專(zhuān)利名稱(chēng)：用于基材熱處理的裝置和處理室的制作方法
用于基材熱處理的裝置和處理室本發(fā)明涉及根據(jù)權(quán)利要求I前序部分的用于基材熱處理的處理室，就像例如在同類(lèi)型的DE69812251T2中所述的那種處理室。該處理室能作為加熱處理室(加熱室)或冷卻室來(lái)構(gòu)成。本發(fā)明還涉及包括用于基材熱處理的加熱處理室和冷卻室的裝置以及用于基材熱處理的方法。在基材表面處理中，例如當(dāng)在平面顯示器和太陽(yáng)能電池的生產(chǎn)過(guò)程中施加透明的傳導(dǎo)性氧化物層(TCO)時(shí)或者當(dāng)利用硒化銅銦鎵(CIGS)薄膜技術(shù)涂覆基材時(shí)，通常需要多個(gè)處理步驟，在這些處理步驟中，基材(與或許施加于基材上的涂層一起)接受熱預(yù)處理和 /或熱后處理。為此，基材一般借助熱源被加熱至期望溫度，在該溫度保持預(yù)定時(shí)間并隨后被冷卻。此時(shí)，從處理作業(yè)經(jīng)濟(jì)性和/或技術(shù)角度出發(fā)，盡量快速地加熱或冷卻基材一般是有利的。但同時(shí)必須保證在加熱和冷卻時(shí)在基材內(nèi)的溫度梯度盡量小，這是因?yàn)椴贿@樣的話會(huì)出現(xiàn)暫時(shí)的或永久性的基材變形，這種變形會(huì)導(dǎo)致涂層受損(開(kāi)裂、內(nèi)應(yīng)カ等)和/或基材受損(彎曲、形成氣泡、基材材料的雙穩(wěn)狀態(tài)等)。該問(wèn)題在基材由具有較低導(dǎo)熱系數(shù)的材料如玻璃材料構(gòu)成時(shí)更尖銳，這是因?yàn)榛膬?nèi)的溫差在這種材料的情況下只能被緩慢消除。為了應(yīng)對(duì)該問(wèn)題，DE69812251T2提出，為了加熱基材而使用半對(duì)流強(qiáng)制空氣系統(tǒng)。 此時(shí)，基材的加熱一方面通過(guò)借助電阻電熱元件的輻射來(lái)進(jìn)行，另ー方面通過(guò)空氣分布裝置來(lái)進(jìn)行，該空氣分布裝置將被加熱空氣送往基材。由空氣分布裝置提供的對(duì)流加熱因此支持了由電阻電熱元件提供的輻射熱。此外，可以通過(guò)有針對(duì)性的(局部)對(duì)流加熱來(lái)消除由輻射加熱所產(chǎn)生的溫度梯度。通過(guò)這種方式，應(yīng)該做到了在基材整個(gè)范圍內(nèi)有更均勻的溫度分布的加熱。空氣分布裝置此時(shí)由循環(huán)泵(通風(fēng)機(jī))來(lái)供氣，該循環(huán)泵設(shè)置在加熱處理室之內(nèi)或之外。從由DE69812251T2中公開(kāi)的加熱機(jī)構(gòu)出發(fā)，本發(fā)明的任務(wù)是提供ー種用于基材熱處理的加熱處理室和/或冷卻室以及ー種用于基材熱處理的方法，其實(shí)現(xiàn)了對(duì)基材局部加熱或冷卻的非常良好的控制并且以非常有效和經(jīng)濟(jì)的方式做到了基材的的快速加熱或冷卻，而沒(méi)有出現(xiàn)基材或涂層因熱梯度而受損的現(xiàn)象。此外，要提供ー種包括用于基材熱處理的加熱處理室和冷卻室的裝置。該任務(wù)將通過(guò)獨(dú)立權(quán)利要求的特征來(lái)完成。有利的實(shí)施方式是從屬權(quán)利要求的主題。據(jù)此，基材的加熱或冷卻通過(guò)溫度被調(diào)節(jié)的氣體的的對(duì)流來(lái)進(jìn)行，該氣體通過(guò)氣體供給機(jī)構(gòu)被送至基材。