專利名稱：通過靜電除塵的鉑凝結(jié)減少的制作方法
技術領域：
本發(fā)明涉及在玻璃熔體的處理期間用于減少微粒的工藝和裝置。具體地，本發(fā)明涉及利用含鉬金屬傳送系統(tǒng)制造玻璃的工藝和裝置，在該含鉬金屬傳送系統(tǒng)中，鉬的氧化和隨后的還原可導致玻璃中的鉬缺陷。本發(fā)明例如在利用包括鉬的玻璃熔體傳送系統(tǒng)的高質(zhì)量玻璃(諸如適于制造LCD顯示器的玻璃基板的玻璃)的制造過程中是有用的。LCD應用所要求的高光學質(zhì)量期望LCD玻璃基板中沒有大夾雜物。已知貴金屬夾雜物是利用含貴金屬設備傳送、精煉或形成玻璃熔體時的一個問題。隨著質(zhì)量和表面要求變得愈加嚴格，可允許的貴金屬夾雜物的尺寸和量持續(xù)減少。玻璃中貴金屬夾雜物的問題不是新問題也不是顯示器玻璃所獨有的。關于玻璃中出現(xiàn)貴金屬夾雜物的一個假設機制是在升高溫度下貴金屬氧化隨后分解并凝結(jié)。如果這些氧化-凝結(jié)反應發(fā)生在接近自由玻璃表面的區(qū)域中，則凝結(jié)的金屬可包含在玻璃中并形成缺陷/夾雜物。之前建議可通過將貴金屬浸入惰性氣氛由此避免金屬氧化和隨后的凝結(jié)來減少貴金屬夾雜物。然而，將惰性氣體引入玻璃處理系統(tǒng)不易實現(xiàn)；這涉及難以改型翻新至現(xiàn)有玻璃生產(chǎn)線的額外設備。此外，僅能通過這種保護性氣體的連續(xù)流動來維持惰性氣體氣氛，這可導致玻璃生產(chǎn)線熱分布的不期望變化。另外，即使這種方法可有效減少貴金屬夾雜物，然而它可能不能減少由諸如SnA和類似物等其它非金屬源引起的污染。因此，仍然需要能有效且高效減少在玻璃處理過程可能影響玻璃質(zhì)量的微粒的工藝和設備。本發(fā)明滿足了這一需要。發(fā)明概述根據(jù)本發(fā)明的第一方面，提供一種制造玻璃的工藝，包括(A)在耐熱器具中處理玻璃熔體，其中玻璃熔體暴露于包括空中微粒的氣氛中； 以及(B)通過在氣氛中施加電場來減少微粒，在產(chǎn)生電場的至少一個電極的表面上收集微粒，其中電場在玻璃熔體中基本上不提供電位梯度。根據(jù)本發(fā)明的第一方面的某些實施例，耐熱器具包括暴露于氣氛的耐熱金屬，并且氣氛是氧化性的，使得耐熱金屬和氣氛之間的反應產(chǎn)生至少部分空中微粒。根據(jù)本發(fā)明的第一方面的某些實施例，耐熱金屬器具包括鉬或其合金。根據(jù)本發(fā)明的第一方面的某些實施例，電場在氣氛中產(chǎn)生電暈。根據(jù)本發(fā)明的第一方面的某些實施例，與玻璃熔體直接接觸的所有金屬基本上經(jīng)受相同電位。根據(jù)本發(fā)明的第一方面的某些實施例，在步驟(A)，耐熱器具包括玻璃熔體攪拌裝置，該玻璃熔體攪拌裝置包括(a)由包含耐熱金屬的腔室壁限定的攪拌腔室以及(b)包含耐熱金屬的攪拌器軸。在某些具體的實施例中，在步驟(B)，電場至少部分地由在(i) 一起用作第一電極的攪拌腔室和攪拌器軸和(ii)位于所述玻璃熔體的表面上的相對第二電極之間的電位梯度產(chǎn)生。根據(jù)本發(fā)明的第一方面的某些實施例，在步驟(B)，將用于接納微粒的屏障設置在第二電極和玻璃熔體的表面之間。