本發(fā)明涉及將板狀的被加工物分割成一個(gè)個(gè)器件芯片的切削裝置。

背景技術(shù)：
在半導(dǎo)體裝置制造工序和各種電子部件制造工序中，被稱為切割機(jī)(dicingsaw)的切削裝置不可或缺，所述切削裝置使極薄的切削刀具高速旋轉(zhuǎn)以將被加工物分割成一個(gè)個(gè)產(chǎn)品或芯片。在這種切削裝置中，切削刀具由粘接材料和在粘接材料中大量含有的微小的磨粒(金剛石或碳化硅(SiC)等)構(gòu)成且刀刃的厚度為20～300μm，使所述切削刀具高速旋轉(zhuǎn)，將被加工物(半導(dǎo)體晶片或玻璃、陶瓷等)的分割預(yù)定線粉碎至微米級(jí)并去除，從而將被加工物分割成一個(gè)個(gè)產(chǎn)品或芯片。在該加工中，使用加工液等液體進(jìn)行冷卻和清洗，但在加工過(guò)程中利用顯微鏡觀察以便確認(rèn)上表面的狀態(tài)時(shí)，或者在加工完成而將被加工物搬出時(shí)，由于液體會(huì)產(chǎn)生干擾因而不需要，所以需要用氣槍等除去液體。而且，在直接抽吸保持被加工物并進(jìn)行分割的情況下，產(chǎn)品芯片以外的區(qū)域(邊角料部分)受到加工液的沖擊而被沖開(kāi)并從卡盤工作臺(tái)去除，落到褶皺部上，接著隨著加工液的流動(dòng)，從褶皺部落下而被處理(參照專利文獻(xiàn)1)。專利文獻(xiàn)1：日本特開(kāi)2002-239888號(hào)公報(bào)然而，在通常的切削裝置中，以卡盤工作臺(tái)的上表面成為水平的方式構(gòu)成裝置，因此載置于卡盤工作臺(tái)的被加工物的上表面的水隨著某個(gè)趨向被排出。因此，在不具有清洗和搬運(yùn)功能的所謂手動(dòng)型的切削裝置中，操作者向位于加工完成后的被加工物的上表面的液體噴射來(lái)自氣槍的高壓空氣來(lái)將液體去除。而且，覆蓋加工進(jìn)給構(gòu)件的褶皺部上的液體和切下的邊角料也通過(guò)相同的方法去除。特別是在邊角料的情況下，還存在著邊角料卡在褶皺部而使褶皺部損壞、液體泄漏到加工進(jìn)給構(gòu)件的軸部從而導(dǎo)致裝置損壞的可能性，因此需要注意。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：
本發(fā)明正是鑒于上述情況而完成的，其目的在于提供能夠容易地從被加工物的上表面除去液體和邊角料的切削裝置。為解決上述課題，達(dá)成目的，本發(fā)明的切削裝置為在靜止基座的平坦的上表面配設(shè)有切削單元的切削裝置，所述切削單元由下述部件構(gòu)成：卡盤工作臺(tái)，所述卡盤工作臺(tái)用于保持被加工物；加工構(gòu)件，所述加工構(gòu)件用于一邊對(duì)在所述卡盤工作臺(tái)保持的所述被加工物供給加工液一邊進(jìn)行切削加工；加工進(jìn)給構(gòu)件，所述加工進(jìn)給構(gòu)件用于使所述卡盤工作臺(tái)沿加工進(jìn)給方向移動(dòng)；分度進(jìn)給構(gòu)件，所述分度進(jìn)給構(gòu)件用于使所述加工構(gòu)件沿與所述加工進(jìn)給方向垂直的分度進(jìn)給方向移動(dòng)；切深進(jìn)給構(gòu)件，所述切深進(jìn)給構(gòu)件用于使所述加工構(gòu)件沿與所述加工進(jìn)給方向和所述分度進(jìn)給方向垂直的深度方向移動(dòng)；拍攝構(gòu)件，所述拍攝構(gòu)件用于對(duì)保持于所述卡盤工作臺(tái)的所述被加工物的應(yīng)切削區(qū)域進(jìn)行拍攝；褶皺部，所述