在熱處理過(guò)程中容納基材的處理室包括用于有目的地抽排氣體的抽排機(jī)構(gòu)，基材的對(duì)流加熱或?qū)α骼鋮s通過(guò)該氣體抽排來(lái)實(shí)現(xiàn)。該抽排機(jī)構(gòu)實(shí)現(xiàn)了按規(guī)定的再循環(huán)裝置，尤其是已被用于加熱或冷卻的氣體再利用。在本發(fā)明的ー個(gè)有利實(shí)施方式中，處理室是封閉腔室?；耐ㄟ^(guò)閘門(mén)被送入處理室并在那里借助輸送裝置被輸送和存放。在這樣的可氣密封閉的熱處理室中，有利地在一個(gè)封閉的氣體循環(huán)系統(tǒng)中進(jìn)行用于加熱或者冷卻的氣體的供應(yīng)和抽排，該氣體循環(huán)系統(tǒng)包括該氣體供給機(jī)構(gòu)、處理室的內(nèi)部空間和該抽排機(jī)構(gòu)。這在借助氣體來(lái)進(jìn)行熱處理時(shí)是尤其有利的，該氣體是反應(yīng)性的或有毒的并因而不應(yīng)該散失到環(huán)境中。此外，氣體中可能未傳送至基材的那部分的加熱功率或冷卻功率沒(méi)有損失掉，而是通過(guò)該封閉的循環(huán)系統(tǒng)經(jīng)抽排機(jī)構(gòu)又流至氣體供給機(jī)構(gòu)。通過(guò)這種方式，可節(jié)約加熱能量或冷卻能量。有利的是，該抽排機(jī)構(gòu)可如此構(gòu)成，它允許局部按規(guī)定地抽走被送至基材的氣體， 從而從氣體供給機(jī)構(gòu)的出ロ孔流出的氣體在出ロ孔鄰近又被抽吸走。ー些出ロ孔(或者幾組出口孔)可以配有如此形成的抽排罩，它能有目的地排走從這些出口孔流出的經(jīng)過(guò)溫度調(diào)節(jié)的氣體。就是說(shuō)，加熱氣體或冷卻氣體只在局部受限的區(qū)域噴射中基材并且在擴(kuò)散開(kāi)之前被局部抽吸走。通過(guò)這種方式，可顯著區(qū)別且可控地執(zhí)行基材的局部加熱或冷卻，并且可以避免(或有目的地產(chǎn)生)基材內(nèi)的熱梯度。此外，通過(guò)直接在出口孔區(qū)域中抽走氣體， 可防止氣體接觸到處理室壁。當(dāng)為了進(jìn)行對(duì)流加熱或冷卻而使用可能導(dǎo)致室壁的污染或受損的工程氣體(例如腐蝕性氣體或有毒氣體)時(shí)，上述做法是特別有利的。抽排機(jī)構(gòu)因此作為屏蔽裝置，其保護(hù)室壁免受氣體的影響。有利的是，氣體供給機(jī)構(gòu)的多個(gè)出口孔以噴嘴形式構(gòu)成，可借此有目的地將氣流 (例如按規(guī)定集中或分散)送至與噴嘴對(duì)置的基材表面區(qū)域。噴嘴和/或?qū)?yīng)于噴嘴的氣體供給機(jī)構(gòu)管段可以配設(shè)有可控的閥門(mén)。那么，利用控制裝置，噴嘴中的這些閥門(mén)可以被單獨(dú)控制或分組控制，以便控制經(jīng)噴嘴流出的氣體的量和/或速度。為了調(diào)控被用于對(duì)流加熱或?qū)α骼鋮s的氣體的溫度，氣體供給機(jī)構(gòu)適當(dāng)?shù)匕〒Q熱器，借助換熱器使氣體到達(dá)期望溫度。如果要加熱氣體，則該氣體供給機(jī)構(gòu)可以具有電動(dòng)的加熱裝置以作為換熱器的替代或補(bǔ)充。此外，該氣體供給機(jī)構(gòu)包括泵，氣體借助該泵被送至基材。如果氣體供給機(jī)構(gòu)是ー個(gè)封閉的氣體循環(huán)系統(tǒng)的一部分，則該泵同時(shí)用于將從出 ロ孔流出的氣體經(jīng)抽排機(jī)構(gòu)抽走。該泵能可控或可調(diào)地工作。