專利名稱:用于測(cè)定角膜的功能特性的非侵入式傳感器、包含該傳感器的裝置及其應(yīng)用的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域:
本發(fā)明的目的涉及一種用于以非侵入式的方式獲得有用數(shù)據(jù)以診斷角膜狀況的傳感器及包含該傳感器的裝置。特別地,其為如下裝置允許在不同頻率下測(cè)量角膜阻抗,以確定阻抗與內(nèi)皮及上皮的滲透性及基質(zhì)水合程度之間的相關(guān)性,由此測(cè)定角膜的功能特性。
背景技術(shù):
角膜是位于眼球前面的透明半球形結(jié)構(gòu),其允許光通過且保護(hù)虹膜及晶狀體。人類角膜為平均直徑為11. 5mm的凹面圓盤形狀,且其具有顯著的折射光學(xué)性質(zhì),提供眼球總 聚焦能力的大約70%。角膜由三層組成最外層為角膜上皮,其由具有較強(qiáng)再生能力的多層非角質(zhì)化上皮構(gòu)成;中間層為基質(zhì),其為三層中最厚的層;最內(nèi)層為單層內(nèi)皮,其由單層細(xì)胞組成。將基質(zhì)與其他兩個(gè)角膜層分隔開的兩個(gè)膜是不同的將基質(zhì)與內(nèi)皮分隔開的是后彈力膜(Descemet's membrane)將基質(zhì)與上皮分隔開的是前彈力膜(Bowman’s membrane)。上皮占角膜總厚度(在人類中約550微米)的10%,且由作為阻擋外部介質(zhì)的防護(hù)屏障的多層細(xì)胞組成。通過上皮層細(xì)胞的離子輸送可調(diào)節(jié)角膜功能。人類基質(zhì)由約200至250片相對(duì)于角膜表面上平行設(shè)置的膠原纖維形成?;|(zhì)主要負(fù)責(zé)角膜的生物機(jī)械性質(zhì)及其曲率和透明度。為維持其透明度,其不具有用于為角膜供給養(yǎng)分的毛細(xì)管,使得養(yǎng)分只能通過上皮及內(nèi)皮供應(yīng)。另一方面,基質(zhì)水合程度直接與角膜透明度相關(guān),從而保持在脫水的恒定狀態(tài)。內(nèi)皮包括形成為六角形嵌合體的單層立方形細(xì)胞構(gòu)成,且通過控制基質(zhì)水合而維持組織透明度。一方面,存在由內(nèi)皮細(xì)胞之間的接合(緊密接合)所控制的內(nèi)皮細(xì)胞之間的擴(kuò)散流動(dòng)。另一方面,內(nèi)皮細(xì)胞專門將水自基質(zhì)泵送至房水,從而形成通過流體泵的主動(dòng)流動(dòng),并確保角膜的內(nèi)穩(wěn)定。不同于上皮,角膜內(nèi)皮的特點(diǎn)是其無法進(jìn)行細(xì)胞更新。這就使得細(xì)胞群體隨著年齡而損失,且由于細(xì)胞必須覆蓋整個(gè)角膜后表面,引起其厚度減小,從而導(dǎo)致其控制基質(zhì)水合程度的能力隨之喪失。在營(yíng)養(yǎng)不良情況下及由于疾病、眼部手術(shù)或使用眼用藥物,老化可以增大的方式出現(xiàn)。圖I示出了構(gòu)成角膜的不同層,以及控制基質(zhì)水合程度的主要機(jī)制通過上皮的擴(kuò)散、通過內(nèi)皮的擴(kuò)散及泵送。盡管對(duì)于這些層的滲透性的研究受到極大臨床關(guān)注,但至今進(jìn)行的僅是基于體外測(cè)量的研究,通常移除組織并將其置于特定傳感器裝置中。