專利名稱:顆粒清除單元及具有該單元的基片傳送裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域:
本實(shí)施例主要涉及一種用于清除顆粒的單元,以及具有所述單元的基片傳 送裝置。更具體地說,本實(shí)施例涉及一種用于清除顆粒以減少基片雜質(zhì)的單元, 以及具有所述顆粒清除單元的基片傳送裝置
背景技術(shù):
半導(dǎo)體器件一般都是經(jīng)過一系列工藝,如制造工藝、裸芯分類(dectrical die sorting, EDS)工藝及封裝工藝而制得的。各種各樣的電路與器件,都是在一 塊半導(dǎo)體基片,如硅晶片上在制造工藝中制成的,并檢查電路的電學(xué)特性,有 缺陷的芯片,則在EDS工藝中,在半導(dǎo)體基片上發(fā)現(xiàn)。然后,再單獨(dú)地將這些 器件從該半導(dǎo)體基片分離,且將各器件密封在環(huán)氧樹脂中,并且在封裝工藝中, 將各器件封裝為單獨(dú)的半導(dǎo)體器件。
所述制造工藝包括多個(gè)單元工藝,而執(zhí)行單元工藝的裝置,則可能堆疊在 若干階段。在此情況下,半導(dǎo)體器件可通過基片傳送機(jī)構(gòu),在垂直方向上傳送。
基片傳送機(jī)構(gòu),包括支撐基片的支撐部件,以及在垂直方向上移動(dòng)該支撐 部件的驅(qū)動(dòng)部。驅(qū)動(dòng)部將驅(qū)動(dòng)力傳遞到傳送基片的支撐部件上,并且該支撐部 件可通過該驅(qū)動(dòng)力在垂直方向上移動(dòng)。然而,在傳送基片時(shí),該驅(qū)動(dòng)部有可能 生成顆粒,而這種顆??赡軙?huì)污染基片。
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的實(shí)施例,提供了一種清除的顆粒單元以及一種具有所述顆粒清除 單元的傳送基片的裝置。
根據(jù)本發(fā)明一個(gè)方面的清除顆粒的單元,包括殼體;以垂直方向設(shè)在所述 殼體中的分區(qū)壁,其將所述殼體的內(nèi)部空間分為第一空間與第二空間;壓力生 成部件,其將所述第一空間分為上空間與下空間,并且其可在所述第一空間中 以垂直方向移動(dòng),以使所述上空間與所述下空間交替生成正壓與負(fù)壓;及設(shè)在 所述殼體的側(cè)壁以及分區(qū)壁上的多扇門,通過所述正壓與負(fù)壓來打開及關(guān)閉所 述門以使所述顆粒經(jīng)由所述第一空間從所述第二空間清除至所述外部空間。;
根據(jù)本發(fā)明的一些實(shí)施例,第一門與第二門分別鉸接至所述殼體側(cè)壁的上 部與下部。此外,第三門與第四門分別鉸接至所述分區(qū)壁的上部與下部。
根據(jù)本發(fā)明的一些實(shí)施例,所述第一門與第二門從所述殼體向外打開,第
三門與第四門分別從所述上空間及下空間向內(nèi)打開。
根據(jù)本發(fā)明的一些實(shí)施例,所述顆粒清除單元還包括分別連接至所述第一 門、第二門、第三門、及第四門的彈性部件,以關(guān)閉己打開的所述第一門、第 二門、第三門、及第四門。
根據(jù)本發(fā)明的一些實(shí)施例,所述第一門與第三門設(shè)在所述壓力生成部件的 上死點(diǎn)的上方,第二門與第四門設(shè)在所述壓力生成部件的下死點(diǎn)的下方。
根據(jù)本發(fā)明的一些實(shí)施例,所述顆粒清除單元還包括移動(dòng)所述壓力生成部 件的驅(qū)動(dòng)部。
根據(jù)本發(fā)明的一些實(shí)施例,所述顆粒清除單元,還包括根據(jù)所述上空間的 壓力以及所述下空間的壓力來打開及關(guān)閉所述門的驅(qū)動(dòng)部。
根據(jù)本發(fā)明另一方面的清除顆粒的單元,包括殼體;以垂直方向設(shè)在所述 殼體中的分區(qū)壁,其將所述殼體的內(nèi)部空間分為第一空間與第二空間;壓力生 成部件,其將所述第一空間分為上空間與下空間,并且其可在所述第一空間中 以垂直方向移動(dòng),以使所述上空間與所述下空間交替生成正壓與負(fù)壓;及設(shè)在 界定出所述上空間與下空間中任意一個(gè)的所述殼體側(cè)壁的一部分之上、以及所 述分區(qū)壁的一部分之上的多扇門,并通過所述正壓與負(fù)壓來打開及關(guān)閉所述 門,以使所述顆粒經(jīng)由所述第一空間從所述第二空間清除至所述外部空間。在 此,在界定出所述上空間與下空間中另外一個(gè)的所述殼體側(cè)壁的另一部分之上 形成穿通的開孔,以使所述另一空間與所述外部空間連通。