褶皺部與所述卡盤工作臺(tái)連接并且所述褶皺部覆蓋所述加工進(jìn)給構(gòu)件；以及排水通路，所述排水通路沿著所述加工進(jìn)給方向配設(shè)于所述加工進(jìn)給構(gòu)件的兩側(cè)，所述切削裝置的特征在于，所述切削單元以所述靜止基座的靠所述卡盤工作臺(tái)側(cè)的邊緣為中心，使所述靜止基座繞作為加工進(jìn)給方向的X軸傾斜，以使所述卡盤工作臺(tái)處于低位，從所述加工構(gòu)件的噴嘴噴出的加工液在沖擊所述加工構(gòu)件的切削刀具和所述被加工物的切削部位后，經(jīng)由所述卡盤工作臺(tái)、所述被加工物及所述褶皺部上而流到所述排水通路，排出至所述切削裝置外。因此，在本發(fā)明的切削裝置中，靜止基座以加工進(jìn)給方向?yàn)橹c(diǎn)沿分度進(jìn)給方向傾斜，以使包含所有的加工進(jìn)給構(gòu)件、分度進(jìn)給構(gòu)件和切深進(jìn)給構(gòu)件的切削單元的卡盤工作臺(tái)處于低位，因此利用重力自然地促進(jìn)了加工液等液體和邊角料從被加工物的表面的去除。而且，除此之外，由于加工進(jìn)給方向、分度進(jìn)給方向和切深進(jìn)給方向相互垂直，所以加工進(jìn)給構(gòu)件、分度進(jìn)給構(gòu)件和切深進(jìn)給構(gòu)件的控制與傾斜前相比沒(méi)有任何變化，起到了保證精度的效果。并且，由于使搬入搬出被加工物的卡盤工作臺(tái)處于低位，所以還具有在將被加工物載置到卡盤工作臺(tái)時(shí)，操作者容易處理的效果。因此，在本發(fā)明的切削裝置中，能夠從被加工物的上表面容易地去除液體和邊角料。附圖說(shuō)明圖1是示出實(shí)施方式涉及的切削裝置的整體的結(jié)構(gòu)例的圖。圖2是示出實(shí)施方式涉及的切削裝置的切削單元的結(jié)構(gòu)例的圖。圖3是示出實(shí)施方式涉及的切削裝置的側(cè)面的圖。圖4是示出作為實(shí)施方式涉及的被加工物的晶片等的立體圖。標(biāo)號(hào)說(shuō)明1：切削裝置；2：靜止基座；2a：上表面；4：切削單元；10：卡盤工作臺(tái)；13a、13b：褶皺部；15：排水通路；20：加工構(gòu)件；30：X軸移動(dòng)構(gòu)件(加工進(jìn)給構(gòu)件)；40：Y軸移動(dòng)構(gòu)件(分度進(jìn)給構(gòu)件)；50：Z軸移動(dòng)構(gòu)件(切深進(jìn)給構(gòu)件)；60：拍攝構(gòu)件；O：搬出搬入?yún)^(qū)域；P：加工區(qū)域；X、XA：加工進(jìn)給方向；YA：分度進(jìn)給方向；ZA：深度方向；W：晶片(被加工物)。具體實(shí)施方式參照附圖對(duì)用于實(shí)施本發(fā)明的方式(實(shí)施方式)詳細(xì)地說(shuō)明。并不由下述的實(shí)施方式所記載的內(nèi)容來(lái)限定本發(fā)明。而且，在下面記載的結(jié)構(gòu)要素中包含本領(lǐng)域技術(shù)人員能夠容易地想到的要素和實(shí)質(zhì)上相同的要素。并且，可以將下面記載的結(jié)構(gòu)適當(dāng)?shù)亟M合。而且，在不脫離本發(fā)明的主旨的范圍內(nèi)，可以進(jìn)行結(jié)構(gòu)的各種省略、置換或變更。[實(shí)施方式]圖1是示出實(shí)施方式涉及的切削裝置的整體的結(jié)構(gòu)例的圖。圖2是示出實(shí)施方式涉及的切削裝置的切削單元的結(jié)構(gòu)例的圖。