣影響或者免于劣化，覆蓋層 組件可以包括含有氮氧化硅的層?？蛇x地，覆蓋層組件可以構(gòu)造為基于硅的混合層，其具有 氮氧化硅以及在氮氧化硅上的氮化硅的次序。這些保護(hù)層特別是還造成層系統(tǒng)的機(jī)械耐 抗性以及覆蓋層組件的耐刮劃性和粘附性方面的明顯改進(jìn)。假如覆蓋層組件含有混合層， 那么該混合層既可以構(gòu)造為梯度層，也可以由子層組成地構(gòu)造，其中，子層例如直接彼此相 鄰。此外，這些備選的覆蓋層組件可以通過至少一個(gè)處在氮氧化硅之下的金屬氧化物層或 金屬混合氧化物層（例如含有錫酸鋅或氧化鋅）來補(bǔ)充。
[0032] 還被證明為有利的是，根據(jù)本實(shí)用新型的紅外線反射可以通過對(duì)層系統(tǒng)上方封閉 的、最上方的層補(bǔ)充，該層由二氧化鈦組成，并且可以進(jìn)一步改進(jìn)系統(tǒng)的耐磨蝕性。此外，二 氧化鈦如作為保護(hù)層的最上方的區(qū)域的氮化硅那樣是高折射的，從而其光學(xué)作用可以依賴 于其層厚度地來進(jìn)行微調(diào)整。
[0033] 為了制造起光學(xué)作用的層系統(tǒng)，把基底層組件的和功能層組件的或帶有置于中間 的中間層組件的功能層組件的層彼此相繼地借助濺射例如借助磁控濺射沉積在基材上。 [0034] 優(yōu)選地，下方起始子層的沉積借助反應(yīng)性濺射，在注入氧氣用作陶瓷性的、亞化學(xué) 計(jì)量的二氧化鈦的工作氣體的情況下進(jìn)行。在此，被證明有利的是，濺射氣氛的總氣體量的 氧氣份額處在1 %到20%的范圍中，在優(yōu)選的設(shè)計(jì)方案中處在1 %到10%的范圍中。

【專利附圖】

【附圖說明】
[0035] 以下應(yīng)當(dāng)結(jié)合圖示詳細(xì)地描述本實(shí)用新型。在附圖中：
[0036] 圖1示出帶有功能層以及根據(jù)本實(shí)用新型的起始層的反射紅外線的層系統(tǒng)；
[0037] 圖2示出帶有覆蓋層組件的備選設(shè)計(jì)方案的、根據(jù)圖1的反射紅外線的層系統(tǒng)；
[0038] 圖3示出帶有覆蓋層組件的另一備選設(shè)計(jì)方案的、根據(jù)圖1的反射紅外線的層系 統(tǒng)；并且
[0039] 圖4示出帶有兩個(gè)功能層和一個(gè)根據(jù)本實(shí)用新型的保護(hù)層的反射紅外線的層系 統(tǒng)。

【具體實(shí)施方式】
[0040] 圖1示出作為反射紅外線的層系統(tǒng)的單層低輻射層系統(tǒng)，其中，直接在層系統(tǒng)的 功能層組件FA下方布置有由兩個(gè)子起始層Kl、K2組成的起始層。
[0041] 在沖洗過的、由4_的浮法玻璃組成的基材S0上，為了制造單層低輻射層系統(tǒng)通 過磁控溉射施布下列層：
[0042] a)基底層組件GA，其帶有Si3N4、15nm-30nm，作為唯一的基底層；
[0043] 備選地還帶有SiOxNy，或者兩個(gè)基底層相疊；
[0044] b)功能層組件FA，其由以下組成：
[0045] -Ti02、lnm-15nm，作為起始層的下方起始子層K1 ;
[0046] -Zn0、7nm-10nm,作為起始層的上方起始子層K2 ;
[0047] _Ag、12nm-15nm,作為功能層 F ;以及
[0048] _阻隔層B，其由含有鎳和鉻的化合物或者其亞化學(xué)計(jì)量的氧化物、氮化物或者氮 氧化物組成，在實(shí)施例中為：NiCr0x、0. 5nm-3nm ;
[0049] c)覆蓋層組件DA，其由以下組成：
[0050] -Sn02、15nm_20nm，作為第一覆蓋層 D1，以及
[0051] -Si3N4、20nm-45nm，作為第二覆蓋層 D2。
[0052] 通過功能層組件的這種構(gòu)造，例如通過13nm厚的1102層，獲得了沉積的銀層的 4. 30hm/sqr的表面電阻。在退火后，該值下降到2. 80hm/sqr，這相較于沒有起始子層T1的 層系統(tǒng)來說相當(dāng)于在退火后下降了大約10 %或24%。