根據(jù)本發(fā)明的第一方面的某些實施例，在步驟(B)，第一電極和第二電極之間的電場由至少100V的電位梯度實現(xiàn)。根據(jù)本發(fā)明的第一方面的某些實施例，在步驟(B)，第二電極具有比第一電極高的電位。根據(jù)本發(fā)明的第一方面的某些實施例，在步驟(A)，玻璃熔體適于制造用于LCD顯示器的玻璃基板。根據(jù)本發(fā)明的第一方面的某些實施例，攪拌腔室的壁的至少一部分以及攪拌軸的至少一部分暴露于含氧氣氛中。根據(jù)本發(fā)明的第二方面，提供一種玻璃熔體處理裝置，包括適于在升高溫度下操作的耐熱器具，其中玻璃熔體暴露于包括空中微粒的氣氛中，該裝置包括靜電除塵器，該靜電除塵器包括(i)第一電極；以及(ii)用于收集微粒的第二電極。根據(jù)本發(fā)明的第二方面的某些實施例，耐熱器具包括暴露于氣氛的耐熱金屬。根據(jù)本發(fā)明的第二方面的某些實施例，耐熱器具的至少一部分用作靜電除塵器的第一電極。根據(jù)本發(fā)明的第二方面的某些實施例，將相等的電位施加到暴露于玻璃熔體的耐熱金屬的表面。根據(jù)本發(fā)明的第二方面的某些實施例，該耐熱器具包括玻璃熔體攪拌裝置，該玻璃熔體攪拌裝置包括攪拌腔室和攪拌軸。根據(jù)本發(fā)明的第二方面的某些實施例，該裝置包括在第二電極和操作期間由裝置處理的玻璃熔體的表面之間的屏障，其中該屏障適于攔截從第二電極落下的微粒。根據(jù)本發(fā)明的第二方面的某些實施例，第二電極具有比第一電極高的電位。根據(jù)本發(fā)明的第二方面的某些實施例，該裝置還包括具有與第一電極的電位不同的電位的第三電極。在某些具體實施例中，第三電極的電位與所述第二電極的電位基本相同。在某些更具體的實施例中，第三電極的電位高于第一電極的電位。根據(jù)本發(fā)明的第二方面的某些實施例，至少一個電極能夠產(chǎn)生電暈。根據(jù)本發(fā)明的第二方面的某些實施例，第二電極的表面的材料與第一電極的表面的材料不同。本發(fā)明的一個或多個實施例具有以下優(yōu)點中的一個或多個。第一，本發(fā)明能夠減少在含鉬耐熱器具中傳送、精煉、形成和/或攪拌的玻璃材料中的鉬夾雜物，從而提高玻璃產(chǎn)量。第二，本發(fā)明在減少鉬夾雜物的同時還減少可能由諸如B203、Sn02及類似物的其它無機空中微粒的污染導致的組分和性質(zhì)變化的概率。在以下的詳細描述中陳述了本發(fā)明的附加特征和優(yōu)點，其中的部分特征和優(yōu)點對本領域的技術人員而言根據(jù)所作描述就容易理解，或者通過實施詳細描述、權利要求書以及附圖所述的本發(fā)明而被認識。
可以理解，以上一般描述和以下詳細描述僅是對本發(fā)明的示例性說明，并且它們旨在提供用于理解所要求保護的本發(fā)明的本質(zhì)和特性的概觀或框架。所包括的附圖用于提供對本發(fā)明的進一步理解，且被結(jié)合到本說明書中并構成其一部分。附圖簡述在附圖中

圖1是根據(jù)本發(fā)明的一個實施例的攪拌裝置的示意圖。圖2是測試用于鉬凝結(jié)減少的本發(fā)明的效能的實驗裝置的示意圖。圖3是圍繞圖2所示的靜電除塵器中的電極的管的相應溫度區(qū)的示意圖。圖4-21是在測試結(jié)束時如圖2所示的靜電除塵器的兩個電極的不同區(qū)域的電子顯微圖像。
