具有uv處理的低輻射涂層的窗以及制備其的方法
【專利摘要】本發(fā)明的實施例涉及一種在窗中使用的由基片(例如玻璃基片)支撐的含有低輻射(low-E)涂層的涂層制品，其中，低輻射涂層被暴露于紫外線(UV)輻射，來提高涂層以及涂層制品的電、光、和/或熱切斷的性質(zhì)。低輻射涂層包括至少一個含有銀的紅外(IR)反射層，其位于接觸/種子層上并與其直接接觸，該接觸/種子層含有類似氧化鋅和/或錫酸鋅的金屬氧化物。將低輻射涂層暴露于類似UV燈和/或UV激光器所放射的紫外輻射中，來局部加熱接觸/種子層，然后將熱能轉(zhuǎn)移到鄰近的IR反射層。加熱含有銀的層可提高銀層的電、光、和/或熱切斷的性質(zhì)。具有提高的性質(zhì)的UV處理的涂層制品，可用于單片的或絕緣玻璃(IG)窗單元的制備。
【專利說明】具有UV處理的低輻射涂層的窗以及制備其的方法
[0001] 本發(fā)明的實施例涉及一種在窗中使用的含有低輻射（Iow-E)涂層的涂層制品，其 中，低輻射涂層被暴露于強烈的紫外線（UV)輻射，來提高涂層以及涂層制品的電、光、和/ 或熱切斷的性質(zhì)。低輻射涂層包括至少一個紅外（IR)反射層，其基本上由銀構(gòu)成或包括 銀，其中含有銀的層位于（例如，通過濺射生成）接觸/種子層上并與其直接接觸，該接觸/ 種子層基本上由類似氧化鋅和/或錫酸鋅的材料構(gòu)成或包括上述材料。IR反射層和接觸/ 種子層可位于低輻射涂層中的介質(zhì)層之間。將低輻射涂層暴露于類似UV燈和/或UV激光 器所放射的紫外輻射中，來局部加熱接觸/種子層（例如，氧化鋅和/或錫酸鋅的層），然后 將熱能轉(zhuǎn)移到鄰近的含有銀的IR反射層。加熱含有銀的層可提高銀層的電、光、和/或熱 切斷的性質(zhì)。例如，通過將低輻射涂層暴露于UV輻射由此加熱銀層，來增加銀層的導(dǎo)電性 (降低其電阻），從而增加其切斷（例如，反射）不需要的IR輻射的性能。作為另一例子， 通過將低輻射涂層暴露于UV輻射由此加熱銀層，來增加銀層的可見光透射率，從而提高其 的光學(xué)性質(zhì)。具有提高的電、熱切斷，和/或光學(xué)性質(zhì)的UV處理涂層制品，可用于單片的或 絕緣玻璃（IG)窗單元的制備，例如辦公室大樓和/或公寓大樓的建筑窗，住宅的窗、冷凍箱 的門窗、和/或車窗。
[0002] 發(fā)明背景
[0003] 絕緣玻璃窗單元在本領(lǐng)域中為已知技術(shù)。例如，參照美國專利 Nos. 6, 632, 491, 6, 014, 872 ；5, 800, 933 ；5, 784, 853 ；5, 557, 462 ；5, 514, 476 ；5, 308, 662 ； 5, 306, 547 ;和5, 156, 894,其全部內(nèi)容被納入此處作為參考。絕緣玻璃窗單元通常包括至 少第一基片和第二基片，經(jīng)至少一個隔離片和/或密封互相被隔開。在不同的實施中，隔開 的基片之間的間隙或空間可填入氣體（例如，氬）或不填入氣體，和/或被排空至低于大氣 壓的壓力。太陽能控制涂層，例如，低輻射涂層，有時被用于絕緣玻璃窗單元中，來防止紅外 線進入使用絕緣玻璃窗單元的建筑內(nèi)部。
[0004] 玻璃上的濺射沉積的薄膜太陽能控制（例如，低輻射）涂層在本領(lǐng)域中為已知技 術(shù)。例如，參照美國專利 Nos. 8, 173, 263, 8, 142, 622, 8, 124, 237, 8, 101，278, 8, 017, 243, 7, 9 98, 320, 7, 964, 284, 7, 897, 260, 7, 879, 448, 7, 858, 191，7, 267, 879, 6, 576, 349, 7, 217, 461， 7, 153, 579, 5, 800, 933, 5, 837, 108, 5, 557, 462, 6, 014, 872, 5, 514, 476, 5, 935, 702, 4, 965, 1 21，5, 563, 734, 6, 030, 671，4, 898, 790, 5, 902, 505, 3, 682, 528,其全部內(nèi)容被納入此處作為 參考。低輻射涂層的濺射沉積在室溫下進行，不使用特意加熱的基片，因此優(yōu)勢在于低成本 的非加熱真空涂抹器、高沉積速率、沉積期間的節(jié)能、和較低的維修成本。
