專利名稱：埋入物用材料及其制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種埋入物用材料及其制造方法。特別涉及一種人造牙根和人造牙等需要與骨細(xì)胞之間具有親和性的牙科用材料及其制造方法。
背景技術(shù)：
現(xiàn)在，鈦和鈦合金由于其生物適合性(biocompatibility)、耐腐蝕性以及機(jī)械強(qiáng)度優(yōu)良，而正被作為人造牙根等埋入生物體內(nèi)的埋入物基材使用。但是，已廣為人知在將由鈦和鈦合金制成的人造牙根直接固定在頌骨上的情況下，有可能出現(xiàn)頌骨的骨組織再生的代謝平衡被破壞，人造牙根的松動(dòng)和頌骨破壞這樣的不良現(xiàn)象。這樣的人造牙根埋入失敗的原因有在人造牙根的周圍誘發(fā)了破骨細(xì)胞因此而產(chǎn)生了骨破壞的埋入物周圍炎癥。埋入周圍炎癥有時(shí)候是由于細(xì)菌感染等微生物刺激和過度的咬合力等機(jī)械性刺激造成的，但人造牙根本身造成的破骨細(xì)胞的活性化也會(huì)引起埋入周圍炎癥。人造牙根造成的破骨細(xì)胞的活性化在埋入埋入物的初期也會(huì)發(fā)生。初期埋入時(shí)出現(xiàn)的破骨細(xì)胞妨礙了埋入物與骨的結(jié)合而成為導(dǎo)致埋入失敗的原因。一般認(rèn)為這樣的破骨細(xì)胞的活性化是由于鈦和鈦合金與骨細(xì)胞之間不具有充分的親和性所致。在與骨細(xì)胞的親和性不充分的材料的表面，從破骨前驅(qū)細(xì)胞向破骨細(xì)胞的分化得到促進(jìn)，由此而產(chǎn)生了骨破壞。鈦和鈦合金是與骨細(xì)胞的親和性較高的材料已為眾人所知。但是，還不能夠說親和性很充分，人造牙根的埋入根據(jù)埋入對(duì)象的頌骨的狀態(tài)和口腔內(nèi)的狀態(tài)等會(huì)出現(xiàn)失敗的情況。作為提高人造牙根等的埋入物用材料與骨細(xì)胞的親和性的方法，曾嘗試過用類金剛石薄膜(DLC膜)進(jìn)行覆蓋(參照例如專利文獻(xiàn)1)這一方法。DLC膜以碳為主要成分，表面平滑且是非活性，所以與生物的適合性優(yōu)良。因此一般認(rèn)為DLC膜與骨細(xì)胞的親和性也很優(yōu)良。專利文獻(xiàn)1 日本公開特許公報(bào)特開2002-204825號(hào)公報(bào)非專利文獻(xiàn)1 :Muhbalt L.其他、〃 IntJ Oral Maxillofac Implants"、1989年、 4 卷、ρ· 125 130.

