磁共振成像裝置以及磁共振成像裝置用的磁體的制作方法
【專利摘要】實(shí)施方式的磁共振成像裝置具備成像單元以及屏蔽件。成像單元為，在通過梯度磁場線圈以及超導(dǎo)磁體分別形成了磁場的狀態(tài)下，從高頻線圈發(fā)送高頻信號，由此進(jìn)行被檢體的磁共振成像。屏蔽件與上述梯度磁場線圈一起形成上述磁共振成像用的梯度磁場。此外，上述屏蔽件防止熱進(jìn)入上述超導(dǎo)磁體。
【專利說明】磁共振成像裝置以及磁共振成像裝置用的磁體
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明的實(shí)施方式涉及磁共振成像(MR1:Magnetic Resonance Imaging)裝置以及磁共振成像裝置用的磁體。
【背景技術(shù)】
[0002]MRI裝置是通過拉莫爾頻率的高頻(RF:radio frequency)信號對靜磁場中所放置的被檢體的原子核自旋進(jìn)行磁激勵、并根據(jù)隨著該激勵而產(chǎn)生的磁共振(MR magneticresonance)信號來重構(gòu)圖像的圖像診斷裝置。
[0003]在MRI裝置中，隨著梯度磁場的生成而產(chǎn)生的渦流磁場會妨礙成像，因此希望渦流磁場的減少。在當(dāng)前，為了抑制潤流磁場，將ASGC(Actively Shielded Gradient Coil:有源屏蔽梯度線圈)用作梯度磁場用的線圈的技術(shù)成為主流。ASGC是在用于分別形成X軸、Y軸以及Z軸方向的各梯度磁場的筒狀的主線圈的外側(cè)、設(shè)置了用于抑制漏磁場的筒狀的屏蔽線圈而成的梯度磁場線圈。
[0004]現(xiàn)有技術(shù)文獻(xiàn)
[0005]專利文獻(xiàn)
[0006]專利文獻(xiàn)1:日本特開2008-253593號公報
【發(fā)明內(nèi)容】

[0007]發(fā)明要解決的課題
[0008]本發(fā)明的目的在于，提供能夠通過更簡單的構(gòu)成來形成所希望的梯度磁場的磁共振成像裝置以及磁共振成像裝置用的磁體。
[0009]用于解決課題的手段
[0010]本發(fā)明的實(shí)施方式的磁共振成像裝置具備成像單元以及屏蔽件。成像單元為，在通過梯度磁場線圈以及超導(dǎo)磁體分別形成了磁場的狀態(tài)下從高頻線圈發(fā)送高頻信號，由此進(jìn)行被檢體的磁共振成像。屏蔽件與上述梯度磁場線圈一起形成上述磁共振成像用的梯度磁場，且防止熱進(jìn)入上述超導(dǎo)磁體。
[0011]此外，本發(fā)明的實(shí)施方式的磁共振成像裝置，具備超導(dǎo)磁體、梯度磁場線圈、高頻線圈以及屏蔽件。超導(dǎo)磁體在設(shè)置有被檢體的拍攝區(qū)域形成上述被檢體的磁共振成像用的靜磁場。高頻線圈向上述拍攝區(qū)域發(fā)送高頻信號。屏蔽件與上述梯度磁場線圈一起在上述拍攝區(qū)域形成上述磁共振成像用的梯度磁場，且防止熱進(jìn)入上述超導(dǎo)磁體。
[0012]此外，本發(fā)明的實(shí)施方式的磁共振成像裝置用的磁體，具有磁體主體以及渦流磁場的時間常數(shù)為500 ms以上的屏蔽件。磁體主體是將液氦以及超導(dǎo)線圈設(shè)置在殼體內(nèi)而形成的。屏蔽件設(shè)置在上述磁體主體的內(nèi)側(cè)。
【專利附圖】

【附圖說明】
[0013]圖1是表示本發(fā)明第一實(shí)施方式的磁共振成像裝置以及磁共振成像裝置用的磁體的構(gòu)成的縱截面圖。
[0014]圖2是表示圖1所示的冷卻系統(tǒng)的變形例的屏蔽件的縱截面圖。
