專利名稱：陶瓷物品以及用于制造它們的方法
陶瓷物品以及用于制造它們的方法相關(guān)申請(qǐng)的交叉引用本申請(qǐng)要求于2008年12月31日提交的美國臨時(shí)申請(qǐng)?zhí)?1/141，890的權(quán)益。
背景技術(shù)：
生產(chǎn)出多種陶瓷顆粒以用于廣泛多樣的工業(yè)應(yīng)用中。這些應(yīng)用中的一些包括使用多種陶瓷顆粒作為一種支撐物來協(xié)助從已經(jīng)鉆入到地質(zhì)結(jié)構(gòu)中的井去除液體和/或氣體；作為介質(zhì)用于沖刷、研磨或拋光；作為一種化學(xué)反應(yīng)器中的床支持介質(zhì)；作為一種傳熱介質(zhì)；作為一種過濾介質(zhì)；以及當(dāng)施加到浙青屋面板中時(shí)作為蓋屋頂?shù)牧狭?。披露了陶瓷顆粒以及制造它們的方法的專利的實(shí)例包括US4，632，876、US 7，036，591 以及 CA 1，217，319。

發(fā)明內(nèi)容
MM本發(fā)明的實(shí)施方案提供了生產(chǎn)陶瓷顆粒的方法，這些陶瓷顆粒貫穿該顆粒制造過程中建立并且維持了孔隙率。這些實(shí)施方案的方法提供了對(duì)使用顯著大量的在制造過程中必須從顆粒中移除的孔形成材料的方法的一種替代方案。本發(fā)明的其他實(shí)施方案提供了具有一種特殊的化學(xué)性以及晶相的陶瓷物品。在一個(gè)實(shí)施方案中，本發(fā)明是用于制造陶瓷顆粒的一種方法，該方法可以包括以下步驟形成一種顆粒前體，該前體包括大于5%重量但小于30%重量的一種第一陶瓷材料以及至少40%重量的一種第二陶瓷材料。這些陶瓷材料被基本上均勻地分布于該前體內(nèi)。將該前體加熱到大于該第一陶瓷材料的燒結(jié)溫度并且低于該第二陶瓷材料的燒結(jié)溫度的最高溫度。該陶瓷顆粒具有至少10%總孔隙率。在另一個(gè)實(shí)施方案中，本發(fā)明是一種陶瓷物品，該物品包括一種包含A1203以及 Si02的化學(xué)組合物，其中如通過XRF分析所確定的A1203與A1203、和Si02的重量百分比的比率是小于0. 72 ；并且如使用內(nèi)標(biāo)物通過XRD分析所確定的至少5%重量的該物品是氧化鋁晶相的。


圖1是根據(jù)一個(gè)實(shí)施方案的過程流程圖；并且圖2的一個(gè)膨脹測(cè)量曲線。
具體實(shí)施例方式詳細(xì)說明如在此所使用的，短語“粉碎耐受性”是指該顆粒的抵抗粉碎的能力。粉碎耐受性通常被用來表示支撐物的強(qiáng)度并且可以使用IS013503-2 :2006 (E)確定。一種強(qiáng)支持物在相同的閉合應(yīng)力下產(chǎn)生了比弱的支撐物更低的重量百分比粉碎耐受性。例如，具有2重量百分比的粉碎耐受性的支撐物被認(rèn)為是一種強(qiáng)支持物并且比具有10重量百分比的粉碎耐受性的弱支撐物是優(yōu)選的。如在此所使用的，短語“陶瓷顆粒的總孔隙率”是指顆粒的開放孔隙率和封閉的孔隙率的總和。陶瓷顆粒的總孔隙率、封閉的孔隙率以及開放的孔隙率可以如以下將描述的確定。如在此所使用的，短語“氧化鋁晶相”包括任何晶相，這些晶相包含鋁和氧原子的有序陣列，并且具體地包括通常被鑒定為例如α-氧化鋁、θ -氧化鋁、δ-氧化鋁、Υ-氧化鋁、Φ-氧化鋁以及κ-氧化鋁的晶相。