也在動(dòng)物中進(jìn)行過一些采用體內(nèi)測(cè)量的研究,但使用高侵入式方法,其通常涉及為一步研究而損傷組織,無法在臨床上對(duì)患者這樣做。在臨床實(shí)踐中通常使用角膜厚度的測(cè)量(角膜測(cè)厚)作為角膜功能異常的間接測(cè)量法。對(duì)角膜不同層的被動(dòng)電學(xué)性質(zhì)的研究在體外研究中常用于評(píng)估這些層的滲透性。但用于這些研究的方法不適用于體內(nèi)測(cè)量。細(xì)胞及非細(xì)胞介質(zhì)對(duì)電流具有不同的特性。一般而言,組織由包埋于細(xì)胞外介質(zhì)中的細(xì)胞構(gòu)成。在小于IkHz的低頻率下,電流分布于細(xì)胞外介質(zhì)(主要為具有電阻特性的離子溶液)中,而在大于IOOkHz的較高頻率下,電流可通過細(xì)胞壁及細(xì)胞內(nèi)介質(zhì)(膜的特性為電容性且細(xì)胞內(nèi)介質(zhì)具有電阻性)。圖2以圖形呈現(xiàn)與頻率有關(guān)的特性差異?;谏锝M織的特性,角膜不同層的狀態(tài)可使用基于其被動(dòng)電學(xué)性質(zhì)的測(cè)量來分析,諸如在此為阻抗測(cè)量。
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明提供一種用于測(cè)定角膜的功能特性的用于測(cè)量阻抗的傳感器,以及包括該傳感器的裝置。因此,本發(fā)明的第一方面涉及一種用于測(cè)量阻抗的傳感器,其包括n個(gè)微電極,n介于4與30之間,該等微電極排列于基板上,微電極的尺寸及排列適合于同時(shí)接觸角膜,且其中微電極進(jìn)行選擇,以經(jīng)由2個(gè)外部微電極及2個(gè)內(nèi)部微電極以4組進(jìn)行測(cè)量。 本發(fā)明的第二方面涉及一種阻抗測(cè)量裝置,其包括如上文所述的傳感器以及通過電線物理連接于傳感器或通過遙測(cè)技術(shù)連接于傳感器的多頻阻抗測(cè)量設(shè)備。本發(fā)明的第三方面涉及上述傳感器或包括傳感器的裝置的用途,其用于測(cè)量阻抗以測(cè)定角膜的功能特性。術(shù)語(yǔ)“微電極”是指僅需要與角膜表面接觸以測(cè)量阻抗的微電極。另一方面,表述“適合于同時(shí)接觸角膜的尺寸及配置”意味著為了成功地測(cè)量阻抗,所用的所有微電極均必須與角膜電接觸,這暗示對(duì)微電極的尺寸及相對(duì)排列的限制。為進(jìn)行測(cè)量,本發(fā)明的傳感器被連接到阻抗測(cè)量設(shè)備。該裝置通過將電流注入需要通過微電極測(cè)量阻抗的介質(zhì)中、同時(shí)通過其他微電極獲得所產(chǎn)生的電位來起作用。由該數(shù)據(jù)計(jì)算組織的阻抗。已證明由細(xì)胞形成的內(nèi)皮及上皮層的滲透性增加通常是由于導(dǎo)致阻抗降低的細(xì)胞間隙增加或細(xì)胞數(shù)目減少引起的。內(nèi)皮及上皮層的滲透性增加相應(yīng)導(dǎo)致基質(zhì)水合增加,而基質(zhì)水合增加也由于離子濃度增加導(dǎo)致阻抗降低。阻抗測(cè)量設(shè)備包含用于將可變頻率電流注入角膜中的裝置及用于同時(shí)讀取所產(chǎn)生的電位的裝置,由此對(duì)于在IOHz至IMHz的范圍內(nèi)的多頻測(cè)量,獲得組織阻抗的數(shù)據(jù)。