專利名稱：一種瓷磚鋪貼的縫隙處理方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及瓷磚鋪貼技術(shù)領(lǐng)域，具體是涉及瓷磚鋪貼時的間隙處理技術(shù)。
背景技術(shù)：
瓷磚在鋪貼過程中，瓷磚之間不可避免地留有縫隙，傳統(tǒng)技術(shù)的瓷磚鋪貼時其縫隙處理一般是采用水泥或水泥基填縫材料進行縫隙處理，即在瓷磚的間隙之間采用水泥進行封縫，采用水泥封縫的缺點在于水泥易產(chǎn)生滲水、同時水泥與瓷磚之間易產(chǎn)生裂紋，從而使縫隙之間易存污納圬，影響整體美觀，也不利于對衛(wèi)生條件要求極高的環(huán)境使用要求，如醫(yī)院、無菌環(huán)境等場所，長期以來，對于這種傳統(tǒng)方法沒有人想到對此方法進行改進。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的是為了解決上述之不足而提供一種能與瓷磚緊密結(jié)合、不滲水衛(wèi)生的瓷磚鋪貼的間隙處理方法。
本發(fā)明為了達到上述效果而采用的技術(shù)解決方案如下本發(fā)明瓷磚鋪貼的間隙處理方法，其特征在于，它是采用如下工藝步驟(1)鋪設(shè)瓷磚，并選擇與已鋪的瓷磚相匹配的熔點低于1200℃的低溫釉料；(2)在鋪設(shè)瓷磚的縫隙之間鋪設(shè)低溫釉料；(3)沿著縫隙將縫隙內(nèi)的低溫釉料進行高溫熔溶，使之與瓷磚連接在一起，冷卻即可。
作為上述方法的進一步說明，所述低溫釉料的熔點為700-1200℃。
所述低溫釉料的選擇是根據(jù)該釉料與瓷磚中的AL、Mg、Si的含量值是否相接近進行選擇。
所述鋪設(shè)好的瓷磚之間的縫隙是在進行清潔后再鋪入釉料；釉料與瓷磚連接在一起后，可進行拋光刮平程序。
本發(fā)明采用上述技術(shù)解決方案所能達到的有益效果是鋪設(shè)瓷磚的縫隙之間經(jīng)過清潔處理后，再鋪設(shè)低溫釉料，該釉料與已鋪的瓷磚的釉面相匹配，使整個鋪設(shè)方案更完整，美觀；鋪貼完成后，縫隙中的低溫釉料表面處于燒結(jié)狀態(tài)，表面光滑不吸水，不吸污，不藏塵，易于清潔，而且釉料與瓷磚緊密結(jié)合，不易裂開，不滲水，表面光潔度高，不會隱藏細菌，清潔方便衛(wèi)生，改變了的傳統(tǒng)鋪貼方式，實用效果好。
具體實施例方式
本發(fā)明一種瓷磚鋪貼的間隙處理方法，其特征在于，它是采用如下工藝步驟(1)對鋪設(shè)好的瓷磚之間的縫隙先進行清潔；(2)鋪設(shè)瓷磚，并選擇與已鋪的瓷磚的釉面相匹配的熔點低于1200℃的低溫釉料；(3)在鋪設(shè)瓷磚的縫隙之間鋪設(shè)低溫釉料；(4)沿著縫隙將縫隙間的低溫釉料進行高溫熔溶，使之與已鋪的瓷磚連接在一起，冷卻；(5)對鋪設(shè)好釉料的縫隙可進行拋光刮平程序，使整個鋪設(shè)更平整，圖案更統(tǒng)一美觀。
根據(jù)該低溫釉料的選擇是根據(jù)該釉料與瓷磚中的AL、Mg、Si的含量值是否相接近進行選擇，這樣使釉料與瓷磚之間結(jié)合較為牢固，本實施例選擇低溫釉料的熔點為900℃，該熔點可選擇700℃、1200℃及中間的范圍值的釉料。
權(quán)利要求
1.一種瓷磚鋪貼的縫隙處理方法，其特征在于，它是采用如下工藝步驟(1)鋪設(shè)瓷磚，并選擇與已鋪的瓷磚相匹配的熔點低于1200℃的低溫釉料；(2)在鋪設(shè)瓷磚的縫隙之間鋪設(shè)低溫釉料；(3)沿著縫隙將縫隙間的低溫釉料進行高溫熔溶，使之與瓷磚連接在一起，冷卻即可。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的瓷磚鋪貼的縫隙處理方法，其特征在于所述低溫釉料的熔點為700-1200℃。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的瓷磚鋪貼的縫隙處理方法，其特征在于所述低溫釉料的選擇是根據(jù)該釉料與瓷磚中的AL、Mg、Si的含量值相接近進行選擇。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的瓷磚鋪貼的縫隙處理方法，其特征在于所述鋪設(shè)好的瓷磚之間的縫隙是在進行清潔后再鋪入釉料。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的瓷磚鋪貼的縫隙處理方法，其特征在于所述低溫釉料與瓷磚冷卻連接在一起后，進行拋光刮平程序。
全文摘要
本發(fā)明公開了一種瓷磚鋪貼的縫隙處理方法，其特征在于，它是采用如下工藝步驟(1)鋪設(shè)瓷磚，并選擇與已鋪的瓷磚的釉面相匹配的熔點低于1200℃的低溫釉料；(2)在鋪設(shè)瓷磚的縫隙之間鋪設(shè)低溫釉料；(3)沿著縫隙將縫隙間的低溫釉料進行高溫熔溶，使之與瓷磚連接在一起，冷卻即可。本發(fā)明具有縫隙釉料與瓷磚緊密結(jié)合、表面光潔度高、不滲水清潔方便衛(wèi)生等優(yōu)點。
文檔編號E04B1/682GK101063371SQ200710028090
公開日2007年10月31日 申請日期2007年5月21日 優(yōu)先權(quán)日2007年5月21日
發(fā)明者江顯異 申請人:江顯異