在此還可以使用氧化鋁晶相中的一些通用名稱。 例如，α氧化鋁在此還可以被稱為剛玉。如在此所使用的提及一種陶瓷物品的化學(xué)物含量是指所測(cè)量的化學(xué)物的重量百分比組分。用于制造陶瓷顆粒的方法已經(jīng)被設(shè)計(jì)并且使用了許多年用以制造大量的陶瓷顆粒(例如支撐物)。因?yàn)橹挝锉挥糜谠诓煌疃认碌膹V泛多樣的地質(zhì)結(jié)構(gòu)中，并且暴露于極端溫度和壓力下，這些支撐物的物理特征可能需要進(jìn)行定制以在一個(gè)具體環(huán)境中優(yōu)化該支撐物的性能?？赡苡绊懼挝锏男阅艿奶匦灾械囊恍┌ū戎亍⒖紫堵省⒎鬯閺?qiáng)度以及電導(dǎo)率。改變一種物理特性可能以一種不希望的方式內(nèi)在地改變其他特性中的一個(gè)或多個(gè)。結(jié)果是，已經(jīng)作出了大量的努力來開發(fā)多種方法，這些方法改變了在一個(gè)應(yīng)用中是重要的特性而同時(shí)將對(duì)顆粒的其他特性的不希望的改變最小化。此外，支撐物制造商已經(jīng)試圖通過在不危害支撐物的性能下消除材料和/或工藝步驟來降低制造支撐物的成本。關(guān)于生產(chǎn)一種具有所希望的比重的支撐物，一些方法依賴于使用孔形成材料從而在該支撐物內(nèi)產(chǎn)生多個(gè)孔。兩種通常類型的成孔物被稱為暫時(shí)的亦或原位的。暫時(shí)性成孔物可以通過熱或化學(xué)過程從支撐物中移除，這導(dǎo)致產(chǎn)生大約等于被移除材料的體積的一個(gè)或多個(gè)孔。暫時(shí)性成孔物的例子包括堅(jiān)果外殼、合成的有機(jī)材料、鋸屑、以及谷物廢物。相比之下，“原位”成孔物典型地在加熱時(shí)膨脹并且產(chǎn)生了一個(gè)孔，該孔顯著地大于在加熱之前被成孔物所占有的體積。原位成孔物的一個(gè)例子是碳化硅。由這些成孔物所產(chǎn)生的孔可以是開放的孔和/或封閉的孔。使用成孔物的一個(gè)問題是它們?cè)黾恿松a(chǎn)成本，因?yàn)楸仨氋徺I成孔物，必須與用來制造支撐物的其他成分進(jìn)行混合并且然后必須使用能量和/或物質(zhì)來移除該成孔物。在一些方法中，移除孔形成材料導(dǎo)致了產(chǎn)生固體或氣態(tài)的副產(chǎn)物，這些副產(chǎn)物可能引起必須被解決的環(huán)境問題并且增加了制造過程的成本。此外，使用成孔物可能在該支撐物制造過程中產(chǎn)生變化性，因?yàn)橛糜诮Y(jié)合并且移除該孔形成物質(zhì)的步驟可以包括在混合過程、加熱溫度、等方面的輕微的差異。盡管溫度改變(在該溫度下支撐物被加熱)可能顯得較小，但是溫度的改變可能引起由原位成孔物所產(chǎn)生的氣體體積的顯著的改變，這與在稍微更低的溫度下產(chǎn)生的情況相比將導(dǎo)致更大的孔。本發(fā)明的實(shí)施方案通過選擇材料以及使支撐物制造商能夠生產(chǎn)一種顆粒前體的處理步驟來著手解決上述問題中的一些，該顆粒前體具有結(jié)合到該顆粒前體中的大致所希望的孔隙率，并且該孔隙率被保持在該支撐物中。不要求成孔物來產(chǎn)生孔隙率。