根據(jù)本發(fā)明再一方面的傳送基片的裝置包括殼體;以垂直方向設(shè)在所述殼 體中的分區(qū)壁,其將所述殼體的內(nèi)部空間分為第一空間與第二空間;壓力生成 部件,其將所述第一空間分為上空間與下空間,并且其可在所述第一空間中以 垂直方向移動(dòng),以使所述上空間與所述下空間交替生成正壓與負(fù)壓;基片支撐 部件,其可移動(dòng)地設(shè)在所述第二空間中以支撐及傳送所述基片;及設(shè)在所述殼 體的側(cè)壁以及分區(qū)壁上的多扇門,通過所述正壓與負(fù)壓來打開及關(guān)閉所述門, 以使所述顆粒經(jīng)由所述第一空間從所述第二空間清除至所述外部空間。
根據(jù)本發(fā)明的一些實(shí)施例,所述基片傳送裝置還包括移動(dòng)所述壓力生成部 件及所述基片支撐部件的驅(qū)動(dòng)部。
根據(jù)本發(fā)明的一些實(shí)施例,所述驅(qū)動(dòng)部包括滑輪,其設(shè)于所述第一空間的 上部及下部、所述第二空間的上部及下部,以及穿通所述分區(qū)壁使所述滑輪互 相連接的皮帶。在此,所述壓力生成部件及所述基片支撐部件安裝在所述皮帶 上,并且通過所述皮帶的旋轉(zhuǎn)以垂直方向移動(dòng)。
根據(jù)本發(fā)明的一些實(shí)施例,所述基片傳送裝置,還包括移動(dòng)所述基片支撐 部件件的第一驅(qū)動(dòng)部,以及移動(dòng)所述壓力生成部件的第二驅(qū)動(dòng)部。
根據(jù)本發(fā)明的 一 些實(shí)施例,第 一 門與第二門分別鉸接至所述殼體側(cè)壁的上
部與下部。此外,第三門與第四門分別鉸接至所述分區(qū)壁的上部與下部。
根據(jù)本發(fā)明的一些實(shí)施例,第一門與第二門從所述殼體向外打開,第三門 與第四門分別從所述上空間及下空間向內(nèi)打開。
根據(jù)本發(fā)明的一些實(shí)施例,所述基片傳送裝置,還包括分別連接至所述第 一門、第二門、第三門、及第四門的彈性部件,以關(guān)閉已打開的所述第一門、 第二門、第三門、及第四門。
根據(jù)本發(fā)明的一些實(shí)施例,所述第一門與第三門設(shè)于所述壓力生成部件的 上死點(diǎn)的上方,所述第二門與第四門設(shè)于所述壓力生成部件的下死點(diǎn)的下方。
根據(jù)本發(fā)明的一些實(shí)施例,所述基片傳送裝置,還包括根據(jù)所述上空間中 的壓力及所述下空間中的壓力來打開及關(guān)閉所述門的驅(qū)動(dòng)部。
根據(jù)如前所述的本發(fā)明實(shí)施例,在殼體中生成的顆粒,可通過壓力生成部 件的上下移動(dòng)來清除掉,殼體中由顆粒造成的污染,可由此減少。
結(jié)合附圖,參考下文的詳細(xì)描述,本發(fā)明的實(shí)施例將明白易懂。附圖中
圖1是表示根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的顆粒清除單元的剖視圖2及3是表示使用圖1所示顆粒清除單元來清除顆粒方法的剖視圖4是表示根據(jù)本發(fā)明的另一實(shí)施例的基片傳送裝置的剖視圖5及6是表示使用圖4所示基片傳送裝置來傳送基片的方法的剖視圖。
具體實(shí)施例方式
參見示出本發(fā)明實(shí)施例的附圖,下文將更詳細(xì)地描述本發(fā)明。然而,本發(fā) 明可按許多不同形式來實(shí)現(xiàn),而不應(yīng)理解為僅限于在此所述的實(shí)施例。更確切 地說,提出這些實(shí)施例,是為了使公開詳盡而完全,并對(duì)本技術(shù)領(lǐng)域的技術(shù)人 員,充分表達(dá)本發(fā)明的范圍。在這些附圖中,為清楚起見,可能放大了各層和 區(qū)域的尺寸及相對(duì)尺寸。
