專利名稱：半導(dǎo)體基材清潔裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種半導(dǎo)體基材清潔裝置及掩模清潔裝置，特別是一種用于半導(dǎo)體工
藝中自半導(dǎo)體基材及掩模表面去除污染物質(zhì)的裝置。
背景技術(shù)：
在半導(dǎo)體工藝中，半導(dǎo)體基材或掩模的清潔是很重要的步驟。在清潔時需針對半 導(dǎo)體基材或掩模表面殘留的有機(jī)物質(zhì)、污染物、化學(xué)殘留物等，都必須有效率且徹底的清 潔，否則被污染過的掩模在后續(xù)的工藝中會造成產(chǎn)品良率(yield)的嚴(yán)重?fù)p失。
請參考圖1所示，是現(xiàn)有一種掩模清潔裝置的側(cè)面示意圖。此掩模清潔裝置100是 通過一設(shè)置于旋轉(zhuǎn)平臺110上的水平式掩模固定單元120來固定掩模R，再通過一活動式清 洗噴嘴130，以產(chǎn)生強(qiáng)力的水流或氣流沖擊掩模R的表面。然而，這樣的噴嘴130設(shè)計所噴 出的水流或氣流其面積有限，很明顯地，僅清潔掩模R的其中一表面就花費(fèi)相當(dāng)長的時間， 且當(dāng)要清潔掩模R另一表面時，需將掩模R重新翻面并加以固定及再次清潔，是相當(dāng)耗時及 不安全。而且，在清潔過程中，由于旋轉(zhuǎn)平臺iio必須通過水平旋轉(zhuǎn)產(chǎn)生離心力以使得微粒 或污染物不易附著，當(dāng)旋轉(zhuǎn)平臺110其轉(zhuǎn)速提高時，掩模R是有可能因此而脫落，造成掩模 R邊緣的破裂。 有鑒于此，本發(fā)明所提供的半導(dǎo)體基材清潔裝置及掩模清潔裝置，乃針對先前技 術(shù)加以改良者。

發(fā)明內(nèi)容
鑒于發(fā)明背景中，所述的現(xiàn)有掩模清潔裝置的缺點(diǎn)及問題，本發(fā)明的主要目的在 于提供一種半導(dǎo)體基材及掩模清潔裝置，是將噴嘴設(shè)計成一細(xì)長形開口 ，能使流體均勻且 大量的噴出，故可有效地將半導(dǎo)體基材及掩模其表面的微?；蛭廴疚锶コ?，以提高半導(dǎo)體 工藝其良率。 本發(fā)明的另一目的在于提供一種半導(dǎo)體基材及掩模清潔裝置，清潔裝置其噴嘴設(shè)
計是一細(xì)長形開口 ，能使流體均勻且大量的噴出，以減少清潔所花費(fèi)的時間。 本發(fā)明的又一目的在于提供一種半導(dǎo)體基材及掩模清潔裝置，清潔裝置其噴出的
流體其方向是可調(diào)整角度的，故可依照微?；蛭廴疚锏奶匦浴雽?dǎo)體基材及掩模其尺寸或
材質(zhì)的不同，而來調(diào)整清潔裝置其噴出的流體至最佳的噴出角度。 本發(fā)明的再一目的在于提供一種半導(dǎo)體基材及掩模清潔裝置，清潔裝置可同時清 潔掩模其兩表面，以徹底且快速的方式完成清潔的動作，爭取更多時效。 本發(fā)明的又再一目的在于提供一種半導(dǎo)體基材及掩模清潔裝置，其包含至少一回 收裝置，可立即地回收噴出的流體及掉落的微?；蛭廴疚镔|(zhì)，以避免掉落的微?；蛭廴疚?質(zhì)再次吸附到半導(dǎo)體基材及掩模表面。 本發(fā)明提供的半導(dǎo)體基材或掩模清潔裝置，包括一工作平臺、一基座及一活動式 清潔單元，上述基座，是由兩個互相平行的垂直基板組成，垂直基板具有一底端及一頂端，
4垂直基板的底端是設(shè)置于工作平臺上，而垂直基板的頂端是樞設(shè)有活動式清潔單元，其中 活動式清潔單元至少具有一細(xì)長形出口 ，用以傳送一流體至一半導(dǎo)體基材或一掩模的一表 面。 此外，本發(fā)明的清潔裝置亦可以包含有兩個活動式清潔單元，在活動式清潔單元