圖1中示出了一個(gè)實(shí)施方案的過程流程圖，它包括以下步驟步驟20包括提供一種混合物，該混合物包括一種第一陶瓷材料以及一種第二陶瓷材料，其中該第一陶瓷材料的燒結(jié)溫度是低于該第二陶瓷材料的燒結(jié)溫度。任選地，該混合物可以包括其他物質(zhì)例如粘結(jié)劑類以及溶劑類。適合的溶劑類包括水以及一些醇類。一種粘結(jié)劑可以是一種或多種選自以下物質(zhì)的材料有機(jī)淀粉，例如鉆探淀粉(drilling starch)，連同為了此種目的商業(yè)出售的膠質(zhì)或樹脂。一種粘結(jié)劑還可以是一種無機(jī)材料，例如粘土或一種酸。粘結(jié)劑通常能以小于該混合物的10%重量的量值加入并且可以干法加入或作為一種溶液加入。盡管粘結(jié)劑可以對(duì)陶瓷顆粒中一定程度的孔隙率負(fù)責(zé)，但是這些粘結(jié)劑并不被認(rèn)為是在此所述的成孔物。可以將混合物的組成限制到小于選自以下清單的一種或多種成孔物的0. 重量， 該清單由以下各項(xiàng)組成暫時(shí)性成孔物、原位成孔物、以及它們的組合?？梢詫簳r(shí)性成孔物限制到小于該混合物的0. 05%重量?？梢詫⒃怀煽孜锵拗频叫∮谠摶旌衔锏?. 01% 重量。在一個(gè)實(shí)施方案中，該混合物將不包括任何成孔物。步驟22包括形成一種顆粒前體，該前體在此被定義為一種顆粒，其中該第一和第二陶瓷材料被基本上均勻地分布在其中，并且溶劑(例如水)已經(jīng)被移除這樣在110°c至 130°C之間加熱兩小時(shí)之后前體的干燥失重(LOD)是小于前體起始重量的1%。該前體可以或不可以包含任選的成分，例如一種粘結(jié)劑。該前體可以包括5%重量至30%重量的該第一陶瓷材料以及至少40%重量的該第二陶瓷材料。在一些實(shí)施方案中，該前體可以包括 10%重量至20%重量的該第一陶瓷材料。在步驟M中，將該前體加熱到高于該第一陶瓷材料的燒結(jié)溫度并且低于該第二陶瓷材料的燒結(jié)溫度的一個(gè)最高溫度。在一些實(shí)施方案中，可以將該前體加熱到一個(gè)最高溫度，該溫度高于該第一陶瓷材料的熔化溫度，該第一陶瓷材料的熔化溫度是高于該第一陶瓷材料的燒結(jié)溫度。在該加熱步驟過程中，如果該溫度超過了該第一陶瓷材料的熔化溫度，該第一陶瓷材料可以從固體物質(zhì)轉(zhuǎn)變成為一種可流動(dòng)的物質(zhì)并且可能流過該第二陶瓷材料。在步驟沈中，將該顆粒前體冷卻到環(huán)境溫度由此形成一種陶瓷顆粒。關(guān)于步驟20，該第一和第二陶瓷材料兩者都能夠以粉末形式來提供，這些粉末包括多個(gè)料粒。在具體的實(shí)施方案中，這些料?？梢允欠秶鷱?至10微米，更確切地地是從 6至8微米。該第一和第二陶瓷材料可以被選擇為該第一陶瓷材料的燒結(jié)溫度是低于該第一陶瓷材料的熔化溫度并且兩者都低于該第二陶瓷材料的燒結(jié)溫度。盡管該第一陶瓷材料的熔化溫度與該第二陶瓷材料的燒結(jié)溫度之間的精確差異可能不是關(guān)鍵性的，但是在具體實(shí)施方案中50°C的差異可以是可操作的。例如，適合的第一陶瓷材料可以是選自下組，該組由以下各項(xiàng)組成具有熔化溫度為約1100°C的長石和霞石正長巖，以及它們的組合。