專利名稱：氧化鎵-氧化鋅類濺射靶、透明導(dǎo)電膜及其形成方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及可以得到能夠維持良好的可見光透過率和導(dǎo)電性的透 明導(dǎo)電膜的氧化鎵(Ga203)-氧化鋅(ZnO)類濺射靶(GZO類靶) 及使用該靶的透明導(dǎo)電膜的形成方法以及由該方法形成的透明導(dǎo)電膜。
背景技術(shù)：
以往，作為透明導(dǎo)電膜，ITO (氧化銦中摻雜錫)膜透明且導(dǎo)電性 優(yōu)良，在液晶顯示器、電致發(fā)光顯示器等顯示裝置的透明電極(膜) 或太陽能電池等的廣泛用途中使用。但是，該ITO的主要成分銦價(jià)格 昂貴，因此存在制造成本方面差的問題。由于這樣的問題，提出了使用GZO膜作為ITO的替代品。該GZO 是以氧化鎵(Ga203)-氧化鋅(ZnO)為主要成分的氧化鋅類膜，因此 具有價(jià)格便宜的優(yōu)點(diǎn)。GZO膜已知存在由于主成分ZnO的氧缺乏而使 導(dǎo)電性增加的現(xiàn)象，如果導(dǎo)電性和光透過性的膜特性與ITO近似，則 有可能利用會(huì)增加。作為形成該GZO膜的方法，主要是通過濺射法進(jìn)行，特別是從操 作性和膜穩(wěn)定性方面考慮，使用直流(DC)濺射或高頻(RF)濺射或 磁控管濺射法形成GZO膜。通過濺射法形成膜，是通過使Ar離子等正離子對(duì)陰極上設(shè)置的靶 進(jìn)行物理沖擊，由該沖擊能而釋放出靶的構(gòu)成材料，而在相對(duì)的陽極 側(cè)的襯底上層壓與靶材料基本相同組成的膜來進(jìn)行的。另外，利用該濺射法的被覆法，具有通過調(diào)節(jié)處理時(shí)間和供給電 力等，可以以穩(wěn)定的成膜速度形成從埃單位的薄膜至數(shù)十pm的厚膜的 特征。關(guān)于用于形成這樣的GZO膜的燒結(jié)體濺射靶或由其形成的透明導(dǎo)電膜，提出了幾項(xiàng)技術(shù)。例如，專利文獻(xiàn)l在其一部分中，作為不發(fā)生異常放電、并且可 以形成具有穩(wěn)定性的薄膜的氧化鋅類燒結(jié)體耙，提出了一部分靶材料具有Ga203-ZnO靶燒結(jié)體，并且以選擇性地添加了 1 5重量％的氧化 鈦、氧化鍺、氧化鋁、氧化鎂、氧化銦和氧化錫的氧化鋅為主要成分 的耙。在專利文獻(xiàn)2中，作為不發(fā)生異常放電、并且可以形成具有穩(wěn)定 性的薄膜的GZO燒結(jié)體濺射靶，提出了通過使氧化鋅與氧化鎵的粉末 的粒徑微細(xì)至l(im以下、將燒結(jié)溫度調(diào)節(jié)至1300 1550°C、以及在引 入氧的同時(shí)進(jìn)行燒結(jié)而提高密度的技術(shù)。在專利文獻(xiàn)3中，作為長期異常放電發(fā)生少、透過率高并且電阻 值低的GZO燒結(jié)體濺射靶，提出了添加3 7原子Q/。的Ga、以及0.3 3 原子。/。的選自Al、 B、 In、 Ge、 Si、 Sn和Ti的第三元素的ZnO類燒結(jié) 體。在專利文獻(xiàn)4中，為了防止氧化鋅與水反應(yīng)而使得電特性、光學(xué) 特性發(fā)生變化，提出了在由氫氣和惰性氣體組成的氣氛中進(jìn)行濺射的 技術(shù)。一般而言，在形成GZO膜時(shí)特別成為問題的是伴隨濺射的進(jìn)行在 靶表面的腐蝕部產(chǎn)生稱為結(jié)核的微細(xì)突起物，進(jìn)而由該結(jié)核引起的異 常放電和飛濺使粗大粒子(顆粒)在濺射室內(nèi)浮動(dòng)并附著在形成的膜上，成為使質(zhì)量下降的原因。另外，上述異常放電會(huì)產(chǎn)生等離子體放 電狀態(tài)不穩(wěn)定、不能穩(wěn)定地成膜的問題。因此，在襯底上形成導(dǎo)電膜時(shí)，需要定期除去在濺射靶上產(chǎn)生的 結(jié)核，這會(huì)產(chǎn)生顯著降低生產(chǎn)率的問題，因此，需要結(jié)核產(chǎn)生少、并 且不產(chǎn)生異常放電現(xiàn)象的靶。特別是最近具有顯示器大型化的趨勢(shì)，要求大面積的成膜，因此 特別需要可以穩(wěn)定成膜的靶。上述專利文獻(xiàn)中指出了異常放電的問題，作為減少異常放電的措 施，在如上所述的專利文獻(xiàn)1中提出了選擇性地添加1~5重量％的氧化 鈦、氧化鍺、氧化鋁、氧化鎂、氧化銦和氧化錫，在專利文獻(xiàn)3中提出了添加0.3 3原子％的選自Al、 B、 In、 Ge、 Si、 Sn和Ti的第三元 素。這些技術(shù)都是通過提高燒結(jié)體的密度、減少燒結(jié)體中的空隙來防止異常放電。但是，存在的問題是即使通過這樣的添加材料，燒結(jié) 密度也不會(huì)充分上升，并且體積電阻值高。而且，雖然耙的制造工序有改善，但是制造工序的復(fù)雜化成為成 本高的主要原因，并且在通過改良燒結(jié)方法或裝置提高密度時(shí)，存在 需要大型設(shè)備的問題，不能說是工業(yè)上有效的方法。另外，GZO燒結(jié)體耙存在下列缺點(diǎn)根據(jù)燒結(jié)條件不同，體積電阻值及密度變化大并且缺乏穩(wěn)定性，而且燒結(jié)時(shí)容易與給定器(七、乂 夕一)等反應(yīng)而產(chǎn)生組成偏差。綜合來看，通過添加微量元素即改變GZO燒結(jié)體的成分組成使靶的密度提高、防止結(jié)核的形成、以及抑制異常放電現(xiàn)象及顆粒的產(chǎn)生，5可以說是簡(jiǎn)便有效的方法，但是成分組成的變化有時(shí)使靶的體積電阻 值變差，而且燒結(jié)密度也未必改善，因此在上述專利文獻(xiàn)所示的例子 中存在并未采取充分的對(duì)策的問題。專利文獻(xiàn)l:日本特開平10-306367號(hào)公報(bào)專利文獻(xiàn)2:日本特開平10-297964號(hào)公報(bào) 專利文獻(xiàn)3:日本特開平11-256320號(hào)公報(bào) 專利文獻(xiàn)4:日本特開2002-363732號(hào)公報(bào)發(fā)明內(nèi)容鑒于上述現(xiàn)有技術(shù)的問題，本發(fā)明的氧化鎵(Ga203)-氧化鋅(ZnO) 類濺射靶(GZO類靶)，是通過微量添加特定的元素而改善導(dǎo)電性和 密度、即通過改善成分組成而使GZO靶的燒結(jié)性穩(wěn)定，并且得到高密 度、低體積電阻、組成波動(dòng)少的靶。