具體實施例方式除非另外說明，否則在說明書和權利要求書中所使用的諸如那些表示成份重量百分比、尺寸、及某些物理性質(zhì)值的所有數(shù)字應被理解為在一切情況下由術語“約”修飾。還應當理解在說明書和權利要求書中所使用的精確數(shù)值構成本發(fā)明另外的實施例。已經(jīng)盡力確保在示例中公開的數(shù)值的精確性。然而，由于在相應測量技術中發(fā)現(xiàn)的標準偏差，所測得的任意數(shù)值固有地包含一定誤差。正如在本文中使用的，在描述和要求保護的本發(fā)明中，不定冠詞“一”的使用表示 “至少一個”，且不應被限定為“僅一個”，除非明確指示相反情況。因此，例如，對“一電極” 的引用包括具有兩個或更多個電極的實施例，除非上下文明確地另作規(guī)定。同樣，同時或間歇地，對“一微?！钡囊冒ň哂袃蓚€或更多個微粒的實施例。正如本文中使用的，“玻璃熔體處理裝置，，表示用于加工玻璃熔體的裝置，包括但不限于玻璃熔體傳送裝置、諸如攪拌裝置之類的玻璃熔體均勻化裝置、諸如玻璃熔體軋制裝置之類的玻璃熔體形成裝置、玻璃熔體擠壓裝置、從玻璃熔體形成玻璃片的熔拉系統(tǒng) (fusion draw system)、從玻璃熔體形成玻璃片的槽拉系統(tǒng)(slot draw system)。因為玻璃熔體通常保持在升高溫度，所以玻璃熔體處理裝置一般包括與玻璃熔體直接接觸的耐熱器具，包括但不限于管、容器、腔室、模及類似物。因此，本文中使用的術語“玻璃的處理”可包括玻璃熔體傳送、玻璃熔體均勻化(諸如攪拌和混合)、玻璃熔體精煉、玻璃形成(軋制、 擠壓、熔化成形、槽成形、拉制)及類似。然而，從“玻璃熔體處理”和“玻璃熔體的處理”含義排除的是其中諸如氧化物、礦物質(zhì)、碎玻璃及類似物等原材料被加熱并使其反應以按確定組成形成玻璃熔體的玻璃熔化步驟。本發(fā)明涉及在玻璃熔體形成于玻璃熔化槽之后的工藝步驟。正如本文中使用的，“靜電除塵”表示通過使微粒受到電場作用而收集空中微粒。 術語“空中”表示微?？蓵簳r或穩(wěn)定地存在于氣氛中。因此，這種微?？砂ㄏ鄬Ψ€(wěn)定地懸浮在氣氛中的那些微粒以及空氣中臨時傳播的那些微粒(例如，由于重力下降或由氣流攜帶)等等。在某些實施例中，電場由兩個電極產(chǎn)生。在某些實施例中，電場由兩個以上的電極產(chǎn)生。在某些實施例中，電極中的至少一個，期望是具有較高電位的電極，產(chǎn)生能向空中微粒提供電荷的電暈。電極中的至少一個用作微粒收集器，在該微粒收集器上例如通過由電極產(chǎn)生的電場施加于此的力來收集微粒。在玻璃熔體形成于玻璃槽中之后，在允許玻璃熔體冷卻至剛性玻璃制品(諸如玻璃片、玻璃板及類似物)之前，玻璃熔體通常經(jīng)受上述各種處理步驟。在這些步驟期間，玻璃熔體可暴露于氣氛。由于各種原因，氣氛可包括空中微粒。如果允許這些微粒下降到玻璃熔體中，則它們會在最終形成的玻璃制品中形成不想要的夾雜物，從而降低質(zhì)量和產(chǎn)量。 減少氣氛中的這些微粒因此是必要的，尤其是對于光學玻璃制品。污染微?？捎扇舾梢蛩禺a(chǎn)生，包括供氣裝置、玻璃熔體和/或其組分的蒸發(fā)和凝結(jié)、在處理工藝中使用的耐熱材料的反應和凝結(jié)、施加在耐熱物質(zhì)上的機械力及類似因素等等。