應(yīng)當(dāng)理解的是,當(dāng)把元件或?qū)臃Q為在另一元件或?qū)又?上",或"連接到" 另一元件或?qū)又畷r(shí),其可為直接在另一元件或?qū)由?,或直接連接到其他元件或 層,或者存在居于其間的元件或?qū)印Ec此相反,當(dāng)把元件稱為"直接在"另一元 件或之上,或"直接連接到"另一元件或?qū)又畷r(shí),則不存在居于其間的元件或?qū)印?整份說明書中,相同標(biāo)號(hào)指的都是相同元件。如本文所用術(shù)語"和/或",包括一 個(gè)或多個(gè)相關(guān)所列項(xiàng)目的任何或所有組合。
應(yīng)當(dāng)理解的是,盡管本文中可以使用第一、第二、第三等來描述各種各樣 的元件、組件、區(qū)域、層和/或部分,但這些元件、組件、區(qū)域、層和/或部分, 并不限于這些用語。這些用語,僅用于使一個(gè)元件、組件、區(qū)域、層或部分與
另一個(gè)區(qū)域、層或部分區(qū)別開來。由此,下文所稱之第一元件、組件、區(qū)域、 層或部分,亦可稱為第二元件、組件、區(qū)域、層及/或部分,而并不脫離本發(fā)明 的教示。
與空間相關(guān)的表述,如"下(lower)"、"上(upper)"等,在本文中的使用是 為了容易地表述如圖所示的一個(gè)元件或部件與另一個(gè)(些)元件或部件的關(guān)系。 應(yīng)當(dāng)理解的是,這些與空間相關(guān)的表述除圖中所示方位之外,還意欲涵蓋該設(shè) 備在使用或工作中的不同方位。例如,若圖中的該設(shè)備翻轉(zhuǎn),描述為"在其他元 件或部件之下"、"在其他元件或部件下方"的元件,則會(huì)確定為"在其他元件或 部件上方"。由此,該示范性的表述"在...下方"可同時(shí)涵蓋"在...上方"與"在... 下方"兩個(gè)意思。該設(shè)備可為另外的朝向(旋轉(zhuǎn)90度或其他朝向),并且對(duì)本 文中所使用的這些與空間相關(guān)的表述亦作相應(yīng)的解釋。
本文中所使用的表述,僅用于描述特定的實(shí)施例,并且并不意欲限制本發(fā) 明。如本文中所述的,單數(shù)形式的冠詞意欲包括復(fù)數(shù)形式,除非其上下文明示。 還應(yīng)理解的是,當(dāng)本說明書中使用表述"包括"之時(shí),明確說明了存在有所描述 的部件、整體、步驟、操作、元件和/或組件,但并不排除一或多個(gè)其他部件、 整體、步驟、操作、元件、組件和/或它們的組合的存在或添加。
除非另行詳細(xì)說明,本文所使用的所有術(shù)語(包括科技術(shù)語)的意思,均 與本技術(shù)領(lǐng)域的技術(shù)人員所通常理解的一致。還應(yīng)理解的是,諸如一般字典中 所定義的術(shù)語,應(yīng)解釋為與相關(guān)技術(shù)領(lǐng)域中的意思一致,并且不應(yīng)解釋為理想 化的或過度刻板的含義,除非在文中另有明確定義。
本發(fā)明的實(shí)施例,本文中是參照本發(fā)明的理想化實(shí)施例(及中間結(jié)構(gòu))的 示意剖視圖來描述的。照此,預(yù)期會(huì)產(chǎn)生例如因制造工藝和/或公差而造成形狀 上的變化。由此,本發(fā)明的實(shí)施例,不應(yīng)解釋為將其限制成本文所示的特定區(qū) 域形狀,還應(yīng)包括例如,因制造而導(dǎo)致的形狀偏差。由此,圖中所示的區(qū)域的 本質(zhì)是示意性的,并且其形狀并不意欲示出部件區(qū)域的精確形狀,也不意欲限 制本發(fā)明的范圍。
圖1是表示根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的顆粒清除單元的剖視圖。
參考圖l,根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的顆粒清除單元100,可以包括殼體110、分 區(qū)壁120、壓力生成部件130以及多扇門。具體地說,顆粒清除單元100,可 以包括第一門140、第二門150、第三門160以及第四門170。
殼體110可具有內(nèi)部空間,并可沿垂直方向延伸。例如,殼體110的形狀 可為中空的長(zhǎng)方形平行六面體(parallelepiped)形狀,或者為中空的圓柱體形 狀。
分區(qū)壁120可設(shè)在殼體110的垂直方向,并可將殼體110的內(nèi)部空間,分 為第一空間Sl與第二空間S2。各種各樣的器件,均可設(shè)置在第二空間S2。例