適合的第二陶瓷材料可以是選自下組， 該組由以下各項(xiàng)組成具有燒結(jié)溫度為約1450°c的粘土、鎂、氧化鋁以及鋁土礦，以及它們的組合。關(guān)于步驟22，形成顆粒前體可以通過使用機(jī)器(例如，可以從美國伊利諾伊州 Gourney 的 Eirich Machines 公司 American Process Systems 可得的一臺(tái) Eirich R02 混合器)來處理混合物而實(shí)現(xiàn)，由此將至少一部分的混合物形成大量的小料粒，這些小料?？梢员环Q為生坯。如果這些料粒包含任選的成分，例如溶劑以及粘結(jié)劑，可以通過在烘箱中將這些料粒干燥到足夠高的溫度(例如200°C或更高)以將這些任選的成分從這些顆粒中驅(qū)出去而移除這些任選的成分。如果希望的話，這些顆粒前體可以通過包括No. 8ASTM篩目標(biāo)號(hào)(具有2. 36mm的孔)以及No. 70ASTM篩目標(biāo)號(hào)(具有212 μ m的篩孔)的一個(gè)篩分裝置進(jìn)行處理。對(duì)于在步驟M中所選擇的用于加熱的前體可以流動(dòng)穿過該No. 8篩并且不能流動(dòng)穿過該No. 70篩。在步驟M中，將該前體加熱到一個(gè)最高溫度，該最高溫度是大于該第一陶瓷材料的燒結(jié)溫度，并且可能高于該第一陶瓷材料的熔化溫度，并且低于該第二陶瓷材料的燒結(jié)溫度。結(jié)果是，該加熱步驟的最高溫度是低于該第二陶瓷材料的燒結(jié)溫度的。在具體實(shí)施方案中，該加熱步驟的最高溫度比該第二陶瓷材料的燒結(jié)溫度低至少25°C。如在此所使用的，陶瓷材料的熔化溫度是該陶瓷材料開始軟化并且變得可流動(dòng)的溫度。在低于該第二陶瓷材料的燒結(jié)溫度的一個(gè)溫度下的該第一陶瓷材料的可流動(dòng)性可以允許該第一陶瓷材料至少部分地流動(dòng)到該第二陶瓷材料上。在加熱步驟過程中該第一和第二陶瓷材料之間的接觸可以允許在該第一陶瓷和第二陶瓷的料粒之間產(chǎn)生粘結(jié)?！N陶瓷材料的燒結(jié)溫度可以通過產(chǎn)生膨脹測(cè)量數(shù)據(jù)的一個(gè)曲線并且識(shí)別對(duì)應(yīng)于該曲線的中點(diǎn)的溫度來確定。例如，圖2中示出了一個(gè)示例性的膨脹測(cè)量曲線的圖，其中線性改變的百分比(PLC)相對(duì)于可以用來形成支撐物的一種假定的陶瓷材料的溫度來繪圖。線性改變的百分比可以使用膨脹測(cè)量法來確定。一種可商購的膨脹計(jì)是Anter型 1161。燒結(jié)曲線觀包括一個(gè)第一區(qū)域30，在該區(qū)域中，隨著該材料的溫度增加該材料的長度基本上保持未變化。通過一個(gè)第一溫度34 (在該溫度下該材料開始收縮)以及一個(gè)第二溫度36 (在該溫度下收縮結(jié)束)定義了該燒結(jié)曲線的第二區(qū)域32。該燒結(jié)曲線的第三區(qū)域 38在溫度36處開始并且代表盡管材料的溫度進(jìn)一步增加材料不再收縮的區(qū)域。溫度34指示收縮的開始并且溫度36指示收縮的終止。溫度40代表材料的額定燒結(jié)溫度，它可以通過鑒別在該曲線上的該材料已經(jīng)達(dá)到由該曲線所披露的收縮量的50%的點(diǎn)并且然后確定實(shí)現(xiàn)50%收縮的溫度來確定。