[0015]圖3是表示本發(fā)明第二實(shí)施方式的磁共振成像裝置以及磁共振成像裝置用的磁體的構(gòu)成的縱截面圖。
【具體實(shí)施方式】
[0016]參照附圖對本發(fā)明的實(shí)施方式的磁共振成像裝置以及磁共振成像裝置用的磁體進(jìn)行說明。
[0017](第一實(shí)施方式)
[0018]圖1是表示本發(fā)明第一實(shí)施方式的磁共振成像裝置以及磁共振成像裝置用的磁體的構(gòu)成的縱截面圖。
[0019]磁共振成像裝置I具有架臺2、診視床3以及控制系統(tǒng)4。在架臺2上形成有孔，能夠?qū)⒃\視床3的頂板5上所設(shè)置的被檢體0送入孔內(nèi)。而且，在架臺2的孔內(nèi)形成有拍攝區(qū)域R。
[0020]在架臺2的內(nèi)部，從外側(cè)朝向內(nèi)側(cè)同軸狀地設(shè)置有圓筒狀的超導(dǎo)磁體6、梯度磁場線圈7以及全身用(WB:whole body)線圈8。即，超導(dǎo)磁體6、梯度磁場線圈7以及WB線圈8由架臺2的殼體9保護(hù)。
[0021]此外，在拍攝區(qū)域R中，設(shè)置有MR信號的接收用的任意的RF線圈。作為MR信號的接收用的RF線圈，使用與拍攝部位以及拍攝目的相對應(yīng)的各種線圈。例如，在被檢體0的體表側(cè)設(shè)置的body(體)線圈、在被檢體0的背面?zhèn)扰渲玫膕pine (脊柱)線圈等，是代表性的MR信號的接收用的RF線圈。圖1表示作為接收用RF線圈10而在診視床3的頂板5上安裝有spine線圈的例子。
[0022]WB線圈8是主要用于將RF信號向拍攝區(qū)域R發(fā)送的RF線圈。其中，有時還被使用于MR信號的接收。
[0023]梯度磁場線圈7是用于在設(shè)置有被檢體0的拍攝區(qū)域R形成空間的梯度磁場的線圈。因此，梯度磁場線圈7具有形成X軸方向的梯度磁場的X軸用線圈7X、形成Y軸方向的梯度磁場的Y軸用線圈7Y以及形成Z軸方向的梯度磁場的Z軸用線圈TL。
[0024]在梯度磁場線圈7的外側(cè)，設(shè)置有用于流動冷卻介質(zhì)的多個配管7A。作為梯度磁場線圈7的冷卻介質(zhì)，典型地使用液體水LW。另外，配管7A與液體水LW等冷卻介質(zhì)的供給箱連接，由于是公知的構(gòu)成，因此省略圖示以及說明。
[0025]超導(dǎo)磁體6是用于在設(shè)置有被檢體0的拍攝區(qū)域R形成被檢體0的MR成像用的靜磁場的構(gòu)成要素。超導(dǎo)磁體6是將磁體主體11設(shè)置在殼體12內(nèi)而構(gòu)成的。磁體主體11是將液氦Llfe以及多個超導(dǎo)線圈13設(shè)置在容器IlA內(nèi)而形成的。此外，封入了液氦Llte的容器IIA通過冷凍機(jī)IIB冷卻。并且，超導(dǎo)線圈13被液氦LHe冷卻到4K左右。由此，超導(dǎo)線圈13的線材發(fā)揮作為超導(dǎo)的性質(zhì)。其結(jié)果，在架臺2以及超導(dǎo)磁體6的內(nèi)側(cè)的拍攝區(qū)域R形成靜磁場。
[0026]控制系統(tǒng)4是對超導(dǎo)磁體6、梯度磁場線圈7、WB線圈8、MR信號的接收用的RF線圈以及診視床3等構(gòu)成要素進(jìn)行控制的裝置。并且，在控制系統(tǒng)4的控制下，在通過梯度磁場線圈7以及超導(dǎo)磁體6分別形成了梯度磁場以及靜磁場的狀態(tài)下，從RF線圈發(fā)送RF信號，由此能夠進(jìn)行被檢體O的MR成像。[0027]并且，在磁體主體11的內(nèi)側(cè)設(shè)置有屏蔽件14。即，如圖1所示那樣，能夠?qū)⑵帘渭?4與磁體主體11 一起設(shè)置在構(gòu)成超導(dǎo)磁體6的殼體12的內(nèi)部。屏蔽件14起到的作用為，與梯度磁場線圈7 —起在拍攝區(qū)域R形成MR成像用的梯度磁場，且防止熱進(jìn)入超導(dǎo)磁體6。