如,機(jī)械裝置或自動(dòng)機(jī)械,可設(shè)置在第二空間S2,用以傳送諸如硅晶片的半導(dǎo)
體器件。第一空間Sl可供從第二空間S2清除顆粒所用。由此,第一空間Sl 可小于第二空間S2。
壓力生成部件130,可設(shè)置在第一空間Sl,并可將第一空間Sl分為兩個(gè) 空間,例如上空間Sa及下空間Sb。壓力生成部件130,可通過驅(qū)動(dòng)部(未予 圖示),在第一空間Sl中的垂直方向移動(dòng)。具體地說,壓力生成部件230可 通過該驅(qū)動(dòng)部,在第一空間Sl中的垂直方向移動(dòng),以使得上空間Sa與下空間 Sb交替產(chǎn)生正壓與負(fù)壓。例如,該驅(qū)動(dòng)部可為液壓缸或氣壓缸,包括電機(jī)、滾 珠絲杠與直線運(yùn)動(dòng)導(dǎo)軌的驅(qū)動(dòng)機(jī)構(gòu),或者包括電機(jī)、滑輪與皮帶的驅(qū)動(dòng)機(jī)構(gòu)。
第一空間Sl中的壓力,可通過上下移動(dòng)壓力生成部件130來改變。也就 是說,壓力生成部件130可在第一空間Sl中起到活塞的作用。在壓力生成部 件130向上移動(dòng)的情況下,上空間Sa的容積減小,而下空間Sb的容積增大。 由此,上空間Sa中形成正壓,而下空間Sb中形成負(fù)壓。在壓力生成部件130 向下移動(dòng)的情況下,上空間Sa的容積減小,而下空間Sb的容積增大。由此, 上空間Sa中形成負(fù)壓,而下空間Sb中形成正壓。
第一門140可設(shè)在界定出第一空間Sl的殼體110的上部。具體地說,第 一門140可鉸接至殼體IIO側(cè)壁的上部,并可從殼體110向外打開。第一門140 可允許上空間Sa與外部空間連通,或者切斷與外部空間的連通。例如,第一門 140可通過上空間Sa中的正壓打開。
第一門140可通過第一彈性部件(未予圖示)來關(guān)閉。也就是說,第一門 140可通過第一彈性部件,連接至殼體IIO側(cè)壁的下部,而且在上空間Sa壓力 減小的情況下,第一門140可通過第一彈性部件來關(guān)閉。彈簧可用作該第一彈 性部件?;蛘?,第一門140可通過第一驅(qū)動(dòng)部(未予圖示)來打開或關(guān)閉。該 第一驅(qū)動(dòng)部,可根據(jù)上空間Sa的壓力來打開或關(guān)閉第一門140。
第二門150可設(shè)在界定出第一空間Sl的殼體110的下部。具體地說,第 二門150可鉸接至殼體IIO側(cè)壁的下部,并可從殼體110向外打開。第二門150 可允許下空間Sb與外部空間連通,或者切斷與外部空間的連通。例如,第二 門150可通過下空間Sb的正壓來打開。
第二門150可通過第二彈性部件(未予圖示)來關(guān)閉。也就是說,第二門 150可通過該第二彈性部件,連接至殼體IIO側(cè)壁的上部,而且在下空間Sb的 壓力減小的情況下,第二門150可通過第二彈性部件來關(guān)閉。彈簧可用作該第 二彈性部件。或者,第二門150可通過第二驅(qū)動(dòng)部(未予圖示)來打開或關(guān)閉。 第二驅(qū)動(dòng)部,可根據(jù)下空間Sb的壓力來打開或關(guān)閉第二門150。
第三門160可設(shè)在分區(qū)壁120的上部。具體地說,第三門160可鉸接至分 區(qū)壁120的上部,并可從上空間Sa向內(nèi)打開。第三門160可允許上空間Sa與
第二空間S2連通,或者切斷與第二空間S2的連通。例如,第三門160可通過 上空間Sa的負(fù)壓來打開。
第三門160可通過第三彈性部件(未予圖示)來關(guān)閉。也就是說,第三門 160可通過該第三彈性部件,連接至分區(qū)壁120的上部,而且在上空間Sa的壓 力增大的情況下,第三門160可通過第三彈性部件來關(guān)閉。彈簧可用作該第三 彈性部件?;蛘?,第三門160可通過第三驅(qū)動(dòng)部(未予圖示)來打開或關(guān)閉。 該第三驅(qū)動(dòng)部,可根據(jù)上空間Sa中的壓力來打開或關(guān)閉第三門160。