發(fā)明內(nèi)容
-發(fā)明要解決的技術(shù)問題-但是，被DLC膜覆蓋的人造牙根等存在以下問題。首先，因?yàn)镈LC膜硬且高剛度材料，所以與基材的密著性不夠充分，而具有會(huì)從基材剝離或者即使不剝離也會(huì)產(chǎn)生龜裂的問題。為提高DLC膜和基材的密著性，也嘗試過形成中間層之方法。但是，據(jù)說施加給人造牙根的載荷會(huì)高達(dá)300N(參照例如非參考文獻(xiàn)1)。在被施加了這樣大的載荷的人造牙根中，僅形成中間層，既無法防止DLC膜剝離，也無法防止產(chǎn)生龜裂。在DLC膜已剝離的情況下酸等當(dāng)然會(huì)侵入DLC膜的內(nèi)側(cè)，在只產(chǎn)生了細(xì)微的龜裂的情況下，酸等也會(huì)在口腔內(nèi)的環(huán)境下侵入DLC膜的內(nèi)側(cè)。這樣便會(huì)產(chǎn)生基材的腐蝕，還會(huì)促進(jìn)DLC膜的剝離，耐久性因此而大大降低。因此，在實(shí)現(xiàn)被DLC膜覆蓋的人造牙根時(shí)防止
龜裂則是非常重要的一件事。有關(guān)DLC膜的抗血栓性、細(xì)胞的附著性以及細(xì)胞毒性等已有研究結(jié)果問世，但是 DLC膜對(duì)從破骨前驅(qū)細(xì)胞向破骨細(xì)胞的分化會(huì)帶來什么影響則尚無這方面的研究成果。在人造牙根以外的人造牙和齒冠修復(fù)物等其他埋入用材料、人造骨和人造關(guān)節(jié)等被施加了大載荷且要求與骨細(xì)胞具有高親和性的其他埋入用材料中，以上問題也會(huì)發(fā)生。本發(fā)明的目的在于解決上述問題，實(shí)現(xiàn)抑制從破骨前驅(qū)細(xì)胞向破骨細(xì)胞分化且在施加了大載荷的情況下也難以產(chǎn)生惡化的埋入物用材料。-用以解決技術(shù)問題的技術(shù)方案-為達(dá)成上述目的，本發(fā)明使埋入物用材料為一種包括覆蓋基材表面的含碳化硅成分的碳質(zhì)薄膜的結(jié)構(gòu)。具體而言，本發(fā)明的埋入物用材料包括基材和形成在基材表面且含有硅的碳質(zhì)薄膜。碳質(zhì)薄膜含有碳彼此鍵合的C-C成分和碳與硅鍵合的SiC成分，SiC成分的比率在0. 06 以上。本發(fā)明的埋入物用材料包括形成在基材表面的碳質(zhì)薄膜。因此，能夠抑制從破骨前驅(qū)細(xì)胞向破骨細(xì)胞分化，獲得優(yōu)良的骨親和性。因?yàn)樘假|(zhì)薄膜含有SiC成分，所以彈性模量比一般的碳質(zhì)薄膜小。結(jié)果是，該碳質(zhì)薄膜難以從基材表面剝離，也難以產(chǎn)生龜裂。最終結(jié)果是，在施加了咬合力等造成的過大應(yīng)力的情況下，也能夠?qū)崿F(xiàn)難以惡化的埋入物用材料。在本發(fā)明的埋入物用材料中，優(yōu)選SiC成分的比率在0.5以下。在發(fā)明的埋入物用材料中，優(yōu)選基材是金屬?；囊部梢允侨嗽煅栏⑷嗽煅阑蛘啐X冠修復(fù)物。本發(fā)明所涉及埋入物用材料的制造方法包括以下工序。準(zhǔn)備埋入物用基材的工序 a ；將載放有所述基材的空腔內(nèi)的水分除去的工序b ；以及在所述工序a之后，將成為碳源和硅源的原料氣體引入空腔內(nèi)，從而將含有碳原子彼此鍵合而成的C-C成分和碳原子與硅原子鍵合而成的SiC成分的碳質(zhì)薄膜離子蒸鍍?cè)诨谋砻娴墓ば駽。本發(fā)明的碳質(zhì)薄膜的制造方法包括除去空腔內(nèi)的水分的工序。因此，在使硅的引入量較多的情況下，也能夠形成氧化硅成分較少的碳質(zhì)薄膜。結(jié)果是，能夠?qū)崿F(xiàn)與骨細(xì)胞的親和性優(yōu)良且難以從基材表面剝離或者難以產(chǎn)生龜裂的埋入物用材料。-發(fā)明的效果-根據(jù)本發(fā)明的碳質(zhì)薄膜及其制造方法，能夠?qū)崿F(xiàn)抑制從破骨前驅(qū)細(xì)胞向破骨細(xì)胞分化且在施加了大載荷的情況下也難以產(chǎn)生惡化的埋入物用材料。