收縮的總量42是通過起始線性尺寸的值44與最終線性尺寸 46的值之間的差來表示的。在步驟沈中，將該第一陶瓷材料與該第二陶瓷材料的顆粒冷卻到環(huán)境溫度，該環(huán)境溫度在此被定義為在20°C與30°C之間的任何溫度，由此形成了一種結(jié)合的陶瓷顆粒。該第一和第二陶瓷材料的總重量可以占該陶瓷顆粒的至少85%重量，更優(yōu)選地90%重量。在加熱步驟過程中，該第一陶瓷材料可以形成一種玻璃相。這些材料以及處理?xiàng)l件被選擇為該陶瓷顆粒的重量可以是在該前體的重量的8%之內(nèi)。在一些實(shí)施方案中，該陶瓷顆粒的重量可以在該前體重量的4 %重量之內(nèi)，或甚至在2 %重量之內(nèi)。如果希望的話，可以通過一種篩選裝置來處理這些陶瓷顆粒，該篩選裝置包括一個(gè)消除了具有直徑大于該第一篩的開口的顆粒的第一篩，以及一個(gè)消除了具有直徑小于該第二篩的開口的顆粒的第二篩。適合的第一篩是具有2. 36mm開口的No. 8ASTM篩，并且適合的第二篩是具有212 μ m開口的 No. 70ASTM篩。用作支撐物所選擇的陶瓷顆粒可以流動(dòng)穿過該No. 8篩并且不能流動(dòng)穿過該 No. 70 篩。通過根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施方案的過程而制造的陶瓷物品(例如支撐物)在加熱和結(jié)合步驟過程中經(jīng)歷了非常小的致密化，因?yàn)闆]有或有非常少的成孔物被結(jié)合到該前體中并且該最高加熱溫度不超過該第二陶瓷材料的燒結(jié)溫度。由于缺乏致密化，在形成步驟過程中被內(nèi)在地結(jié)合到該前體中的孔隙率的量可以基本上保持與在形成該陶瓷顆粒之后陶瓷顆粒中孔隙率的量相同。該陶瓷顆粒的總孔隙率可以是該陶瓷顆粒的總體積的至少2%、 5%、10%或甚至15%。該顆粒的封閉的孔隙率可以占總孔隙率的大于70%、75%或80%。該顆粒的開放的孔隙率可以占總孔隙率的小于20%、15%或甚至10%。中間值也是可行的，例如82%封閉孔隙率以及18%開放孔隙率；或88%封閉孔隙率以及12%開放孔隙率。一種顆粒的總孔隙率、開放孔隙率以及封閉孔隙率可以如下確定首先使用一臺(tái) GEO比重計(jì)，它使用精細(xì)粉末來測(cè)量顆粒的表觀比重(PeEQ)。這種精細(xì)粉末有效地封裝了該顆粒并且不穿透該顆粒的開放的或封閉的孔。接下來，使用一臺(tái)氦比重計(jì)來測(cè)量顆粒的表觀比重(ΡΗε 4)，其中該氦穿透了該顆粒的開放的孔。接下來，通過研磨這些顆粒從而使磨碎的顆粒流動(dòng)通過一個(gè)60目篩來確定陶瓷顆粒的真密度(Plfe^5),并且然后使用氦測(cè)比重術(shù)來測(cè)量磨碎的顆粒的體積。然后可以使用以下方程式來計(jì)算總孔隙率(P總)、封閉的孔隙率(P封閉的)、以及開放的孔隙率(P開放的)
總孔隙率(開放的+封閉的)=p^
■閉的=Pgeo ()