[0028]具體地說，屏蔽件14構(gòu)成為，至少將從梯度磁場線圈7向超導(dǎo)磁體6側(cè)產(chǎn)生的磁場消除，由此與梯度磁場線圈7 —起形成MR成像用的梯度磁場。即，屏蔽件14作為防止熱進(jìn)入超導(dǎo)磁體6的熱屏蔽件以及將在梯度磁場線圈7外部產(chǎn)生的磁場消除的磁場屏蔽件起作用。
[0029]另外，在屏蔽件14中產(chǎn)生的渦流磁場的時間常數(shù)被決定為，成為MR成像所要求的時間常數(shù)以上。因此，能夠使屏蔽件14由渦流磁場的時間常數(shù)為500ms以上的金屬板構(gòu)成。例如，如果使屏蔽件14由圓筒狀的金屬板構(gòu)成，則屏蔽件14作為不需要輸入輸出電流的被動型的線圈(Passive Coil)起作用。并且,當(dāng)將屏蔽件14理解為梯度磁場線圈7的構(gòu)成要素之一時，還能夠通過屏蔽件14和梯度磁場線圈7來形成PSGC (Passively ShieldedGradient Coil:被動屏蔽梯度線圈)系統(tǒng)。
[0030]作為渦流磁場的時間常數(shù)為500ms以上的金屬板的例子，可以列舉板厚為IOmm以上的筒狀的鋁板或板厚為3mm以上的筒狀的銅板。例如，板厚12mm的Al (1100)的時間常數(shù)為537 [ms]。此外，板厚3mm的Cu (1020)的時間常數(shù)為634 [ms]。
[0031]當(dāng)在磁體主體11的內(nèi)側(cè)設(shè)置上述那樣的屏蔽件14時，在屏蔽件14中產(chǎn)生將在梯度磁場線圈7的外部形成的磁場抵消的渦流磁場。因此，作為由梯度磁場線圈7形成的梯度磁場與在屏蔽件14中產(chǎn)生的渦流磁場重疊的結(jié)果，能夠形成作為目的的MR成像用的梯度磁場。
[0032]因此，梯度磁場線圈7的繞組的條件以及屏蔽件14的構(gòu)造被決定為，形成適合于MR成像的所希望的梯度磁場。例如，能夠?qū)⑻荻却艌鼍€圈7的繞組數(shù)以及屏蔽件14的直徑或者半徑?jīng)Q定為，形成所希望的梯度磁場。此外，對于梯度磁場線圈7的繞組的圖案也能夠決定為，形成所希望的梯度磁場。
[0033]梯度磁場線圈7的適當(dāng)?shù)睦@組數(shù)，相對于屏蔽件14的半徑RS與梯度磁場線圈7的半徑RG的平方之比RSVRG2成反比例。另一方面，屏蔽件14設(shè)置在構(gòu)成超導(dǎo)磁體6的殼體12的內(nèi)部。因此，能夠使屏蔽件14的半徑RS大于超導(dǎo)磁體6的內(nèi)徑。其結(jié)果，能夠減少梯度磁場線圈7的繞組數(shù)。
[0034]例如，在以往的ASGC中，用于將來自主線圈的漏磁場消除的屏蔽線圈，不得不配置在超導(dǎo)磁體6與主線圈之間。因此，為了響應(yīng)使架臺的尺寸變得緊湊這種需求，而必然使屏蔽線圈與主線圈接近。因此，ASGC的屏蔽線圈的內(nèi)徑，與屏蔽件14的內(nèi)徑相比變得極端小。反而言之，能夠使屏蔽件14的內(nèi)徑比ASGC的屏蔽線圈的內(nèi)徑大。