圖1中(a) (d)分別是表示Cls的能譜的能譜圖，該Cls的能譜是用X射線光電子能譜分析法(XPQ對(duì)由本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例獲得的試料進(jìn)行分析所得結(jié)果。圖2是曲線圖，表示從本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例獲得的試料中的SiC成分的比率和楊氏模量之間的關(guān)系。
圖3中(a)和(b)分別是電子顯微鏡照片，示出由本發(fā)明的一實(shí)施例獲得的試料的彎曲試驗(yàn)的結(jié)果。圖4中(a)和(b)是曲線圖，示出對(duì)由本發(fā)明的一實(shí)施例獲得的試料的骨適合性做出的評(píng)價(jià)結(jié)果。(a)是對(duì)TRAP表達(dá)的評(píng)價(jià)結(jié)果，(b)是組織蛋白酶K的表達(dá)的評(píng)價(jià)結(jié)果。
具體實(shí)施例方式本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施方式所涉及的埋入物材料是人造牙根。本實(shí)施方式中的人造牙根包括由鈦等形成的基材和覆蓋基材表面的碳質(zhì)薄膜。碳質(zhì)薄膜以類金剛石薄膜(DLC膜) 為代表，類金剛石薄膜(DLC膜)即為由成SP2鍵的碳和成SP3鍵的碳形成的非晶質(zhì)薄膜。 類金剛石薄膜一般除了碳以外還含氫(H)和氧(0)等。在形成類金剛石薄膜之際，通過添加硅(Si)和氟(F)等，則能夠形成以各種比例含有這些元素的碳質(zhì)薄膜。對(duì)覆蓋人造牙根的表面的碳質(zhì)薄膜所應(yīng)具有的特性進(jìn)行了研究分析，下面對(duì)該研究分析的結(jié)果做一個(gè)總結(jié)。一般說來，施加在人造牙根上的載荷高達(dá)300N。在螺釘直徑為2. 7mm、螺釘?shù)挠行莺祥L度為5mm的普通形狀的人造牙根承受300N的載荷的情況下，螺釘?shù)穆菁y部所承受的載荷大約為7. lN/mm2。因?yàn)榧冣伒臈钍夏Ａ繛?06GPa，所以在人造牙根的螺釘部產(chǎn)生的應(yīng)變率為6. 6X10-3%。因此，需要覆蓋人造牙根表面的材料，在接受大于此的應(yīng)變的情況下不產(chǎn)生龜裂。為確保與骨細(xì)胞的親和性，需要埋入物用材料抑制從破骨前驅(qū)細(xì)胞向破骨細(xì)胞分化。而且，在口腔內(nèi)的環(huán)境下需要埋入物用材料難以腐蝕。本申請(qǐng)發(fā)明人發(fā)現(xiàn)添加了 Si的碳質(zhì)薄膜作為滿足以上條件的材料非常優(yōu)秀。通過在形成碳質(zhì)薄膜之際添加Si，碳質(zhì)薄膜便會(huì)形成為除含有通常的碳彼此鍵合的碳一碳 (C-C)鍵以外，還含有碳和Si鍵合的碳化硅(SiC)成分的碳質(zhì)薄膜。碳質(zhì)薄膜的楊氏模量隨著SiC成分含量而發(fā)生大的變化。因此能夠?qū)崿F(xiàn)難以產(chǎn)生龜裂的碳質(zhì)薄膜。另一方面，在添加了 Si的情況下，氧化硅(SiO2)成分就會(huì)被引入碳質(zhì)薄膜中。若 SiO2成分增加，碳質(zhì)薄膜的耐蝕性就會(huì)下降。