圖3是示出實(shí)施方式涉及的切削裝置的側(cè)面的圖。圖4是示出作為實(shí)施方式涉及的被加工物的晶片等的立體圖。圖1所示的實(shí)施方式涉及的切削裝置1是用于對(duì)保持于卡盤工作臺(tái)10的晶片W(相當(dāng)于被加工物)實(shí)施切削加工，并將其分割成一個(gè)個(gè)器件芯片的裝置。這里，作為被加工物的晶片W為切削加工的加工對(duì)象，其為以硅、藍(lán)寶石、鎵等為母材的圓板狀的半導(dǎo)體晶片或光器件晶片。如圖4所示，在晶片W的表面形成的多個(gè)器件D由多條間隔道S呈格子狀地劃分開(kāi)。在晶片W的位于與表面相反的一側(cè)的背面粘貼有粘接帶T，在粘接帶T粘貼有環(huán)狀框架F，由此晶片W被固定于環(huán)狀框架F，利用切削裝置1對(duì)間隔道S實(shí)施切削加工但留下粘接帶T，從而將晶片W分割成器件D。如圖1、圖2及圖3所示，切削裝置1具備靜止基座2等，在所述靜止基座2的上表面2a設(shè)有卡盤工作臺(tái)10和用于對(duì)晶片W實(shí)施切削加工的加工構(gòu)件20等，在靜止基座2的上表面2a設(shè)有搬出搬入?yún)^(qū)域O和加工區(qū)域P。另外，靜止基座2設(shè)在臺(tái)架部3上。在靜止基座2的上表面2a設(shè)置的卡盤工作臺(tái)10被設(shè)置成借助X軸移動(dòng)構(gòu)件30(相當(dāng)于加工進(jìn)給構(gòu)件)而在靜止基座2的搬出搬入?yún)^(qū)域O和加工區(qū)域P的范圍移動(dòng)自如。卡盤工作臺(tái)10的構(gòu)成表面的部分為由多孔質(zhì)陶瓷等形成的圓盤形狀，所述卡盤工作臺(tái)10經(jīng)由未圖示的真空抽吸路徑與未圖示的真空抽吸源連接，在搬出搬入?yún)^(qū)域O對(duì)載置于表面的晶片W進(jìn)行抽吸保持。另外，X軸移動(dòng)構(gòu)件30用于使卡盤工作臺(tái)10沿X(XA)軸方向(相當(dāng)于加工進(jìn)給方向)在搬出搬入?yún)^(qū)域O和加工區(qū)域P之間移動(dòng)，并且支承工作臺(tái)移動(dòng)基座12，所述工作臺(tái)移動(dòng)基座12用于將卡盤工作臺(tái)10支承成繞中心軸線(與ZA軸平行)旋轉(zhuǎn)自如。而且，在卡盤工作臺(tái)10的周圍設(shè)有用于夾持晶片W的周圍的環(huán)狀框架F的夾緊器11，在卡盤工作臺(tái)10的X(XA)軸方向的兩側(cè)設(shè)有褶皺部13a、13b，所述褶皺部13a、13b與卡盤工作臺(tái)10連接并覆蓋X軸移動(dòng)構(gòu)件30。褶皺部13a、13b由布等折疊自如的適當(dāng)材料構(gòu)成，其伴隨著卡盤工作臺(tái)10的移動(dòng)而伸縮，和卡盤工作臺(tái)10一起覆蓋X軸移動(dòng)構(gòu)件30，用于防止后述的加工液附著到X軸移動(dòng)構(gòu)件30。另外，在X軸移動(dòng)構(gòu)件30的兩側(cè)沿著X(XA)軸方向配設(shè)有排水通路15，所述排水通路15用于借助軟管14將加工液排出。而且，在靜止基座2的上表面2a的加工區(qū)域P設(shè)有加工構(gòu)件20，所述加工構(gòu)件20位于在卡盤工作臺(tái)10保持的晶片W的上方，用于一邊對(duì)晶片W供給加工液一邊進(jìn)行切削加工。