[0035]其結(jié)果，能夠使梯度磁場線圈7的繞組數(shù)比以往的ASGC的主線圈的繞組數(shù)減少。即，通過與屏蔽線圈相比配置在更遠(yuǎn)方的屏蔽件14來消除梯度磁場線圈7的磁場，因此能夠較少應(yīng)該由梯度磁場線圈7形成的磁場的強(qiáng)度。因此，能夠使梯度磁場線圈7的構(gòu)造與ASGC相比更簡單，且能夠使應(yīng)向梯度磁場線圈7供給的電力比應(yīng)向ASGC的主線圈供給的電力減少。[0036]梯度磁場線圈7通過在配管7A內(nèi)流動的冷卻水等冷卻介質(zhì)來冷卻，但由于磁共振成像裝置I的特性、設(shè)置環(huán)境，為了防止磁體主體11的容器IlA中所封入的液氦Llfe的氣化，有時需要進(jìn)一步的冷卻。為了防止液氦Llte的氣化，需要將容器IlA內(nèi)的溫度保持為4K。
[0037]例如，架臺2的孔內(nèi)的溫度通常達(dá)到300K左右。因此，能夠?qū)Τ瑢?dǎo)磁體6設(shè)置用于將屏蔽件14的外側(cè)、即磁體主體11側(cè)冷卻到50K左右的冷卻系統(tǒng)15。
[0038]作為具體例，如圖1所示那樣，能夠在屏蔽件14的梯度磁場線圈7側(cè)設(shè)置冷卻介質(zhì)用的配管16。為了將屏蔽件14的梯度磁場線圈7側(cè)冷卻到50K,作為向配管16內(nèi)供給的冷卻介質(zhì)而使用液氮Ln是實(shí)用的。因此，配管16與液氮Ln的供給箱17連接。并且，冷卻系統(tǒng)15構(gòu)成為，從供給箱17排出的液氮Ln在配管16內(nèi)流動而再次向供給箱17返回的液氮Ln的循環(huán)系統(tǒng)。由此，能夠抑制熱從屏蔽件14的梯度磁場線圈7側(cè)進(jìn)入磁體主體11側(cè)。
[0039]圖2是表示圖1所示的冷卻系統(tǒng)15的變形例的屏蔽件14的縱截面圖。
[0040]如圖2所示那樣，還能夠在屏蔽件14的內(nèi)部設(shè)置冷卻介質(zhì)用的流路20。在該情況下，從供給箱17向在屏蔽件14的內(nèi)部形成流路20的貫通孔供給液氮Ln等冷卻介質(zhì)。
[0041]如圖1以及圖2所例示那樣將配管16固定的屏蔽件14或形成流路20的屏蔽件14，能夠利用擴(kuò)散結(jié)合法等任意的制造方法來制造。并且，通過對超導(dǎo)磁體6設(shè)置冷卻系統(tǒng)15，由此能夠原樣使用封入了液氦Llte的容器IlA的冷卻所使用的典型的冷凍機(jī)11B。
[0042]另一方面，也可以代替設(shè)置冷卻系統(tǒng)15、或者在設(shè)置冷卻系統(tǒng)15的基礎(chǔ)上，適當(dāng)決定冷凍機(jī)IIB本身的能力。即，能夠使用能夠?qū)⑷萜鱅IA內(nèi)的溫度保持為4K左右的冷凍機(jī)11B，對液氦LHe以及容器IlA進(jìn)行冷卻。
[0043]即，以上那種磁共振成像裝置I是，利用在用于防止熱進(jìn)入超導(dǎo)磁體6內(nèi)部而具備的屏蔽件14中產(chǎn)生的渦流磁場，消除從梯度磁場線圈7的漏磁場。
[0044]以往，根據(jù)在超導(dǎo)磁體6的內(nèi)部產(chǎn)生磁場時對成像造成負(fù)面影響的觀點(diǎn)，而一直采取使超導(dǎo)磁體6的內(nèi)部極力不產(chǎn)生磁場的對策。因此，以往，梯度磁場線圈被設(shè)計(jì)為，僅通過ASGC的主線圈以及屏蔽線圈或者沒有屏蔽線圈的NSGC(Non Shield Gradient Coil:非屏蔽梯度線圈)的主線圈來形成成像所需要的梯度磁場。
[0045]與此相對，在磁共振成像裝置I中，在超導(dǎo)磁體6內(nèi)部所具備的屏蔽件14中產(chǎn)生的渦流磁場不被取消而是被積極地利用。具體地說，在屏蔽件14中，生成與在ASGC的屏蔽線圈中生成的渦流磁場同樣的渦流磁場。