而且，該氣體供給機(jī)構(gòu)可以包括干燥裝置和/或過(guò)濾裝置，用于清潔被送至基材面的氣體。當(dāng)對(duì)流加熱或?qū)α骼鋮s在封閉的氣體循環(huán)系統(tǒng)中進(jìn)行時(shí)，這可能是特別合乎要求的，因?yàn)檠h(huán)氣體可通過(guò)這種方式被定期干燥和/或清潔。如果處理室被用于基材加熱，則可以在該處理室內(nèi)除了用于基材對(duì)流加熱的氣體供給機(jī)構(gòu)外還設(shè)有加熱機(jī)構(gòu)尤其是電阻式電熱元件，該電熱元件給基材供應(yīng)輻射熱。處理室壁可以由反射熱的材料構(gòu)成，用于將由加熱機(jī)構(gòu)發(fā)出的功率弓I向基材。為了將在工作中內(nèi)部空間被加熱或冷卻的處理室相對(duì)于環(huán)境隔熱屏蔽，該處理室配設(shè)有隔熱屏罩。通過(guò)這種方式，可以實(shí)現(xiàn)室內(nèi)空間、尤其是基材的更快速的加熱或冷卻， 并且保持期望溫度所需要的加熱功率或冷卻功率可被降低。該隔熱屏罩例如能以可氣密封閉的外室、尤其是真空室形式構(gòu)成，該外室全面包圍住在其中進(jìn)行基材熱處理的內(nèi)室。在內(nèi)室和外室之間的空腔將(被加熱或冷卻的)內(nèi)室與環(huán)境隔絕開(kāi)。或者，隔熱屏罩可以由最好設(shè)置在處理室壁上的溫度調(diào)節(jié)機(jī)構(gòu)構(gòu)成，該溫度調(diào)節(jié)機(jī)構(gòu)主動(dòng)加熱或冷卻室壁。尤其是該處理室可以配設(shè)有集成到室壁內(nèi)的通道系統(tǒng)，液態(tài)的加熱介質(zhì)或冷卻介質(zhì)如油在該通道系統(tǒng)內(nèi)循環(huán)。如果處理室是在高溫下工作的加熱室，則室壁可以被有目的地冷卻，以便盡量減小周?chē)h(huán)境尤其是包圍加熱室的真空室的熱負(fù)荷。以下將結(jié)合附圖
所示的實(shí)施例來(lái)詳細(xì)描述本發(fā)明，其中圖I是用于基材熱處理的包括加熱處理室和冷卻室的裝置的示意截面圖；圖2a是圖I的加熱處理室連同封閉的氣體供應(yīng)循環(huán)系統(tǒng)的不意截面圖2b是根據(jù)圖2a中的剖切線IIb-IIb的、圖2a的加熱處理室的截面圖。在附圖中，彼此對(duì)應(yīng)的零部件用相同的附圖標(biāo)記標(biāo)不。附圖表不不意的實(shí)施例并且沒(méi)有描述本發(fā)明的特定參數(shù)。而且，附圖只用于說(shuō)明本發(fā)明的有利實(shí)施方式，不應(yīng)該被解釋為要限制本發(fā)明的保護(hù)范圍。圖I示出用于基材10熱處理的裝置I的示意截面圖。術(shù)語(yǔ)“基材”在本文中應(yīng)該是指任何要加工、要涂覆和/或已涂覆的物體，就是說(shuō)，不僅可以是像本身這樣的(或許經(jīng)過(guò)預(yù)處理)載體材料，也可以是具有單個(gè)涂層或多個(gè)涂層的載體材料。在附圖所示的實(shí)施例中，基材是由玻璃構(gòu)成的平面エ件，其面積可以在幾平方厘米到幾平方米之間。術(shù)語(yǔ)“熱處理”應(yīng)該是指伴隨著基材的加熱和/或冷卻的任何處理或者處理步驟。裝置I包括兩個(gè)熱處理室20，即ー個(gè)加熱處理室21和ー個(gè)冷卻室21'。在圖2a 和2b中具體示出了加熱處理室21的截面視圖。待處理的基材10通過(guò)閘門(mén)23a被送入加熱處理室21 (箭頭24a)，在這里，基材10借助被加熱的且通過(guò)氣體供給機(jī)構(gòu)30被送入加熱處理室21的氣體被對(duì)流加熱。