LCD玻璃基板需要在表面和塊體兩個方面具有高質(zhì)量。熔拉技術由美國紐約康寧市的康寧公司開發(fā)，用于形成具有原始光學表面的玻璃片，該原始光學表面適用于在其上形成諸如薄膜晶體管之類的半導體組件。施加在玻璃片塊體的光學質(zhì)量上的嚴格要求還需要其中具有非常低水平的夾雜物。在該技術中，在處理玻璃熔體的設備中可采用諸如包括 Pt、Rh、Ir、Os、Pd、Au、Ru、Re等貴金屬的耐熱材料以及諸如SiO2, ZrO2、鋯石、A1203、SiC等非金屬耐熱物質(zhì)。已知以下因素等可促成玻璃片中不想要的夾雜物的形成。笛二，諸如Pt和1 之類的貴金屬的氧化和隨后的還原促成在玻璃中形成貴金屬缺陷。例如，當鉬的溫度上升時，諸如從室溫上升到處理LCD玻璃熔體的典型溫度，以下的反應平衡偏向向右移動Pt (固體)+O2 (氣體)一 PtO2 (氣體)·因此，在環(huán)境氣氛中存在A的情況下Pt器具的熱表面可被氧化成PtA氣體，它在較低溫度下接觸另一個表面或介質(zhì)(諸如氣氛)時可分解形成固體Pt。固體Pt可隨時間生長成足夠大的微粒，隨后落入玻璃熔體中，并在最終形成的玻璃制品中形成夾雜物。Μ=，諸如403、Sn02、R20(R是堿金屬)之類的某些玻璃組分的蒸發(fā)及隨后在其與具有較低溫度的表面或介質(zhì)接觸后的凝結(jié)可導致這些氧化物微粒的形成。如果這些氧化物微粒落入玻璃熔體，則它們能局部改變玻璃組分，導致最終玻璃中的不期望的組分和性質(zhì)變化。第三，在構造耐熱器具時使用的其它耐熱材料可能破碎或其它方式產(chǎn)生細小微粒。已知這些微粒的耐熱性，它們可在最終的玻璃制品中形成泡及其它夾雜物。MM，與玻璃熔體接觸的環(huán)境氣體可能被諸如其它設備或工藝步驟產(chǎn)生的灰塵之類的微粒污染。例如，諸如玻璃劃線、切斷、邊緣修整等下游工藝可產(chǎn)生玻璃微粒，這些玻璃微粒設法進入玻璃熔體可能接觸的氣氛中。在玻璃熔體形成在相當大的氣流來自下游工藝的氣氛中的玻璃形成區(qū)中尤其是如此。因此，非常需要在玻璃制造工藝中減少微粒，使得在微粒接觸玻璃熔體之前捕獲這些微粒。由于以上解釋的機制，在貴金屬以升高溫度暴露于氧的區(qū)域中這種需要尤其明顯。這些區(qū)域包括但不限于(i)玻璃熔體精煉裝置；(ii)下導管區(qū)域；(iii)等壓槽 (isopipe)區(qū)域；(iv)玻璃攪拌裝置；以及(ν)玻璃形成裝置。在由貴金屬形成玻璃熔體精煉裝置中，使玻璃熔體部分填充精煉器具，該器具可以是管。玻璃邊界之上的精煉器的內(nèi)表面因此暴露于可能含氧的氣氛中。允許玻璃熔體內(nèi)的氣泡離開玻璃熔體并逃離玻璃精煉器。由于以上機制，Pt微?？赡苄纬稍诰珶捚鞯膬?nèi)表面上或廢氣出口的表面上，隨時間累積，并在它生長到足夠大時落入玻璃熔體以形成Pt夾雜物。下導管是將玻璃熔體傳送到等壓槽的入口的管道，在等壓槽中玻璃熔體形成為玻璃片。下導管可由Pt或Pt合金制成。玻璃熔體在其離開下導管時暴露于含氧氣氛中。形成下導管的金屬可根據(jù)以上機制被氧化以形成Pt微粒，這些Pt微粒最終將設法進入玻璃熔體以形成夾雜物缺陷。等壓槽是玻璃熔體在其上溢流、在底部結(jié)合并熔合成單個玻璃片的裝置。用于構造等壓槽的部分或等壓槽的補充組件的Pt或Pt合金一般暴露于空氣和升高的溫度。