的間是具有一空間以容置一掩模，以允許清潔裝置同時清潔掩模其兩個表面。 有關(guān)本發(fā)明的特征與實(shí)作，茲配合圖示作最佳實(shí)施例詳細(xì)說明如下。


圖1是現(xiàn)有一種掩模清潔裝置的側(cè)面示意圖；圖2是本發(fā)明的一清潔裝置全視圖；圖3是本發(fā)明的清潔裝置其基座及活動式清潔單元全視圖；圖4是本發(fā)明的清潔裝置其活動式清潔單元的一側(cè)面剖視5是本發(fā)明的活動式清潔單元的另一設(shè)計；圖6是本發(fā)明的清潔裝置另一實(shí)施例的示意圖；及圖7是本發(fā)明的另一清潔裝置全視圖。主要元件符號說明工作平臺io基座20垂直基板21，22底端211,221頂端212,222內(nèi)垂直基板211'，221'外垂直基板212'，222'活動式清潔單元30， 30A， 30B細(xì)長形出口 31上蓋32下蓋33流體容置空間34流體入口 35快速接頭36管路37分歧塊38回收裝置39收集口 391收集空間392回收管路393位移機(jī)構(gòu)40存放空間50P樞紐
R掩模
S半導(dǎo)體基材
具體實(shí)施例方式
雖然本發(fā)明的較佳實(shí)施例揭露如下，然其并非用以限定本發(fā)明，任何熟習(xí)相像技 藝者，在不脫離本發(fā)明的精神和范圍內(nèi)，當(dāng)可作些許的更動與潤飾，因此本發(fā)明的專利保護(hù) 范圍須視本說明書所附的申請專利范圍所界定者為準(zhǔn)。
首先，請參考圖2，是本發(fā)明的一清潔裝置的全視圖。 接著，請參考圖3，是本發(fā)明的清潔裝置其基座及活動式清潔單元的全視圖。本發(fā) 明的清潔裝置是用于清潔半導(dǎo)體基材或掩模，此清潔裝置至少包含有一工作平臺10、一基 座20及一活動式清潔單元30，上述基座20，是由兩個互相平行的垂直基板21、22組成，垂 直基板21、22具有一底端211、221及一頂端212、222，垂直基板21、22的底端211、221是設(shè) 置于工作平臺10上，而垂直基板21、22的頂端212、222是樞設(shè)有活動式清潔單元30，其中 活動式清潔單元30至少具有一細(xì)長形出口 31，用以傳送一流體至一半導(dǎo)體基材或一掩模 的一表面。 上述半導(dǎo)體基材可以是玻璃基材、硅基材或化合物材質(zhì)的基材。而其大小可以是 八寸晶片、十二寸晶片、十八寸晶片、LCD基材或其它尺寸的基材。而細(xì)長形出口 31所傳送 的流體可以是一種液體，例如去離子水(D. I.Water)，通過此液體可將半導(dǎo)體基材或掩模 其表面的微?；蛭廴疚锴逑锤蓛簟．?dāng)然，細(xì)長形出口 31所傳送的流體亦可以是一種氣體， 例如惰性氣體、干燥冷空氣、氮?dú)饣蚣儦怏w或是以上這些氣體的組合，而使得半導(dǎo)體基材 或掩模其表面的微?；蛭廴疚锝?jīng)由上述氣體的沖擊而與半導(dǎo)體基材或掩模分離。此外，細(xì) 長形出口 31亦可以是先以液體傳送至半導(dǎo)體基材或掩模其表面，待微?；蛭廴疚锱c半導(dǎo)
體基材或掩模分離的后，再以上述的氣體傳送至半導(dǎo)體基材或掩模其表面，以干燥殘留于 半導(dǎo)體基材或掩模表面上的液體。 接著，請參考圖4，是圖3的清潔裝置其活動式清潔單元30的一側(cè)面剖視圖(A-A' 剖示圖)。從上述圖3及圖4可以看出，活動式清潔單元30是一近似矩形的結(jié)構(gòu)，可配置于 半導(dǎo)體基材S或掩模R其表面的一側(cè)?；顒邮角鍧崋卧?0是由一具有至少一容置空間的 上蓋32及一具有至少一容置空間的下蓋33所組成；因此，當(dāng)上蓋32與下蓋33固接后，由 于上蓋32與下蓋33中的容置空間是相對配置的，故可形成至少一流體容置空間34以容納 流體。