[0005] 濺射沉積的低輻射涂層通常包括一些層，包括銀層，直接沉積在類似氧化鋅或錫 酸鋅（ZnSnO x)材料的接觸/種子層上，例如，銀具有適當厚度的可見光譜中的透射率和紅 外光譜中的反射率。接觸/種子層和銀上的層的沉積條件決定銀的光和電的性質(zhì)，例如太 陽能得熱系數(shù)、輻射、片電阻，和可見光透射率。室溫濺射沉積的薄銀層的質(zhì)量較弱，且經(jīng)常 需要熱處理來將銀的光和電的性質(zhì)提高至可接受的水平。該熱處理（HT)通常在對流爐中 被執(zhí)行，例如，與玻璃回火相結(jié)合執(zhí)行用于可回火產(chǎn)品。但是，非可回火和非回火產(chǎn)品，其沒 有回火過程期間銀被熱處理所具有的優(yōu)點。
[0006] 因此，需要提高濺射沉積的銀層的質(zhì)量，例如，鑒于低輻射涂層，無須針對含有涂 層的涂層制品執(zhí)行熱回火過程。試圖通過IR輻射來提高低輻射層中室溫濺射沉積的銀的 質(zhì)量，已被證明具有問題。這是由于當大量的IR輻射從玻璃的涂層側(cè)照射時會被銀反射， 或是從涂層制品的玻璃側(cè)照射時，會在到達涂層之前被玻璃第一吸收，并會在溫度上升到 足夠的水平來提高銀質(zhì)量之前損壞玻璃基片。在此發(fā)現(xiàn)，根據(jù)本發(fā)明的示例性實施例，UV照 射對于提高濺射沉積的銀層質(zhì)量具有高度優(yōu)勢，例如，鑒于低輻射涂層。作為例子，涂層制 品（例如，具有低輻射涂層的玻璃基片）可從涂層側(cè)面照射，從而UV被部分涂層吸收，不會 損壞玻璃基片，且大量的UV可穿過銀層，不會在通過加熱其他層而執(zhí)行所需的加熱之前被 反射，其可將熱轉(zhuǎn)移至銀，來提高其光和電的性質(zhì)。因此，在本發(fā)明的示例性實施例中，低輻 射涂層的UV照射可有效地提高銀層的光和/或電的性質(zhì)，并可提高整個涂層的性質(zhì)，例如， 太陽能得熱系數(shù)、輻射、片電阻、和可見光透射率中的一個或多個。
[0007] 發(fā)明的示例性實施例概述
[0008] 本發(fā)明的實施例涉及一種在窗中使用的含有低輻射（Iow-E)涂層的涂層制品，使 低輻射涂層暴露于強烈的紫外線（UV)輻射，來提高涂層以及涂層制品的電、熱切斷、和/或 光的性質(zhì)。低輻射涂層可包括至少一個紅外（IR)反射層，其基本上由銀構(gòu)成或包括銀，其 中含有銀的層位于（例如，通過濺射生成）接觸/種子層上并與其直接接觸，該接觸/種子 層基本上由類似氧化鋅和/或錫酸鋅的材料構(gòu)成或包括上述材料。IR反射層和接觸/種 子層可位于低輻射涂層中的介質(zhì)之間。將低輻射涂層暴露于類似UV燈和/或UV激光器所 放射的紫外輻射中，來局部加熱接觸/種子層（例如，氧化鋅和/或錫酸鋅的層），然后將 熱能轉(zhuǎn)移到鄰近的含有銀的IR反射層。經(jīng)接觸/種子層吸收的UV和產(chǎn)生的發(fā)熱，來生成 熱從而加熱含有銀的層的方法，可提高銀層的電、光、和/或熱切斷的性質(zhì)。例如，通過將低 輻射涂層暴露于UV輻射由此加熱銀層，來增加銀層的導(dǎo)電性（降低其電阻），從而增加其 切斷（例如，反射）不需要的IR輻射的性能。作為另一例子，通過將低輻射涂層暴露于UV 輻射由此加熱銀層，來增加銀層的可見光透射率，從而提高其的光學(xué)性質(zhì)。在示例性實施例 中，整個或基本上整個涂層被暴露于（針對從上面觀察到的區(qū)域）UV輻射，從而整個或基本 上整個銀層的電、光、和/或熱切斷的性質(zhì)得到提高。