專利名稱：一種多晶鑄錠的線切割方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及多晶鑄錠線切割技術(shù)領(lǐng)域。
背景技術(shù)：
在現(xiàn)多晶晶錠長晶工藝過程中，晶體是以陶瓷坩堝為載體進(jìn)行結(jié)晶、生長。為防止 硅晶體粘附坩堝造成裂錠等不良影響，鑄錠工藝中坩堝需要噴涂SiNx細(xì)粉。這樣在晶體的 生長過程中，坩堝以及表面涂層中SiNx的雜質(zhì)優(yōu)先向靠近坩堝的多晶硅錠擴散，造成此表 面金屬雜質(zhì)和SiC、SiN及SiCNx等硬度系數(shù)明顯高內(nèi)部的多晶硅。目前在多晶鑄錠切片工 藝中，采用的工藝方法一般是將開方、截斷、磨面、粘棒，線切割。在粘棒時，因為對入刀面 不進(jìn)行選擇，如果將位于鑄錠四周的硅塊的靠近坩堝的一面作為入刀面，由于該面硬度系 數(shù)高，容易造成跳線、蹦邊甚至斷線等不良影響，降低硅片的合格率，增加了硅片的切割成 本。
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明所要解決的技術(shù)問題是提供一種多晶鑄錠的線切割方法，解決開方后多 晶鑄錠邊緣靠近坩堝的硅塊切片合格率偏低的問題，達(dá)到提高多晶鑄錠的硅片出片率，降 低硅片的切割成本的目的。本發(fā)明解決其技術(shù)問題所采用的技術(shù)方案是一種多晶鑄錠的線切割方法，該生 產(chǎn)方法如下(一 )、標(biāo)記將多晶鑄錠進(jìn)行開方得到硅塊，對鑄錠邊緣四周靠近坩堝的硅塊進(jìn) 行標(biāo)識，以區(qū)分硅塊的A、B面，B面靠近坩堝，A面是B面的對應(yīng)面；( 二)、將開方后得硅塊經(jīng)IR測試、LT測試、截斷、磨面；(三)、粘棒將區(qū)分A、B面的硅塊的B面粘結(jié)在晶托上，其他硅塊正常粘棒，待粘 膠固化后上棒切片；(四)、切片將固化好的硅塊上機切片，區(qū)分A、B面的硅塊的A面為入刀面。本發(fā)明的有益效果是通過對開方后鑄錠邊緣四周靠近坩堝的硅塊標(biāo)識A面、B 面，將B面粘在玻璃板上，通過玻璃板固定在晶托上，這樣在硅塊上機進(jìn)行線切割的時候， 雜質(zhì)含量較低的A面為入刀面，雜質(zhì)和硬點高的B面為出刀面。這樣切割的好處是，剛開始 切割時，由于A面的雜質(zhì)和硬點少，鋼線比較容易進(jìn)入晶體，大大降低了跳線、蹦邊等不良 記錄；如果將B面為入刀面，由于B面靠近坩堝導(dǎo)致該面的金屬雜質(zhì)、SiC、SiNx及SiCNx含 量較高，鋼線不容易切入晶體，導(dǎo)致跳線等不良記錄偏高。甚至容易導(dǎo)致斷線而引起晶棒報 廢、車間產(chǎn)能損失、原材料輔材浪費等問題。因此本發(fā)明大大提高了硅片的出片率，降低了 硅片切割成本，提高了企業(yè)的經(jīng)濟(jì)效率。
下面結(jié)合附圖和實施例對本發(fā)明進(jìn)一步說明；
圖1是本發(fā)明中多晶硅錠開方后的示意圖；圖2是本發(fā)明中標(biāo)記A、B面的硅塊的示意圖；圖3是本發(fā)明中標(biāo)記A、B面的硅塊粘棒的示意圖。
具體實施例方式一種多晶鑄錠的線切割方法，該生產(chǎn)方法如下(一 )、標(biāo)記將多晶鑄錠進(jìn)行開方得到硅塊，對鑄錠邊緣四周靠近坩堝的硅塊進(jìn) 行標(biāo)識，以區(qū)分硅塊的A、B面，B面靠近坩堝，A面是B面的對應(yīng)面。為方便描述，在在圖1中對硅塊進(jìn)行編號，編號1至16號的開方后得到的硅塊為 需要區(qū)分硅塊的A B面的硅塊。其余編號的硅塊無需進(jìn)行標(biāo)識。進(jìn)行標(biāo)識的方法只要方便 區(qū)分A面、B面即可采用。(二)、將開方后得硅塊經(jīng)IR測試、LT測試、截斷、磨面；(三)、粘棒如圖2和3所示，將區(qū)分A、B面的硅塊的B面粘結(jié)在晶托上，其他硅 塊正常粘棒，待粘膠固化后上棒切片；(四)、切片將固化好的硅塊上機切片，區(qū)分A、B面的硅塊的A面為入刀面。
權(quán)利要求
1. 一種多晶鑄錠的線切割方法，該生產(chǎn)方法如下(一)、標(biāo)記將多晶鑄錠進(jìn)行開方得到硅塊，對鑄錠邊緣四周靠近坩堝的硅塊進(jìn)行標(biāo) 識，以區(qū)分硅塊的A、B面，B面靠近坩堝，A面是B面的對應(yīng)面；(二)、將開方后得硅塊經(jīng)頂測試、LT測試、截斷、磨面；(三)、粘棒將區(qū)分A、B面的硅塊的B面粘結(jié)在晶托上，其他硅塊正常粘棒，待粘膠固 化后上棒切片；(四)、切片將固化好的硅塊上機切片，區(qū)分A、B面的硅塊的A面為入刀面。
全文摘要
本發(fā)明涉及多晶鑄錠線切割技術(shù)領(lǐng)域，特別是一種多晶鑄錠的線切割方法，該生產(chǎn)方法如下(一)標(biāo)記將多晶鑄錠進(jìn)行開方得到硅塊，對鑄錠邊緣四周靠近坩堝的硅塊進(jìn)行標(biāo)識，以區(qū)分硅塊的A、B面，B面靠近坩堝，A面是B面的對應(yīng)面；(二)將開方后得硅塊經(jīng)IR測試、LT測試、截斷、磨面；(三)粘棒將區(qū)分A、B面的硅塊的B面粘結(jié)在晶托上，其他硅塊正常粘棒，待粘膠固化后上棒切片；(四)切片將固化好的硅塊上機切片，區(qū)分A、B面的硅塊的A面為入刀面。將雜質(zhì)和硬點少的A面作為入刀面，鋼線比較容易進(jìn)入晶體，大大降低了跳線、蹦邊等不良記錄，大大提高了硅片的出片率，降低了硅片切割成本，提高了企業(yè)的經(jīng)濟(jì)效率。
文檔編號B28D5/04GK102133776SQ201010620010
公開日2011年7月27日 申請日期2010年12月31日 優(yōu)先權(quán)日2010年12月31日
發(fā)明者劉振淮, 李畢武, 賀潔, 黃振飛 申請人:常州天合光能有限公司