隨后，基材10通過(guò)閘門(mén)23b和23c被輸送入冷卻室21'(箭頭24b)并在那里借助經(jīng)過(guò)溫度調(diào)節(jié)(一般是被冷卻)的氣體被對(duì)流冷卻，經(jīng)過(guò)溫度調(diào)節(jié)的氣體通過(guò)氣體供給機(jī)構(gòu)30'被送入冷卻室21'。在加熱處理室21和冷卻室21'之間，可以設(shè)有多個(gè)在圖I中通過(guò)虛的連線表示的處理階段22。輸送裝置25用于將基材10輸送至和存放在加熱處理室21和冷卻室21'中，該輸送裝置如圖I所示呈一群水平取向的且可轉(zhuǎn)動(dòng)支承的輸送輥26形式，平坦的基材10放置在這些輸送輥上。或者，基材10能按照任何角度位置、尤其還是豎直地或者相對(duì)于豎直方向成ー個(gè)小角度傾斜地被安置在處理室20內(nèi)并被輸送。因此，在基材10的熱處理過(guò)程中，在處理室20內(nèi)存在著最好近似為正常壓カ的氣氛。氣體可以是空氣，但也可以是保護(hù)氣體或者反應(yīng)性氣體。氣體借助氣體供給機(jī)構(gòu)30、 30'通過(guò)噴嘴部31、31'被噴向基材10，通過(guò)抽排機(jī)構(gòu)33、33'從熱處理室20中被抽走， 并且通過(guò)再循環(huán)裝置34、34'又被供應(yīng)給氣體供給機(jī)構(gòu)30、30'。如圖2a和2b的細(xì)節(jié)視圖所示，加熱處理室21的抽排機(jī)構(gòu)33包括抽排罩35，它正好設(shè)于氣體供給機(jī)構(gòu)30的噴嘴部31的上方，從而從噴嘴31噴出的氣體噴中基材表面10，在那里造成基材10加熱，隨后直接通過(guò)抽排罩35被抽走(圖2a和2b中的小箭頭)。這樣ー來(lái)，實(shí)現(xiàn)了基材10的局部加熱，并且阻止該氣體到達(dá)處理室20的壁27。這些噴嘴部31設(shè)置在管狀的布?xì)鈾C(jī)構(gòu)36、 36'上，噴嘴部從布?xì)鈾C(jī)構(gòu)起朝向基材10突出。在噴嘴部31靠近基材10的端頭上有多個(gè)如此構(gòu)成的出口孔32，這些出口孔允許有目的地(集中或分散)對(duì)基材10表面噴射氣體。 在圖2a和2b所示的實(shí)施例中，噴嘴部31的橫截面39朝向出ロ孔32縮小，從而產(chǎn)生了定向氣流。這些噴嘴部31是如此構(gòu)成的，為了加熱或者冷卻基材10而從出ロ孔32流出的氣體沒(méi)有引起顯著的基材10壓カ負(fù)荷。布?xì)鈾C(jī)構(gòu)36和/或噴嘴部31可以配設(shè)有可控的閥門(mén)44，所述閥門(mén)允許在選中的布?xì)鈾C(jī)構(gòu)或噴嘴部中出現(xiàn)有目的地増大或減小的氣流，因此實(shí)現(xiàn)了局部改變交付給基材10 的熱功率。由此ー來(lái)，可以產(chǎn)生計(jì)量很精確的、局部可變的氣體分布，因此實(shí)現(xiàn)了利用氣體在基材10內(nèi)產(chǎn)生的局部加熱或冷卻在基材上施以特定影響。通過(guò)這種方式，可以避免在基材10內(nèi)出現(xiàn)由溫度決定的不均勻性，這導(dǎo)致良好的溫度均勻性。處理室20相對(duì)于環(huán)境2可被氣密封閉，從而其內(nèi)部空間8在基材10處理過(guò)程中構(gòu)成一個(gè)封閉的空間。為了將處理室20排空，設(shè)有多個(gè)真空泵29、29'。