[0046]因此，根據(jù)磁共振成像裝置1，能夠通過更低電力得到與以往的ASGC同等的梯度磁場強(qiáng)度。即，在ASGC中，通過屏蔽線圈來取消從主線圈的漏磁場，因此梯度磁場的產(chǎn)生效率與NSGC相比減少。其結(jié)果，在ASGC中，為了得到所希望的梯度磁場強(qiáng)度，需要與NSGC相比需要更大電力的梯度磁場電源。然而，近年，由于高分辨率并且能夠進(jìn)行高速拍攝的3[T]的MRI裝置與1.5[T]的MRI裝置相比SNR (signal to noise ratio:信噪比)更良好，因此逐漸普及。隨之，梯度磁場電源所需要的電力增加。
[0047]因此，如果將上述那樣的磁共振成像裝置I構(gòu)成為3[T]的裝置，則能夠使梯度磁場電源所需要的電力減少。實(shí)際上，在以與以往的具有典型尺寸的ASGC的主線圈同等的尺寸，設(shè)計(jì)了與屏蔽件14 一起作為PSGC起作用的梯度磁場線圈7時，確認(rèn)到在梯度磁場電源中消耗的電力大約能夠減少40%。[0048]并且，在磁共振成像裝置I中，不需要ASGC的屏蔽線圈，因此能夠使孔大口徑化。
[0049](第二實(shí)施方式)
[0050]圖3是表示本發(fā)明第二實(shí)施方式的磁共振成像裝置以及磁共振成像裝置用的磁體的構(gòu)成的縱截面圖。
[0051]圖3所示的磁共振成像裝置IA以及磁共振成像裝置IA用的超導(dǎo)磁體6A與圖1所示的磁共振成像裝置I以及磁共振成像裝置I用的超導(dǎo)磁體6的不同點(diǎn)為，使構(gòu)成超導(dǎo)磁體6A的殼體12的一部分由屏蔽件14形成。關(guān)于其他構(gòu)成以及作用，與圖1所示的磁共振成像裝置I以及磁共振成像裝置I用的超導(dǎo)磁體6沒有實(shí)質(zhì)上的不同，因此對于相同的構(gòu)成賦予相同的附圖標(biāo)記而省略說明。
[0052]在磁共振成像裝置IA用的超導(dǎo)磁體6A中，殼體12的內(nèi)側(cè)、即梯度磁場線圈7側(cè)的面作為屏蔽件14起作用。因此，構(gòu)成超導(dǎo)磁體6A的殼體12的梯度磁場線圈7側(cè)的面，由渦流磁場的時間常數(shù)為500ms以上的圓筒狀的鋁或銅的金屬板構(gòu)成。
[0053]此外，能夠根據(jù)需要對屏蔽件14設(shè)置冷卻系統(tǒng)15。圖3表不將構(gòu)成冷卻系統(tǒng)15的液氮LN的配管16配置到屏蔽件14的磁體主體11中的例子。
[0054]根據(jù)具有這種構(gòu)成的第二實(shí)施方式的磁共振成像裝置IA以及磁共振成像裝置IA用的超導(dǎo)磁體6A，能夠得到與第一實(shí)施方式的磁共振成像裝置I以及磁共振成像裝置I用的超導(dǎo)磁體6同樣的效果。并且，能夠減少構(gòu)成要素的數(shù)量。
[0055](其他實(shí)施方式)
[0056]以上，對特定的實(shí)施方式進(jìn)行了記載，但所記載的實(shí)施方式僅為一個例子，不限定發(fā)明的范圍。此處所記載的新方法以及裝置，能夠通過各種其他方式來具體化。此外，在此處所記載的方法以及裝置的方式中，在不脫離發(fā)明的主旨的范圍內(nèi)，能夠進(jìn)行各種的省略、置換以及變更。附加的權(quán)利要求書以及其等價物，包含于發(fā)明的范圍以及主旨，含有這樣的各種方式以及變形例。
[0057]例如，作為上述各實(shí)施方式中的梯度磁場線圈7也可以使用ASGC。即，能夠代替設(shè)置ASGC的屏蔽線圈、或者在屏蔽線圈的基礎(chǔ)上設(shè)置屏蔽件14。ASGC具有用于產(chǎn)生梯度磁場的X軸用、Y軸用以及Z軸用的各主線圈、以及用于取消從主線圈的X軸方向、Y軸方向以及Z軸方向上的漏磁場的X軸用、Y軸用以及Z軸用的各屏蔽線圈。因此，在作為梯度磁場線圈7使用ASGC的情況下，通過ASGC的屏蔽線圈以及屏蔽件14雙方來抵消從ASGC的主線圈的泄漏磁場。