根據(jù)相同的機制，Pt微粒會產(chǎn)生并在形成期間進入玻璃熔體。在該區(qū)域，可發(fā)生大量氣流，也增加了被其它微粒污染的概率。攪拌裝置是非常易于Pt微粒凝結(jié)和污染的玻璃熔體處理系統(tǒng)的組件。圖1包括典型的玻璃熔體攪拌裝置的示意圖。在該裝置中，攪拌腔室由攪拌腔室壁103和底104限定。玻璃熔體113通過入口 109傳送到腔室并將腔室填充到玻璃邊界115。攪拌器軸105 包括多個片，通過旋轉(zhuǎn)產(chǎn)生的剪切應力來攪拌玻璃熔體113。在某些有利實施例中，攪拌器軸105和腔室壁103由Pt或Pt合金制成。攪拌腔室還可被攪拌腔室蓋117覆蓋。在某些實施例中，在玻璃邊界115之上，攪拌腔室被諸如空氣的含氧氣氛填充。典型地，玻璃熔體在腔室內(nèi)具有最高溫度；且腔室蓋區(qū)域中的溫度低于玻璃熔體。該溫度梯度即使低于io°c 也足以導致Pt和Pt合金微粒的氧化和在與具有較低溫度的表面或介質(zhì)接觸時的還原/凝結(jié)。在沒有適當減少的情況下，隨時間累積的微?？缮L到足夠大，落入玻璃熔體最終導致形成的玻璃片中的缺陷。本發(fā)明使用電場來吸引并捕獲空中微粒，包括諸如Pt或Pt合金微粒之類的金屬微粒、由玻璃組分形成的微粒及存在于環(huán)境空氣中的微粒，從而減少它們并防止它們進入玻璃熔體。電場由具有不同電位的至少兩個電極產(chǎn)生。在所使用的典型靜電除塵器中，例如在減少飛塵的發(fā)電廠中，除塵器的至少一個電極具有提供電暈的能力，該電暈向微粒提供電荷，然后電荷被相反電極吸引并收集。一旦到達相反電極，微粒所帶電荷被相反電極提供的相反電荷中和。在這些常規(guī)靜電除塵器中，電極通常由金屬制成。在本發(fā)明中，電極可由金屬及其它材料制成，只要材料在操作溫度下具有足夠的導電性即可。如前面所指出的，即使在本發(fā)明的某些實施例中電暈期望地由至少一個電極形成，但電暈產(chǎn)生不是必須如以下示例所指示的。在不打算被特定理論限制的情況下，本發(fā)明人相信在某些實施例中在玻璃處理裝置的氣氛中形成或存在的微粒中的至少一些已經(jīng)帶有各種數(shù)量的電荷，因此可被相反電極吸引和捕捉。圖1中示意性示出的玻璃熔體攪拌裝置100表示本發(fā)明的實施例。在攪拌裝置 100中，除以上描述和討論的玻璃熔體攪拌裝置特有的以上組件外，通過在腔室壁103、攪拌軸105、攪拌腔室蓋117(三者均如圖所示地接地)以及插入攪拌腔室的第二電極119之間施加電壓產(chǎn)生電場。在此實施例中，攪拌腔室壁103、攪拌軸105、攪拌腔室蓋117共同用作本申請中靜電除塵器含義下的第一電極。在第二電極119和玻璃邊界(暴露于氣氛的玻璃熔體的表面)之間，屏障123附連到從攪拌腔室蓋117延伸的桿的端部。屏障123具有攔截可能從第二電極119的表面下落的諸如Pt微粒之類的任何微粒的能力。期望的是，將屏障123固定在適當位置的延伸桿121以及屏障123由諸如氧化物、陶瓷及類似物等電絕緣材料制成。因此，通過施加在氣氛中的電場的作用，任何控制微粒首先被吸引到第二電極 119的表面，收集在第二電極119的表面上，并且在微粒從第二電極119的表面落下的情況下進一步由屏障123收集?？刹粫r地清潔第二電極119和屏障123，而不顯著干擾連續(xù)的玻