在不同頻率范圍內(nèi)采用合適的微電極進(jìn)行的測(cè)量將產(chǎn)生阻抗值,通過該阻抗值可獲得關(guān)于角膜不同層的功能狀態(tài)的結(jié)論。已觀察到在小于IkHz頻率的情況下,所測(cè)量的導(dǎo)電率主要取決于上皮層的導(dǎo)電率。由于其在低頻率下的低導(dǎo)電率,可通過的電流量幾乎為零,使得所記錄的電壓降視角膜上皮的導(dǎo)電率而定。在大于IkHz且小于IOOKHz的頻率范圍內(nèi),阻抗測(cè)量的分析更加復(fù)雜,因其涉及若干因素。細(xì)胞層(上皮及內(nèi)皮)的導(dǎo)電率比其余層大兩個(gè)數(shù)量級(jí),從而允許大量電流傳遞至非細(xì)胞層(基質(zhì)及房水)。另一方面,房水的導(dǎo)電率高于基質(zhì),以致電流將傾向于通過此層。可穿過內(nèi)皮且隨房水循環(huán)的電流量直接與內(nèi)皮的導(dǎo)電率以及其滲透性有關(guān)。因此,若經(jīng)由房水循環(huán)的電流增加,則所記錄的阻抗降低,其表明內(nèi)皮滲透性增加。在大于IOOkHz的頻率范圍內(nèi),電流可通過細(xì)胞,以致阻抗測(cè)量取決于基質(zhì)及房水的導(dǎo)電率,因?yàn)樗鼈兪禽^大的層。房水的導(dǎo)電率可視為常數(shù),使得所測(cè)量的阻抗變化與基質(zhì)導(dǎo)電率的變化有關(guān),而這又與其水合程度有關(guān)。在本發(fā)明的一個(gè)特定實(shí)施方式中,微電極以平面方式排列于基板上。在本發(fā)明的另一特定實(shí)施方式中,傳感器包括10個(gè)微電極。導(dǎo)電微電極可由金屬或非金屬材料、優(yōu)選生物兼容性材料制成。在本發(fā)明的一個(gè)特定實(shí)施方式中,微電極由選自金、鉬、鎳、鋁、鈦、氮化鈦、鉻及其可能合金的金屬材料制成。在本發(fā)明的另一特定實(shí)施方式中,微電極由選自碳納米管、石墨烯及導(dǎo)電聚合物的非金屬材料制成。這些微電極可通過改良其性能的方法來改進(jìn)。因此,舉例而言,可沉積碳納米管或電鍍鉬黑或金以改良與組織及水凝膠的接觸,諸如可沉積聚羥甲基甲基丙烯酸酯(PHEMA), 以使上述方法穩(wěn)定。在本發(fā)明的另一特定實(shí)施方式中,所述微電極具有細(xì)長(zhǎng)形狀且根據(jù)其最長(zhǎng)側(cè)平行排列,該微電極進(jìn)行配置以注射電流或測(cè)量電位。另一方面,上面排列有微電極的基板由生物兼容性材料制造,且可為剛性或柔性的,優(yōu)選為透明的,從而允許進(jìn)行測(cè)量的人觀察微電極是否與角膜表面接觸。同樣,剛性基板可是大致平坦的或具有一定角度的曲率,允許其匹配角膜表面。在剛性基板情況下,材料選自硅、碳化硅、玻璃及PCB(印刷電路板,RF4)。在柔性基板情況下,材料選自聚合物,諸如SU8、聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)、聚二甲基硅氧烷(PDMS)、聚酰亞胺、聚萘二甲酸乙二酯(PEN)、聚對(duì)苯二甲酸乙二酯(PET)、聚苯乙烯、環(huán)烯烴聚合物(COP)及聚碳酸酯。在本發(fā)明的一個(gè)特定實(shí)施方式中,基板為剛性的,微電極的長(zhǎng)度為2mm且寬度為
