專利名稱：一種摻雜高介低損耗Ba(Ti<sub>2</sub>Zr)O<sub>3</sub>基高壓電容器陶瓷材料的制作方法
技術領域：
本發(fā)明涉及ー種電容器材料，尤其是一種摻雜高介低損耗Ba(Ti2Zr)O3基高壓電容器陶瓷材料。
背景技術：
目前廣泛生產(chǎn)使用的超穩(wěn)定型高壓陶瓷電容器材料中，不能滿足在振蕩回路里補償正溫度系數(shù)的要求。且同時一般配方的超穩(wěn)定型陶瓷電容器材料的介電常數(shù)較小，不能滿足電子線路小型化的需求，且損耗值過大。
發(fā)明內容
本發(fā)明提供了一種摻雜高介低損耗Ba(Ti2Zr)O3基高壓電容器陶瓷材料。技術方案如下一種摻雜高介低損耗Ba (Ti2Zr) O3基高壓電容器陶瓷材料主要原料BaTi03、BaZrO3>CaZrO3> MgTiO3 等主要摻雜原料Nb205、ZnO,CeO2, MnO2, Yb2O3 等主要特征介電常數(shù)14000介質損耗tan δ く 0. 002耐壓強度Eb彡lOKv/mm、溫
度特性為棚。
具體實施例方式一種摻雜高介低損耗Ba(Ti2Zr)O3基高壓電容器陶瓷材料主要原料BaTiO3,BaZrO3, CaZrO3,MgTiO3 等主要摻雜原料Nb205、ZnO,CeO2, MnO2, Yb2O3 等主要特征介電常數(shù)14000介質損耗tan δ く 0. 002耐壓強度Eb彡lOKv/mm、溫度特性為TOV。
權利要求
1. 一種摻雜高介低損耗Ba(Ti2Zr)O3基高壓電容器陶瓷材料，其特征在于介電常數(shù) 14000介質損耗tan δ ^ 0. 002耐壓強度劭彡10Kv/mm、溫度特性為 5 。
全文摘要
一種摻雜高介低損耗Ba(Ti2Zr)O3基高壓電容器陶瓷材料，主要原料BaTiO3、BaZrO3、CaZrO3、MgTiO3等，主要摻雜原料Nb2O5、ZnO、CeO2、MnO2、Yb2O3等，主要特征介電常數(shù)14000介質損耗tanδ≤0.002耐壓強度Eb≥10kV/mm、溫度特性為Y5V。
文檔編號C04B35/49GK102557630SQ20101058881
公開日2012年7月11日 申請日期2010年12月15日 優(yōu)先權日2010年12月15日
發(fā)明者顏歡 申請人:顏歡