一種單向可視低輻射玻璃的制作方法
【專利摘要】本發(fā)明公開了一種單向可視低輻射玻璃的制作方法,A、采用氧氣作為反應(yīng)氣體，氬氣作為保護氣體，直流電源濺射Nb平面靶，在玻璃基板上磁控濺射Nb2O5層；B、采用氧氣作為反應(yīng)氣體，氬氣作為保護氣體，交流電源濺射鋁旋轉(zhuǎn)靶，在Nb2O5層上磁控濺射Al2O3層；C、采用氬氣作為反應(yīng)氣體，直流電源濺射銀平面靶，在步驟B中的Al2O3層上磁控濺射Ag層；D、采用氬氣作為反應(yīng)氣體，直流電源濺射Al平面靶，在步驟C中Ag層上磁控濺射Al層；E、采用氬氣作為反應(yīng)氣體，交流電源濺射氧化鈦陶瓷旋轉(zhuǎn)靶，在步驟D中的Al層上磁控濺射TiO2層。本發(fā)明的目的提供一種工藝簡單，操作方便，生產(chǎn)成本相對較低的單向可視低輻射玻璃的制作方法。
【專利說明】一種單向可視低輻射玻璃的制作方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及一種單向可視低輻射玻璃的制作方法。
【背景技術(shù)】
[0002]低輻射玻璃是指對紅外輻射具有高反射率，對可見光具有良好透射率的平板鍍膜玻璃。低輻射玻璃具有良好的透光、保溫、隔熱性能，廣泛應(yīng)用于窗戶、爐門、冷藏柜門等地方。
[0003]現(xiàn)有的單銀低輻射玻璃一般可視效果較差，不能滿足使用者的需求，故此，現(xiàn)有的單銀低輻射玻璃有待于進步完善。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0004]本發(fā)明的目的是為了克服現(xiàn)有技術(shù)中的不足之處，提供一種工藝簡單，操作方便，生產(chǎn)成本相對較低的單向可視低輻射玻璃的制作方法。
[0005]為了達到上述目的，本發(fā)明采用以下方案: [0006]一種單向可視低輻射玻璃的制作方法，其特征在于包括以下步驟:
[0007]A、采用氧氣作為反應(yīng)氣體，氬氣作為保護氣體，直流電源濺射Nb平面靶，在玻璃基板上磁控濺射Nb2O5層；
[0008]B、采用氧氣作為反應(yīng)氣體，氬氣作為保護氣體，交流電源濺射鋁旋轉(zhuǎn)靶，在步驟A中Nb2O5層上磁控濺射Al2O3層；
[0009]C、采用氬氣作為反應(yīng)氣體，直流電源濺射銀平面靶，在步驟B中的Al2O3層上磁控濺射Ag層；
[0010]D、采用氬氣作為反應(yīng)氣體，直流電源濺射Al平面靶，在步驟C中Ag層上磁控濺射Al層；
[0011]E、采用氬氣作為反應(yīng)氣體，交流電源濺射氧化鈦陶瓷旋轉(zhuǎn)靶，在步驟D中的Al層上磁控濺射TiO2層。
[0012]如上所述的一種單向可視低輻射玻璃的制作方法，其特征在于步驟A中所述Nb2O5層的厚度為10~15nm,所述IS氣與氧氣的體積比為2:3,派射壓力2.5*10 —3mbar,派射功率 10 ~15KW。
[0013]如上所述的一種單向可視低輻射玻璃的制作方法，其特征在于步驟B中所述Al2O3層的厚度為15~25nm，所述氬氣與氧氣的體積比為1:2，濺射功率40~66KW。
[0014]如上所述的一種單向可視低輻射玻璃的制作方法，其特征在于步驟C所述Ag層的厚度為8~10nm，所述直流電源的濺射功率3~6KW。
[0015]如上所述的一種單向可視低輻射玻璃的制作方法，其特征在于步驟E中所述Al層的厚度為3~5nm，所述直流電源的濺射功率3~5KW。
[0016]如上所述的一種單向可視低輻射玻璃的制作方法，其特征在于步驟A中所述玻璃基板的厚度為4~19mm。[0017]綜上所述，本發(fā)明的有益效果:
[0018]本發(fā)明工藝方法簡單，操作方便，生產(chǎn)成本相對較低。本發(fā)明產(chǎn)品在使用了高反射材料鋁的情況下，可見光透過率能達50%，可滿足室內(nèi)看到室外的目的。由于使用Al2O3及Al的復(fù)合，可增加室外反射，從而達到單向可視的目的。
[0019]本發(fā)明中Al層一方面作為銀層的阻擋層，防止氧化，另一方面，利用鋁的高反射，具備單向可視的效果。
【具體實施方式】
[0020]下面結(jié)合【具體實施方式】對本發(fā)明做進一步描述:
[0021]實施例1
[0022]本發(fā)明一種單向可視低輻射玻璃的制作方法，包括以下步驟:
[0023]A、采用氧氣作為反應(yīng)氣體，氬氣作為保護氣體，直流電源濺射Nb平面靶，在玻璃基板上磁控濺射Nb2O5層；所述Nb2O5層的厚度為10~15nm，所述氬氣與氧氣的體積比為2:3,即IS氣:氧氣=600sccm:900sccm,派射壓力2.5*l(T3mbar，派射功率IOKff0所述玻璃基板的厚度為4mm。
[0024]B、采用氧氣作為反應(yīng)氣體，氬氣作為保護氣體，交流電源濺射鋁旋轉(zhuǎn)靶，在步驟A中Nb2O5層上磁控濺射Al2O3層；所述Al2O3層的厚度為15nm，所述氬氣與氧氣的體積比為1:
2,即IS氣:氧氣=400sccm:800sccm,派射功率 40KW。
[0025]C、采用氬氣作為反應(yīng)氣體，直流電源濺射銀平面靶，在步驟B中的Al2O3層上磁控濺射Ag層；所述Ag層的厚度為`8nm，所述直流電源的濺射功率3KW。
[0026]D、采用氬氣作為反應(yīng)氣體，直流電源濺射Al平面靶，在步驟C中Ag層上磁控濺射Al層；所述Al層的厚度為3nm，所述直流電源的濺射功率3KW。
[0027]E、采用氬氣作為反應(yīng)氣體，交流電源濺射氧化鈦陶瓷旋轉(zhuǎn)靶，在步驟D中的Al層上磁控濺射TiO2層。
[0028]實施例2
[0029]本發(fā)明一種單向可視低輻射玻璃的制作方法，包括以下步驟:
[0030]A、采用氧氣作為反應(yīng)氣體，氬氣作為保護氣體，直流電源濺射Nb平面靶，在玻璃基板上磁控濺射Nb2O5層；所述Nb2O5層的厚度為12nm，所述氬氣與氧氣的體積比為2:3，即IS氣:氧氣=600sccm:900sccm,派射壓力2.5*10 —3mbar,派射功率12KW。所述玻璃基板的厚度為10mm。
[0031]B、采用氧氣作為反應(yīng)氣體，氬氣作為保護氣體，交流電源濺射鋁旋轉(zhuǎn)靶，在步驟A中Nb2O5層上磁控濺射Al2O3層；所述Al2O3層的厚度為20nm，所述氬氣與氧氣的體積比為1:2，即氬氣:氧氣=400sccm:800sccm，濺射功率50KW。
[0032]C、采用氬氣作為反應(yīng)氣體，直流電源濺射銀平面靶，在步驟B中的Al2O3層上磁控濺射Ag層；所述Ag層的厚度為9nm，所述直流電源的濺射功率4KW。
[0033]D、采用氬氣作為反應(yīng)氣體，直流電源濺射Al平面靶，在步驟C中Ag層上磁控濺射Al層；所述Al層的厚度為4nm，所述直流電源的濺射功率4KW。
[0034]E、采用氬氣作為反應(yīng)氣體，交流電源濺射氧化鈦陶瓷旋轉(zhuǎn)靶，在步驟D中的Al層上磁控濺射TiO2層。[0035]實施例3
[0036]本發(fā)明一種單向可視低輻射玻璃的制作方法，包括以下步驟:
[0037]A、采用氧氣作為反應(yīng)氣體，氬氣作為保護氣體，直流電源濺射Nb平面靶，在玻璃基板上磁控濺射Nb2O5層；所述Nb2O5層的厚度為10~15nm，所述氬氣與氧氣的體積比為2:3,即IS氣:氧氣=600sccm:900sccm,派射壓力2.5*10 —3mbar,派射功率15KW。所述玻璃基板的厚度為19mm。