第四門170可設(shè)在分區(qū)壁120的下部。具體地說,第四門170可鉸接至分 區(qū)壁120的下部,并可從下空間Sb向內(nèi)打開。第四門170可允許下空間Sb與 第二空間S2連通,或者切斷與第二空間S2的連通。例如,第四門170可通過 下空間Sb的負(fù)壓來打開。
第四門no可通過第四彈性部件(未予圖示)來關(guān)閉。也就是說,第四門
170可通過該第四彈性部件,連接至分區(qū)壁120的下部,而且在下空間Sb的壓 力增大的情況下,第四門170可通過該第四彈性部件來關(guān)閉。彈簧可用作該第
四彈性部件。或者,第四門no可通過第四驅(qū)動(dòng)部(未予圖示)來打開或關(guān)閉。
該第四驅(qū)動(dòng)部,可根據(jù)下空間Sb中的壓力來打開或關(guān)閉第四門170。
根據(jù)本發(fā)明的另一實(shí)施例,第一門140及第三門160,可從單元100去除。 在此情況下,通過殼體IIO側(cè)壁的上部,可形成開孔(未予圖示),以允許上 空間Sa與外部空間連通?;蛘?,第二門150及第四門170可從單元IOO去除。 在此情況下,通過殼體IIO側(cè)壁的下部,可形成開孔(未予圖示),以允許下 空間Sb與外部空間連通。
圖2及3是表示使用圖1所示顆粒清除單元100來清除顆粒方法的剖視圖。 參見圖2,當(dāng)壓力生成部件130向下移動(dòng),可在上空間Sa形成負(fù)壓,而在 下空間Sb形成正壓。第三門160可通過上空間Sa的負(fù)壓來打開,而且由于上 空間Sa中的壓力小于第二空間S2的壓力,所以可能經(jīng)過打開的第三門160, 生成從第二空間S2進(jìn)入上空間Sa的第一氣流。由此,顆粒可沿著第一氣流, 從第二空間S2,移動(dòng)到上空間Sa。在此期間,當(dāng)上空間Sa的壓力因第一氣流 而變得與第二空間S2的壓力相等時(shí),第三門160可通過第三彈性部件來關(guān)閉。 第二門150可通過下空間Sb的正壓來打開,并且由于下空間Sb的壓力大 于外部空間的壓力,因此可能經(jīng)過打開的第二門150,生成從下空間Sb進(jìn)入外 部空間的第二氣流。由此,下空間Sb的顆粒,可沿著第二氣流,進(jìn)入外部空 間而清除。在此期間,當(dāng)下空間Sb的壓力因第二氣流而變得與外部空間的壓 力相等時(shí),第二門150可通過第二彈性部件來關(guān)閉。
參見圖3,當(dāng)壓力生成部件130向上移動(dòng)時(shí),在上空間Sa形成正壓,而在 下空間Sb形成負(fù)壓。第一門140可通過上空間Sa的正壓來打開,并且由于上
空間Sa的壓力大于外部空間的壓力,所以可能經(jīng)過打開的第一門140,生成從 上空間Sa進(jìn)入外部空間的第三氣流。由此,上空間Sa中的顆粒,可沿著第三 氣流,進(jìn)入外部空間而清除。在此期間,當(dāng)上空間Sa的壓力,因第三氣流而 變得與外部空間壓力相等時(shí),第一門140可通過第一彈性部件關(guān)閉。
第四門170可通過下空間Sb的負(fù)壓來打開,并且由于下空間Sb的壓力小 于第二空間S2中的壓力,所以可能經(jīng)過打開的第四門170,生成從第二空間 S2進(jìn)入下空間Sb的第四氣流。由此,顆??裳刂谒臍饬饕苿?dòng),從第二空間 S2進(jìn)入下部空間Sb。在此期間,當(dāng)下空間Sb中的壓力,因第四氣流而變得與 第二空間S2的壓力相等時(shí),第四門170可通過第四彈性部件來關(guān)閉。
如前所述,第二空間S2中的顆粒,可通過壓力生成部件130的向下移動(dòng), 經(jīng)過第三門160,移動(dòng)進(jìn)入上空間Sa,然后通過壓力生成部件130的向上移動(dòng), 經(jīng)過第一門140,從上空間Sa被清除掉。進(jìn)而言之,第二空間S2中的顆粒可 通過壓力生成部件130向上移動(dòng),經(jīng)過第四門170,移動(dòng)進(jìn)入下空間Sb,然后, 通過壓力生成部件130向下移動(dòng),經(jīng)過第二門150,從下空間Sb被清除掉。從 而,第二空間S2中的顆粒,可經(jīng)由第一空間S1,很容易被清除至外部空間。
壓力生成部件130,可在第一門140與第二門150之間,在垂直方向移動(dòng), 并且還可在第三門160與第四門170之間的垂直方向移動(dòng)。也就是說,第一門 140及第三門160,可設(shè)置在壓力生成部件130的上死點(diǎn)之上,而第二門150 與第四門170,可設(shè)置在壓力生成部件130的下死點(diǎn)之下。