在每個(gè)處理室21、 21'內(nèi)，各自被溫度調(diào)節(jié)的氣體在封閉的氣體循環(huán)系統(tǒng)40、40'中循環(huán)，該氣體循環(huán)系統(tǒng)由氣體供給機(jī)構(gòu)30、30'、各處理室21、21'的內(nèi)部空間8、8'、抽排機(jī)構(gòu)33、33'和再循環(huán)裝置34、34'構(gòu)成。在氣體供給機(jī)構(gòu)30、30'內(nèi)設(shè)有包括馬達(dá)38、38'的泵37、37"，它被連接至控制裝置50并且可借此在氣體供給機(jī)構(gòu)30、30'中產(chǎn)生可控的或可調(diào)的氣體流動(dòng)?？刂蒲b置50也用于借助閥門(mén)44來(lái)控制在氣體供給機(jī)構(gòu)內(nèi)的局部氣體分配。雖然圖I的原理草圖為了清楚起見(jiàn)在處理室20內(nèi)示出了氣體供給機(jī)構(gòu)30和 30'，其只位于基材10上方并因而僅對(duì)基材10的一面施以氣體，但加熱處理室21 (圖2a) 的細(xì)節(jié)圖示出了，氣體供給機(jī)構(gòu)30原則上在基材10上方和下方都具有出口孔32，因而可以實(shí)現(xiàn)從兩面對(duì)基材10進(jìn)行對(duì)流溫度調(diào)節(jié)。為了調(diào)節(jié)經(jīng)氣體供給機(jī)構(gòu)30、30'被送至基材10的氣體的溫度，圖2a所示的氣體循環(huán)系統(tǒng)40示出了電動(dòng)的(電阻)加熱裝置41，借此將循環(huán)氣體加熱到期望的(例如可借助氣體供給機(jī)構(gòu)30內(nèi)的熱電偶46來(lái)測(cè)量)溫度。 加熱裝置41的功率借助控制裝置50來(lái)調(diào)整。作為加熱裝置41的替代(或者補(bǔ)充)，可以采用換熱器42以便加熱該加熱處理室21內(nèi)的氣體，同樣以便冷卻冷卻室21'內(nèi)的氣體。 在氣體循環(huán)系統(tǒng)40中，還可以包含干燥裝置43和/或過(guò)濾裝置，用于干燥或者清潔循環(huán)氣體。因此，在處理室20內(nèi)的空氣或者(工程)氣體用作熱載體，部分氣流從處理室20的內(nèi)部空間8被送出以便用エ藝技術(shù)處理該氣體，并且在氣體供給機(jī)構(gòu)30內(nèi)被改變(加熱、冷卻、除濕...)并且隨后又被送入內(nèi)部空間8。此外，氣體循環(huán)系統(tǒng)可以與氣體排出裝置45 相連，可以根據(jù)需要將來(lái)自氣體循環(huán)系統(tǒng)40的氣體供給該氣體排出裝置。除了基材10借助氣體供給機(jī)構(gòu)30被對(duì)流加熱外，基材的加熱可以借助電磁輻射尤其是紅外輻射來(lái)進(jìn)行。為此，可以在加熱處理室21內(nèi)設(shè)有加熱機(jī)構(gòu)47，該加熱機(jī)構(gòu)如圖 2a所示呈可被加熱的石英桿形式。作為替代或者補(bǔ)充，熱能例如能以(脈沖)電磁輻射形式通過(guò)窗被引入加熱處理室21中。如果在加熱處理室21內(nèi)設(shè)有這樣的加熱機(jī)構(gòu)47，則不僅借助輻射實(shí)現(xiàn)對(duì)基材10傳熱(因?yàn)橛屑訜釞C(jī)構(gòu)47)，而且通過(guò)對(duì)流進(jìn)行對(duì)基材的傳熱(因?yàn)橛袣怏w)。為了將熱輻射集中到基材上或者為了避免損傷室壁27，可以在處理室20的內(nèi)部空間8內(nèi)或者在室壁27上設(shè)置多個(gè)反射器。尤其是，可以給壁27的內(nèi)表面涂覆ー種材料，該材料在加熱機(jī)構(gòu)47的波長(zhǎng)范圍內(nèi)具有高的反射能力并因而作為反射器和熱屏障。