在示例性實施例中，接觸/種子層的 能帶隙，使接觸/種子層比涂層中的任何其他層吸收更多的UV輻射，從而由主要層來生成 熱。強烈的UV輻射使接觸/種子層和銀層在照射區(qū)域中被升溫。在UV照射區(qū)域中，接觸 /種子層的加熱導(dǎo)致鄰近的銀層也被加熱，從而物理性地改變該區(qū)域中的銀層，使銀層增加 密度并更具導(dǎo)電性和更具可見光透射性。該UV處理可在整個低輻射涂層被沉積在基片上 之后執(zhí)行，和/或在接觸/種子層和銀層被沉積期間或之后但其他覆蓋層被沉積之前執(zhí)行。 具有提高的電、光、和/或熱切斷性質(zhì)的UV處理涂層制品，可用于單片的或絕緣玻璃（IG) 窗單元的制備，例如辦公室大樓和/或公寓大樓的建筑窗，住宅的窗、冷凍箱的門窗、和/或 車窗。
[0009] 在示例性實施例中，提出一種制備在窗中使用的涂層制品的方法，所述方法包括： 制備含有基片的涂層制品，所述基片支撐含有至少一個層的涂層，所述至少一個層含有銀， 位于含有金屬氧化物的層之上并直接與其接觸，所述金屬氧化物用于吸收紫外線UV輻射； 將來自至少一個紫外源的紫外線輻射指向所述涂層，并使所述涂層暴露于紫外線輻射，來 減少所述涂層的片電阻和/或增加所述涂層的可見光透射率。
[0010] 在示例性實施例中，提出一種制備在窗中使用的涂層制品的方法，所述方法包括： 制備含有玻璃基片的涂層制品，所述玻璃基片支撐含有至少一個金屬層（例如，基于金或 銀的層）的涂層（例如，低輻射涂層），所述至少一個金屬層位于含有金屬氧化物的層之上 并直接與其接觸，所述含有金屬氧化物的層具有3. 2-3. 4eV的能帶隙；將來自至少一個紫 外源的紫外線輻射指向所述涂層，并使所述涂層暴露于紫外線輻射，來減少所述涂層的片 電阻，以及增加所述涂層的可見光透射率。
[0011] 附圖簡要說明
[0012] 圖1是示出根據(jù)本發(fā)明的示例性實施例的制備在窗中使用的涂層制品的技術(shù)的 橫截面圖。
[0013] 圖2是示出使用至少圖1的技術(shù)所制備的絕緣玻璃（IG)窗單元的部分橫截面圖。
[0014] 示例性實施例的具體說明
[0015] 以下參照附圖進行更詳細的說明，附圖中的相同符號表示相同的部件。
[0016] 參照圖1-2,本發(fā)明的示例性實施例涉及一種涂層制品，包括低福射（Iow-E)涂層 5,其位于用于窗的基片（例如，玻璃基片）1之上，其中，使低輻射涂層5暴露于強烈的紫外 線（UV)輻射21，用來提高涂層以及涂層制品的電、熱切斷、和/或光的性質(zhì)。輻射源20可 用來將涂層暴露至從中放射的UV輻射。在示例性實施例中，輻射源20可以是紫外線（UV) 激光和/或燈，用來放射UV輻射21，例如，UV準分子或UV固態(tài)激光器。低輻射涂層5可包 括至少一個金屬的和/或基本金屬的紅外（IR)反射層11，其含有銀或基本上由銀構(gòu)成，其 中含有銀的層11位于（例如，通過濺射生成）接觸/種子層9上并與其直接接觸，該接觸/ 種子層9基本上由類似氧化鋅和/或錫酸鋅的材料構(gòu)成或包括上述材料。IR反射層11和 接觸/種子層9可位于低輻射涂層中的介質(zhì)7和5之間。將低輻射涂層5暴露于類似UV 燈和/或UV激光器20所放射的紫外輻射21中，來局部加熱接觸/種子層9 (例如，氧化鋅 和/或錫酸鋅的層），然后將熱能轉(zhuǎn)移到鄰近的含有銀的IR反射層11。經(jīng)接觸/種子層吸 收的UV和產(chǎn)生的發(fā)熱，來生成熱從而加熱含有銀的層11的方法，可提高銀層的電、光、和/ 或熱切斷的性質(zhì)。例如，通過將低輻射涂層5暴露于UV輻射21由此加熱銀層，來增加銀層 的導(dǎo)電性（降低其電阻），從而增加其切斷（例如，反射）不需要的IR輻射的性能。作為另 一例子，通過將低輻射涂層暴露于UV輻射21由此加熱銀層11，來增加銀層11的可見光透 射率，從而提高其的光學(xué)性質(zhì)。在示例性實施例中，整個或基本上整個涂層被暴露于（針對 從上面觀察到的區(qū)域）UV輻射，從而整個或基本上整個銀層11的電、光、和/或熱切斷的性 質(zhì)得到提高。