加工構(gòu)件20利用Y軸移動(dòng)構(gòu)件40(相當(dāng)于分度進(jìn)給構(gòu)件)相對(duì)于在卡盤工作臺(tái)10保持的工件W沿與X(XA)軸方向垂直的YA軸方向(相當(dāng)于分度進(jìn)給方向)移動(dòng)，并且利用Z軸移動(dòng)構(gòu)件50(相當(dāng)于切深進(jìn)給構(gòu)件)相對(duì)于在卡盤工作臺(tái)10保持的工件W沿與X(XA)軸方向及YA軸方向垂直的ZA軸方向(相當(dāng)于深度方向)移動(dòng)。加工構(gòu)件20具備由未圖示的刀具驅(qū)動(dòng)源旋轉(zhuǎn)驅(qū)動(dòng)的切削刀具21，切削刀具21是大致環(huán)狀的極薄的切削磨具，所述切削刀具21通過(guò)旋轉(zhuǎn)對(duì)晶片W實(shí)施切削加工。而且，加工構(gòu)件20具備用于向切削刀具21供給加工液的噴嘴22，噴嘴22朝向切削刀具21和晶片W的由切削刀具21切削的切削部位噴射加工液。在加工區(qū)域P，加工構(gòu)件20利用Y軸移動(dòng)構(gòu)件40和Z軸移動(dòng)構(gòu)件50沿YA軸方向及ZA軸方向移動(dòng)，一邊旋轉(zhuǎn)切削刀具21一邊從噴嘴22噴射加工液，由此對(duì)保持于卡盤工作臺(tái)10的晶片W實(shí)施切削加工。此時(shí)，從噴嘴22噴出的加工液在沖擊切削刀具21和晶片W的由切削刀具21切削的切削部位后，在卡盤工作臺(tái)10、晶片W及褶皺部13a、13b上順次流到排水通路15，經(jīng)由軟管14排出至切削裝置1外。而且，在加工構(gòu)件20的附近設(shè)有拍攝構(gòu)件60，所述拍攝構(gòu)件60與加工構(gòu)件20一體地利用Y軸移動(dòng)構(gòu)件40和Z軸移動(dòng)構(gòu)件50沿YA軸方向和ZA軸方向移動(dòng)自如。拍攝構(gòu)件60具備對(duì)在搬出搬入?yún)^(qū)域O的卡盤工作臺(tái)10保持的切削加工前的晶片W的應(yīng)切削區(qū)域進(jìn)行拍攝的CCD攝像機(jī)，CCD攝像機(jī)對(duì)保持于卡盤工作臺(tái)10的晶片W進(jìn)行拍攝，得到用于執(zhí)行校準(zhǔn)的圖像，所述校準(zhǔn)用于進(jìn)行晶片W和切削刀具21的對(duì)位，CCD攝像機(jī)將獲得的圖像的信息輸出至在比加工構(gòu)件20靠上方設(shè)置的控制構(gòu)件70和顯示構(gòu)件80?？刂茦?gòu)件70例如以由CPU等構(gòu)成的運(yùn)算處理裝置和具備ROM、RAM等的未圖示的微處理器為主體構(gòu)成，所述控制構(gòu)件70在顯示構(gòu)件80顯示由拍攝構(gòu)件60獲得的圖像和加工動(dòng)作的狀態(tài)，并且與在操作者輸入加工內(nèi)容信息等時(shí)使用的未圖示的操作構(gòu)件連接。當(dāng)搬出搬入?yún)^(qū)域O的卡盤工作臺(tái)10抽吸保持切削加工前的晶片W時(shí)，控制構(gòu)件70使X軸移動(dòng)構(gòu)件30朝向加工區(qū)域P移動(dòng)卡盤工作臺(tái)10。接著，在從拍攝構(gòu)件60向控制構(gòu)件70輸入由CCD攝像機(jī)獲得的切削加工前的晶片W的圖像后，控制構(gòu)件70基于所述圖像進(jìn)行圖案匹配等圖像處理，從而執(zhí)行加工構(gòu)件20的校準(zhǔn)，所述圖像處理用于進(jìn)行晶片W和切削刀具21的對(duì)位。然后，控制構(gòu)件70基于校準(zhǔn)信息，一邊從噴嘴22對(duì)加工構(gòu)件20噴射加工液一邊對(duì)晶片W的間隔道S進(jìn)行切削加工，當(dāng)對(duì)全部的間隔道S實(shí)施了切削加工后，停止加工構(gòu)件20，將卡盤工作臺(tái)10移動(dòng)至搬出搬入?yún)^(qū)域O。