為了將可在工作中處于高溫的加熱處理室21與環(huán)境2熱屏蔽開(kāi)，圖2a和2b的加熱處理室21除了內(nèi)室3 (真正的加熱室)外還具有外室4，外室包圍內(nèi)室3并且用作內(nèi)室3 的隔熱屏罩。外室4是可借助泵5被抽空的真空室。作為補(bǔ)充或者替代，加熱處理室21的壁27可以具有溫度調(diào)節(jié)機(jī)構(gòu)。溫度調(diào)節(jié)機(jī)構(gòu)尤其能以在壁27中延伸的(在圖2a中在壁27的區(qū)域內(nèi)示出)冷卻通道或加熱通道的通道系統(tǒng)7的形式構(gòu)成，可以借此將壁保持在預(yù)定溫度。因此，通道系統(tǒng)7將被加熱或被冷卻的處理室20內(nèi)部空間8與環(huán)境或者外室4熱隔絕開(kāi)并且構(gòu)成相對(duì)于環(huán)境的對(duì)內(nèi)部空間的隔熱屏罩。通道系統(tǒng)7構(gòu)成用于液態(tài)冷卻介質(zhì)(例如油)的冷卻循環(huán)或者加熱循環(huán)的一部分，該液態(tài)冷卻介質(zhì)通過(guò)室壁內(nèi)的通道7循環(huán)。裝置I實(shí)現(xiàn)基材10 (或被選中的基材區(qū)域)在加熱處理室21內(nèi)以大于20度/秒的加熱速度被很快速地一直加熱到大約650°C的溫度范圍和基材10在與加熱處理室21分隔開(kāi)的冷卻室21'內(nèi)以大于20度/秒的冷卻速度從大約650°C的溫度范圍被很快速地冷卻至室溫。加熱以及冷卻不僅可以如圖I所示地在基材的一面上進(jìn)行，而且可以如圖2a和 2b所示地在基材的兩面上進(jìn)行。裝置I或者說(shuō)處理室20尤其適用于在生產(chǎn)透明的傳導(dǎo)性氧化物層(TCOs)的過(guò)程中的基材熱處理，就像在生產(chǎn)平面屏幕和太陽(yáng)能電池時(shí)所采用的基材熱處理。而且，裝置I 適于用在具有由玻璃或石英構(gòu)成的載體層的薄膜太陽(yáng)能電池或薄膜太陽(yáng)能模塊的生產(chǎn)中， 在該載體層上要施加作為電極的Mo層和由銅銦聯(lián)硒化物(CIS)或銅-銦-鎵-硫硒化物 (CIGSSe)半導(dǎo)體構(gòu)成的功能層。
權(quán)利要求
1.一種用于平面基材(10)的熱處理的處理室(20，21，21')，具有用于在熱處理過(guò)程中輸送并存放該基材(10)的輸送裝置(25，25')和用于對(duì)流加熱或?qū)α骼鋮s該基材(10) 的氣體供給機(jī)構(gòu)(30，30')，其中該氣體供給機(jī)構(gòu)(30，30')在靠近該基材(10)的區(qū)域內(nèi)具有多個(gè)用于氣體的出口孔(32，32')，其特征是，該處理室(20，21，21')具有用于有目的地抽排通過(guò)該氣體供給機(jī)構(gòu)(30，30')被送入該處理室(20，21，21')的氣體的抽排機(jī)構(gòu)(33，33')。
2.根據(jù)權(quán)利要求I所述的處理室(20，21)，其特征是，至少其中幾個(gè)所述出口孔(32) 配有用于有目的地抽排從該出口孔(32)流出的氣體的抽排罩(35)。
3.根據(jù)權(quán)利要求I或2所述的處理室(20，21，21')，其特征是，該氣體供給機(jī)構(gòu)(30， 30')包括具有多個(gè)對(duì)準(zhǔn)該基材(10)的噴嘴部(31，31')的管狀布?xì)鈾C(jī)構(gòu)(36，36')，所述出口孔(32，32')設(shè)置在該噴嘴部的端頭上。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的處理室(20，21，21')，其特征是，該管狀布?xì)鈾C(jī)構(gòu)(36， 36')和/或所述噴嘴部(31，31')具有用于調(diào)整氣體流動(dòng)的可控閥門(mén)(44)。