0.3mmo在本發(fā)明的另一特定實(shí)施方式中,基板為柔性的,且微電極的長(zhǎng)度為Imm且寬度為0. 3臟。圖3A示出了界定傳感器、基板及微電極的不同層的圖。傳感器可以以不同方式實(shí)施以進(jìn)行阻抗測(cè)量。設(shè)想制造透鏡形狀的傳感器、使傳感器適應(yīng)載體或可容納分離角膜的容器的可能性。亦已證明所測(cè)量的阻抗值取決于所用微電極的幾何形狀。同樣,角膜每一層的電學(xué)性質(zhì)對(duì)總測(cè)量阻抗的貢獻(xiàn)不同。可以說越接近微電極的層具有越高的靈敏度,使得其電學(xué)性質(zhì)的變化將引起總阻抗的較大變化。因此,所進(jìn)行測(cè)量的深度取決于微電極之間的相對(duì)距離。本發(fā)明的傳感器具有以下優(yōu)點(diǎn)可使用上述相同傳感器經(jīng)由適宜地組合存在于傳感器中的若干微電極中的四個(gè)微電極來測(cè)定角膜在不同頻率下的阻抗測(cè)量,以確定阻抗與內(nèi)皮及上皮的滲透性及基質(zhì)水合程度之間的相關(guān)性,這是因?yàn)槠湓试S調(diào)節(jié)其間的相對(duì)距離的大小。因此,圖3B示出了如何使用不同微電極測(cè)定角膜不同層的滲透性。微電極的設(shè)計(jì)及使用符合特定參數(shù)。以下列出了定義微電極的幾何形狀的參數(shù)的最大值及最小值,并提供最佳值,從而傳感器可檢測(cè)角膜三個(gè)主要層的變化。圖4概述了由十個(gè)微電極構(gòu)成的傳感器的這些參數(shù)的。在此情況下,微電極具有相等長(zhǎng)度及寬度,且以2個(gè)外部微電極(I +、1 -)及2個(gè)內(nèi)部微電極(V +、V -)形式平行排列,微電極以外部(V +、V -)及2個(gè)內(nèi)部微電極(I +、I -)形式排列亦為可行的。參見圖5。參數(shù)如下
We為每一電極的寬度且介于0. 03mm與Imm之間,優(yōu)選為0. 3mm,
Le為電極長(zhǎng)度,且介于0. 03mm與Ilmm之間,優(yōu)選為Imm或2mm,
Ws為選擇用于進(jìn)行測(cè)量的電極總成的寬度或外部微電極的中心線之間的距離,且介于
0.2mm與Ilmm之間。此參數(shù)的優(yōu)選值取決于需要獲得有關(guān)信息的層,在內(nèi)皮層情況下優(yōu)選為5mm,在上皮情況下為Imm且在基質(zhì)情況下為I. 8mm。Nre為微電極間隙的比率,其中Nre=Sei/Se,其中Sei為內(nèi)部微電極的中心線之間 的距離,且Se為內(nèi)部電極與最接近的外部電極的中心線之間的距離,且介于20與0. I之間,優(yōu)選為3。另一方面,已證實(shí)通過改變傳感器的寬度Ws,傳感器對(duì)特定層的靈敏度改變,因?yàn)榇藚?shù)決定測(cè)量深度。通過改變傳感器的寬度,上文所述的頻率范圍略有改變,從而通過減小傳感器的寬度來移動(dòng)至較高頻率。對(duì)于寬度Ws>3mm的傳感器,可檢測(cè)到角膜三個(gè)層的變化。對(duì)于寬度為I. 5mm〈Ws〈3mm的傳感器,可檢測(cè)到基質(zhì)及上皮的變化,其為檢測(cè)基質(zhì)導(dǎo)電率的變化的最佳范圍。對(duì)于寬度Ws〈l. 5mm的傳感器,僅可檢測(cè)到上皮層的變化。如上文所述,角膜每一層的功能狀態(tài)與角膜的阻抗測(cè)量有關(guān),該阻抗測(cè)量取決于所選電極總成的寬度(Ws)及進(jìn)行測(cè)量的頻率。因此,下表概括對(duì)于角膜每一層的情況而言的這兩個(gè)參數(shù)的值。
