專利名稱：晶圓切割結(jié)構(gòu)的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實用新型涉及一種晶圓切割結(jié)構(gòu)，尤指一種可使晶圓利用裁切機構(gòu)的配合，讓晶圓于 進行切割作業(yè)之后，使其切割處具有較佳的平整度，而可降低晶圓缺陷以及提高制作良率的 晶圓切割結(jié)構(gòu)。
技術(shù)背景
一般現(xiàn)有的進行晶圓切割，如圖4所示，通常是以一切割刀3對應(yīng)于晶圓4的一面上，之
后再以該切割刀3直接對晶圓4進行切割，如此，即可完成晶圓4的切割。
雖然，上述現(xiàn)有的方式可完成晶圓4的切割，但是由于切割時僅是以切割刀3直接對晶圓 4進行切割，因此，該晶圓4的切割處A常會因切割刀3施力時的應(yīng)力受到破壞，如圖5所示， 而產(chǎn)生裂痕及損壞的情形，進而造成晶圓4的缺陷，使得制作的良率降低，導(dǎo)致晶圓4上的可 用面積減少。因此， 一般現(xiàn)有的切割晶圓的方式較無法符合實際使用時所需。 實用新型內(nèi)容
本實用新型所解決的技術(shù)問題是針對上述現(xiàn)有技術(shù)的不足，提供一種晶圓切割結(jié)構(gòu)，
可使晶圓利用裁切機構(gòu)的配合，讓晶圓于進行切割作業(yè)之后，使其切割處具有較佳平整度， 而可降低晶圓缺陷，并提高制作良率。
為了解決上述技術(shù)問題，本實用新型所采用的技術(shù)方案是 一種晶圓切割結(jié)構(gòu)，其包括 一裁切機構(gòu)及晶圓，該裁切機構(gòu)至少包含有一切割刀；該晶圓的一面與該裁切機構(gòu)對應(yīng)，其 特點是所述裁切機構(gòu)還包含有一可于晶圓上成型出一凹槽并以切割刀由凹槽處對晶圓作切 割的鐳射刀。
如此，可使晶圓利用裁切機構(gòu)的配合，讓晶圓于進行切割作業(yè)之后，使其切割處具有較 佳的平整度，而達到降低晶圓缺陷以及提高制作良率的功效。


圖l是本實用新型的基本架構(gòu)示意圖。
圖2是本實用新型的切割狀態(tài)示意圖一。
圖3是本實用新型的切割狀態(tài)示意圖二。
圖4是現(xiàn)有的切割基本架構(gòu)示意圖。
圖5是現(xiàn)有的切割狀態(tài)示意圖。標號說明
裁切機構(gòu)l 鐳射刀ll 切割刀12、 3 晶圓2、 4
凹槽21 切割處A具體實施方式
請參閱圖l所示，為本實用新型的基本架構(gòu)示意圖。如圖所示本實用新型為一種晶圓 切割結(jié)構(gòu)，其至少由一裁切機構(gòu)1以及晶圓2所構(gòu)成。
上述所提的裁切機構(gòu)1其至少包含有一鐳射刀11及一切割刀12，而該切割刀12可為鋸齒
刀或為鉆石刀。
該晶圓2的一面與裁切機構(gòu)1對應(yīng)，且該晶圓2可為多層磊晶的晶圓、CM0S組件、BJT組件 、MOS組件或為內(nèi)存組件。如是，藉由上述結(jié)構(gòu)構(gòu)成一全新的晶圓切割結(jié)構(gòu)。
請參閱圖2及圖3所示，為本實用新型的切割狀態(tài)示意圖。如圖所示使用時，是以裁切 機構(gòu)1的鐳射刀11先行于晶圓2上裁切成型出一凹槽21，而該凹槽21略呈一V型，且該凹槽21 的深度為晶圓2整體厚度的5% 20%，待鐳射刀11于晶圓2成型出凹槽21之后，再以切割刀 12由凹槽21的底部位置處對晶圓2作切割，如此，即可利用鐳射刀11與切割刀12的配合，使 晶圓2的切割處具有較佳的平整度，藉以降低晶圓2切割后的缺陷，并同時提高晶圓2的制作 良率。
綜上所述，本實用新型的晶圓切割結(jié)構(gòu)可有效改善現(xiàn)有技術(shù)的種種缺點，可使晶圓利用 裁切機構(gòu)的配合，讓晶圓于進行切割作業(yè)之后，使其切割處具有較佳的平整度，而達到降低 晶圓缺陷以及提高制作良率的功效，進而使本實用新型能產(chǎn)生更進步、更實用、更符合使用 者的所須，確已符合專利申請的要件，依法提出專利申請。
權(quán)利要求1.一種晶圓切割結(jié)構(gòu)，其包括一裁切機構(gòu)及晶圓，該裁切機構(gòu)至少包含有一切割刀；該晶圓的一面與該裁切機構(gòu)對應(yīng)，其特征在于所述裁切機構(gòu)還包含有一可于晶圓上成型出一凹槽并以切割刀由凹槽處對晶圓作切割的鐳射刀。
2.如權(quán)利要求l所述的晶圓切割結(jié)構(gòu)，其特征在于所述切割刀為鋸齒刀。
3.如權(quán)利要求l所述的晶圓切割結(jié)構(gòu)，其特征在于所述切割刀為鉆石刀。
4.如權(quán)利要求l所述的晶圓切割結(jié)構(gòu)，其特征在于所述晶圓為多層 磊晶的晶圓。
5.如權(quán)利要求l所述的晶圓切割結(jié)構(gòu)，其特征在于所述晶圓為CM0S組件。
6.如權(quán)利要求l所述的晶圓切割結(jié)構(gòu)，其特征在于所述晶圓為BJT組件。
7.如權(quán)利要求l所述的晶圓切割結(jié)構(gòu)，其特征在于所述晶圓為M0S組件。
8.如權(quán)利要求l所述的晶圓切割結(jié)構(gòu)，其特征在于所述晶圓為內(nèi)存組件。
9.如權(quán)利要求1所述的晶圓切割結(jié)構(gòu)，其特征在于所述凹槽呈V型。
10.如權(quán)利要求l所述的晶圓切割結(jié)構(gòu)，其特征在于所述凹槽的深 度為晶圓整體厚度的5 % 20 % 。
專利摘要一種晶圓切割結(jié)構(gòu)，包含至少具有一鐳射刀及一切割刀的裁切機構(gòu)；以及一面與裁切機構(gòu)對應(yīng)的晶圓，可由鐳射刀于晶圓上成型出一凹槽，并以切割刀由凹槽處對晶圓作切割。藉此，可使晶圓利用裁切機構(gòu)的配合，讓晶圓于進行切割作業(yè)之后，使其切割處具有較佳的平整度，而達到降低晶圓缺陷以及提高制作良率的功效。
文檔編號B28D5/00GK201361949SQ20092030009
公開日2009年12月16日 申請日期2009年1月7日 優(yōu)先權(quán)日2009年1月7日
發(fā)明者璩澤明, 馬嵩荃 申請人:茂邦電子有限公司