由此，本發(fā)明得到能夠抑制結(jié)核的形成，并且可以防止異常放電 和顆粒產(chǎn)生的靶的同時(shí)，提供使用該靶形成透明導(dǎo)電膜的方法以及由 該方法形成的透明導(dǎo)電膜。根據(jù)以上內(nèi)容，本發(fā)明作為其1)，提供一種高密度氧化鎵-氧化鋅類燒結(jié)體濺射靶，其 中，含有氧化鋯和氧化鋁各20質(zhì)量ppm以上，并且它們的總量小于 250ppm;作為其2)，提供1)所述的氧化鎵-氧化鋅類燒結(jié)體濺射靶，其 中，氧化鋅中的鎵濃度以氧化鎵換算為1 7質(zhì)量％;作為其3)，提供l)或2)所述的高密度氧化鎵-氧化鋅類燒結(jié)體 濺射靶，其中，燒結(jié)密度為5.45g/cn^以上；作為其4)，提供1) ~3)中任一項(xiàng)所述的高密度氧化鎵-氧化鋅 類燒結(jié)體濺射靶，其中，靶的體積電阻值為3.0mQ以下；作為其5)，提供一種透明導(dǎo)電膜形成方法，其中，使用含有氧6化鋯和氧化鋁各20質(zhì)量ppm以上、并且它們的總量小于250ppm的氧 化鎵-氧化鋅類靶，通過濺射法在襯底上形成包括含有氧化鋯和氧化鋁 各20質(zhì)量卯m以上、并且它們的總量小于250ppm的氧化鎵-氧化鋅的 薄膜；作為其6)，提供5)所述的透明導(dǎo)電膜形成方法，其中，透明導(dǎo) 電膜中，氧化鋅中的鎵濃度以氧化鎵換算為1~7質(zhì)量％;作為其7)，提供一種包括氧化鎵-氧化鋅類的導(dǎo)電性優(yōu)良的透明 導(dǎo)電膜，其中，通過濺射而在襯底上形成的包括氧化鎵-氧化鋅類的透 明導(dǎo)電膜含有氧化鋯和氧化鋁各20質(zhì)量ppm以上，并且它們的總量小 于250ppm;作為其8)，提供7)所述的導(dǎo)電性優(yōu)良的透明導(dǎo)電膜，其中，透 明導(dǎo)電膜中，氧化鋅中的鎵濃度以氧化鎵換算為1~7質(zhì)量％。發(fā)明效果本發(fā)明的氧化鎵(Ga203)-氧化鋅(ZnO)類濺射靶(GZO類靶)， 通過含有氧化鋯(Zr02)和氧化鋁各20質(zhì)量ppm以上、并且使它們的 總量小于250質(zhì)量ppm，可以使GZO靶的燒結(jié)性穩(wěn)定，并且可以得到 高密度、低體積電阻、組成波動(dòng)少的靶。而且，具有通過使用該靶進(jìn) 行濺射而可以得到GZO膜的穩(wěn)定成膜的效果。而且，與其相伴，具有可以得到能夠抑制濺射成膜時(shí)所產(chǎn)生的結(jié) 核的形成、可以長期減少異常放電、并且可以防止顆粒產(chǎn)生的靶的優(yōu) 良效果。另外，具有通過使用該靶可以形成透過率高并且電阻值低的透明 導(dǎo)電膜、并且可以提供由此形成的透明導(dǎo)電膜的顯著效果。
具體實(shí)施方式
一般而言，透明導(dǎo)電膜的導(dǎo)電性以表面電阻(Q/口)表示，通常 要求約5Q/口的表面電阻。在應(yīng)用于上述液晶顯示器屏幕的情況下，在要求液晶屏幕的高精細(xì)化的同時(shí)還要求更低的表面電阻。表面電阻以 比電阻除以透明導(dǎo)電膜的厚度所得到的值來表示。透明導(dǎo)電膜的表面導(dǎo)電率以導(dǎo)電率(比電阻的倒數(shù))與膜厚之積 表示，該導(dǎo)電率(T (Q—1 ，cm—1)以膜中所含的載流子(空穴或電子)具 有的電荷e (庫侖)與載流子遷移率p (cm2/V'SeC)以及載流子濃度n (cm-3)之積表示("a1 cm-1) =e p n)。因此，為了使透明導(dǎo)電膜的導(dǎo)電率提高，并且使比電阻(也稱為 電阻率)和表面電阻下降，只要使載流子遷移率ii (cm"V'sec)以及 載流子濃度n (cm—3)任何一個(gè)或者兩個(gè)增大即可。本發(fā)明的氧化鎵-氧化鋅類燒結(jié)體濺射靶，是作為具有這樣的膜特 性的透明導(dǎo)電膜形成用靶的優(yōu)良靶。作為氧化鋅中的鎵量，以氧化鎵 換算優(yōu)選為1 7質(zhì)量％。作為濺射時(shí)的膜特性的影響因素，可以列舉如上所述的靶密度， 靶密度越高則結(jié)核的形成越少，可以長期抑制異常放電的產(chǎn)生以及顆 粒產(chǎn)生，可以得到穩(wěn)定的濺射特性和良好的膜。另 一方面，耙的體積電阻值直接反映在透明導(dǎo)電膜的電阻率中， 因此必須盡可能地增加體積電阻值。作為本發(fā)明的氧化鎵-氧化鋅類燒結(jié)體濺射靶中可以實(shí)現(xiàn)高密度 化的掾雜劑，可知氧化鋯(Zr02)和氧化鋁(A1203)極為有效。含有 氧化鋯(Zr02)和氧化鋁(A1203)各20質(zhì)量ppm以上，并且它們的 總量小于250ppm。另外，該氧化鋯和氧化鋁在GZO中固溶，如后所述具有可以維持 低體積電阻值的特性。該氧化鋯和氧化鋁的添加是本發(fā)明的最重要的方面。
當(dāng)氧化鋯和氧化鋁分別不足20質(zhì)量ppm時(shí)，則不能實(shí)現(xiàn)耙的高 密度化，因此設(shè)定為20質(zhì)量ppm以上。另一方面，如果氧化鋯和氧化 鋁的總量為250質(zhì)量ppm以上，則密度下降，體積電阻值增大。氧化 鋯和氧化鋁的過量添加也存在引起靶破裂的問題。因此，設(shè)定為250 質(zhì)量ppm以下即可。
另外，本發(fā)明的高密度氧化鎵-氧化鋅類燒結(jié)體濺射靶的燒結(jié)密度 為5.45g/cm3以上，根據(jù)燒結(jié)條件，還可能實(shí)現(xiàn)5.50 g/cm3以上。
另外，本發(fā)明的高密度氧化鎵-氧化鋅類燒結(jié)體濺射靶的體積電阻 值可以實(shí)現(xiàn)3.0mQ以下。在現(xiàn)有的氧化鎵-氧化鋅類燒結(jié)體濺射靶中， 不能同時(shí)實(shí)現(xiàn)燒結(jié)密度5.55g/cm3以上的高密度化和體積電阻值3.0 mQ以下。