_上皮_內(nèi)皮_基質(zhì)_
Ws ffs<l. Sttitti ffs>3mmI. 5mm<ffs<3mm
涵率|頻率〈1kHz |lkHz〈頻率〈100kHz |頻率 >100kHz
圖I示意性示出形成角膜的不同層(眼淚、細(xì)胞上皮、非細(xì)胞基質(zhì)、細(xì)胞內(nèi)皮及房水)及控制基質(zhì)水合程度的主要機(jī)制。實(shí)線表示房水通過內(nèi)皮擴(kuò)散至基質(zhì)的流動(dòng),虛線表示自基質(zhì)穿過內(nèi)皮泵送至房水的流動(dòng),半虛線表示眼淚通過上皮擴(kuò)散至基質(zhì)的流動(dòng);
圖2示意性示出當(dāng)通過各細(xì)胞層時(shí)不同頻率下的電流特性。虛線表示小于IkHz的低頻率,且觀察到電流分布于細(xì)胞外介質(zhì)中。實(shí)線表示大于IOOkHz的高頻率,且觀察到電流流過細(xì)胞壁及細(xì)胞內(nèi)介質(zhì);
圖3A示出界定傳感器、基板及微電極的不同層的圖。圖3B說明通過合適地組合存在于傳感器中的若干微電極,利用同一傳感器將電流滲透至角膜的不同層;
圖4展示具有10個(gè)微電極的傳感器的實(shí)施例,其中傳感器的幾何形狀的不同參數(shù)定義如下We,微電極的寬度;Le :微電極的長(zhǎng)度;Ws,用于進(jìn)行測(cè)量的所選微電極總成的寬度;Se,內(nèi)部微電極與最接近的外部微電極的中心線之間的距離;Sei,內(nèi)部微電極的中心線之間的距離;
圖5示出了用于四點(diǎn)阻抗測(cè)量的由四個(gè)安置于基板上的微電極組成的傳感器的實(shí)施例,具體為兩個(gè)外部微電極(I +> I -)及兩個(gè)內(nèi)部微電極(V +、V _)。
具體實(shí)施例方式下面參考附圖描述本發(fā)明的裝置的一個(gè)優(yōu)選實(shí)施方式。在此實(shí)施例中,使用的傳感器具有由沉積于玻璃基板上的金制成的10個(gè)微電極。為防止軌道與角膜電接觸,其由SiO2-Si3N4絕緣層(300nm+700nm)覆蓋。使用微技術(shù)方法中的光刻法標(biāo)準(zhǔn)來制造微電極及絕緣層的形狀。通過對(duì)兔子的實(shí)驗(yàn)性測(cè)試來驗(yàn)證角膜的阻抗測(cè)量與角膜不同層的功能之間的相關(guān)性。因此,通過投入稀釋至0.05體積%的氯芐烷銨(BAC)來誘導(dǎo)角膜的功能改變。該化合物破壞細(xì)胞之間的接合,從而使得角膜層的滲透性增加。為檢測(cè)上皮層的改變,選擇Ws為Imm且Nre為3的微電極配置。阻抗設(shè)備在外部微電極之間在IOOHz下注射IOy A電流且記錄內(nèi)部微電極的電位降,從而獲得角膜的阻抗測(cè)量。在IOOHz下獲得的測(cè)量結(jié)果在健康角膜情況下為10KQ±2KQ,在具有改變的上皮層的角膜情況下為4KQ±1KQ。重復(fù)相同方法,為檢測(cè)內(nèi)皮層的改變,選擇Ws為5mm且Nre 為3的微電極配置,從而對(duì)于健康角膜在IOkHz下獲得2KQ±0. 5KQ的測(cè)量結(jié)果,對(duì)于具有改變的內(nèi)皮層的角膜獲得200Q±100Q的測(cè)量結(jié)果。按照相同實(shí)驗(yàn)方法,測(cè)量由角膜內(nèi)皮滲透性增加引起的基質(zhì)水合增加。為此,選擇Ws為I. 8mm且Nre為3的微電極配置,從而對(duì)于健康角膜在IMHz下得到250Q±20Q的測(cè)量結(jié)果,對(duì)于具有改變的基質(zhì)層的角膜得到80Q±20Q的測(cè)量結(jié)果。
