專(zhuān)利名稱(chēng)：有機(jī)電致發(fā)光玻板的清洗方法和裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種有機(jī)電致發(fā)光玻板的清洗方法和裝置，屬電子器件制備技術(shù)領(lǐng)域。
已有技術(shù)中，發(fā)明名稱(chēng)為有機(jī)EL器件的制造方法和制備裝置，申請(qǐng)人為出光興產(chǎn)株式會(huì)社，專(zhuān)利為JP 09232075的日本專(zhuān)利，公開(kāi)了一種有機(jī)EL器件的制造方法和制備裝置，其裝置如圖1所示，其工作過(guò)程是設(shè)置了與真空腔1不同的清洗腔2，在清洗腔中將具有指向性的紫外線(xiàn)或離子束照射到基板3上，清洗基板之后，打開(kāi)移送通道4的閘門(mén)，把基板3移到真空腔內(nèi)，在真空腔2內(nèi)將基板3制成含有有機(jī)物的薄膜，即有機(jī)EL器件。
采用這種方法可以使真空腔和清洗腔內(nèi)存在的不純物不會(huì)附著在基板上，從而得到發(fā)光效率高、低電壓下壽命延長(zhǎng)的有機(jī)EL器件。
使用離子束情況下，照射量為100μA/cm2-100mA/cm2，最好控制在500μA/cm2-10mA/cm2，而且動(dòng)能為leV-10keV，最好選擇100eV-數(shù)keV，這樣不會(huì)損傷基板上的氧化物電極并能將有機(jī)物灰化處理。
清洗腔內(nèi)的壓力控制在10-1Pa以下。為了獲得更好的清洗效果，采用離子束時(shí)，壓力建議控制在10-3Pa以下。
最好用氧離子束，這樣效果更高。特別是當(dāng)使用氧化物基板材料時(shí)，由于氧化物被離子束照射后會(huì)發(fā)生還原，使得基板改性，從而可以避免基板的損壞。
可以選擇氧離子束或者Ar、He等不活潑氣體的離子，或者是CCl4、CHCl等活性激活體或離子束，或者將他們適當(dāng)?shù)慕M合使用。但是如基板使用氧化物時(shí)，應(yīng)該選擇不被還原的離子種類(lèi)。在強(qiáng)照射下，氧化物大多會(huì)還原，選擇氧離子束也許更好。
該專(zhuān)利技術(shù)的缺點(diǎn)如下(1)離子束的方向與基板垂直，難以降低基板的粗糙度；(2)離子束能量太高，束流密度太大，會(huì)對(duì)基板造成刻蝕，影響器件的各項(xiàng)性能；(3)離子束的作用時(shí)間是很關(guān)鍵的參數(shù)，但沒(méi)有詳細(xì)報(bào)道。
本發(fā)明的目的在于提出一種有機(jī)電致發(fā)光玻板的清洗方法和裝置，專(zhuān)門(mén)用于清洗氧化銦錫導(dǎo)電玻璃，使用離子束從一定角度轟擊基板，并適當(dāng)控制離子束的密度、能量和作用時(shí)間，使氧化銦-錫導(dǎo)電玻璃表面的粗糙度變小，并除去表面的有機(jī)不純物，用清洗后的玻板可以制得低電壓、高亮度、長(zhǎng)壽命的有機(jī)電致發(fā)光器件。
本發(fā)明提出的有機(jī)電致發(fā)光玻板的清洗方法，包括以下各步驟a)將被清洗的玻板置于壓力為1×10-3Pa的真空腔內(nèi)，通入高純氧氣流，使環(huán)境壓力維持在8×10-3Pa～3×10-2Pa；
b)用離子束以一定角度轟擊玻板，轟擊的角度為30°～60°，最好為45°，轟擊時(shí)使束流密度控制在1uA/cm2～10mA/cm2的范圍，最好為20uA/cm2～100uA/cm2，轟擊時(shí)離子能量為0.5eV～200eV，作用時(shí)間為5秒～300秒，最好為10秒～60秒；c)氧離子束清洗玻璃片結(jié)束，即完成本發(fā)明的清洗過(guò)程，清洗后的玻璃片可用于制備后續(xù)的有機(jī)薄膜，即制備有機(jī)EL器件。
本發(fā)明設(shè)計(jì)了專(zhuān)門(mén)的有機(jī)電致發(fā)光玻板的清洗裝置，該裝置為一真空腔，被清洗玻片置于真空腔內(nèi)上部的支架上，真空腔下部的一側(cè)為離子源，離子源的位置使產(chǎn)生的離子束與玻片表面成30°～60°角，離子源與樣品之間設(shè)有擋板。