5.根據(jù)權(quán)利要求3或4所述的處理室(20，21，21')，其特征是，該噴嘴部(31，3廣) 的橫截面(39)朝向該出口孔(32，32')方向縮小。
6.根據(jù)權(quán)利要求3至5之一所述的處理室(20，21)，其特征是，該基材(10)平放在該輸送裝置(25)上，該管狀布?xì)鈾C(jī)構(gòu)(36)幾乎平行于基材表面(10)設(shè)置，所述噴嘴部(31) 近似垂直地從該管段(36)起朝向基材表面(10)突出，該抽排機(jī)構(gòu)(33)呈細(xì)長(zhǎng)的、沿管段(36)設(shè)置的抽排罩(35)的形式。
7.根據(jù)前述權(quán)利要求之一所述的處理室(20，21，21')，其特征是，該處理室(20，21， 21')在該基材(10)的熱處理過(guò)程中構(gòu)成封閉的腔室。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的處理室(20，21，21')，其特征是，該氣體供給機(jī)構(gòu)(30， 30')構(gòu)成ー個(gè)封閉的氣體供應(yīng)循環(huán)系統(tǒng)(40，40')的一部分。
9.根據(jù)前述權(quán)利要求之一所述的處理室(20，21，21')，其特征是，該氣體供給機(jī)構(gòu) (30, 30 ^ )包括用于加熱或冷卻送至基材表面(10)的氣體的換熱器(42)。
10.根據(jù)前述權(quán)利要求之一所述的處理室(20，21，21')，其特征是，該氣體供給機(jī)構(gòu) (30,30/ )包括至少ー個(gè)泵(37，37')。
11.根據(jù)前述權(quán)利要求之一所述的處理室(20，21，21')，其特征是，該氣體供給機(jī)構(gòu) (30, 30 ^ )包括干燥裝置(43)和/或過(guò)濾裝置用于干燥或者清潔送至基材表面(10)的氣體。
12.根據(jù)前述權(quán)利要求之一所述的處理室(20，21，21')，其特征是，該氣體供給機(jī)構(gòu) (30, 30^ )包括用于控制控制泵(37)的功率和/或用于調(diào)整在管狀布?xì)鈾C(jī)構(gòu)(36，36') 和/或噴嘴部(31，31')內(nèi)的氣流的控制裝置(50)。
13.根據(jù)前述權(quán)利要求之一所述的處理室(20，21，21')，其特征是，該處理室(20，21， 22)包括用于送入和送出該基材(10)的多個(gè)可封閉的開(kāi)ロ(23a-23d)。
14.尤其是根據(jù)前述權(quán)利要求之一所述的處理室(20，21，21')，其特征是，該處理室 (20，21，21')具有隔熱屏罩(4)。
15.根據(jù)權(quán)利要求14所述的處理室(20，21，21')，其特征是，該隔熱屏罩以可氣密封閉的外室(4)形式構(gòu)成，該外室包圍可氣密封閉的內(nèi)室(3)。
16.根據(jù)權(quán)利要求15所述的處理室(20，21，21')，其特征是，該隔熱屏罩由設(shè)置在該處理室(20，21)的壁(27)的區(qū)域內(nèi)的溫度調(diào)節(jié)機(jī)構(gòu)構(gòu)成。
17.根據(jù)權(quán)利要求16所述的處理室(20，21，21')，其特征是，該溫度調(diào)節(jié)機(jī)構(gòu)由冷卻通道或者加熱通道的系統(tǒng)(7)構(gòu)成。