在示例性實施例中，接觸/種子層9的能帶隙，使接觸/種子層9比涂層中的 任何其他層7、11、13、15吸收更多的UV輻射，從而由主要層來生成熱。強烈的UV輻射使接 觸/種子層9和銀層11在照射區(qū)域中被升溫。在UV照射區(qū)域中，接觸/種子層9的加熱 導(dǎo)致鄰近的銀層11也被加熱，從而物理性地改變該區(qū)域中的銀層11，使銀層11增加密度 并更具導(dǎo)電性和更具可見光透射性。使用來自源20的UV輻射21可局部加熱接觸/種子 層9 (其可以是半導(dǎo)體），隨后將熱能轉(zhuǎn)移到鄰近的銀層11 (與IR輻射相反，其在玻璃上將 很大程度上被浪費）。優(yōu)選是，種子/接觸層9的材料為氧化鋅和/或錫酸鋅半導(dǎo)體，其具 有3. 2-3. 4eV的能帶隙，使接觸/種子層9吸收364-387nm的UV波長。例如，UV準分子或 UV固態(tài)激光器中常見的，355nm的光譜線，被種子/接觸層材料吸收，且玻璃吸收較弱（玻 璃僅吸收355nm UV輻射的15% )，從而玻璃沒有明顯被加熱。UV處理可在整個低輻射涂層 5被沉積在基片上之后執(zhí)行，和/或在接觸/種子層9和銀層11被沉積期間或之后但其他 覆蓋層13、15被沉積之前執(zhí)行。經(jīng)UV照射被用來提高銀層11的質(zhì)量的能量，為常規(guī)對流 爐中熱回火過程期間加熱涂層制品時導(dǎo)致基本相同變化所要求的能量的一小部分，在常規(guī) 對流爐中大部分能量被浪費在加熱玻璃上。在此，UV照射并不熱回火用于支撐涂層5的玻 璃基片1。因此，在本發(fā)明的示例性實施例中，玻璃基片1沒有被熱回火。
[0017] 具有提高的電、光、和/或熱切斷性質(zhì)的UV處理涂層制品，其可用于單片的或絕緣 玻璃（IG)窗單元的制備，例如辦公室大樓和/或公寓大樓的建筑窗，住宅的窗、冷凍箱的門 窗、和/或車窗。在絕緣玻璃窗單元示例中（見圖2)，該絕緣玻璃窗單元包括第一基片1 和第二基片3,被互相隔開，其中，至少一個基片1支撐UV處理的太陽能涂層5,類似低輻射 (Iow-E)涂層。在單片窗的示例中，基片（例如，玻璃基片）1支撐UV處理的涂層5。
[0018] 無須在熱回火期間以常規(guī)的對流爐來加熱用于支撐涂層5的玻璃基片1，而是通 過UV照射來提高銀的質(zhì)量具有眾多優(yōu)點。玻璃基片1(例如，熱回火期間在對流爐中）的 加熱與玻璃中流失的一些擴散性元素相關(guān)，例如鈉和鉀。當迀移至玻璃表面時，這些元素可 能會折衷玻璃和/或涂層的質(zhì)量，并隨時間流逝造成一些位置中的腐蝕。因此，優(yōu)選是通過 UV21來加熱銀11，而無須明顯地來加熱用于支撐涂層5的玻璃基片1。在此，紫外源20可 位于涂層5所在的玻璃基片1的相同側(cè)，由于UV輻射在到達玻璃基片1之前相當數(shù)量被種 子/接觸層9吸收，因此進一步減少玻璃的加熱。雖然，根據(jù)本發(fā)明的示例性實施例，在UV 照射之前和/或之后，玻璃基片1可被熱回火，但其被指出，由于UV照射，沒有必要使用熱 回火來提高銀的質(zhì)量。此外，如果銀的質(zhì)量可通過UV被提高，沒有必要使用熱回火，且可回 火和非可回火的低輻射產(chǎn)品可通過基本相同的方法或?qū)颖恢苽?，在這種情況下，針對非可 回火的產(chǎn)品，可通過在此所述的UV照射來提高銀的質(zhì)量，且針對可回火的產(chǎn)品，可通過對 流回火和/或通過非熱能（例如，化學(xué)的）回火與在此所述的UV照射的結(jié)合，來提高銀的 質(zhì)量。此外，與類似熱回火的常規(guī)加熱相比，使用UV照射來提高銀的質(zhì)量時僅使用一小部 分能源便可被完成。