因此，為使防止龜裂發(fā)生和耐蝕性兩立，需要邊將SiC成分引入碳質(zhì)薄膜，邊防止生成SiO2成分。碳質(zhì)薄膜中的SiA成分是由于在形成碳質(zhì)薄膜之際Si和從周圍環(huán)境供來的氧起反應(yīng)而生成的。氧的最大供給源是水分。因此，通過在基材的表面形成在除去了水分的條件下添加了 Si而形成的碳質(zhì)薄膜，則能夠?qū)崿F(xiàn)與骨細(xì)胞的親和性高且耐久性優(yōu)良的人造牙根等埋入物材料。具體而言，優(yōu)選含Si且SiO2成分在0. 05以下的碳質(zhì)薄膜。以下用實(shí)施例對(duì)埋入物用材料進(jìn)一步做具體說明。(一實(shí)施例)-對(duì)物理特性的研究分析-首先，在基材表面形成各種碳質(zhì)薄膜，然后對(duì)其組成和楊氏模量等物理特性之間的關(guān)系進(jìn)行了研究分析。在研究分析物理特性時(shí)，使用直徑0. 5mm的不銹鋼(日本工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)JIS SUS316) 細(xì)金屬線作基材。首先，將基材投入離子化蒸鍍裝置的空腔內(nèi)，進(jìn)行30分的撞擊清洗。按照下述步驟進(jìn)行撞擊清洗。即，將氬氣(Ar)引入空腔內(nèi)，使得空腔內(nèi)的壓力成為10-1 10_3Pa (ICT3Torr I(T5Torr)以后，進(jìn)行放電產(chǎn)生Ar離子，讓已產(chǎn)生的Ar離子撞擊基材表面。接下來，一邊將苯和四甲基硅烷(Si(CH3)4)引入空腔內(nèi)，一邊進(jìn)行5分 10分的放電，即形成以硅(Si)和碳(C)為主要成分且膜厚IOOnm的非晶質(zhì)DLC膜即碳質(zhì)薄膜。改變四甲基硅烷的引入量而形成了 Si含量不同的碳質(zhì)薄膜。在形成碳質(zhì)薄膜以前，將空腔升溫到80°C并進(jìn)行了 2小時(shí)的烘烤。這樣便除去了殘留在爐內(nèi)的水分，從而使在形成碳質(zhì)薄膜的過程中由于Si被氧化而生成的SiO2減少。能夠想到的作為減少碳質(zhì)薄膜表面上的SiO2成分的方法還有在表面上疊層改變了組成而不含Si的碳質(zhì)薄膜這一方法。但是，在該情況下，形成碳質(zhì)薄膜會(huì)復(fù)雜起來。而且還會(huì)有碳質(zhì)薄膜彼此從兩者的界面剝離的時(shí)候。用X射線光電子能譜分析法(XPS法)對(duì)碳質(zhì)薄膜的組成進(jìn)行了測量。測量時(shí)使用了日本電子株式會(huì)社生產(chǎn)的XPS裝置JPS9010。X射線源使用的是AlK α射線(I486. 3eV), 在加速電壓為12. 5kV，發(fā)射極電流為15mA，真空度為8X 10_7Pa的條件下進(jìn)行了測量。測量范圍是任意選擇的直徑5mm的區(qū)域，將檢測器相對(duì)于鉛直方向傾斜75度，獲得了深度5nm 左右之位置的信息。利用Shirley法除去了所得到的能譜的背景。在試料的測量過程中，0. 2eV的電荷變化量對(duì)解析精度有影響。因此，將金的納米粒子滴到試料表面的一部分上并使其干燥，首先，求出從金的結(jié)合能(Au4f7/2)的偏移量，然后對(duì)電荷進(jìn)行補(bǔ)正。通過曲線擬合對(duì)Cls的能譜進(jìn)行分割，即可獲得試料中SiC成分在所有碳中所占的比率[SiC]/[C]。首先，將Cls的能譜分割為SP3碳-碳鍵(SP3 :C_C)、石墨碳-碳鍵(SP2 C-C)、SP3碳-氫鍵(SP3 =C-H)以及SP2碳-氫鍵(SP2 =C-H)四個(gè)成分。各成分的峰的中心值分別為 283. 7eV 283. 8eV、284. 2eV 284. 3eV、284. 