權(quán)利要求
1.一種用于測(cè)量阻抗的傳感器,其包括η個(gè)排列于基板上的微電極,其中η介于4與30之間,該微電極的尺寸及排列適合于同時(shí)接觸角膜,且其中該微電極經(jīng)選擇經(jīng)由2個(gè)外部微電極及2個(gè)內(nèi)部微電極以4個(gè)微電極的組進(jìn)行測(cè)量。
2.如權(quán)利要求I所述的用于測(cè)量阻抗的傳感器,其中所述微電極以平面方式排列于基板上。
3.如權(quán)利要求I至2中任一項(xiàng)所述的用于測(cè)量阻抗的傳感器,其中傳感器包括10個(gè)微電極。
4.如權(quán)利要求I至3中任一項(xiàng)所述的用于測(cè)量阻抗的傳感器,其中所述微電極是由選自金、鉬、鎳、鋁、鈦、氮化鈦、鉻及其合金的金屬材料制成的。
5.如權(quán)利要求I至3中任一項(xiàng)所述的用于測(cè)量阻抗的傳感器,其中所述微電極是由選 自碳納米管、石墨烯及導(dǎo)電聚合物的非金屬材料制成的。
6.如權(quán)利要求I至5中任一項(xiàng)所述的用于測(cè)量阻抗的傳感器,其中所述微電極具有細(xì)長(zhǎng)形狀且是根據(jù)其最長(zhǎng)側(cè)平行排列。
7.如權(quán)利要求I至6中任一項(xiàng)所述的用于測(cè)量阻抗的傳感器,其中每一電極的寬度We介于O. 03mm與1_之間。
8.如權(quán)利要求7所述的用于測(cè)量阻抗的傳感器,其中每一電極的寬度We為O.3 mm。
9.如權(quán)利要求I至8中任一項(xiàng)所述的用于測(cè)量阻抗的傳感器,其中電極的長(zhǎng)度Le介于0.03mm 與 11mm 之間。
10.如權(quán)利要求9所述的用于測(cè)量阻抗的傳感器,其中電極長(zhǎng)度Le為Imm或2mm。
11.如權(quán)利要求I至10中任一項(xiàng)所述的用于測(cè)量阻抗的傳感器,其中經(jīng)選擇用于進(jìn)行測(cè)量的電極總成的寬度或外部微電極的中心線之間的距離Ws介于O. 2mm與Ilmm之間。
12.如權(quán)利要求11所述的用于測(cè)量阻抗的傳感器,其中經(jīng)選擇用于進(jìn)行測(cè)量的電極總成的寬度或外部微電極的中心線之間的距離Ws在上皮情況下為1mm,在基質(zhì)情況下為1.8mm,且在內(nèi)皮層情況下為5mm。
13.如權(quán)利要求I至12中任一項(xiàng)所述的用于測(cè)量阻抗的傳感器,其中微電極間隙的比率Nre=Sei/Se,Nre介于O. I與20之間,其中Sei為內(nèi)部微電極的中心線之間的距離且Se為內(nèi)部電極與最接近的外部電極的中心線之間的距離。
14.如權(quán)利要求13所述的用于測(cè)量阻抗的傳感器,其中微電極間隙的比率Nre為3。