[0019] 圖1是示出根據(jù)本發(fā)明的示例性實施例的制備在窗中使用的涂層制品的技術(shù)的 橫截面圖。如圖1所示的，提供一種涂層制品，包括玻璃基片1，其支撐太陽能控制涂層5。 優(yōu)選是基片1為玻璃，當然其也可以是其他材料。配置在基片1上的示例性太陽能管理/控 制涂層（例如，低輻射涂層）5在美國專利Nos. 8, 173, 263, 8, 142, 622, 8, 124, 237, 8, 101，2 78, 8, 017, 243, 7, 998, 320, 7, 964, 284, 7, 897, 260, 7, 879, 448, 7, 858, 191，7, 267, 879, 6, 57 6, 349, 7, 217, 461，7, 153, 579, 5, 800, 933, 5, 837, 108, 5, 557, 462, 6, 014, 872, 5, 514, 476, 5 ，935, 702, 4, 965, 121，5, 563, 734, 6, 030, 671，4, 898, 790, 5, 902, 505, 3, 682, 528 中被說明， 其全部內(nèi)容被納入此處作為參考。在示例性實施例中，太陽能管理涂層5可具有0. 12以下 的輻射（En)，更優(yōu)選是0. 10以下，和/或10歐姆/平方以下的片電阻（Rs)，更優(yōu)選是8歐 姆/平方以下。當然，在此所述的太陽能管理涂層（例如，低輻射涂層）5不局限于上述特 定的涂層，任何其他能夠切斷一定數(shù)量的IR輻射的適當太陽能管理涂層都可被替代使用。 在此所述的太陽能管理涂層5可通過任何合適的方式被沉積在基片1上，包括濺射（例如， 約室溫）、氣相沉積、和/或任何其他合適的技術(shù)，但并不僅局限于此。
[0020] 低輻射涂層通常包括至少一個含有銀的IR反射層11，被夾在下部介質(zhì)7和上部 介質(zhì)15之間。圖1的示例性低輻射涂層5可包括：含有氧化鈦或氮化硅的下部介質(zhì)層7 ; 接觸/種子層9,其含有氧化鋅（例如，ZnO)、鋅氧化鋁、錫酸鋅（例如，ZnSnO)、氧化錫，和 /或上述的組合；含有銀或金的IR反射層11 ;含有Ni和/或Cr (例如，NiCr、NiCrOx、NiOx 等）的上接觸層13,位于銀層11之上并直接與其接觸；和含有氮化硅和/或氧化錫的上部 介質(zhì)層15。基于金屬氧化物的接觸/種子層9可選擇性地摻雜類似Al、Ni或Ti的材料。 在示例性實施例中，介質(zhì)層15可由含有氧化錫的下層或和含有氮化硅和/或氮氧化硅的上 層組成。選擇性地，可在介質(zhì)層15上配置含有氧化鋯的外層。薄膜涂層5中的層可通過任 何合適的方式被沉積，例如在室溫下通過濺射法。雖然圖1中示出低輻射涂層5只有一個 含有銀的IR反射層11，但是應(yīng)注意，用作為涂層5的其他低輻射涂層可包括多個基于銀的 IR反射層，如上面指出的一些專利中示出和/或說明的。當涂層具有形成在相應(yīng)的種子層 上的兩個基于銀的層，當紫外源20位于如圖1所示的玻璃的涂層側(cè)時，由于UV在到達下部 銀層之下的種子/接觸層之前相當數(shù)量被上部銀層之下的種子/接觸層吸收，因此，最上面 的銀層相比下面的銀層，可更多地提高銀的質(zhì)量。但是，由于一些UV將到達下部銀層和下 部種子/接觸層，因此取決于兩個銀層的UV處理的強度和持續(xù)時間可實現(xiàn)質(zhì)量改進。
[0021] 一個或多個輻射源20按次序被提供，基本上將涂層5的整個區(qū)域（從上面觀察） 暴露于UV輻射。例如，在圖1的實施例中，源20可以是一個或多個UV燈，向涂層制品放射 UV輻射，和/或可以是一個或多個UV激光器，向涂層制品放射UV輻射。在示例性實施例 中，UV可以是約300-400nm的輻射，或約為300-380nm。在示例性實施例中，源20位于玻 璃基片1的涂層5側(cè)，從而玻璃基片1自身在紫外線照射期間被加熱的量（例如，使玻璃不 會經(jīng)源20被加熱）。從源20中發(fā)射的UV輻射21使涂層5中的接觸/種子層9和/或銀 層11被加熱。例如，種子層9吸收UV輻射并由此產(chǎn)生加熱的接觸/種子層9,致使至少鄰 近的含有銀（或金）的IR反射層11也在照射區(qū)域中被加熱，從而至少物理性地改變銀層 11，從而變得密集并使銀層11變得更具導(dǎo)電性和更具可見光透射性。UV照射使涂層5 (i) 其片電阻（Rs)，下降至少1歐姆/平方；和/或（ii)其可見光透射率增加至少1%。例如， 當UV照射之前涂層的片電阻為9歐姆/平方時，UV照射之后，涂層將具有8歐姆/平方以 下的片電阻。