去f閉的孑L隙率=“價(jià)顆粒 Aie粉末開放的孔隙率=P開放的=P總-P封閉的^M如下制造了三批次支撐物，在此指定為批次A、批次B以及批次C。批次A代表了由常規(guī)方法制造的并且在1250°C下燒結(jié)的陶瓷顆粒。批次B代表了由與批次A相同的常規(guī)方法制造的但是在1450°C下燒結(jié)的陶瓷顆粒。批次C代表了由本發(fā)明的方法的一個(gè)實(shí)施方案所制造的陶瓷顆粒。表1中示出了批次的原料、燒結(jié)溫度、粉碎數(shù)據(jù)以及孔隙率數(shù)據(jù)。表權(quán)利要求
1.一種用于生產(chǎn)陶瓷顆粒的方法，包括以下步驟形成一種顆粒前體，該前體包含大于5%重量但小于30%重量的一種第一陶瓷材料以及至少40%重量的一種第二陶瓷材料， 所述陶瓷材料基本上均勻地分布于所述前體內(nèi)；將所述前體加熱到高于所述第一陶瓷材料的燒結(jié)溫度并且低于所述第二陶瓷材料的燒結(jié)溫度的最高溫度，其中所述陶瓷顆粒具有至少10%的總孔隙率。
2.如權(quán)利要求1所述的方法，其中所述第一陶瓷材料具有的熔化溫度低于所述第二陶瓷材料的燒結(jié)溫度，并且所述加熱步驟包括將所述前體加熱到高于該第一陶瓷材料的熔化溫度并且低于該第二陶瓷材料的燒結(jié)溫度。
3.如權(quán)利要求2所述的方法，其中所述第二陶瓷材料的燒結(jié)溫度超過所述第一陶瓷材料的熔化溫度至少50°C。
4.如權(quán)利要求1所述的方法，其中所述最高溫度比所述第二陶瓷材料的燒結(jié)溫度低至少 25 0C ο
5.如權(quán)利要求1所述的方法，其中所述顆粒前體包括在10%重量至20%重量之間的所述第一陶瓷材料。
6.如權(quán)利要求1所述的方法，其中所述第一陶瓷材料是選自下組，該組由以下各項(xiàng)組成長石以及霞石正長巖。
7.如權(quán)利要求1所述的方法，其中所述第二陶瓷材料是選自下組，該組由以下各項(xiàng)組成鋁土礦、粘土、氧化鎂以及氧化鋁。
8.如權(quán)利要求1所述的方法，其中所述陶瓷材料共同地占所述顆粒前體的至少85%重量。
9.如權(quán)利要求1所述的方法，其中所述陶瓷材料共同地占所述顆粒前體的至少90%重量。
10.如權(quán)利要求1所述的方法，其中該總孔隙率的至少70%的是封閉的孔隙率。
11.如權(quán)利要求10所述的方法，其中該總孔隙率的至少80%是封閉的孔隙率。
12.如權(quán)利要求1所述的方法，其中所述陶瓷顆粒包括大于10%的封閉的孔隙率。
13.如權(quán)利要求1所述的方法，其中所述前體包括不大于0.重量的成孔物。
14.如權(quán)利要求13所述的方法，其中所述成孔物包括一種暫時(shí)性的成孔物。
15.如權(quán)利要求13所述的方法，其中所述成孔物包括一種原位成孔物。
16.如權(quán)利要求1所述的方法，其中所述陶瓷顆粒的重量是在所述前體的重量的8%之內(nèi)。
17.如權(quán)利要求1所述的方法，其中所述陶瓷顆粒的重量是在所述前體的重量的4%之內(nèi)。
18.如權(quán)利要求1所述的方法，其中所述方法進(jìn)一步包括將該加熱過的前體冷卻到環(huán)境溫度。
19.如權(quán)利要求1所述的方法，其中在形成所述顆粒前體之前所述第二陶瓷材料的氧化鋁晶體含量超過5%重量。
20.如權(quán)利要求19所述的方法，其中所述氧化鋁晶體含量超過10%重量。
21.如權(quán)利要求20所述的方法，其中所述氧化鋁晶體含量超過20%重量。
