專(zhuān)利名稱(chēng)：一種壓敏電阻及壓敏電阻材料的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種壓敏電阻材料，還涉及一種使用該壓敏電阻材料的壓敏電阻。
背景技術(shù)：
隨著科技的發(fā)展和進(jìn)步，尤其是大規(guī)模集成電路的迅猛發(fā)展，使得對(duì)元器件尤其是電阻器的要求越來(lái)越高，目前的電阻器已不能滿(mǎn)足發(fā)展的需要，新型高性能大容量的電阻器和電阻材料受到了廣泛的研究，壓敏電阻材料和壓敏電阻是其中一個(gè)重要的研究方向。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明提供一種壓敏電阻材料，該壓敏電阻材料為氧化鋅壓敏電阻材料，其特征在于，主料包含以下組分比的材料87-92%的Zn0，3. 3-5. 3 %的Bi2O3, 2. 1-3. 2 %的 Co2O3, 2. 2-3. 3 % 的 Sb2O3,0. 4-2. 3 % Al (NO3) 3 · 9H20 ;還包括輔料 LahCaxMnO3,其中
O.65 ^ X ^ O. 75，輔料的含量比為5-20%，主料的含量比為80-95%。另外，還提供一種由該壓敏電阻材料制成的壓敏電阻。有益效果本發(fā)明在傳統(tǒng)壓敏陶瓷配方中引入高絕緣相的LahCaxMnO3 (O. 65彡x彡O. 75)，在不增加材料漏流的同時(shí)能夠大幅度提高材料的介電常數(shù)。
具體實(shí)施例方式下面結(jié)合具體實(shí)施例，進(jìn)一步闡述本發(fā)明。應(yīng)理解，這些實(shí)施例僅用于說(shuō)明本發(fā)明而不用于限制本發(fā)明的范圍。此外應(yīng)理解，在閱讀了本發(fā)明講授的內(nèi)容之后，本領(lǐng)域技術(shù)人員可以對(duì)本發(fā)明作各種改動(dòng)或修改，這些等價(jià)形式同樣落于本申請(qǐng)所附權(quán)利要求書(shū)所限定的范圍。實(shí)施例1
該壓敏電阻材料為氧化鋅壓敏電阻材料，主料包含以下組分比的材料87%的 ZnO, 5. 3% 的 Bi2O3, 2.1 % 的 Co2O3, 3. 3 % 的 Sb2O3, 2. 3 % Al (NO3) 3 · 9H20 ;還包括輔料LahCaxMnO3，其中x=0. 75，輔料的含量比為5%，主料的含量比為95%。實(shí)施例2該壓敏電阻材料為氧化鋅壓敏電阻材料，主料包含以下組分比的材料92%的 ZnO, 3. 3% 的 Bi2O3, 2.1 % 的 Co2O3, 2. 2 % 的 Sb2O3, O. 4 % Al (NO3) 3 · 9H20 ;還包括輔料LahCaxMnO3，其中x=0. 65，輔料的含量比為20%，主料的含量比為80%。實(shí)施例3該壓敏電阻材料為氧化鋅壓敏電阻材料，主料包含以下組分比的材料90%的2110，4%的扮203，2· 5% 的 Co2O3, 2. 5% 的 Sb2O3,1 % Al (NO3) 3 ·9Η20 ;還包括輔料 LahCaxMnO3,其中χ=0. 7，輔料的含量比為10%，主料的含量比為90%。
實(shí)施例4使用實(shí)施例1-3 中的氧化鋅壓敏電阻材料制造的壓敏電阻。
權(quán)利要求
1.一種壓敏電阻材料，該壓敏電阻材料為氧化鋅壓敏電阻材料，其特征在于，主料包含以下組分比的材料87-92% 的 ZnO, 3. 3-5. 3% 的 Bi2O3, 2. 1-3. 2% 的 Co2O3, 2. 2-3-3% 的Sb2O3,0. 4-2. 3% Al (NO3)3 · 9H20 ;還包括輔料 LahCaxMnO3,其中 O. 65 彡 x 彡 O. 75，輔料的含量比為5-20%，主料的含量比為80-95%。
2.如權(quán)利要求1所述的壓敏電阻材料,其中主料包含以下組分比的材料90%的ZnO，4 % 的 Bi2O3, 2. 5 % 的 Co2O3, 2. 5 % 的 Sb2O3,1 % Al (NO3) 3 · 9H20 ;還包括輔料 La1^xCaxMnO3,其中x=0. 7，輔料的含量比為10%，主料的含量比為90%。
3.一種使用如權(quán)利要求1或2所述的壓敏電阻材料制造的壓敏電阻。
全文摘要
本發(fā)明提供一種壓敏電阻材料，該壓敏電阻材料為氧化鋅壓敏電阻材料，其特征在于，主料包含以下組分比的材料87-92％的ZnO，3.3-5.3％的Bi2O3，2.1-3.2％的Co2O3，2.2-3.3％的Sb2O3，0.4-2.3％Al(NO3)3·9H2O；還包括輔料La1-xCaxMnO3，其中0.65≤x≤0.75，輔料的含量比為5-20％，主料的含量比為80-95％。另外，還提供一種由該壓敏電阻材料制成的壓敏電阻。
文檔編號(hào)C04B35/453GK103058647SQ201210583288
公開(kāi)日2013年4月24日 申請(qǐng)日期2012年12月28日 優(yōu)先權(quán)日2012年12月28日
發(fā)明者孟憲斌, 任知良, 王明剛 申請(qǐng)人:青島潤(rùn)鑫偉業(yè)科貿(mào)有限公司