[0022] 接觸/種子層9 (例如包括氧化鋅和/或錫酸鋅）可具約3.0-3. 45eV的能帶隙，更 優(yōu)選是約3. 15-3. 45eV，甚至更優(yōu)選是約3. 2-3. 4eV，且最優(yōu)選是約3. 2eV，由于該能帶隙， 接觸/種子層9從源20 (例如，約355nm和/或308nm)吸收UV輻射21并被加熱。種子層 9可以是半導(dǎo)體或介質(zhì)。UV照射區(qū)域的層11中的銀至少相鄰于被加熱的層9,從而被加熱， 并在加熱區(qū)域中物理性地改變，密度增加以及更具導(dǎo)電性，更具可見光透射性，和/或不同 的顏色。如此，由于UV被種子/接觸層9吸收隨后釋放熱能給至少鄰近的銀（或金）層11 并有可能至堆棧中的其他層，從而層堆棧的特征被引入。因此，IR反射銀層11的物理性和 光學(xué)性質(zhì)經(jīng)UV照射被改變。照射區(qū)域?qū)⒕哂懈叩目梢姽馔干渎是襂R切斷被提高。
[0023] 圖1示出，在涂層5被完全沉積（例如，濺射沉積）在基片1之后，將涂層5暴露于 UV輻射。但是，其可替換成在層11被沉積之后（或是層11的沉積期間）且層13和/或15 被沉積之前，立即執(zhí)行UV輻射來至少照射層9和11。在本發(fā)明的不同的實施例中，該UV輻 射可在真空室中被執(zhí)行。如圖1中所示出的，在被照射之后，圖1的單片涂層制品可用作為 單片的窗，或是如圖2所示出的，與一個或多個玻璃基片一起在絕緣玻璃窗單元中被使用。
[0024] 圖2是示出根據(jù)本發(fā)明的實施例的絕緣玻璃窗單元的一部分的橫截面圖。其中， 含有UV處理的涂層制品的絕緣玻璃窗單元根據(jù)圖1被制成。如圖2所示，絕緣玻璃窗單元 包括第一基片1和第二基片3 (例如，都可以是玻璃基片），通過一個或多個邊緣密封或隔離 片26被互相隔開。選擇性地，一組隔離片可配置在窗可視區(qū)域中的基片之間，使基片互相 隔開來用于真空的絕緣玻璃窗單元。隔離片26、其他隔離片、和/或邊緣密封將兩個基片1 和3互相隔開，從而基片不會互相接觸，并在其之間定義空間/間隙27。在示例性實施例 中，基片1、3之間的空間/間隙27可被排空至低于大氣壓的壓力，和/或在示例性實施例 中被填入氣體（例如，氬）。作為選擇，基片1、3之間的空間27無需被填入氣體和/或無 需被排空至低壓。在示例性實施例中，可在該空間中懸掛箔或其他輻射反射片（未示圖）。 當基片1和/或3為玻璃，每個玻璃基片可以是鈉鈣硅類型的玻璃，或是其他類型的玻璃， 且在本發(fā)明的示例性實施例中，示例性厚度可以是l-l〇mm。UV處理的涂層5,根據(jù)圖1如上 所述被形成，并可貫穿整個支撐基片被連續(xù)形成，并可如圖2所示，位于基片1的內(nèi)側(cè)來面 對間隙/空間27,或可選擇地，位于基片3的內(nèi)側(cè)來面對間隙/空間27。涂層5(例如，低 輻射涂層）切斷（例如，反射和/或吸收）一定數(shù)量的IR輻射，并防止其進入至建筑內(nèi)部。 在此，本領(lǐng)域中的技術(shù)人員應(yīng)理解，涂層5的IR切斷/反射層11無須切斷所有的IR輻射， 但僅需切斷顯著數(shù)量的IR輻射。
[0025] 鑒于存在的IR切斷/反射涂層（即，太陽能管理涂層）5,如圖2所示，根據(jù)本發(fā) 明的示例性實施例的絕緣玻璃窗單元可具有以下太陽能特性（例如，涂層的玻璃基片1為 基本透明的鈉鈣玻璃基片，厚度約為l_6mm，更優(yōu)選是約2-3. 2mm，且另一個鈉鈣玻璃基片3 基本透明，厚度約l_6mm，更優(yōu)選是約2-3. 2mm)。在以下的表1中，RgY是從窗/建筑的外側(cè) 或外部的可視反射（即，從太陽的所在位置），且R fY是從內(nèi)部側(cè)（例如，從建筑物內(nèi)部中） 的可視反射。