7eV 284. 8eV 以及 285. 3eV 285. 4eV。進(jìn)一步將殘留在低能量一側(cè)的峰作為碳-硅鍵合(SiC)成分進(jìn)行了分割；將殘留在高能量一側(cè)的峰作為碳_氧鍵合(C-Ox)成分進(jìn)行了分割。SiC成分的峰的中心值為 283. IeV 283. 2eV。將從Cls的能譜得到的所有碳的積分強(qiáng)度與SiC成分的積分強(qiáng)度之比定為SiC成分的比率[SiC]/[C]。試料表面上的SiO2成分的比率是讓光電子的檢測器與試料面傾斜75°而成為表面敏感的條件下測量得到的。利用相對(duì)靈敏度系數(shù)從所得Cls和Si2p能譜計(jì)算出了 Si和 C的濃度比([Si]/([Si] + [C]))。對(duì)Si2p能譜進(jìn)行曲線擬合而求出了 SiO2成分的積分強(qiáng)度。用Si和C的濃度比乘以從Si2p能譜得到的所有Si的積分強(qiáng)度和SiO2成分的積分強(qiáng)度之比，以此作為SiO2成分的比率[Si02]/([Si] + [C])。 圖1 (a) (d)示出用XPS法測量獲得的所獲試料的Cls峰及其曲線擬合結(jié)果。圖 1(a) (d)所示出的試料的利用俄歇電子能譜分析求得的Si含量分別為0%、3%、19%以及27%。俄歇電子能譜分析是利用PHISICAL ELECTRONICS公司生產(chǎn)的PHI-660型掃描型俄歇電子能譜裝置進(jìn)行的。在電子槍的加速電壓為10kV、試料電流為500nA的條件下進(jìn)行了測量。將Ar離子槍的加速電壓設(shè)定為2kV，將濺射速率設(shè)定為8. 2nm/min0如圖1(a) (d)所示，隨著Si含量增加，SiC的峰的比例逐漸增大。從曲線擬合求出的 SiC 成分的比率[SiC]/[C]分別為 0、0. 004、0. 064 以及 0· 13。[Si02]/([Si] + [C]) 的值都在0.015以下。
接下來，對(duì)所獲試料的楊氏模量進(jìn)行了測量。楊氏模量的測量是利用納米壓痕法進(jìn)行的。在該納米壓痕法中使用了安裝有Hysitron公司生產(chǎn)的高靈敏度(0. 0004nm、3nN) 傳感器的90度三角錐金剛石刻痕器。測量壓痕狀態(tài)時(shí)，使用的是通過用微小探針掃描試料表面而能夠以高倍率觀察三維形狀的顯微鏡即株式會(huì)社島津制 作所生產(chǎn)的掃描型探針顯微鏡(SPM :Scanning Probe Microscope)。納米壓痕法的測量條件是，一邊以100 μ N的精度控制金剛石刻痕器，一邊將該金剛石刻痕器壓入試料，求出載荷_位移曲線并進(jìn)行分析， 從而對(duì)彈性模量進(jìn)行了定量。將刻痕器的壓入時(shí)間設(shè)定為5秒，將拔出時(shí)間也設(shè)定為5秒， 這樣進(jìn)行了測量。圖2示出所獲試料中SiC成分的比率[SiC]/[C]與楊氏模量之間的關(guān)系。隨著 [SiC]/[C]增大，楊氏模量急劇下降。在[SiC]/[C]在0.06左右時(shí)，楊氏模量大致保持一定。接下來，對(duì)應(yīng)變所引起的龜裂的產(chǎn)生做了評(píng)價(jià)。將所獲試料彎曲成半徑50mm以后，用電子顯微鏡(日立TM-1000)的反射電子像觀察彎曲部位，由此做出了評(píng)價(jià)。圖3(a)示出對(duì)[SiC]/[C]為0. 13的試料的龜裂進(jìn)行測量所得結(jié)果，沒有觀察到碳質(zhì)薄膜剝離和龜裂。另一方面，圖3(b)示出對(duì)[SiC]/[C]為0的試料的龜裂進(jìn)行測量所得結(jié)果，由該圖得知在碳質(zhì)薄膜上產(chǎn)生了微小龜裂，出現(xiàn)了膜剝離現(xiàn)象。