耙的體積電阻值直接反映在透明導(dǎo)電膜的電阻率上，可以得到含 有1 7質(zhì)量％氧化鎵的氧化鎵-氧化鋅類的導(dǎo)電性及光透過性優(yōu)良的透 明導(dǎo)電膜。
作為本發(fā)明的GZO靶的制造方法，沒有特別限制，準(zhǔn)備規(guī)定量 (1 7質(zhì)量％)的氧化鎵(Ga203)的粉末和微量的氧化鋯(Zr02)粉 末和微量的氧化鋁(A1203)粉末的總量為20 250質(zhì)量ppm (不足)的 粉末及余量的氧化鋅(ZnO)粉末。
一般而言，為了提高靶的密度，可以說成形前的粉體越細(xì)越好， 但是在本發(fā)明中，使用上述的氧化鋯(二氧化鋯)作為GZO中添加的 摻雜劑，因此可以使用氧化鋯作為微粉碎用的介質(zhì)。即，具有可以使 用二氧化鋯微球或內(nèi)襯二氧化鋯的容器進(jìn)行粉碎，粉碎介質(zhì)自身不會(huì) 成為污染源(污染物源)的優(yōu)點(diǎn)。由此，具有可以提高粉碎水平、能夠得到與以往相比更高純度和 更高密度的濺射耙的大優(yōu)點(diǎn)。
例如，利用磨碎機(jī)進(jìn)行混合和微粉碎，可以得到中值粒徑為0.8pm 的混合粉體漿料。將該漿料造粒，得到球狀的造粒粉末。進(jìn)而，可以 將該造粒粉末模壓成型，并且可以進(jìn)行CIP (冷等靜壓)。然后，將該
成形體在氧氣氣氛中、在約1000 約160CTC的溫度下進(jìn)行約1~約5小 時(shí)的燒結(jié)，得到燒結(jié)體。
另外，燒結(jié)條件可以任意改變，而且粉末的制造方法也可以變?yōu)?上述以外的方法，沒有特別限制。根據(jù)以上，可以實(shí)現(xiàn)燒結(jié)密度為 5.45g/cm3以上，并且通過選擇燒結(jié)溫度可以進(jìn)一步達(dá)到5.50g/cm3以 上。
對(duì)該燒結(jié)體進(jìn)行磨削和切割，并加工為規(guī)定形狀的濺射用靶，得 到含有1 7質(zhì)量％氧化鎵的氧化鎵-氧化鋅類燒結(jié)體濺射靶。
然后，使用這些燒結(jié)體濺射靶在玻璃襯底等上使用DC濺射、RF 濺射、磁控管濺射等形成透明電極膜。襯底通常使用光透過性的玻璃， 但是應(yīng)該知道并不是特別限于玻璃。
氧化鎵-氧化鋅類燒結(jié)體靶具有導(dǎo)電性，因此通過DC濺射可以容 易地成膜。因此，可以使用簡(jiǎn)單并且可靠性高、最穩(wěn)定的DC濺射裝置 進(jìn)行成膜。DC濺射條件的代表例如下所示。
該濺射條件也可以任意改變。
濺射氣體Ar90~100%、 0 10%O2 濺射氣壓Q.l 5Pa電量 0.2~6W/cm2 成膜速度約100 300A/分鐘 襯底溫度室溫 30(TC
實(shí)施例
以下通過實(shí)施例說明本發(fā)明。另外，本實(shí)施例僅僅是例子，本發(fā) 明不限于該例。g口，本發(fā)明也包括在本發(fā)明的技術(shù)思想的范圍內(nèi)的實(shí) 施例以外的全部方式或者變形。
(實(shí)施例1)
稱量平均粒徑l|am以下的氧化鋯(Zr02)粉末50質(zhì)量ppm、平 均粒徑lpm以下的氧化鋁(A1203)粉末20質(zhì)量ppm，同時(shí)，稱量氧 化鎵(Ga203)粉末5質(zhì)量％，余量為氧化鋅(ZnO)。
將這些物質(zhì)使用二氧化鋯(Zr02)球或微球作為粉碎介質(zhì)用磨碎 機(jī)進(jìn)行混合和微粉碎，得到中值粒徑為0.8pm的混合粉體漿料。
將該漿料造粒，得到球狀的造粒粉。進(jìn)而將該造粒粉模壓成型， 并且進(jìn)行CIP(冷等靜壓)。然后，將該成形體在大氣中、1450°C、 1500 "C的溫度下分別進(jìn)行5小時(shí)燒結(jié)，得到燒結(jié)體。將該燒結(jié)體磨削和切 割，并加工為規(guī)定形狀的濺射用靶。
然后，測(cè)定由此得到的燒結(jié)體靶的密度及體積電阻值。該結(jié)果如 表1所示。靶中含有的氧化鋯(Zr02)及氧化鋁(A1203)是通過ICP (電感耦合等離子體法)測(cè)定鋯及鋁的量、并求得的相對(duì)于靶總量的 Zr02換算量。靶中含有的Zr02量與燒結(jié)前的添加量基本相等。
耙密度通過阿基米德法測(cè)定。另外，體積電阻值是在鏡面拋光后 的耙的基本全部范圍中的5個(gè)部位隨機(jī)地確定測(cè)定位置，使用四探針 法在從靶的切割面的表面至2mm深度的位置進(jìn)行測(cè)定，并且取其平均值。表1150or燒結(jié)Zr02A1203密度體積電阻值結(jié)核異常放電次數(shù)PPmppmg/cm3. cm覆蓋率(％)(10小時(shí)后)實(shí)施例150205.552.320.377222實(shí)施例2100205.572.230.325202實(shí)施例320505.552.260.389231實(shí)施例4201005.552.260.380224實(shí)施例5501005.552.250.372218實(shí)施例6100505.582.210.293187實(shí)施例71001005.562.290.358217實(shí)施例8202005.552.400.374220實(shí)施例9200205.602.110.228156實(shí)施例10501805.552.410.388231比較例1005.523.000.420250比較例2200505.482.320.631350比較例35010005.472.700.6653671450。C燒結(jié)Zr02A1203密度體積電阻值結(jié)核異常放電次數(shù)ppmPpmg/cm3mf2 . cm覆蓋率(％)(10小時(shí)后)實(shí)施例150205.452.570.731398實(shí)施例2100205.472.730.665368實(shí)施例320505.462.600.698383實(shí)施例4201005.422.570.831445實(shí)施例5501005.492.410.598335實(shí)施例6100505.452.500.731398實(shí)施例71001005.472.510.665367實(shí)施例8202005.442.680.765414實(shí)施例9200205.492.350.598335實(shí)施例10501805.432.640.798430比較例1005.393.170.925483比較例2200505.352.941.068557比較例35010005.363.251.034542如表1所示，隨著燒結(jié)溫度成為140(TC及150(TC的高溫，具有密 度變高、并且體積電阻值下降的趨勢(shì)。