這樣，控制構(gòu)件70控制構(gòu)成切削裝置1的結(jié)構(gòu)要素，在切削裝置1進(jìn)行了對(duì)晶片W的加工動(dòng)作。在所述切削裝置1中，由卡盤工作臺(tái)10、加工構(gòu)件20、X軸移動(dòng)構(gòu)件30、Y軸移動(dòng)構(gòu)件40、Z軸移動(dòng)構(gòu)件50、拍攝構(gòu)件60、褶皺部13a、13b和排水通路15構(gòu)成切削單元4，該切削單元4配設(shè)于靜止基座2的平坦的上表面2a。而且，在上述切削裝置1，與靜止基座2的上表面2a垂直的ZA軸和平行于鉛垂方向的Z軸之間形成角度θ，平行于靜止基座2的上表面2a的XA軸與平行于水平方向的X軸一致，平行于靜止基座2的上表面2a的YA軸和平行于水平方向的Y軸之間形成角度θ。在切削裝置1中，以ZA軸與Z軸之間形成角度θ，XA軸與X軸一致，YA軸與Y軸之間形成角度θ的方式，靜止基座2以X(XA)軸為支點(diǎn)沿Y(YA)軸方向傾斜(繞X(XA)軸傾斜)，以使卡盤工作臺(tái)10處于低位。在本實(shí)施方式中，切削裝置1以靜止基座2的靠卡盤工作臺(tái)10側(cè)的邊緣2b為中心，使靜止基座2繞X(XA)軸傾斜，以使卡盤工作臺(tái)10處于低位。另外，角度θ優(yōu)選處于3度～7度之間，進(jìn)一步優(yōu)選為大約5度。并且，在切削裝置1中，即使靜止基座2如前所述地傾斜，顯示構(gòu)件80的朝向也可以變更成操作者容易使用的朝向。如上所述，根據(jù)實(shí)施方式涉及的切削裝置1，包含X軸移動(dòng)構(gòu)件30、Y軸移動(dòng)構(gòu)件40和Z軸移動(dòng)構(gòu)件50的整體的切削單元4以使卡盤工作臺(tái)10處于低位的方式，以X(XA)軸方向?yàn)橹c(diǎn)沿Y(YA)軸方向傾斜，因此利用重力自然地促進(jìn)了加工液和被加工物的邊角料等從晶片W的表面的去除。而且，不僅自然地促進(jìn)了加工液的去除，由于XA軸、YA軸和ZA軸相互垂直，所以X軸移動(dòng)構(gòu)件30、Y軸移動(dòng)構(gòu)件40和Z軸移動(dòng)構(gòu)件50的控制與傾斜前相比沒(méi)有任何變化，起到了保證精度的效果。并且，為了如上所述地使靜止基座2傾斜，使用于搬入搬出晶片W的卡盤工作臺(tái)10處于低位，因此還具有在將晶片W載置于卡盤工作臺(tái)10時(shí)，操作者容易處理的效果。因此，在切削裝置1中，能夠從晶片W的表面容易地去除加工液等液體和被加工物的邊角料等。在前述實(shí)施方式中，以使卡盤工作臺(tái)10處于低位的方式，以靜止基座2的靠近卡盤工作臺(tái)10的邊緣2b為中心傾斜靜止基座2，但在本發(fā)明中，只要以X(XA)軸為中心傾斜靜止基座2，以靜止基座2的任意位置為中心傾斜靜止基座2都可以。而且，在本發(fā)明中，被加工物不限于晶片W，也可以是由玻璃、樹(shù)脂等形成的板狀部件或封裝基板。而且，在本發(fā)明中，作為被加工物的封裝基板也可以直接保持于卡盤工作臺(tái)10而不借助粘接帶T或環(huán)狀框架F。在對(duì)作為被加工物的封裝基板實(shí)施切削加工時(shí)，期望使用在表面設(shè)有用于避免與切削刀具21接觸的退刀槽等的矩形形狀的卡盤工作臺(tái)。另外，本發(fā)明不由上述實(shí)施方式限定。即，在不脫離本發(fā)明的精神的范圍內(nèi)能夠?qū)嵤└鞣N變形。