【權(quán)利要求】
1.一種磁共振成像裝置，具備: 成像單元，在通過梯度磁場線圈以及超導(dǎo)磁體分別形成了磁場的狀態(tài)下，從高頻線圈發(fā)送高頻信號，由此進(jìn)行被檢體的磁共振成像；以及 屏蔽件，與上述梯度磁場線圈一起形成上述磁共振成像用的梯度磁場，且防止熱進(jìn)入上述超導(dǎo)磁體。
2.一種磁共振成像裝置，具備: 超導(dǎo)磁體，在設(shè)置有被檢體的拍攝區(qū)域形成上述被檢體的磁共振成像用的靜磁場； 梯度磁場線圈； 高頻線圈，向上述拍攝區(qū)域發(fā)送高頻信號；以及 屏蔽件，與上述梯度磁場線圈一起在上述拍攝區(qū)域形成上述磁共振成像用的梯度磁場，且防止熱進(jìn)入上述超導(dǎo)磁體。
3.如權(quán)利要求1記載的磁共振成像裝置，其中， 上述屏蔽件構(gòu)成為，通過至少將從上述梯度磁場線圈向上述超導(dǎo)磁體側(cè)產(chǎn)生的磁場消除，與上述梯度磁場線圈一起形成上述梯度磁場。
4.如權(quán)利要求1記載的磁共振成像裝置，其中， 上述屏蔽件由渦流磁場的時間常數(shù)為500ms以上的金屬板構(gòu)成。
5.如權(quán)利要求4記載的 磁共振成像裝置，其中， 上述屏蔽件由板厚為IOmm以上的筒狀的鋁板或者板厚為3mm以上的筒狀的銅板構(gòu)成。
6.如權(quán)利要求1記載的磁共振成像裝置，其中， 上述屏蔽件由渦流磁場的時間常數(shù)成為上述磁共振成像所要求的時間常數(shù)以上的金屬板構(gòu)成。
7.如權(quán)利要求1記載的磁共振成像裝置，其中， 將上述屏蔽件設(shè)置為不需要輸入輸出電流的被動型的線圈。
8.如權(quán)利要求1記載的磁共振成像裝置，其中， 將上述屏蔽件設(shè)置在構(gòu)成上述超導(dǎo)磁體的殼體的內(nèi)部。
9.如權(quán)利要求1記載的磁共振成像裝置，其中， 通過上述屏蔽件形成構(gòu)成上述超導(dǎo)磁體的殼體的一部分。
10.如權(quán)利要求1記載的磁共振成像裝置，其中， 上述梯度磁場線圈的繞組的條件以及上述屏蔽件的構(gòu)造被決定為，形成適合于上述磁共振成像的所希望的梯度磁場。
11.如權(quán)利要求10記載的磁共振成像裝置，其中， 上述梯度磁場線圈的繞組數(shù)以及上述屏蔽件的直徑或者半徑被決定為，形成上述所希望的梯度磁場。
12.如權(quán)利要求1記載的磁共振成像裝置，其中， 在上述屏蔽件的上述梯度磁場線圈側(cè)設(shè)置有冷卻介質(zhì)用的配管。
13.如權(quán)利要求1記載的磁共振成像裝置，其中， 在上述屏蔽件的內(nèi)部設(shè)置有冷卻介質(zhì)用的流路。
14.如權(quán)利要求1記載的磁共振成像裝置，其中， 上述屏蔽件是防止上述熱進(jìn)入上述超導(dǎo)磁體的熱屏蔽件。
15.一種磁共振成像裝置用的超導(dǎo)磁體，具有:磁體主體，將液氦以及超導(dǎo)線圈設(shè)置在殼體內(nèi)而形成；以及 屏蔽件，設(shè)置在上述磁體主體的內(nèi)側(cè)，其渦流磁場的時間常數(shù)為500ms以上。
【文檔編號】A61B5/055GK103561646SQ201380000800
【公開日】2014年2月5日 申請日期:2013年4月24日 優(yōu)先權(quán)日:2012年5月21日
【發(fā)明者】坂倉良知, 野上和人, 田中秀和 申請人:株式會社東芝, 東芝醫(yī)療系統(tǒng)株式會社