12但是，燒結(jié)溫度為高溫時(shí)會(huì)引起材料的蒸發(fā)(揮發(fā))，根據(jù)耙的 構(gòu)成成分不同而蒸發(fā)量不同，因此有可能產(chǎn)生組成變動(dòng)。 一部分氧化 鋅從靶表面蒸發(fā)，越達(dá)到高溫該蒸發(fā)越顯著，必須通過切削除去產(chǎn)生 組成變動(dòng)的層。當(dāng)由高溫下的燒結(jié)導(dǎo)致表面的組成偏差的層增大時(shí)， 則其切削量增加，出現(xiàn)成品率下降的問題，因此如果可能，優(yōu)選在更 低的溫度下進(jìn)行燒結(jié)。這樣，優(yōu)選低溫?zé)Y(jié)，但是該情況下傾向于低密度化和高體積電 阻化，因此優(yōu)選調(diào)節(jié)該平衡，根據(jù)要求的靶密度和體積電阻的條件進(jìn) 行適當(dāng)選擇。表1中顯示了在145(TC下進(jìn)行燒結(jié)的情況，添加50質(zhì)量ppm氧 化鋯和20質(zhì)量ppm氧化鋁的本實(shí)施例1的高密度氧化鎵-氧化鋅類燒 結(jié)體濺射耙，與無添加(后述的比較例1)的氧化鎵-氧化鋅類燒結(jié)體 濺射耙相比，密度及體積電阻值顯著改善。艮卩，具有5.45g/cmS的密度、 而且體積電阻值為2.57mQ 、m，可以得到優(yōu)選的高密度及低體積電阻 值。同樣如表1所示，在150(TC下進(jìn)行燒結(jié)的情況下，添加50質(zhì)量 ppm氧化鋯和20質(zhì)量ppm氧化鋁的本實(shí)施例1的高密度氧化鎵-氧化 鋅類燒結(jié)體濺射靶與無添加(后述的比較例1)的氧化鎵-氧化鋅類燒 結(jié)體濺射靶相比，密度和體積電阻值顯著改善。艮卩，具有5.55g/cn^的密度、而且體積電阻值為2.32mQ cm，可以得到更優(yōu)選的高密度及低體積電阻值。然后，使用該濺射靶，以下列條件在玻璃襯底上進(jìn)行DC濺射， 測(cè)定和觀察結(jié)核的產(chǎn)生量(覆蓋率)及異常放電。結(jié)核的產(chǎn)生量(覆 蓋率)通過在濺射開始1小時(shí)后的表面觀察進(jìn)行測(cè)定，異常放電是測(cè) 定濺射IO小時(shí)后的異常放電。以下列出濺射條件。濺射氣體Ar (100%) 濺射氣壓0.6Pa 電量 1500W 成膜速度120A/分鐘其結(jié)果是，1450。C燒結(jié)情況下的結(jié)核覆蓋率低至0.731%、 150(TC 燒結(jié)情況下的結(jié)核覆蓋率低至0.377%。而且，在濺射IO小時(shí)后的濺射 中觀察異常放電的產(chǎn)生次數(shù)，在145(TC燒結(jié)的情況下為398次，在1500 。C燒結(jié)的情況下為222次?？梢源_認(rèn)這些均比后述的比較例減少。另外，研究上述成膜的比電阻(Q cm)及550nm下的透過率％ 的膜特性，與標(biāo)準(zhǔn)的ITO膜相比毫不遜色，顯示出良好的可見光透過 率和高導(dǎo)電性。在上述實(shí)施例中，對(duì)Ga203的添加量為5質(zhì)量％的氧化 鎵-氧化鋅類燒結(jié)體濺射耙進(jìn)行了說明，然而只要氧化鎵在1 7質(zhì)量％ 的范圍內(nèi)，就可以得到同樣的結(jié)果。(實(shí)施例2~10)對(duì)于實(shí)施例2 10，使用與實(shí)施例1相同的成分，改變其配比，并 且在與實(shí)施例1相同的條件下進(jìn)行燒結(jié)，測(cè)定其密度、體積電阻值， 并且制作耙，并測(cè)定對(duì)其進(jìn)行濺射時(shí)的結(jié)核覆蓋率、異常放電次數(shù)。 耙的制作方法、各種測(cè)定方法均為與實(shí)施例相同的方法。這些結(jié)果也 同樣列在表1中。(實(shí)施例2的評(píng)價(jià)結(jié)果) 如表1所示，添加100質(zhì)量ppm氧化鋯和20質(zhì)量ppm氧化鋁(另 夕卜，氧化鎵(Ga203)添加量5質(zhì)量％，余量為氧化鋅(ZnO)，這些 與實(shí)施例1相同。以下實(shí)施例的說明中，省略該記載)的本實(shí)施例2 的高密度氧化鎵-氧化鋅類燒結(jié)體濺射靶，在145(TC下燒結(jié)時(shí)，密度及 體積電阻值顯著改善。即，具有5.47g/cn^的密度、并且體積電阻值為2.73mQ cm,可以得到優(yōu)選的高密度及低體積電阻值。并且，在150(TC下燒結(jié)時(shí)，具有5.57g/cm3的密度、而且體積電 阻值為2.23mQ ， cm，可以得到更優(yōu)選的高密度及低體積電阻值。然后，使用該濺射靶，以下列條件在玻璃襯底上進(jìn)行DC濺射， 測(cè)定和觀察結(jié)核的產(chǎn)生量(覆蓋率)及異常放電。其結(jié)果是，1450。C燒結(jié)情況下的結(jié)核覆蓋率低至0.665%、 150CTC 燒結(jié)情況下的結(jié)核覆蓋率低至0.325%。并且，在濺射IO小時(shí)后的濺射 中觀察異常放電的產(chǎn)生次數(shù)，在145(TC燒結(jié)的情況下為368次，在1500 'C燒結(jié)的情況下為202次，顯著減少。由此可知，實(shí)施例2的燒結(jié)體靶與后述的比較例相比，結(jié)核的覆 蓋率及異常放電的產(chǎn)生次數(shù)少，是良好的靶。另外，研究上述成膜的比電阻(Q*cm)及550nm下的透過率％ 的膜特性，與標(biāo)準(zhǔn)的ITO膜相比毫不遜色，顯示出良好的可見光透過 率和高導(dǎo)電性。