圖4是表示根據(jù)本發(fā)明的另一實(shí)施例的基片傳送裝置的剖視圖。
參見圖4,基片傳送裝置200,可以包括殼體210、分區(qū)壁220、壓力生 成部件230、第一門240、第二門250、第三門260、第四門270、基片支撐部 件280以及驅(qū)動(dòng)部290。
由于殼體210、分區(qū)壁220、壓力生成部件230、第一門240、第二門250、 第三門260、第四門270與已參考圖1 3描述的顆粒清除單元100的元件類似, 因此省略了這些元件進(jìn)一步的詳細(xì)描述。
基片支撐部件280,可具有板狀形狀,并可設(shè)置在殼體210的第二空間S2。 基片支撐部件280,可支撐諸如硅晶片或玻璃基片W,或者支撐容納有基片W 的盒子?;尾考?80,可在垂直方向移動(dòng),以在第二空間S2中傳送基片 W。
驅(qū)動(dòng)部290可使壓力生成部件230與基片支撐部件280朝上下移動(dòng)。根據(jù) 本發(fā)明的另一實(shí)施例,基片傳送裝置200,還包括第二驅(qū)動(dòng)部(未予圖示), 以使壓力生成部件230上下移動(dòng)。
壓力生成部件230與基片支撐部件280,可通過驅(qū)動(dòng)部290,在彼此相反 的方向移動(dòng)。如圖4所示,驅(qū)動(dòng)部290可包括多個(gè)滑輪292和皮帶294。例如,
四個(gè)滑輪292可分別設(shè)置在上空間Sa的上部、下空間Sb的下部、第二空間S2 的上部及下部?;?92可通過皮帶294互相連接。驅(qū)動(dòng)部290,還可包括與 任一滑輪292連接的電機(jī)(未予圖示)。
分區(qū)壁220可具有通路(未予圖示),以使皮帶294通過其中。壓力生成 部件230與基片支撐部件280,可安裝在皮帶294上。由此,當(dāng)皮帶294在逆 時(shí)針方向旋轉(zhuǎn)時(shí),基片支撐部件280向上移動(dòng),而壓力生成部件230向下移動(dòng)。 與此相反,當(dāng)皮帶294以順時(shí)針方向旋轉(zhuǎn),基片支撐部件280向下移動(dòng),而壓 力生成部件230向上移動(dòng)。
根據(jù)本發(fā)明的另一實(shí)施例,壓力生成部件230可通過第二驅(qū)動(dòng)部移動(dòng),而 不顧及基片支撐部件280。例如,第二驅(qū)動(dòng)部可以是液壓缸或氣壓缸,還可以 是包括電機(jī)、滾珠絲杠與直線運(yùn)動(dòng)導(dǎo)軌的驅(qū)動(dòng)機(jī)構(gòu),或者包括電機(jī)、滑輪與皮 帶的驅(qū)動(dòng)機(jī)構(gòu)。
根據(jù)本發(fā)明的另一實(shí)施例,第一門240及第三門260可從殼體210去除。 在此情況下,可通過殼體210側(cè)壁上部,形成開孔(未予圖示),以允許上空 間Sa與外部空間連通?;蛘撸诙T250及第四門270可從殼體210去除。 在此情況下,可通過殼體210側(cè)壁的下部,形成開孔(未予圖示),以允許下 空間Sb與外部空間連通。
圖5及6是表示使用圖4所示基片傳送裝置200來傳送基片的方法的剖視圖。
參見圖5,當(dāng)皮帶294以逆時(shí)針方向旋轉(zhuǎn)時(shí),基片支撐部件280向上移動(dòng), 藉此向上傳送該基片。當(dāng)基片支撐部件280向上移動(dòng)時(shí),壓力生成部件230向
下移動(dòng)。
當(dāng)壓力生成部件230向下移動(dòng)時(shí),第二門250及第三門260打開。第一氣 流可經(jīng)過打開的第三門260,從第二空間S2進(jìn)入上空間Sa而生成。由此,可 能由基片支撐部件280與驅(qū)動(dòng)部290生成的顆粒,可以沿著第一氣流,從第二 空間S2進(jìn)入上空間Sa而移動(dòng)。在此期間,當(dāng)上空間Sa中的壓力,因第一氣 流而變得與第二空間S2的壓力相等時(shí),第三門260可通過第三彈性部件關(guān)閉。