[0038]B、采用氧氣作為反應(yīng)氣體，氬氣作為保護氣體，交流電源濺射鋁旋轉(zhuǎn)靶，在步驟A中Nb2O5層上磁控濺射Al2O3層；所述Al2O3層的厚度為25nm，所述氬氣與氧氣的體積比為1:2，即氬氣:氧氣=400sccm:800sccm，濺射功率66KW。
[0039]C、采用氬氣作為反應(yīng)氣體，直流電源濺射銀平面靶，在步驟B中的Al2O3層上磁控濺射Ag層；所述Ag層的厚度為10nm，所述直流電源的濺射功率6KW。
[0040]D、采用氬氣作為反應(yīng)氣體，直流電源濺射Al平面靶，在步驟C中Ag層上磁控濺射Al層；所述Al層的厚度為5nm，所述直流電源的濺射功率5KW。
[0041]E、采用氬氣作為反應(yīng)氣體，交流電源濺射氧化鈦陶瓷旋轉(zhuǎn)靶，在步驟D中的Al層上磁控濺射TiO2層。
[0042]以上顯示和描述了本發(fā)明的基本原理和主要特征和本發(fā)明的優(yōu)點。本行業(yè)的技術(shù)人員應(yīng)該了解，本發(fā)明不受上述實施例的限制，上述實施例和說明書中描述的只是說明本發(fā)明的原理，在不脫離本發(fā)明精神和范圍的前提下，本發(fā)明還會有各種變化和改進，這些變化和改進都落入要求保護的本發(fā)明范圍內(nèi)。本發(fā)明要求保護范圍由所附的權(quán)利要求書及其等效物界定。`
【權(quán)利要求】
1.一種單向可視低輻射玻璃的制作方法，其特征在于包括以下步驟: A、采用氧氣作為反應(yīng)氣體，氬氣作為保護氣體，直流電源濺射Nb平面靶，在玻璃基板上磁控灘射Nb2O5層； B、采用氧氣作為反應(yīng)氣體，氬氣作為保護氣體，交流電源濺射鋁旋轉(zhuǎn)靶，在步驟A中Nb2O5層上磁控灘射Al2O3層； C、采用氬氣作為反應(yīng)氣體，直流電源濺射銀平面靶，在步驟B中的Al2O3層上磁控濺射Ag層； D、采用氬氣作為反應(yīng)氣體，直流電源濺射Al平面靶，在步驟C中Ag層上磁控濺射Al層； E、采用氬氣作為反應(yīng)氣體，交流電源濺射氧化鈦陶瓷旋轉(zhuǎn)靶，在步驟D中的Al層上磁控濺射TiO2層。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種單向可視低輻射玻璃的制作方法，其特征在于步驟A中所述Nb2O5層的厚度為10~15nm，所述氬氣與氧氣的體積比為2:3，濺射壓力2.5*10 —3mbar,灘射功率10~15KW。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種單向可視低輻射玻璃的制作方法，其特征在于步驟B中所述Al2O3層的厚度為15~25nm，所述氬氣與氧氣的體積比為1:2，濺射功率40~66KW。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種單向可視低輻射玻璃的制作方法，其特征在于步驟C所述Ag層的厚度為8~10nm，所述直流電源的濺射功率3~6KW。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種單向`可視低輻射玻璃的制作方法，其特征在于步驟E中所述Al層的厚度為3~5nm，所述直流電源的濺射功率3~5KW。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種單向可視低輻射玻璃的制作方法，其特征在于步驟A中所述玻璃基板的厚度為4~19mm。
【文檔編號】C03C17/36GK103755155SQ201310718207
【公開日】2014年4月30日 申請日期:2013年12月21日 優(yōu)先權(quán)日:2013年12月21日
【發(fā)明者】魏佳坤 申請人:揭陽市宏光鍍膜玻璃有限公司