在上述實(shí)施例中，對(duì)Ga203的添加量為5質(zhì)量％的氧化 鎵-氧化鋅類燒結(jié)體濺射靶進(jìn)行了說明，然而只要氧化鎵在1 7質(zhì)量％ 的范圍內(nèi)，就可以得到同樣的結(jié)果。(實(shí)施例3的評(píng)價(jià)結(jié)果) 如表1所示，添加20質(zhì)量ppm氧化鋯和50質(zhì)量ppm氧化鋁的本 實(shí)施例3的高密度氧化鎵-氧化鋅類燒結(jié)體濺射靶，在145(TC下燒結(jié)時(shí)， 密度及體積電阻值顯著改善。即，具有5.46g/cn^的密度、而且體積電 阻值為2.60mQ cm，可以得到優(yōu)選的高密度及低體積電阻值。并且，在1500°C下燒結(jié)時(shí)，具有5.55g/cm3的密度、而且體積電 阻值為2.26mQ cm，可以得到更優(yōu)選的高密度及低體積電阻值。然后，使用該濺射靶，以下列條件在玻璃襯底上進(jìn)行DC濺射， 測(cè)定和觀察結(jié)核的產(chǎn)生量(覆蓋率)及異常放電。其結(jié)果是，145(TC燒結(jié)情況下的結(jié)核覆蓋率低至0.69S%、 150CTC 燒結(jié)情況下的結(jié)核覆蓋率低至0.389%。而且，在濺射IO小時(shí)后的濺射 中觀察異常放電的產(chǎn)生次數(shù)，在145(TC燒結(jié)的情況下為383次，在1500 'C燒結(jié)的情況下為231次，顯著減少。由此可知，實(shí)施例3的燒結(jié)體靶與后述的比較例相比，結(jié)核的覆 蓋率及異常放電的產(chǎn)生次數(shù)少，是良好的靶。另外，研究上述成膜的比電阻(Q cm)及550nm下的透過率％ 的膜特性，與標(biāo)準(zhǔn)的ITO膜相比毫不遜色，顯示出良好的可見光透過 率和高導(dǎo)電性。在上述實(shí)施例中，對(duì)Ga203的添加量為5質(zhì)量％的氧化 鎵-氧化鋅類燒結(jié)體濺射靶進(jìn)行了說明，然而只要氧化鎵在1~7質(zhì)量％ 的范圍內(nèi)，就可以得到同樣的結(jié)果。(實(shí)施例4的評(píng)價(jià)結(jié)果) 如表1所示，添加20質(zhì)量ppm氧化鋯和100質(zhì)量ppm氧化鋁的 本實(shí)施例4的高密度氧化鎵-氧化鋅類燒結(jié)體濺射靶，在145(TC下燒結(jié) 時(shí)，密度及體積電阻值顯著改善。即，具有5.42g/cn^的密度、而且體 積電阻值為2.57mQ cm，可以得到優(yōu)選的高密度及低體積電阻值。并且，在1500。C下燒結(jié)時(shí)，具有5.55g/cm3的密度、而且體積電 阻值為2.26mQ cm，可以得到更優(yōu)選的高密度及低體積電阻值。然后，使用該濺射靶，以下列條件在玻璃襯底上進(jìn)行DC濺射， 測(cè)定和觀察結(jié)核的產(chǎn)生量(覆蓋率)及異常放電。其結(jié)果是，1450。C燒結(jié)情況下的結(jié)核覆蓋率低至0.831%、 150CTC 燒結(jié)情況下的結(jié)核覆蓋率低至0.380%。而且，在濺射IO小時(shí)后的濺射 中觀察異常放電的產(chǎn)生次數(shù)，在145(TC燒結(jié)的情況下為445次，在1500 'C燒結(jié)的情況下為224次，顯著減少。由此可知，實(shí)施例4的燒結(jié)體靶與后述的比較例相比，結(jié)核的覆 蓋率及異常放電的產(chǎn)生次數(shù)少，是良好的靶。另外，研究上述成膜的比電阻(Q'cm)及550nm下的透過率％ 的膜特性，與標(biāo)準(zhǔn)的ITO膜相比毫不遜色，顯示出良好的可見光透過 率和高導(dǎo)電性。在上述實(shí)施例中，對(duì)Ga203的添加量為5質(zhì)量％的氧化 鎵-氧化鋅類燒結(jié)體濺射靶進(jìn)行了說明，然后只要氧化鎵在1~7質(zhì)量％ 的范圍內(nèi)，就可以得到同樣的結(jié)果。(實(shí)施例5的評(píng)價(jià)結(jié)果) 如表1所示，添加50質(zhì)量ppm氧化鋯和100質(zhì)量ppm氧化鋁的 本實(shí)施例5的高密度氧化鎵-氧化鋅類燒結(jié)體濺射靶，在145(TC下燒結(jié) 時(shí)，密度及體積電阻值顯著改善。即，具有5.49g/cn^的密度、而且體 積電阻值為2.41mQ cm，可以得到優(yōu)選的高密度及低體積電阻值。并且，在150(TC下燒結(jié)時(shí)，具有5.55g/cm3的密度、而且體積電 阻值為2.25mQ cm，可以得到更優(yōu)選的高密度及低體積電阻值。然后，使用該濺射靶，以下列條件在玻璃襯底上進(jìn)行DC濺射， 測(cè)定和觀察結(jié)核的產(chǎn)生量(覆蓋率)及異常放電。其結(jié)果是，145(TC燒結(jié)情況下的結(jié)核覆蓋率低至0.598%、 150CTC 燒結(jié)情況下的結(jié)核覆蓋率低至0.372%。而且，在濺射10小時(shí)后的濺射 中觀察異常放電的產(chǎn)生次數(shù)，在145(TC燒結(jié)的情況下為335次，在1500 "C燒結(jié)的情況下為218次，顯著減少。由此可知，實(shí)施例5的燒結(jié)體靶與后述的比較例相比，結(jié)核的覆 蓋率及異常放電的產(chǎn)生次數(shù)少，是良好的靶。另外，研究上述成膜的比電阻(Q cm)及550nm下的透過率％ 的膜特性，與標(biāo)準(zhǔn)的ITO膜相比毫不遜色，顯示出良好的可見光透過 率和高導(dǎo)電性。在上述實(shí)施例中，對(duì)Ga203的添加量為5質(zhì)量％的氧化 鎵-氧化鋅類燒結(jié)體濺射靶進(jìn)行了說明，然而只要氧化鎵在1 7質(zhì)量％ 的范圍內(nèi)，就可以得到同樣的結(jié)果。(實(shí)施例6的評(píng)價(jià)結(jié)果) 如表1所示，添加100質(zhì)量ppm氧化鋯和50質(zhì)量ppm氧化鋁的 本實(shí)施例6的高密度氧化鎵-氧化鋅類燒結(jié)體濺射靶，在145(TC下燒結(jié) 時(shí)，密度及體積電阻值顯著改善。