[0026] 表I: IG單元太陽能特性
[0027] 特性 一般 優(yōu)選是 更優(yōu)選是 Tvis TY)(III. C, 2 deg.): >=50% >=60% >=68% RgY (III. C, 2 deg.): 5-17% 7-13% 9-11% RfY (111. C, 2 deg.): 5 -20% 7-14% 10-12% 傳熱系數(shù)： 0.10-0.40 0.20 -0.30 0.22 -0.25
[0028] 應(yīng)注意，通過調(diào)整層厚度，一些參數(shù)可被調(diào)整。例如，通過增加銀層11的厚度和/ 或通過向涂層提供另外的銀層，片電阻可被減少且可見光透射率被降低。在示例性實施例 中，在圖1-2實施例中的涂層5可具有10個歐姆/平方以下的片電阻（R s)，更優(yōu)選是8歐 姆/平方以下，且最優(yōu)選是6歐姆/平方以下。
[0029] 在本發(fā)明的示例性實施例中，提供一種制備在窗中使用的涂層制品的方法，所述 方法包括：制備含有基片的涂層制品，所述基片支撐含有至少一個層的涂層，所述至少一個 層含有銀，位于含有金屬氧化物的層之上并直接與其接觸，所述金屬氧化物用于吸收紫外 線（UV)輻射；將來自至少一個紫外源的紫外線輻射指向所述涂層，并將所述涂層暴露至紫 外線輻射，來減少所述涂層的片電阻和/或增加所述涂層的可見光透射率。
[0030] 如前段落所述的方法，其中，所述紫外源可包括：至少一個紫外線放射燈。
[0031] 如前兩個段落中任何一項的方法，其中，所述紫外源包括：至少一個紫外線放射激 光。
[0032] 如前三個段落中任何一項的方法，其中，將所述涂層暴露至紫外線輻射，可減少所 述涂層的片電阻至少1歐姆/平方，更優(yōu)選是至少1. 5或2歐姆/平方。
[0033] 如前四個段落中任何一項的方法，其中，所述含有金屬氧化物的層，可具有 3. 2-3. 4eV的能帶隙。
[0034] 如前五個段落中任何一項的方法，其中，所述含有金屬氧化物的層，可包括氧化 鋅。
[0035] 如前六個段落中任何一項的方法，其中，所述含有金屬氧化物的層，可包括錫酸 鋅。
[0036] 如前七個段落中任何一項的方法，其中，所述涂層可以是低輻射涂層。
[0037] 如前八個段落中任何一項的方法，其中，在所述紫外線輻射之后，所述涂層的片電 阻艮為10歐姆/平方以下。
[0038] 如前九個段落中任何一項的方法，其中，將所述涂層暴露至紫外線輻射，可增加所 述涂層制品的可見光透射率至少1 %，更優(yōu)選是至少1. 5 %或2 %
[0039] 如前十個段落中任何一項的方法，其中，在所述輻射之后，所述涂層制品可具有至 少50 %的可見光透射率。
[0040] 如前十一個段落中任何一項的方法，其中，所述基片可以是玻璃基片。
[0041] 如前十二個段落中任何一項的方法，進一步包括，在所述輻射之后，將具有所述涂 層的所述基片與另一個基片耦合，來制備絕緣玻璃IG窗單元。
[0042] 如前十三個段落中任何一項的方法，其中，從所述源中放射的輻射可基本上由紫 外線輻射構(gòu)成。
[0043] 如前十四個段落中任何一項的方法，其中，所述涂層進一步包括：(a)含有氧化鎳 或鉻的層，位于所述含有銀的層上并直接與其接觸；和/或（b)含有氮化硅的介質(zhì)層，位于 所述含有銀的層之上。
[0044] 如前十五個段落中任何一項的方法，其中，所述源和所述涂層可位于所述基片的 相同側(cè)。
[0045] 在此所使用的用語"在…之上"，"由…支撐"，以及類似等，除非有明確聲明，不應(yīng) 解釋為兩個元件直接彼此相鄰。也就是說，就算第一個層和第二個層之間具有一個或多個 其他層，第一個層也可被解釋為在第二個層之上或是由第二層支撐。