此外,第二氣流可能經(jīng)過打開的第二門250,從下空間Sb進(jìn)入外部空間而 生成。由此,下空間Sb中的顆粒,可沿著第二氣流,進(jìn)入外部空間而被清除 掉。在此期間,當(dāng)下空間Sb中的壓力,因該第二氣流而變得與外部空間的壓 力相等時(shí),第二門250可通過第二彈性部件來關(guān)閉。
參見圖6,當(dāng)皮帶294以順時(shí)針方向旋轉(zhuǎn)時(shí),基片支撐部件280可向下移 動(dòng),并藉此向下傳送該基片。當(dāng)基片支撐部件280向下移動(dòng)時(shí),壓力生成部件 230可向上移動(dòng)。
當(dāng)壓力生成部件230向上移動(dòng)時(shí),第一門240及第四門270打開。第三氣
流可經(jīng)過打開的第一門140,從上空間Sa進(jìn)入外部空間而生成。由此,上空間 Sa中的顆粒,可沿著第三氣流進(jìn)入外部空間而被清除掉。在此期間,當(dāng)上空間 Sa中的壓力,因第三氣流而變得與外部空間壓力相等時(shí),第一門240可通過第 一彈性部件來關(guān)閉。
第四氣流可經(jīng)過打開的第四門270從第二空間S2進(jìn)入下空間Sb而生成。 由此,第二空間S2中生成的顆粒,沿著第四氣流,從第二空間S2朝下部空間 Sb移動(dòng)。在此期間,當(dāng)下空間Sb中的壓力,因第四氣流而變得與第二空間S2 的壓力相等時(shí),第四門270可通過第四彈性部件來關(guān)閉。
如前所述,第二空間S2中的顆粒,通過壓力生成部件230的向下移動(dòng), 可經(jīng)過第三門260移動(dòng)進(jìn)入上空間Sa,然后通過壓力生成部件230的向上移動(dòng), 經(jīng)過第一門240從上空間Sa被清除掉。此外,第二空間S2中的顆粒,還可通 過壓力生成部件230向上移動(dòng),經(jīng)過第四門270,移動(dòng)進(jìn)入到下空間Sb,然后 通過壓力生成部件230向下移動(dòng),經(jīng)過第二門250,從下空間Sb被清除掉。從 而,可經(jīng)由第一空間S1,很容易將第二空間S2中顆粒清除至外部空間。
根據(jù)如前所述的本發(fā)明實(shí)施例,殼體中生成的顆粒,可通過壓力生成部件 的上下移動(dòng)來清除,并籍此減少殼體中由顆粒造成的污染。
盡管業(yè)已對(duì)本發(fā)明的實(shí)施例作出說明,應(yīng)當(dāng)理解的是,本發(fā)明并不限于這 些實(shí)施例,而本技術(shù)領(lǐng)域中技術(shù)人員可在本發(fā)明的由所附權(quán)利要求書所限定的 范圍及精神之內(nèi)作出修改。
權(quán)利要求
1、一種清除顆粒的單元,所述單元包括殼體;以垂直方向設(shè)在所述殼體中的分區(qū)壁,其將所述殼體的內(nèi)部空間分為第一空間與第二空間;壓力生成部件,其將所述第一空間分為上空間與下空間,并且其可在所述第一空間中以垂直方向移動(dòng),以使所述上空間與所述下空間交替生成正壓與負(fù)壓;及設(shè)在所述殼體的側(cè)壁以及分區(qū)壁上的多扇門,通過所述正壓與負(fù)壓來打開及關(guān)閉所述門以使所述顆粒經(jīng)由所述第一空間從所述第二空間清除至外部空間。
2、 如權(quán)利要求1所述的單元,其中,第一門與第二門分別鉸接至所述 殼體側(cè)壁的上部與下部,并且第三門與第四門分別鉸接至所述分區(qū) 壁的上部與下部。
3、 如權(quán)利要求2所述的單元,其中所述第一門與第二門從所述殼體向 外打開,并且所述第三門與第四門分別從所述上空間及下空間向內(nèi) 打開。
4、 如權(quán)利要求3所述的單元,還包括分別連接至所述第一門、第二門、 第三門、及第四門的彈性部件,以關(guān)閉已打開的所述第一門、第二 門、第三門、及第四門。
5、 如權(quán)利要求2所述的單元,其中所述第一門與第三門設(shè)于所述壓力 生成部件的上死點(diǎn)的上方,并且所述第二門與第四門設(shè)于所述壓力 生成部件的下死點(diǎn)的下方。
6、 如權(quán)利要求1所述的單元,還包括移動(dòng)所述壓力生成部件的驅(qū)動(dòng)部。
7、 如權(quán)利要求1所述的單元,還包括根據(jù)所述上空間中的壓力以及所 述下空間中的壓力來打開及關(guān)閉所述門的驅(qū)動(dòng)部。