即，具有5.45g/cn^的密度、而且體 積電阻值為2.50mQ cm，可以得到優(yōu)選的高密度及低體積電阻值。并且，在150CTC下燒結(jié)時(shí)，具有5.58g/cm3的密度、而且體積電 阻值為2.21mQ cm，可以得到更優(yōu)選的高密度及低體積電阻值。然后，使用該濺射靶，以下列條件在玻璃襯底上進(jìn)行DC濺射， 測(cè)定和觀察結(jié)核的產(chǎn)生量(覆蓋率)及異常放電。其結(jié)果是，1450。C燒結(jié)情況下的結(jié)核覆蓋率低至0.731%、 150CTC 燒結(jié)情況下的結(jié)核覆蓋率低至0.293%。另外，在濺射IO小時(shí)后的濺射 中觀察異常放電的產(chǎn)生次數(shù)，在145(TC燒結(jié)的情況下為398次，在1500 〔燒結(jié)的情況下為187次，顯著減少。由此可知，實(shí)施例6的燒結(jié)體靶與后述的比較例相比，結(jié)核的覆 蓋率及異常放電的產(chǎn)生次數(shù)少，是良好的靶。另外，研究上述成膜的比電阻(Q'cm)及550nm下的透過率。/。 的膜特性，與標(biāo)準(zhǔn)的ITO膜相比毫不遜色，顯示出良好的可見光透過 率和高導(dǎo)電性。在上述實(shí)施例中，對(duì)0&203的添加量為5質(zhì)量％的氧化 鎵-氧化鋅類燒結(jié)體濺射靶進(jìn)行了說明，然而只要氧化鎵在1~7質(zhì)量％ 的范圍內(nèi)，就可以得到同樣的結(jié)果。(實(shí)施例7的評(píng)價(jià)結(jié)果) 如表1所示，添加100質(zhì)量ppm氧化鋯和100質(zhì)量ppm氧化鋁的 本實(shí)施例7的高密度氧化鎵-氧化鋅類燒結(jié)體濺射靶，在1450'C下燒結(jié) 時(shí)，密度及體積電阻值顯著改善。即，具有5.47g/cn^的密度、而且體 積電阻值為2.51mQ cm，可以得到優(yōu)選的高密度及低體積電阻值。并且，在150(TC下燒結(jié)時(shí)，具有5.56g/cm3的密度、另外體積電 阻值為2.29mQ cm，可以得到更優(yōu)選的高密度及低體積電阻值。然后，使用該濺射靶，以下列條件在玻璃襯底上進(jìn)行DC濺射， 測(cè)定和觀察結(jié)核的產(chǎn)生量(覆蓋率)及異常放電。其結(jié)果是，1450。C燒結(jié)情況下的結(jié)核覆蓋率低至0.665%、 150CTC 燒結(jié)情況下的結(jié)核覆蓋率低至0.358%。而且，在濺射IO小時(shí)后的濺射 中觀察異常放電的產(chǎn)生次數(shù)，在145(TC燒結(jié)的情況下為367次，在1500 "C燒結(jié)的情況下為217次，顯著減少。由此可知，實(shí)施例7的燒結(jié)體靶與后述的比較例相比，結(jié)核的覆 蓋率及異常放電的產(chǎn)生次數(shù)少，是良好的靶。另外，研究上述成膜的比電阻(Q'cm)及550nm下的透過率y。 的膜特性，與標(biāo)準(zhǔn)的ITO膜相比毫不遜色，顯示出良好的可見光透過 率和高導(dǎo)電性。在上述實(shí)施例中，對(duì)Ga203的添加量為5質(zhì)量％的氧化 鎵-氧化鋅類燒結(jié)體濺射靶進(jìn)行了說明，然而只要氧化鎵在1~7質(zhì)量％的范圍內(nèi)，就可以得到同樣的結(jié)果。(實(shí)施例8的評(píng)價(jià)結(jié)果) 如表1所示，添加20質(zhì)量ppm氧化鋯和200質(zhì)量ppm氧化鋁的 本實(shí)施例8的高密度氧化鎵-氧化鋅類燒結(jié)體濺射靶，在1450'C下燒結(jié) 時(shí)，密度及體積電阻值顯著改善。即，具有5.44g/ci^的密度、而且體 積電阻值為2.68mQ cm，可以得到優(yōu)選的高密度及低體積電阻值。并且，在150(TC下燒結(jié)時(shí)，具有5.55g/cm3的密度、而且體積電 阻值為2.40mQ cm,可以得到更優(yōu)選的高密度及低體積電阻值。然后，使用該濺射耙，以下列條件在玻璃襯底上進(jìn)行DC濺射， 測(cè)定和觀察結(jié)核的產(chǎn)生量(覆蓋率)及異常放電。其結(jié)果是，145(TC燒結(jié)情況下的結(jié)核覆蓋率低至0.765%、 1500°C 燒結(jié)情況下的結(jié)核覆蓋率低至0.374%。而且，在濺射IO小時(shí)后的濺射 中觀察異常放電的產(chǎn)生次數(shù)，在145CTC燒結(jié)的情況下為414次，在1500 'C燒結(jié)的情況下為220次，顯著減少。由此可知，實(shí)施例8的燒結(jié)體靶與后述的比較例相比，結(jié)核的覆 蓋率及異常放電的產(chǎn)生次數(shù)少，是良好的靶。另外，研究上述成膜的比電阻(Q cm)及550nm下的透過率％ 的膜特性，與標(biāo)準(zhǔn)的ITO膜相比毫不遜色，顯示出良好的可見光透過 率和高導(dǎo)電性。在上述實(shí)施例中，對(duì)Ga203的添加量為5質(zhì)量％的氧化 鎵-氧化鋅類燒結(jié)體濺射靶進(jìn)行了說明，然而只要氧化鎵在1~7質(zhì)量％ 的范圍內(nèi)，就可以得到同樣的結(jié)果。(實(shí)施例9的評(píng)價(jià)結(jié)果) 如表1所示，添加200質(zhì)量ppm氧化鋯和20質(zhì)量ppm氧化鋁的20本實(shí)施例9的高密度氧化鎵-氧化鋅類燒結(jié)體濺射耙，在145(TC下燒結(jié) 時(shí)，密度及體積電阻值顯著改善。即，具有5.49g/cr^的密度、而且體 積電阻值為2.35m。