[0053] 備選地，代替Sn02，作為最下方的層的且因此直接與功能層組件FA相鄰的覆蓋層 組件DA可以具有由錫酸鋅組成的第一層或者其它公知的覆蓋層組件。
[0054] 之前描述的變型實(shí)施方案的覆蓋層組件DA還可以包括第三覆蓋層作為層系統(tǒng)的 最上方的層，其由Ti02、以lnm-6nm范圍中的厚度組成。
[0055] 根據(jù)圖2的實(shí)施方式與之前所描述的實(shí)施方式的區(qū)別在于覆蓋層組件DA的結(jié)構(gòu)。 該覆蓋層組件由保護(hù)層組件SA和位于其下的、由氧化鋅構(gòu)成的下方的覆蓋層D1組成，而該 保護(hù)層組件由三個(gè)子保護(hù)層Tl、T2、T3組成。
[0056] -Sn02、15nm-20nm，作為下方覆蓋層 D1，
[0057] -Si0xNy、5nm-15nm，作為第一子保護(hù)層T1，帶有在反應(yīng)性氣體中的0. 1% -25%的 〇2，以及
[0058] -Si3N4、10nm-45nm，作為第二子保護(hù)層T2,以及
[0059] _Ti02、lnm_6nm,作為可選的第三子層T3。
[0060] 對(duì)于基底層組件和功能層組件的結(jié)構(gòu)參考圖1。
[0061] 根據(jù)圖3的可選的實(shí)施方式具有如下結(jié)構(gòu)的覆蓋層組件DA。該覆蓋層組件由兩個(gè) 子保護(hù)層Tl、T2組成的保護(hù)層組件SA以及位于其下的、由錫酸鋅組成的下方覆蓋層D1組 成。
[0062] -ZnSn03、5nm_15nm，作為下方覆蓋層 D1
[0063] -510!^、30_-4511111，作為第一子保護(hù)層1'1，帶有在反應(yīng)性氣體中的0.1%-25%的 〇2，以及
[0064] -Ti02、2nm_5nm，作為第二子層 T2。
[0065] 對(duì)于基底層組件和功能層組件的結(jié)構(gòu)參考圖1。
[0066] 根據(jù)圖4的層系統(tǒng)與根據(jù)圖1的層系統(tǒng)的區(qū)別在于，在根據(jù)圖1的功能層組件與 基底層組件GA之間附加的功能層組件。為了區(qū)分而在從基材S0向上的順序中，下方的功 能層被標(biāo)識(shí)為FA1，而位于其上的功能層被標(biāo)識(shí)為FA2。在示出的實(shí)施例中，在兩個(gè)功能層 組件FA1、FA2中，僅下方的功能層組件具有根據(jù)本實(shí)用新型的兩件式的起始層。上方的功 能層組件包括一件式的、由ZnO構(gòu)成的起始層K。兩個(gè)功能層組件FA1和FA2通過中間層組 件ZA彼此分隔。據(jù)此，獲得了以下的反射紅外線的層系統(tǒng)：
[0067] d)基底層組件GA，其帶有Si3N4、15nm-30nm，作為唯一的基底層；
[0068] 還備選地帶有SiOxNy，或者兩個(gè)基底層相疊；
[0069] e)第一功能層組件FA1，其由以下組成：
[0070] -Ti02、lnm_15nm,作為下方起始子層K1 ;
[0071] -Zn0、7nm-10nm,作為上方起始子層K2 ;
[0072] -Ag、12nm_15nm,作為功能層 F ;以及
[0073] _阻隔層B，其由含有鎳和鉻的化合物或者其亞化學(xué)計(jì)量的氧化物、氮化物或者氮 氧化物組成，在實(shí)施例中為：NiCr0x、0. 5nm-3nm ;
[0074] a) ZnSn03，備選為Sn02,40nm-90nm,作為中間層組件ZA的唯一中間層；
[0075] b)第二功能層組件FA2，
[0076] f)第一功能層組件FA1，其由以下組成：
[0077] -Zn0、7nm_10nm，作為一件式的起始層K ;
[0078] -Ag、12nm_15nm,作為功能層 F ;以及
[0079] _阻隔層B，其由含有鎳和鉻的化合物或者其亞化學(xué)計(jì)量的氧化物、氮化物或者氮 氧化物組成，在實(shí)施例中為：NiCr0x、0. 5nm-3nm ;