8、 一種清除顆粒的單元,所述單元包括殼體;以垂直方向設(shè)在所述殼體中的分區(qū)壁,其將所述殼體的內(nèi)部空 間分為第一空間與第二空間;壓力生成部件,其將所述第一空間分為上空間與下空間,并且 其可在所述第一空間中以垂直方向移動(dòng),以使所述上空間與所述下 空間交替生成正壓與負(fù)壓;及設(shè)在界定出所述上空間與下空間中任意一個(gè)的所述殼體側(cè)壁的 一部分之上、以及所述分區(qū)壁的一部分之上的多扇門,并通過所述 正壓與負(fù)壓來打開及關(guān)閉所述門,以使所述顆粒經(jīng)由所述第一空間 從所述第二空間清除至所述外部空間,其中,在界定出所述上空間與下空間中另外一個(gè)的所述殼體側(cè) 壁的另一部分之上形成穿通的開孔,以使所述另一空間與所述外部 空間連通。
9、 一種傳送基片的裝置,所述裝置包括殼體;以垂直方向設(shè)在所述殼體中的分區(qū)壁,其將所述殼體的內(nèi)部空 間分為第 一 空間與第二空間;壓力生成部件,其將所述第一空間分為上空間與下空間,并且 其可在所述第一空間中以垂直方向移動(dòng),以使所述上空間與所述下 空間交替生成正壓與負(fù)壓;基片支撐部件,其可移動(dòng)地設(shè)在所述第二空間中以支撐及傳送 所述基片;及設(shè)在所述殼體的側(cè)壁以及分區(qū)壁上的多扇門,通過所述正壓與 負(fù)壓來打開及關(guān)閉所述門,以使所述顆粒經(jīng)由所述第一空間從所述 第二空間清除至所述外部空間。
10、 如權(quán)利要求9所述的裝置,還包括移動(dòng)所述壓力生成部件及所述基 片支撐部件的驅(qū)動(dòng)部。
11、 如權(quán)利要求9所述的裝置,其中所述驅(qū)動(dòng)部包括滑輪,其設(shè)于所述第一空間的上部及下部、以及所述第二空間 的上部及下部;及穿通所述分區(qū)壁使所述滑輪互相連接的皮帶,其中所述壓力生成部件及所述基片支撐部件安裝在所述皮帶 上,并且通過所述皮帶的旋轉(zhuǎn)以垂直方向移動(dòng)。
12、 如權(quán)利要求9所述的裝置,還包括移動(dòng)所述基片支撐部件的第一驅(qū)動(dòng)部;及 移動(dòng)所述壓力生成部件的第二驅(qū)動(dòng)部。
13、 如權(quán)利要求9所述的裝置,其中第一門與第二門分別鉸接至所述殼 體側(cè)壁的上部與下部,并且第三門與第四門分別鉸接至所述分區(qū)壁 的上部與下部。
14、 如權(quán)利要求13所述的裝置,其中所述第一門與第二門從所述殼體向外打開,并且所述第三門與第四門分別從所述上空間及下空間向內(nèi) 打開。
15、 如權(quán)利要求14所述的裝置,還包括分別連接至所述第一門、第二門、 第三門、及第四門的彈性部件,以關(guān)閉已打開的所述第一門、第二 門、第三門、及第四門。
16、 如權(quán)利要求13所述的裝置,其中所述第一門與第三門設(shè)在所述壓力生成部件的上死點(diǎn)的上方,并且所述第二門與第四門設(shè)在所述壓力 生成部件的下死點(diǎn)的下方。
17、 如權(quán)利要求9所述的裝置,還包括根據(jù)所述上空間中的壓力以及所 述下空間中的壓力來打開及關(guān)閉所述門的驅(qū)動(dòng)部。
全文摘要
一種傳送基片的裝置中,分區(qū)壁以垂直方向設(shè)在所述殼體中,以將所述殼體的內(nèi)部空間分為第一空間與第二空間。壓力生成部件,其將所述第一空間分為上空間與下空間,并且其可在所述第一空間中以垂直方向移動(dòng)以使所述上空間與所述下空間交替生成正壓與負(fù)壓?;尾考?,其可移動(dòng)地設(shè)在所述第二空間中以支撐及傳送所述基片。設(shè)在所述殼體的側(cè)壁與分區(qū)壁的多扇門,通過所述正壓與負(fù)壓打開及關(guān)閉所述門以使所述顆粒經(jīng)由所述第一空間從所述第二空間清除至所述外部空間。
文檔編號(hào)B08B5/00GK101391256SQ20081021529
公開日2009年3月25日 申請(qǐng)日期2008年9月19日 優(yōu)先權(quán)日2007年9月19日
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