cm，可以得到優(yōu)選的高密度及低體積電阻值。并且，在150(TC下燒結(jié)時(shí)，具有5.60g/cm3的密度、而且體積電 阻值為2.11mD cm，可以得到更優(yōu)選的高密度及低體積電阻值。然后，使用該濺射耙，以下列條件在玻璃襯底上進(jìn)行DC濺射， 測(cè)定和觀察結(jié)核的產(chǎn)生量(覆蓋率)及異常放電。其結(jié)果是，1450。C燒結(jié)情況下的結(jié)核覆蓋率低至0.598%、 150CTC 燒結(jié)情況下的結(jié)核覆蓋率低至0.228%。而且，在濺射IO小時(shí)后的濺射 中觀察異常放電的產(chǎn)生次數(shù)，在1450。C燒結(jié)的情況下為335次，在1500 'C燒結(jié)的情況下為156次，顯著減少。由此可知，實(shí)施例9的燒結(jié)體靶與后述的比較例相比，結(jié)核的覆 蓋率及異常放電的產(chǎn)生次數(shù)少，是良好的靶。另外，研究上述成膜的比電阻(Q*cm)及550nm下的透過率y。 的膜特性，與標(biāo)準(zhǔn)的ITO膜相比毫不遜色，顯示出良好的可見光透過 率和高導(dǎo)電性。在上述實(shí)施例中，對(duì)Ga203的添加量為5質(zhì)量％的氧化 鎵-氧化鋅類燒結(jié)體濺射耙進(jìn)行了說明，然而只要氧化鎵在1~7質(zhì)量％ 的范圍內(nèi)，就可以得到同樣的結(jié)果。(實(shí)施例IO的評(píng)價(jià)結(jié)果) 如表1所示，添加50質(zhì)量ppm氧化鋯和180質(zhì)量ppm氧化鋁的 本實(shí)施例10的高密度氧化鎵-氧化鋅類燒結(jié)體濺射靶，在145(TC下燒 結(jié)時(shí)，密度及體積電阻值顯著改善。即，具有5.43g/cr^的密度、另外 體積電阻值為2.64mQ cm，可以得到優(yōu)選的高密度及低體積電阻值。并且，在150(TC下燒結(jié)時(shí)，具有5.55g/cm3的密度、另外體積電 阻值為2.41mD cm，可以得到更優(yōu)選的高密度及低體積電阻值。然后，使用該濺射靶，以下列條件下在玻璃襯底上進(jìn)行DC濺射， 測(cè)定和觀察結(jié)核的產(chǎn)生量(覆蓋率)及異常放電。其結(jié)果是，145(TC燒結(jié)情況下的結(jié)核覆蓋率低至0.798%、 1500°C 燒結(jié)情況下的結(jié)核覆蓋率低至0.388%。而且，在濺射IO小時(shí)后的濺射 中觀察異常放電的產(chǎn)生次數(shù)，在1450。C燒結(jié)的情況下為430次，在1500 'C燒結(jié)的情況下為231次，顯著減少。由此可知，實(shí)施例IO的燒結(jié)體靶與后述的比較例相比，結(jié)核的覆 蓋率及異常放電的產(chǎn)生次數(shù)少，是良好的靶。另外，研究上述成膜的比電阻(Q*cm)及550nm下的透過率y。 的膜特性，與標(biāo)準(zhǔn)的ITO膜相比毫不遜色，顯示出良好的可見光透過 率和高導(dǎo)電性。在上述實(shí)施例中，對(duì)Ga203的添加量為5質(zhì)量％的氧化 鎵-氧化鋅類燒結(jié)體濺射耙進(jìn)行了說明，然而只要氧化鎵在1~7質(zhì)量％ 的范圍內(nèi)，就可以得到同樣的結(jié)果。(比較例1、 2、 3) 不添加氧化鋯及氧化鋁的情況(比較例1)及添加200質(zhì)量ppm 平均粒徑為1(im以下的ZrO2粉末和50質(zhì)量ppm氧化鋁的情況(比較 例2)下、添加50質(zhì)量ppm平均粒徑l(im以下的Zr02粉末和1000質(zhì) 量ppm氧化鋁的情況(比較例3)下，分別進(jìn)行稱量，并且稱量Ga203 粉末5質(zhì)量％，余量為氧化鋅(ZnO)。然后，使用二氧化鋯(Zr02)球(微球)作為粉碎介質(zhì)，將這些 物質(zhì)用磨碎機(jī)進(jìn)行混合和微粉碎，得到中值粒徑為0.8pm的混合粉體 漿料。將該漿料造粒，得到球狀的造粒粉。進(jìn)而，將該造粒粉模壓成型，并且進(jìn)行CIP (冷等靜壓)。然后，將該成形體在大氣中、1450°C、 150(TC的溫度下分別進(jìn)行5小時(shí)燒結(jié)， 得到燒結(jié)體。將該燒結(jié)體磨削和切割，并加工為規(guī)定形狀的濺射用靶。而且，測(cè)定由此得到的燒結(jié)體靶的密度及體積電阻值。結(jié)果同樣 如表1所示。另外，靶中含有的氧化鋯(Zr02)及氧化鋁(A1203)的 含量、靶密度及體積電阻值通過與實(shí)施例同樣的方法進(jìn)行測(cè)定。如表1所示，未添加的情況下的氧化鎵-氧化鋅類燒結(jié)體濺射靶比 較例1中，在145(TC燒結(jié)時(shí)，燒結(jié)密度為5.39g/cm3，體積電阻值為 3.17mQ'cm，在150(TC燒結(jié)時(shí)，燒結(jié)密度為5.52g/cm3，體積電阻值 為3.00mQ cm。由此所示，可知在相同的燒結(jié)條件下，與任何一個(gè)實(shí)施例相比都 是低密度及高體積電阻，作為氧化鎵-氧化鋅類燒結(jié)體濺射靶并不合適。比較例2所示的靶，是含有200質(zhì)量ppm氧化鋯、和50質(zhì)量ppm 氧化鋁(此時(shí)的添加總量為250質(zhì)量ppm)的氧化鎵-氧化鋁類燒結(jié)體 濺射靶。該比較例2的靶的氧化鋯與氧化鋁的添加總量超過本發(fā)明的上 限，但是與該上限接近，因此與本實(shí)施例相比特性上的差異沒有那么 大。但是，盡管如此，具有在145(TC燒結(jié)時(shí)，密度低至5.35g/cm3，體 積電阻值高至2.94mQ cm的趨勢(shì)。而且，在1500。C燒結(jié)時(shí)及在1450 "C燒結(jié)時(shí)，與實(shí)施例相比，密度低至5.48g/cm3,體積電阻值為 2.32mQ，cm。由此可知，密度比實(shí)施例的情況下降，作為靶并不優(yōu)選。比較例3所示的靶，是含有50質(zhì)量ppm氧化鋯和1000質(zhì)量ppm 氧化鋁(此時(shí)的添加總量為1050質(zhì)量ppm)的氧化鎵-氧化鋅類燒結(jié)體濺射靶。該比較例3的靶的氧化鎵與氧化鋁的添加總量大大超過本發(fā)明的上限。在145(TC燒結(jié)時(shí)，密度低至5.36g/cm3，體積電阻值高至 3.25mQ cm。而且，在150(TC燒結(jié)時(shí)，密度低至5.47g/cm3，體積電 阻值高至2.70mQ cm。