且，上述流體容置空間34均具有一細(xì)長形出口 31是位于上蓋32的頂端，以及至少 具有一流體入口 35位于下蓋33。而流體入口 35其一端是與一快速接頭36相通，很明顯 地，流體入口 35通過流體容置空間34與細(xì)長形出口 31相通。此外，快速接頭36則是通過 管路37與分歧塊38相接，以使一流體源(如箭頭所示)其流體依序經(jīng)由分歧塊38、管路 37、快速接頭36、流體入口 35、流體容置空間34及細(xì)長形出口 31傳送到半導(dǎo)體基材S或掩 模R的表面。特別要強(qiáng)調(diào)的是，細(xì)長形出口 31其口徑或?qū)挾冗h(yuǎn)比流體入口 35或流體容置 空間34其口徑或?qū)挾刃?；且流體容置空間34其越靠近細(xì)長形出口 31時，其口徑或?qū)挾仁?越來越小，因此，經(jīng)由此細(xì)長形出口 31所噴出的流體是類似一水刀或風(fēng)刀，是具有足夠的 壓力可以分離半導(dǎo)體基材S或掩模R與其上的微?；蛭廴疚?。而在一較佳的實(shí)施方式中， 每一流體容置空間34是設(shè)計成具有梨形曲面的構(gòu)造，如圖4中的虛線341所示，由于梨形曲面的構(gòu)造可以降低流體容置空間34中干擾，故可使細(xì)長形出口 31的壓力更大。
而上述細(xì)長形出口 31其長度可約為半導(dǎo)體基材S或掩模R的寬度或是寬度的三 分的二，以提供較大的清潔面積。且細(xì)長形出口 31本身所噴出的流體與半導(dǎo)體基材S或掩 模R被清潔表面的法向量是有一夾角，使得微?；蛭廴疚镙^容易分離或脫落且能避免對半 導(dǎo)體基材S或掩模R產(chǎn)生較大的正向沖擊力。而上述夾角可約為25度至30度，是具有更 佳的效果。此外，由于活動式清潔單元30是以樞接方式固定于基座20的兩個垂直基板21、 22的頂端212、222 ;因此，使用者是可依微?；蛭廴疚锏奶匦?、半導(dǎo)體基材S或掩模R其尺 寸或材質(zhì)的不同，進(jìn)一步通過調(diào)整活動式清潔單元30上的一樞紐P(如圖3所式)使活動 式清潔單元30相對于基座20傾斜一角度，以改變細(xì)長形出口 31其噴出的流體與半導(dǎo)體基 材S或掩模R被清潔表面的夾角大小。 接著，請參考圖5，是本發(fā)明的活動式清潔單元30的另一設(shè)計。如圖5所示，活動 式清潔單元30是可進(jìn)一步配置一回收裝置39，用以回收細(xì)長形出口 31所噴出的流體及分 離的微?；蛭廴疚铮绱?，可避免噴出的流體及分離的微粒或污染物造成半導(dǎo)體基材S或 掩模R的二次污染。很明顯地，此回收裝置39與細(xì)長形出口 31是不相通的；因此，回收裝 置39亦可以是跟活動式清潔單元30分離，對此本發(fā)明并不加以限制。如請圖4及圖5所 示，回收裝置39是具有一收集口391，位于活動式清潔單元30的一側(cè)邊，收集口391則向下 延伸有一收集空間392及一回收管路393，是可經(jīng)由一流體抽離裝置(未顯示于圖中)，將 細(xì)長形出口 31所噴出的流體及分離的微?；蛭廴疚镉墒占?391吸入至收集空間392內(nèi)， 再經(jīng)由回收管路393而帶離本發(fā)明的清潔裝置。 如圖5所示，本發(fā)明的清潔裝置其基座20亦可以配置一個具有縱向或是上下調(diào)整 高度的基座。此基座20其垂直基板21、22可是由一內(nèi)垂直基板211' 、221'及一外垂直基 板212'、222'所組成，內(nèi)垂直基板211'、221'是固定于工作平臺10，而外垂直基板212'、 222'是樞設(shè)有活動式清潔單元30，其中內(nèi)垂直基板211'、221'具一滑軌以容納外垂直基板 212'、222'相對于內(nèi)垂直基板211'、221'上下移動，以調(diào)整細(xì)長形出口 31與半導(dǎo)體基材或 掩模的垂直距離。