璃處理工藝。為了獲得基本上無氣泡或泡的高質(zhì)量玻璃熔體，期望玻璃熔體不經(jīng)歷釋放氣體的電化學過程。已知當電位被施加到玻璃熔體(尤其是包括OH基團的玻璃熔體)時，可能發(fā)生電解反應，導致形成可能被截留在玻璃中并且作為缺陷包括在將制造的最終玻璃制品中的氣泡。在用于LCD顯示器的玻璃基板中，期望諸如截留氣泡之類的泡水平很低。因此，在本發(fā)明中，應注意由電極施加在氣氛中的電場不會在玻璃熔體中產(chǎn)生能導致這種不期望的副反應的顯著電位梯度。為此目的的一種方法是在其操作期間對與玻璃熔體直接接觸的所有金屬施加基本相同的電位。例如，在如圖1所示的玻璃熔體攪拌裝置中，腔室的耐熱金屬壁103和底104以及金屬攪拌軸均接地，在系統(tǒng)中有效地使它們經(jīng)受相同的電位，由此避免電位梯度經(jīng)由這些金屬施加到玻璃熔體。還構想到，在根據(jù)本發(fā)明的玻璃熔體攪拌裝置的其它實施例中，可在氣氛中使用多個電極來實現(xiàn)最優(yōu)的微粒收集效率和效能。在某些實施例中，期望電極中的至少一個能夠產(chǎn)生電暈，這可有助于微粒帶電，由此進一步增強微粒收集的效率和效能。本發(fā)明通過以下非限制性示例進一步例示。示例在該示例中，本發(fā)明人證明通過使用在氣氛中由電極產(chǎn)生的電場來減少Pt微粒的有效性。圖2示意性示出實驗裝置。在裝置201中，氧化鋁管205被插入爐203內(nèi)。電接地的鉬網(wǎng)219置于氧化鋁管205的中間。在氧化鋁管205內(nèi)的鉬網(wǎng)219的兩側(cè)上，負電極211和正電極217被插入在相對于鉬網(wǎng)219基本對稱的位置處。為了觀察由電極收集的任何鉬凝結(jié)，電極211和217分別被氧化鋁管207和213包封。管207和213分別通過絕緣耐火磚209和215固定到氧化鋁管205的端部。本質(zhì)上相等的DC電壓221和223施加在⑴鉬網(wǎng)219和負電極211之間和(ii)正電極217和鉬網(wǎng)219之間。因此，在測試期間， 在管205內(nèi)的氣氛中建立電場。在測試期間，爐203內(nèi)的溫度曲線被保持為基本恒定。因此，由于裝置的特性，沿管207和213存在熱梯度。測量并記錄沿管207和213各位置的溫度。圖3更詳細地示出在電極包封管207和213上測得的位置。各部分的溫度被包括在以下的表I中。表 I
權利要求
1.一種制造玻璃的工藝，包括(A)在耐熱器具中處理玻璃熔體，其中所述玻璃熔體暴露于包括空中微粒的氣氛中；以及(B)通過在所述氣氛中施加電場來減少所述微粒，在產(chǎn)生電場的至少一個電極的表面上收集微粒，其中(i)所述電場至少部分地由第一電極和第二電極之間的電位產(chǎn)生；以及 ( )所述電場在所述玻璃熔體中基本上不提供電位梯度。
2.如權利要求1所述的工藝，其特征在于，所述耐熱器具包括暴露于所述氣氛的耐熱金屬，并且所述氣氛是氧化性的，使得耐熱金屬和氣氛之間的反應產(chǎn)生至少部分空中微粒。
3.如權利要求2所述的工藝，其特征在于，所述耐熱金屬器具包括鉬或其合金。
4.如上述權利要求中的任一項所述的工藝，其特征在于，所述電場在所述氣氛中產(chǎn)生電暈。