與任一個(gè)實(shí)施例的情況相比，密度降低，體積 電阻值增高，作為耙不優(yōu)選。然后，在與實(shí)施例同樣的條件下，使用這些燒結(jié)體耙在玻璃襯底 上通過D C濺射以下列條件形成透明電極膜。與實(shí)施例相同，結(jié)核的產(chǎn)生量(覆蓋率)通過在濺射開始1小時(shí) 后的表面觀察進(jìn)行測(cè)定，異常放電是測(cè)定濺射IO小時(shí)后的異常放電。 該結(jié)果同樣列在表2中。將比較例1的未添加氧化鋯的氧化鎵-氧化鋅類燒結(jié)體濺射靶在 145(TC及150(TC下燒結(jié)后的靶可以進(jìn)行DC濺射，但是，結(jié)核的覆蓋 率分別為0.925%、 0.420%，并且異常放電次數(shù)分別為483次、250次， 比實(shí)施例更多，并不好。比較例2所示的含有200質(zhì)量ppm氧化鋯和50質(zhì)量ppm氧化鋁 的氧化鎵-氧化鋅類燒結(jié)體濺射靶，在145(TC及150CTC下燒結(jié)后的結(jié)核 的覆蓋率分別為1.068%和0.631%,并且異常放電次數(shù)分別為比實(shí)施例 更多的557次和350次，與實(shí)施例相比結(jié)核的覆蓋率和異常放電次數(shù) 多，并不好。另外，含有50質(zhì)量ppm氧化鋯和1000質(zhì)量ppm氧化鋁的比較例 3的靶，在145(TC和150(TC下燒結(jié)后的結(jié)核的覆蓋率分別為1.034%和 0.665%，并且異常放電次數(shù)分別為542次和367次，與實(shí)施例相比結(jié) 核的覆蓋率和異常放電次數(shù)多，并不好。如上所示可知，通過添加適量的氧化鋯可以抑制濺射特性、特別 是結(jié)核的覆蓋率，可以抑制由該結(jié)核引起的異常放電和飛濺造成的顆 粒的產(chǎn)生，可以有效地抑制導(dǎo)電膜的質(zhì)量下降。但是，氧化鋯的添加量及氧化鋁的添加量如果分別小于20質(zhì)量 ppm則沒有該效果，而且，氧化鋯與氧化鋁的添加量的總和如果超過 250質(zhì)量ppm則體積電阻值增加，并且也觀察不到燒結(jié)密度的提高， 迸而存在產(chǎn)生破裂的問題，因此氧化鋯和氧化鋁的添加量的總和的上 限值小于250質(zhì)量ppm是適當(dāng)?shù)?。另外，可以使用氧化鋯作為微粉碎用的介質(zhì)。即，可以使用二氧 化鋯微球或內(nèi)襯二氧化鋯的容器進(jìn)行粉碎，具有粉碎介質(zhì)自身不成為 污染源(污染物源)的優(yōu)點(diǎn)，具有可以容易地實(shí)現(xiàn)靶的高密度化的優(yōu) 點(diǎn)。因此，氧化鋯的適量(少量)添加對(duì)于濺射特性改善是極其有效 的。產(chǎn)業(yè)實(shí)用性氧化鎵(Ga203)-氧化鋅(ZnO)類濺射靶(GZO類靶)，通過 分別含有20質(zhì)量ppm以上的氧化鋯和氧化鋁，并且它們的總量小于 250質(zhì)量ppm，使GZO耙的燒結(jié)性穩(wěn)定，可以得到高密度、低體積電 阻、組成變動(dòng)少的靶。而且，通過使用該靶進(jìn)行濺射，具有可以得到GZO膜的穩(wěn)定成膜 的效果。與此相伴，濺射成膜時(shí)產(chǎn)生的結(jié)核的形成能受到抑制，可以 長期減少異常放電，并且可以防止顆粒的產(chǎn)生。由此，可以得到能夠 保持良好的可見光透過率和導(dǎo)電性的透明電極膜。因此，可用于液晶顯示器、電致發(fā)光顯示器等顯示裝置的透明電 極(膜)或太陽能電池等的廣泛范圍。
權(quán)利要求
1.一種高密度氧化鎵-氧化鋅類燒結(jié)體濺射靶，其特征在于，含有氧化鋯和氧化鋁各20質(zhì)量ppm以上，并且它們的總量小于250ppm。
2. 如權(quán)利要求l所述的氧化鎵-氧化鋅類燒結(jié)體濺射靶，其中，氧 化鋅中的鎵濃度以氧化鎵換算為1~7質(zhì)量％。
3. 如權(quán)利要求1或2所述的高密度氧化鎵-氧化鋅類燒結(jié)體濺射 靶，其中，燒結(jié)密度為5.45g/ci^以上。
4. 如權(quán)利要求1~3中任一項(xiàng)所述的高密度氧化鎵-氧化鋅類燒結(jié) 體濺射耙，其中，靶的體積電阻值為3.0mQ以下。
5. —種透明導(dǎo)電膜形成方法，其特征在于，使用含有氧化鋯和氧 化鋁各20質(zhì)量ppm以上、并且它們的總量小于250ppm的氧化鎵-氧化 鋅類靶，通過濺射法在襯底上形成包括含有氧化鋯和氧化鋁各20質(zhì)量 ppm以上、并且它們的總量小于250ppm的氧化鎵-氧化鋅的薄膜。
6. 如權(quán)利要求5所述的透明導(dǎo)電膜形成方法，其中，透明導(dǎo)電膜 中，氧化鋅中的鎵濃度以氧化鎵換算為1~7質(zhì)量％。
7. —種包括氧化鎵-氧化鋅類的導(dǎo)電性優(yōu)良的透明導(dǎo)電膜，其特征 在于，通過濺射而在襯底上形成的包括氧化鎵-氧化鋅類的透明導(dǎo)電膜 含有氧化鋯和氧化鋁各20質(zhì)量ppm以上，并且它們的總量小于 250ppm。
8. 如權(quán)利要求7所述的導(dǎo)電性優(yōu)良的透明導(dǎo)電膜，其中，透明導(dǎo) 電膜中，氧化鋅中的鎵濃度以氧化鎵換算為1~7質(zhì)量％。
全文摘要
本發(fā)明涉及一種高密度氧化鎵-氧化鋅類燒結(jié)體濺射靶，其特征在于，含有氧化鋯和氧化鋁各20質(zhì)量ppm以上，并且它們的總量小于250ppm。氧化鎵(Ga₂O₃)-氧化鋅(ZnO)類濺射靶(GZO類靶)是通過微量添加特定的元素而得到可以使導(dǎo)電性和靶的體積密度改善的靶、即通過改善成分組成而得到可以提高燒結(jié)密度、抑制結(jié)核形成并且防止異常放電及顆粒產(chǎn)生的靶，同時(shí)，提供使用該靶形成透明導(dǎo)電膜的方法以及由該方法形成的透明導(dǎo)電膜。
文檔編號(hào)C04B35/453GK101326304SQ20068004638
公開日2008年12月17日 申請(qǐng)日期2006年11月17日 優(yōu)先權(quán)日2005年12月8日
發(fā)明者長田幸三 申請(qǐng)人:日礦金屬株式會(huì)社