22.如權(quán)利要求1所述的方法，其中在形成所述顆粒前體之前，所述第二陶瓷材料的LOI不超過3%重量。
23.如權(quán)利要求22所述的方法，其中所述第二陶瓷材料的LOI不超過2%重量。
24.如權(quán)利要求23所述的方法，其中所述第二陶瓷材料的LOI不超過重量。
25.一種陶瓷物品，包括一種包含A1203和Si02的化學(xué)組合物，其中如通過XRF分析所確定的，A1203與A1203和Si02的重量百分比的比率是小于0. 72 ；并且如使用內(nèi)標(biāo)物通過XRD分析所確定的，至少5%重量的該物品是氧化鋁晶相的。
26.如權(quán)利要求25所述的陶瓷物品，進(jìn)一步包括超過至少2%的總孔隙率。
27.如權(quán)利要求25所述的陶瓷物品，進(jìn)一步包括超過至少5%的總孔隙率。
28.如權(quán)利要求25所述的陶瓷物品，進(jìn)一步包括超過至少10%的總孔隙率。
29.如權(quán)利要求25所述的陶瓷物品，其中A1203與A1203和Si02的重量百分比的比率是小于0. 65。
30.如權(quán)利要求25所述的陶瓷物品，其中A1203與A1203和Si02的重量百分比的比率是小于0. 55。
31.如權(quán)利要求25所述的陶瓷物品，其中A1203與A1203和Si02的重量百分比的比率是小于0. 45。
32.如權(quán)利要求25所述的陶瓷物品，其中該顆粒的至少10%重量是氧化鋁晶相的。
33.如權(quán)利要求25所述的陶瓷物品，其中該顆粒的至少20%重量是氧化鋁晶相的。
34.如權(quán)利要求25所述的陶瓷物品，其中該顆粒的至少30%重量是氧化鋁晶相的。
35.如權(quán)利要求25所述的陶瓷物品，其中該化學(xué)組合物包括該陶瓷物品的至少85%重量。
36.如權(quán)利要求35所述的陶瓷物品，其中該化學(xué)組合物包括該陶瓷物品的至少90%重量。
37.如權(quán)利要求25所述的陶瓷物品。其中所述物品具有在212μ m與2. 36mm之間的平均直徑。
38.如權(quán)利要求37所述的陶瓷物品，其中所述物品在51.7MPa(7, 500psi)下具有的粉碎耐受性為小于15%。
39.如權(quán)利要求38所述的陶瓷物品，進(jìn)一步包括超過至少10%的總孔隙率。
全文摘要
在此披露了一種用于生產(chǎn)陶瓷顆粒(例如支撐物)的方法，這些顆粒具有至少10％的總孔隙率。該方法包括形成一種顆粒前體，該前體包括5％至30％的一種第一陶瓷材料以及至少40％的一種第二陶瓷材料。該第一陶瓷材料的燒結(jié)溫度可以低于一種第二陶瓷材料的燒結(jié)溫度。將該前體加熱到高于該第一陶瓷材料的燒結(jié)溫度并且低于該第二材料的燒結(jié)溫度的最高溫度。在此還披露了一種陶瓷物品，該物品具有化學(xué)性以及氧化鋁晶相的一種特殊的組合。
文檔編號(hào)C04B35/03GK102256913SQ200980151708
公開日2011年11月23日 申請(qǐng)日期2009年12月31日 優(yōu)先權(quán)日2008年12月31日
發(fā)明者K·R·迪克桑, L·桑-米古勒, T·佛斯, W·T·斯特芬斯 申請(qǐng)人:圣戈本陶瓷及塑料股份有限公司