[0080] g)覆蓋層組件DA，其由以下組成：
[0081] -Sn02、備選為ZnSn03,15nm-20nm，作為第一覆蓋層D1 ;以及
[0082] -Si3N4、20nm-45nm，作為第二覆蓋層 D2。
[0083] 除了根據(jù)本實(shí)用新型的功能層組件FA之外，圖4的雙層低輻射層系統(tǒng)還可以具有 一個(gè)或多個(gè)圖1至圖3所描述的層或?qū)咏M件。中間層組件ZA也可以由多于一個(gè)的層組成。
[0084] 附圖標(biāo)記列表
[0085] S0 基材
[0086] GA 基底層組件
[0087] FA、FA1、FA2 功能層組件
[0088] ZA 中間層組件
[0089] S 保護(hù)層
[0090] DA 覆蓋層組件
[0091] K 一件式起始層
[0092] F 功能層
[0093] B 阻隔層
[0094] K1、K2 起始子層
[0095] T1、T2、T3 子保護(hù)層
[0096] D1、D2 覆蓋層
【權(quán)利要求】
1. 一種透明的、反射紅外線的層系統(tǒng)，所述層系統(tǒng)布置在基材（so)上并且從所述基材 (so)向上觀察包括 ： 至少帶有一個(gè)基底層的基底層組件（GA)， 至少帶有一個(gè)功能層（F)和功能層（F)之下的起始層的功能層組件（FA、FA1、FA2)以 及 至少帶有一個(gè)覆蓋層（D1、D2)的覆蓋層組件（DA)， 其特征在于，所述起始層由兩個(gè)子層即下方起始子層（K1)和上方起始子層（K2)構(gòu)成。
2. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的反射紅外線的層系統(tǒng)，其特征在于，所述下方起始子層（K1) 具有在lnm- 18nm范圍中的層厚度。
3. 根據(jù)權(quán)利要求2所述的反射紅外線的層系統(tǒng)，其特征在于，所述下方起始子層（K1) 具有在lnm - 15nm范圍中的層厚度。
4. 根據(jù)權(quán)利要求1、2或3所述的反射紅外線的層系統(tǒng)，其特征在于，所述下方起始子層 (K1)含有二氧化鈦。
5. 根據(jù)權(quán)利要求1、2或3所述的反射紅外線的層系統(tǒng)，其特征在于，功能層（F)含有 銀，上方起始子層（K2)含有氧化鋅。
6. 根據(jù)權(quán)利要求5所述的反射紅外線的層系統(tǒng)，其特征在于，上方起始子層（K2)具有 在7nm- 10nm范圍中的層厚度。
7. 根據(jù)權(quán)利要求5所述的反射紅外線的層系統(tǒng)，其特征在于，所述下方起始子層（K1) 含有二氧化鈦。
8. 根據(jù)權(quán)利要求1、2或3所述的反射紅外線的層系統(tǒng)，其特征在于，所述功能層組件 (FA、FA1、FA2)僅具有一個(gè)阻隔層（B)，其布置在所述功能層（F)上方。
9. 根據(jù)權(quán)利要求1、2或3所述的反射紅外線的層系統(tǒng)，其特征在于，在所述覆蓋層組件 (DA)與所述功能層組件（FA1、FA2)之間布置有至少一個(gè)另外的功能層組件（FA1、FA2)，其 中，每個(gè)功能層組件（FA1、FA2)通過至少帶有一個(gè)中間層的中間層組件（ZA)與相鄰的功能 層組件（FA1、FA2)連接。
10. 根據(jù)權(quán)利要求8所述的反射紅外線的層系統(tǒng)，其特征在于，兩個(gè)功能層組件（FA1、 FA2)分別具有根據(jù)權(quán)利要求1至8中任一項(xiàng)所述的結(jié)構(gòu)。
【文檔編號(hào)】C03C17/36GK204111594SQ201420429170
【公開日】2015年1月21日 申請(qǐng)日期:2014年7月31日 優(yōu)先權(quán)日:2013年7月31日
【發(fā)明者】羅尼·博爾舍爾, 克里斯多佛·科克爾特 申請(qǐng)人:馮·阿德納有限公司