一種消除按壓偽影的平板探測器及其制備方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001] 本發(fā)明涉及醫(yī)療器械領(lǐng)域，特別是涉及一種平板探測器及其制備方法。
【背景技術(shù)】
[0002] 在X射線平板探測器行業(yè)，普遍存在這樣一種不良現(xiàn)象：當(dāng)平板探測器上面放置 待測物品時(shí)，如圖1，整個(gè)探測器包括探測器電路部分5'，位于該探測器電路部分5'上的 金屬支撐件6'，放置于所述金屬支撐件6'上的TFT玻璃基板4'，位于所述TFT玻璃基板 4'上的閃爍體層3'以及位于所述閃爍體層3'上的碳板2'。當(dāng)放置待測物體1'于碳 板上時(shí)，由于受到外力的壓迫（如在探測器上放置被測物體或者患者與探測器有接觸時(shí)）； 探測器圖采集offset暗場圖像時(shí)，就出現(xiàn)了與未放置待測物體不一樣的假影像，如圖2b所 示，俗稱按壓偽影。從圖像上上選取了 1000X1000像素點(diǎn)的灰度值進(jìn)行了評估，數(shù)據(jù)如表 1所示
[0003]
【主權(quán)項(xiàng)】
1. 一種消除按壓偽影的平板探測器，其特征在于，所述平板探測器至少包括： 位于金屬支撐件上具有上表面和下表面的TFT玻璃基板； 形成于該TFT玻璃基板上表面的閃爍體層； 形成于所述閃爍體層上用于放置待測物體的碳板； 以及形成于所述TFT玻璃基板下表面的導(dǎo)電屏蔽層。
2. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的消除按壓偽影的平板探測器，其特征在于，所述導(dǎo)電屏蔽層 的厚度為幾納米到幾十微米。
3. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的消除按壓偽影的平板探測器，其特征在于，所述導(dǎo)電屏蔽層 為位于所述TFT玻璃基板下表面的通過粘結(jié)層與TFT玻璃基板粘緊的金屬支撐件。
4. 一種權(quán)利要求1至3任意一項(xiàng)所述的平板探測器制備方法，其特征在于：該方法至 少包括以下步驟： 提供一位于金屬支撐件上具有上表面和下表面的TFT玻璃基板； 在所述TFT玻璃基板上表面形成閃爍體層； 在所述閃爍體層上設(shè)置用于放置待測物體的碳板； 在所述TFT玻璃基板的下表面形成導(dǎo)電屏蔽層。
5. 根據(jù)權(quán)利要求4所述的平板探測器制備方法，其特征在于：所述導(dǎo)電屏蔽層的形成 方法如下：使用真空鍍膜的方式在所述玻璃基板下表面直接鍍上厚度為幾納米到幾十微米 的導(dǎo)電膜層。
6. 根據(jù)權(quán)利要求5所述的平板探測器的制備方法，其特征在于：所述導(dǎo)電膜層的材料 包括A1、(：11、48、411、不銹鋼或者11'0導(dǎo)電膜。
7. 根據(jù)權(quán)利要求5所述的平板探測器的制備方法，其特征在于：所述真空鍍膜方式包 括熱蒸發(fā)、磁控濺射、電子槍或PECVD。
8. 根據(jù)權(quán)利要求4所述的平板探測器制備方法，其特征在于：所述導(dǎo)電屏蔽層的形成 方法如下：在厚度為幾納米到幾十微米的金屬箔上面涂布粘結(jié)劑，然后把金屬箔粘結(jié)到所 述TFT玻璃基板的下表面。
9. 根據(jù)權(quán)利要求8所述的平板探測器制備方法，其特征在于：所述粘結(jié)劑為壓敏膠或 者光敏膠。
10. 根據(jù)權(quán)利要求4所述的平板探測器制備方法，其特征在于：所述導(dǎo)電屏蔽層的形成 方法如下：在所述TFT玻璃基板下表面涂覆金屬漿料，然后經(jīng)過干燥、凝固、成膜工序，形成 厚度為幾納米到幾十微米的金屬膜層。
11. 根據(jù)權(quán)利要求4所述的平板探測器制備方法，其特征在于：所述導(dǎo)電屏蔽層的形成 方法如下：把金屬支撐件上涂布一層粘合劑，直接把TFT玻璃基板下表面粘合到金屬支撐 件上，此時(shí)金屬支撐件即作為導(dǎo)電屏蔽層。
【專利摘要】本發(fā)明提供一種消除按壓偽影的平板探測器及其制備方法，該平板探測器包括：位于金屬支撐件上具有上表面和下表面的TFT玻璃基板；形成于該TFT玻璃基板上表面的閃爍體層；形成于所述閃爍體層上用于放置待測物體的碳板；以及形成于所述TFT玻璃基板下表面的導(dǎo)電屏蔽層。本發(fā)明通過在X射線平板探測器的關(guān)鍵部件TFT玻璃基板的背面增加一層導(dǎo)電屏蔽層，有效的減緩了探測器在使用時(shí)應(yīng)受外力引起的按壓偽影，探測器在結(jié)構(gòu)沒有較大變化的情況下得出較高的圖像質(zhì)量。
【IPC分類】A61B6-00
【公開號】CN104873215
【申請?zhí)枴緾N201510274031
【發(fā)明人】程丙勛, 周作興, 王杰杰
【申請人】上海奕瑞光電子科技有限公司
【公開日】2015年9月2日
【申請日】2015年5月26日