[0046] 如上所述，本發(fā)明雖然已參照最實用和優(yōu)選的實施例進行了說明，但是本發(fā)明并 不局限于所述實施例，相反可在上述說明的范圍內(nèi)進行各種修改和變形，修改將由后附的 權(quán)利要求范圍定義。
【權(quán)利要求】
1. 一種制備在窗中使用的涂層制品的方法，所述方法包括： 制備含有基片的涂層制品，所述基片支撐含有至少一個層的涂層，所述至少一個層含 有銀，位于含有金屬氧化物的層之上并直接與其接觸，所述金屬氧化物用于吸收紫外線UV 輻射； 將來自至少一個紫外源的紫外線輻射指向所述涂層，并將所述涂層暴露至紫外線輻 射，來減少所述涂層的片電阻和/或增加所述涂層的可見光透射率。
2. 如權(quán)利要求1所述的方法，其中，所述紫外源包括：至少一個紫外線放射燈。
3. 如權(quán)利要求1所述的方法，其中，所述紫外源包括：至少一個紫外線放射激光。
4. 如上述權(quán)利要求中任何一項所述的方法，其中，將所述涂層暴露至紫外線輻射，減少 所述涂層的片電阻至少1歐姆/平方。
5. 如上述權(quán)利要求中任何一項所述的方法，其中，所述含有金屬氧化物的層，具有 3. 2-3. 4eV的能帶隙。
6. 如上述權(quán)利要求中任何一項所述的方法，其中，所述含有金屬氧化物的層，包括氧化 鋅。
7. 如上述權(quán)利要求中任何一項所述的方法，其中，所述含有金屬氧化物的層，包括錫酸 鋅。
8. 如上述權(quán)利要求中任何一項所述的方法，其中，所述涂層為低輻射涂層。
9. 如上述權(quán)利要求中任何一項所述的方法，其中，在所述紫外線輻射之后，所述涂層的 片電阻艮為10歐姆/平方以下。
10. 如上述權(quán)利要求中任何一項所述的方法，其中，將所述涂層暴露至紫外線輻射，增 加所述涂層制品的可見光透射率至少1%。
11. 如上述權(quán)利要求中任何一項所述的方法，其中，在所述輻射之后，所述涂層制品具 有至少50%的可見光透射率。
12. 如上述權(quán)利要求中任何一項所述的方法，其中，所述基片為玻璃基片。
13. 如上述權(quán)利要求中任何一項所述的方法，進一步包括，在所述輻射之后，將具有所 述涂層的所述基片與另一個基片耦合，來制備絕緣玻璃IG窗單元。
14. 如上述權(quán)利要求中任何一項所述的方法，其中，從所述源中放射的輻射由紫外線輻 射構(gòu)成。
15. 如上述權(quán)利要求中任何一項所述的方法，其中，所述涂層進一步包括：含有氧化鎳 和/或鉻的層，位于所述含有銀的層上并直接與其接觸。
16. 如上述權(quán)利要求中任何一項所述的方法，其中，所述涂層進一步包括：含有氮化硅 的介質(zhì)層，位于所述含有銀的層之上。
17. 如上述權(quán)利要求中任何一項所述的方法，其中，所述源和所述涂層位于所述基片的 相同側(cè)。
18. -種制備在窗中使用的涂層制品的方法，所述方法包括： 制備含有玻璃基片的涂層制品，所述玻璃基片支撐含有至少一個金屬層的涂層，所述 至少一個金屬層位于含有金屬氧化物的層之上并直接與其接觸，所述含有金屬氧化物的層 具有3. 2-3. 4eV的能帶隙； 將來自至少一個紫外源的紫外線輻射指向所述涂層，并將所述涂層暴露至紫外線輻 射，來減少所述涂層的片電阻，以及增加所述涂層的可見光透射率。
19. 如權(quán)利要求18所述的方法，其中，所述紫外源包括至少一個紫外線放射燈和/或激 光。
20. 如權(quán)利要求18-19中任何一項所述的方法，其中，將所述涂層暴露至紫外線輻射， 減少所述金屬層的片電阻至少1歐姆/平方。
【文檔編號】C03C17/36GK104507886SQ201380040892
【公開日】2015年4月8日 申請日期:2013年5月22日 優(yōu)先權(quán)日:2012年5月31日
【發(fā)明者】阿列克謝·克拉斯諾夫, 穆罕默德·伊姆蘭, 威廉·鄧·波爾, 凱文·奧康納 申請人:葛迪恩實業(yè)公司