15.如權(quán)利要求I至14中任一項(xiàng)所述的用于測(cè)量阻抗的傳感器,其中其上排列有微電極的基板是由選自硅、碳化硅、玻璃及PCB(印刷電路板,RF4)的剛性材料制成的。
16.如權(quán)利要求15所述的用于測(cè)量阻抗的傳感器,其中該微電極的長(zhǎng)度為2mm且寬度為O. 3臟。
17.如權(quán)利要求I至14中任一項(xiàng)所述的用于測(cè)量阻抗的傳感器,其中其上排列有微電極的基板是由選自SU8、聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)、聚二甲基硅氧烷(PDMS)、聚酰亞胺、聚萘二甲酸乙二酯(PEN)、聚對(duì)苯二甲酸乙二酯(PET)、聚苯乙烯、環(huán)烯烴聚合物(COP)及聚碳酸酯的柔材料制成的。
18.如權(quán)利要求17所述的用于測(cè)量阻抗的傳感器,其中該微電極的長(zhǎng)度為Imm且寬度為O. 3臟。
19.如權(quán)利要求15至18中任一項(xiàng)所述的用于測(cè)量阻抗的傳感器,其中基板為透明的。
20.如權(quán)利要求I至19中任一項(xiàng)所述的用于測(cè)量阻抗的傳感器,其中傳感器是以透鏡形狀制造的,適于載體或適于可容納分離的角膜的容器。
21.一種用于測(cè)量阻抗的裝置,其包括如權(quán)利要求I至20中任一項(xiàng)所述的傳感器及多頻阻抗測(cè)量設(shè)備。
22.如權(quán)利要求21所述的用于測(cè)量阻抗的裝置,其中傳感器及多頻阻抗測(cè)量設(shè)備是通過電線連接。
23.如權(quán)利要求21所述的用于測(cè)量阻抗的裝置,其中傳感器及多頻阻抗測(cè)量設(shè)備是通過遙測(cè)技術(shù)連接。
24.—種如權(quán)利要求I至20中任一項(xiàng)所述的傳感器或如權(quán)利要求21至23中任一項(xiàng)所述的包括所述傳感器的裝置的用途,其用于測(cè)量阻抗以測(cè)定角膜的功能特性。
25.如權(quán)利要求24所述的傳感器的用途,其用于測(cè)定上皮的功能特性,其中所選電極總成的寬度Ws小于I. 5mm且進(jìn)行測(cè)量的頻率小于IkHz。
26.如權(quán)利要求24所述的傳感器的用途,其用于測(cè)定內(nèi)皮的功能特性,其中所選電極總成的寬度Ws大于3mm且進(jìn)行測(cè)量的頻率介于IkHz與IOOkHz之間。
27.如權(quán)利要求24所述的傳感器的用途,其用于測(cè)定基質(zhì)的功能特性,其中所選電極總成的寬度Ws介于I. 5mm與3mm之間且進(jìn)行測(cè)量的頻率大于IOOkHz。
全文摘要
本發(fā)明提供一種傳感器及包含該傳感器的裝置,其用于以非侵入的方式獲得有用數(shù)據(jù),由此測(cè)定角膜的功能特性,特別地,用于確定不同頻率下的阻抗與內(nèi)皮及上皮的滲透性及基質(zhì)水合程度之間的相關(guān)性。
文檔編號(hào)A61B5/053GK102762145SQ201180009959
公開日2012年10月31日 申請(qǐng)日期2011年2月28日 優(yōu)先權(quán)日2010年3月2日
發(fā)明者安東·吉梅拉·布魯內(nèi)特, 杰瑪·加夫列爾·布格納爾, 米格爾·何塞·馬爾多納多·洛佩斯, 羅薩·比利亞·桑斯 申請(qǐng)人:巴利亞多利德大學(xué), 高等科學(xué)研究委員會(huì)