本發(fā)明的清洗方法和裝置，用于清洗的離子束以一定角度入射，降低了被清洗玻片的表面粗糙度，而且大大降低了玻片表面污染物的含量。所用離子束能量低，束流密度小，不會(huì)對(duì)玻片產(chǎn)生腐蝕，而且節(jié)約產(chǎn)品制備成本。用清洗后的玻片可以制得低電壓、高亮度、長(zhǎng)壽命的有機(jī)電致發(fā)光器件。


圖1為已有技術(shù)的結(jié)構(gòu)示意圖。
圖2為本發(fā)明設(shè)計(jì)的清洗裝置的結(jié)構(gòu)示意圖。
圖1和圖2中1是真空腔，2是清洗腔，3是基板，4是通道，5是玻片，6是真空腔，7是離子源，8是用于制備后續(xù)有機(jī)薄膜的蒸發(fā)源，9是擋板，10是玻片支架。
本發(fā)明設(shè)計(jì)的清洗裝置如圖2所示，該裝置為一真空腔46，被清洗玻片5置于真空腔內(nèi)上部的支架10上，真空腔下部的一側(cè)為離子源7，離子源的位置使產(chǎn)生的離子束與玻片表面成30°～60°角，離子源與樣品之間設(shè)有擋板9。
下面介紹本發(fā)明的實(shí)施例。
實(shí)施例一。
a)將被清洗的玻板5置于壓力為1×10-3Pa的真空腔6內(nèi)，通入高純氧氣流，使環(huán)境壓力維持在2×10-2Pa；b)打開(kāi)擋板9，用離子源7產(chǎn)生的離子束以45°角度轟擊玻板，轟擊時(shí)使束流密度控制在50uA/cm2，離子能量為125eV，作用時(shí)間為20秒；c)氧離子束轟擊結(jié)束以后，使用清洗后的玻璃片制備后續(xù)的有機(jī)薄膜，即制備有機(jī)EL器件。這樣制得的器件，其啟亮電壓降低了1.1伏，10V驅(qū)動(dòng)電壓下的亮度提高了一個(gè)數(shù)量級(jí)，器件的穩(wěn)定性提高了3倍，具體數(shù)據(jù)見(jiàn)表1中清洗條件1；實(shí)施例二。
環(huán)境壓力維持在8×10-3Pa，轟擊角度為30°，束流密度控制在20uA/cm2，轟擊時(shí)離子能量為80eV，轟擊時(shí)間為5秒，這樣制得的器件，其啟亮電壓降低了0.8伏，10V驅(qū)動(dòng)電壓下的亮度提高了一個(gè)數(shù)量級(jí)，器件的穩(wěn)定性提高了2倍，具體數(shù)據(jù)見(jiàn)表1中清洗條件2；實(shí)施例三。
環(huán)境壓力維持在3×10-3Pa，轟擊角度為60°，束流密度控制在100uA/cm2，轟擊時(shí)離子能量為150eV，轟擊時(shí)間為60秒，這樣制得的器件，其啟亮電壓降低了1.0伏，10V驅(qū)動(dòng)電壓下的亮度提高了一個(gè)數(shù)量級(jí)，器件穩(wěn)定性提高了2.5倍，具體數(shù)據(jù)見(jiàn)表1中清洗條件3；表1

權(quán)利要求
1.一種有機(jī)電致發(fā)光玻板的清洗方法，其特征在于，該方法包括以下各步驟a)將被清洗的玻板置于壓力為1×10-3Pa的真空腔內(nèi)，通入高純氧氣流，使環(huán)境壓力維持在8×10-3Pa～3×10-2Pa；b)用離子束以一定角度轟擊玻板，轟擊的角度為30°～60°，轟擊時(shí)使束流密度控制在1uA/cm2～10mA/cm2的范圍，轟擊時(shí)離子能量為0.5eV～200eV，作用時(shí)間為5秒～60秒，即完成本發(fā)明的清洗過(guò)程。
2.一種有機(jī)電致發(fā)光玻板的清洗裝置，其特征在于，該裝置為一真空腔，被清洗玻片置于真空腔內(nèi)上部的支架上，真空腔下部的一側(cè)為離子源，離子源位置使產(chǎn)生的離子束與玻片表面成30°～60°角，離子源與樣品之間設(shè)有擋板。
全文摘要
本發(fā)明涉及一種有機(jī)電致發(fā)光玻板的清洗方法和裝置,首先將被清洗的玻板置于真空腔內(nèi),通入高純氧氣流,用離子束以一定角度轟擊玻板。本發(fā)明的清洗裝置為一真空腔,被清洗玻片置于真空腔內(nèi)上部的支架上,真空腔下部的一側(cè)為離子源,離子源與樣品之間設(shè)有擋板。本方法和裝置用于清洗的離子束以一定角度入射,降低了被清洗玻片的表面粗糙度和表面污染物的含量,不會(huì)對(duì)玻片產(chǎn)生腐蝕,且制備成本低。
文檔編號(hào)B08B11/00GK1276697SQ00120790
公開(kāi)日2000年12月13日 申請(qǐng)日期2000年7月14日 優(yōu)先權(quán)日2000年7月14日
發(fā)明者邱勇, 張德強(qiáng), 董桂芳 申請(qǐng)人:清華大學(xué)