18.根據(jù)權(quán)利要求16或17所述的處理室(20，21，21')，其特征是，該溫度調(diào)節(jié)機(jī)構(gòu)構(gòu)成加熱循環(huán)系統(tǒng)或冷卻循環(huán)系統(tǒng)的一部分，液態(tài)溫度調(diào)節(jié)介質(zhì)在該加熱循環(huán)系統(tǒng)或冷卻循環(huán)系統(tǒng)中循環(huán)。
19.根據(jù)前述權(quán)利要求之一所述的處理室(20，21')，其特征是，該處理室是冷卻室 {21')。
20.根據(jù)前述權(quán)利要求之一所述的處理室(20，21)，其特征是，該處理室是加熱處理室(21)。
21.根據(jù)權(quán)利要求20所述的處理室(20，21)，其特征是，該氣體供給機(jī)構(gòu)(30)包括用于加熱氣體的電動(dòng)加熱裝置(41)。
22.根據(jù)權(quán)利要求20或21所述的處理室(20，21)，其特征是，在該處理室(20，21)的內(nèi)部空間(8)中設(shè)有用于釋放出熱能的加熱機(jī)構(gòu)(47)。
23.根據(jù)前述權(quán)利要求之一所述的處理室(20，21，21')，其特征是，該處理室(21)的內(nèi)壁至少局部由反射的材料(9)構(gòu)成。
24.ー種用于基材(10)的熱處理的裝置(I)，具有根據(jù)權(quán)利要求I至24之一所述的加熱處理室(21)和/或冷卻室(21')。
25.一種用于在處理室(20，21，21')內(nèi)熱處理平面基材(10)的方法，其中借助輸送裝置(25，25')在熱處理過(guò)程中進(jìn)行該基材(10)的輸送和存放，并且借助氣體供給機(jī)構(gòu) (30，30")進(jìn)行該基材(10)的對(duì)流加熱或?qū)α骼鋮s，其中該氣體供給機(jī)構(gòu)(30，30')在靠近該基材(10)的區(qū)域中具有多個(gè)用于氣體的出口孔(32，32')，其特征是，借助抽排機(jī)構(gòu) (33，33')進(jìn)行通過(guò)該氣體供給機(jī)構(gòu)(30，30')被送入該處理室(20，21，21')的氣體的有目的地抽排。
全文摘要
本發(fā)明涉及用于平面基材(10)的熱處理的處理室(20，21，21′)。處理室(20，21，21′)包括用于在熱處理過(guò)程中輸送和存放基材(10)的輸送裝置(25，25′)和用于對(duì)流加熱或?qū)α骼鋮s該基材(10)的氣體供給機(jī)構(gòu)(30，30′)。氣體供給機(jī)構(gòu)(30，30′)具有多個(gè)出口孔(32，32′)，溫度經(jīng)過(guò)調(diào)節(jié)的氣體通過(guò)該出口孔被送至基材(10)。而且，在處理室(20，21，21′)內(nèi)設(shè)有抽排機(jī)構(gòu)(33，33′)，可通過(guò)該抽排機(jī)構(gòu)有目的地抽排經(jīng)氣體供給機(jī)構(gòu)(30，30′)被送入處理室(20，21，21′)的氣體。處理室能以加熱處理室(21)或冷卻室(21′)的形式構(gòu)成。
文檔編號(hào)C03B27/044GK102612631SQ201080035899
公開(kāi)日2012年7月25日 申請(qǐng)日期2010年8月12日 優(yōu)先權(quán)日2009年8月14日
發(fā)明者E·諾瓦克, J·特魯布 申請(qǐng)人:萊博德光學(xué)有限責(zé)任公司