5.如上述權利要求中的任一項所述的工藝，其特征在于，與所述玻璃熔體直接接觸的所有金屬基本上經(jīng)受相同電位。
6.如權利要求5所述的工藝，其特征在于在步驟(A)，耐熱器具包括玻璃熔體攪拌裝置，所述玻璃熔體攪拌裝置包括(a)由包含耐熱金屬的腔室壁限定的攪拌腔室以及(b)包含耐熱金屬的攪拌器軸。
7.如權利要求6所述的工藝，其特征在于在步驟(B)，電場至少部分地由在(i) 一起用作第一電極的攪拌腔室和攪拌器軸和 ( )位于所述玻璃熔體的表面上的第二電極之間的電位梯度產(chǎn)生。
8.如上述權利要求中的任一項所述的工藝，其特征在于在步驟(B)，將用于接納微粒的屏障設置在第二電極和所述玻璃熔體的表面之間。
9.如上述權利要求中的任一項所述的工藝，其特征在于在步驟(B)，第一電極和第二電極之間的電場由至少100V的電位梯度實現(xiàn)。
10.如權利要求7-9中的任一項所述的工藝，其特征在于在步驟(B)，所述第二電極具有比所述第一電極高的電位。
11.如上述權利要求中的任一項所述的工藝，其特征在于在步驟(A)，玻璃熔體適于制造用于LCD顯示器的玻璃基板。
12.如權利要求6所述的工藝，其特征在于，所述攪拌腔室的壁的至少一部分以及所述攪拌軸的至少一部分暴露于含氧氣氛中。
13.一種玻璃熔體處理裝置，包括適于在升高溫度下操作的耐熱器具，其中所述玻璃熔體暴露于包括空中微粒的氣氛中，所述裝置包括靜電除塵器，所述靜電除塵器包括(i)第一電極；以及(ii)用于收集所述微粒的第二電極。
14.如權利要求13所述的玻璃熔體處理裝置，其特征在于，所述耐熱器具包括暴露于所述氣氛的耐熱金屬。
15.如權利要求14所述的裝置，其特征在于，所述耐熱器具的至少一部分用作所述靜電除塵器的第一電極。
16.如權利要求14或15所述的裝置，其特征在于，將相等的電位施加到暴露于玻璃熔體的耐熱金屬的表面。
17.如權利要求14-16中的任一項所述的裝置，其特征在于，包括玻璃熔體攪拌裝置，所述玻璃熔體攪拌裝置包括攪拌腔室和攪拌軸。
18.如權利要求13-17中的任一項所述的裝置，其特征在于，包括在所述第二電極和在操作期間由所述裝置處理的玻璃熔體的表面之間的屏障，其中所述屏障適于攔截從第二電極落下的微粒。
19.如權利要求13-18中的任一項所述的裝置，其特征在于，所述第二電極具有比第一電極高的電位。
20.如權利要求19所述的裝置，其特征在于，還包括具有與第一電極的電位不同的電位的第三電極。
21.如權利要求20所述的裝置，其特征在于，所述第三電極的電位與所述第二電極的電位基本相同。
22.如權利要求20所述的裝置，其特征在于，所述第三電極的電位高于所述第一電極的電位。
23.如上述權利要求中的任一項所述的裝置，其特征在于，至少一個電極能夠產(chǎn)生電
全文摘要
通過使用靜電除塵來減少玻璃熔體處理過程中的空中微粒的工藝和裝置。本發(fā)明在減少所制造玻璃中的貴金屬夾雜物和非金屬夾雜物方面是有效的。
文檔編號C03B5/18GK102256906SQ200980151848
公開日2011年11月23日 申請日期2009年11月10日 優(yōu)先權日2008年11月18日
發(fā)明者D·M·萊恩曼, M·C·莫斯, S·R·莫西爾 申請人:康寧股份有限公司