當(dāng)然，上述設(shè)計亦可以是以外垂直基板固定于工作平臺且內(nèi)垂直基板相 對于外垂直基板上下移動。 其次，請參考圖6，是本發(fā)明的清潔裝置另一實(shí)施例的示意圖。如圖6所示，清潔 裝置是由兩個活動式清潔單元30相對配置而成，其中活動式清潔單元30A是固接于工作平 臺10上，而活動式清潔單元30B則相對配置于活動式清潔單元30A的上方，使得這兩個活 動式清潔單元30A、30B上的細(xì)長形出口 31亦是呈相對配置。而在這兩個活動式清潔單元 30的間是具有一可以容置一掩?；蚴前雽?dǎo)體基板的空間，以允許清潔裝置30A、30B同時清 潔掩?；蚴前雽?dǎo)體基板的上下兩個表面。 接著，如圖7所示，是本發(fā)明的另一清潔裝置全視圖。很明顯地，活動式清潔單元 30A是固接于工作平臺10上，而活動式清潔單元30B則是通過一固定架13與活動式清潔 單元30A呈相對配置。此外，本發(fā)明的清潔裝置是配置有一位移機(jī)構(gòu)40，此位移機(jī)構(gòu)40是 位于工作平臺10上，位移機(jī)構(gòu)40至少設(shè)有一固定單元(未顯示于圖中)以固定半導(dǎo)體基 材或掩模且可使半導(dǎo)體基材或掩模水平移動于平臺10上方，即移動于兩個活動式清潔單 元30A、30B的間，使以清潔整片半導(dǎo)體基材或掩模。當(dāng)然，此位移機(jī)構(gòu)40亦可以設(shè)計成具 垂直上下移動或傾角移動，垂直上下移動是為了將半導(dǎo)體基材或掩模從原本的存放空間50
7移動到接近活動式清潔單元30的高度。而傾角移動是可在清潔半導(dǎo)體基材或掩模時，將半 導(dǎo)體基材或掩模處予些許傾角，即半導(dǎo)體基材或掩模其表面與工作平臺10其表面呈一夾 角，以避免液體殘留于半導(dǎo)體基材或掩模表面。 顯然地，依照上面實(shí)施例中的描述，本發(fā)明可能有許多的修正與差異。因此需要在 其附加的權(quán)利要求項的范圍內(nèi)加以理解，除了上述詳細(xì)的描述外，本發(fā)明還可以廣泛地在 其它的實(shí)施例中施行。上述僅為本發(fā)明的較佳實(shí)施例而已，并非用以限定本發(fā)明的申請專 利范圍；凡其它未脫離本發(fā)明所揭示的精神下所完成的等效改變或修飾，均應(yīng)包含在下述 申請專利范圍內(nèi)。
權(quán)利要求
一種半導(dǎo)體基材清潔裝置，其特征在于包含有一工作平臺；一基座，是由兩個互相平行的垂直基板組成，該垂直基板具有一底端及一頂端，該垂直基板的該底端是設(shè)置于該工作平臺上；以及一活動式清潔單元，樞設(shè)于該基座其兩個垂直基板的該頂端，其中該活動式清潔單元至少具有一細(xì)長形出口，用以傳送一流體至一半導(dǎo)體基材的一表面。
2. 如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體基材清潔裝置，其特征在于，該流體是由下列群組中擇一或組合而成惰性氣體、干燥冷空氣、氮?dú)饧凹儦怏w。
3. 如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體基材清潔裝置，其特征在于，該流體是去離子水。
4. 如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體基材清潔裝置，其特征在于，該活動式清潔單元的該細(xì)長形出口其長度為該半導(dǎo)體基材的寬度。
5. 如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體基材清潔裝置，其特征在于，該活動式清潔單元其細(xì)長形出口所噴出的該流體與該半導(dǎo)體基材被清潔表面的法向量具有一夾角，該夾角約為25度至30度。
6. 如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體基材清潔裝置，其特征在于，該活動式清潔單元進(jìn)一步包含一回收裝置，用以回收該細(xì)長形出口所噴出的該流體。
7. —種掩模清潔裝置，其特征在于包含有一工作平臺；一基座，是由兩個互相平行的垂直基板組成，該垂直基板具有一底端及一頂端，該垂直基板的該底端是設(shè)置于該工作平臺上；以及一活動式清潔單元，樞設(shè)于該基座其兩個垂直基板的該頂端，其中該活動式清潔單元至少具有一細(xì)長形出口，用以傳送一流體至一掩模的一表面，其中該活動式清潔單元的該細(xì)長形出口其長度約為該掩模的寬度2/3。
8. 如權(quán)利要求7所述的掩模清潔裝置，其特征在于，該流體是由下列群組中擇一或組合而成惰性氣體、干燥冷空氣、氮?dú)饧凹儦怏w。
9. 如權(quán)利要求7所述的掩模清潔裝置，其特征在于，該流體是去離子水。
10. 如權(quán)利要求7所述的掩模清潔裝置，其特征在于，該活動式清潔單元其細(xì)長形出口所噴出的該流體與該掩模的該表面其法向量具有一夾角，該夾角為25度至30度。
11. 如權(quán)利要求7所述的掩模清潔裝置，其特征在于，該活動式清潔單元是由一上蓋及一下蓋所組成，該上蓋固定于該下蓋上方且該上蓋與該下蓋是形成至少一流體容置空間，其中該細(xì)長形出口是位于該上蓋，而該下蓋進(jìn)一步包含至少一流體入口 ，該流體入口其一端是與一流體源相通，其另一端通過該流體容置空間與該細(xì)長形出口相通。
12. 如權(quán)利要求7所述的掩模清潔裝置，其特征在于，該活動式清潔單元進(jìn)一步包含一回收裝置，用以回收該細(xì)長形出口所噴出的該流體。
13. 如權(quán)利要求7所述的掩模清潔裝置，其特征在于，該基座的該垂直基板是由一內(nèi)垂直基板及一外垂直基板所組成，該內(nèi)垂直基板具一滑軌以容許該外垂直基板相對于該內(nèi)垂直基板上下移動。
14. 如權(quán)利要求7所述的掩模清潔裝置，其特征在于，進(jìn)一步包含一位移機(jī)構(gòu)，配置于該工作平臺上，該位移機(jī)構(gòu)至少設(shè)有一掩模固定單元以固定該掩模且可使該掩模水平移動于該平臺上方。
15.如權(quán)利要求7所述的掩模清潔裝置，其特征在于，進(jìn)一步包含另一活動式清潔單元，固定于該工作平臺上，其中該另一活動式清潔單元亦是至少具有一細(xì)長形出口，用以傳送一流體至該掩模的另 一表面。
全文摘要
本發(fā)明公開一種半導(dǎo)體基材清潔裝置，特別是一種用于半導(dǎo)體工藝中自半導(dǎo)體基材及掩模表面去除污染物質(zhì)的裝置。該清潔裝置包含一工作平臺；一基座，是由兩個互相平行的垂直基板組成，垂直基板具有一底端及一頂端，垂直基板的底端設(shè)置于工作平臺上；以及一活動式清潔單元，樞設(shè)于基座其兩個垂直基板的頂端，其中活動式清潔單元至少具有一細(xì)長形出口，用以傳送一流體至一半導(dǎo)體基材或一掩模的一表面。
文檔編號B08B3/02GK101740325SQ20081017820
公開日2010年6月16日 申請日期2008年11月14日 優(yōu)先權(quán)日2008年11月14日
發(fā)明者潘勇順 申請人:家登精密工業(yè)股份有限公司