如上所述，在人造牙根產(chǎn)生的應(yīng)變率為6. 6 X 10_3%。另一方面，將直徑0. 5mm的金屬線彎曲成半徑50mm時(shí)外周側(cè)的應(yīng)變率為0.25%。因此，很明顯，即使[SiC]/[C]為0. 13 的碳質(zhì)薄膜受到的應(yīng)變?cè)谌嗽煅栏穆菁y所受到的應(yīng)變以上，該碳質(zhì)薄膜也具有充分的耐龜裂性和耐剝離性。當(dāng)[SiC]/[C]在0.06以上時(shí)，碳質(zhì)薄膜的楊氏模量基本保持一定。因此，為了防止覆蓋人造牙根的表面的碳質(zhì)薄膜出現(xiàn)龜裂，優(yōu)選使[SiC]/[C]在0. 06以上，更優(yōu)選使[SiC]/[C]在0. 1以上。但是，[SiC]/[C]增大時(shí)，就會(huì)失去作為碳質(zhì)薄膜的特性， 所以優(yōu)選使[SiC]/[C]的值在0.5以下。-對(duì)骨適合性的研究分析_接下來，對(duì)形成在基材表面的碳質(zhì)薄膜的骨適合性進(jìn)行了評(píng)價(jià)。在對(duì)骨適合性進(jìn)行研究分析的過程中，使用的是在鈦板的表面已形成有碳質(zhì)薄膜的試料。評(píng)價(jià)所用碳質(zhì)薄膜的[SiC]/[C]值為 0.013。按以下所述步驟測量了破骨細(xì)胞的分化，由此而對(duì)試料的骨適合性進(jìn)行了評(píng)價(jià)。 首先,在NF-kB配體的受體激活劑(Rec印tor Activator of NF-kBLigand 以下RANK)存在的條件下讓試料和破骨前驅(qū)細(xì)胞接觸，在37°C下進(jìn)行了細(xì)胞培養(yǎng)。破骨前驅(qū)細(xì)胞使用的是， 已被確認(rèn)出由于RANK的存在而向破骨細(xì)胞分化的細(xì)胞株RAW264. 7細(xì)胞(TIB-71，ATCC)。接下來，用聚合酶鏈?zhǔn)椒磻?yīng)(PCR)法對(duì)與分化相關(guān)的基因即抗酒石酸酸性磷酸酶 (TRAP :tartrate-resistant acid phosphatase)禾口組織蛋白醇 K(cath印sin K)的表達(dá)進(jìn)行了定量，由此對(duì)向破骨細(xì)胞的分化做了評(píng)價(jià)。圖4是作為向破骨細(xì)胞的分化標(biāo)記對(duì)與分化有關(guān)的基因表達(dá)進(jìn)行了定量的結(jié)果， (a)示出TRAP的定量結(jié)果，(b)示出組織蛋白酶K的定量結(jié)果。作為比較的鈦板和形成有碳質(zhì)薄膜的鈦板任一鈦板中，在RANKL不存在的情況下，TRAP和組織蛋白酶K表達(dá)幾乎沒有，也幾乎不存在RAW264. 7細(xì)胞向破骨細(xì)胞的分化。 但是，RANKL存在的情況下，在未形成碳質(zhì)薄膜的鈦板中確認(rèn)到有TRAP和組織蛋白酶K的表達(dá)，RAW264.7細(xì)胞已向破骨細(xì)胞分化了。另一方面，在由碳質(zhì)薄膜覆蓋鈦板的情況下，幾乎沒有確認(rèn)到TRAP和組織蛋白酶K表達(dá)。這表明了 由碳質(zhì)薄膜覆蓋基材以后，該埋入物用材料與骨細(xì)胞的親和性提高，從而能夠抑制從破骨前驅(qū)細(xì)胞向破骨細(xì)胞分化。 在以上說明中以人造牙根為例。但是在人造牙等中也能夠?qū)崿F(xiàn)同樣的骨適合性和耐久性。而且，因?yàn)槟軌驕p少金屬的熔出，所以該埋入物用材料也非常適合用作齒冠修復(fù)和人造牙修復(fù)的材料。該埋入物用材料不僅能夠用作牙科用材料，該埋入物用材料對(duì)埋入在生物體內(nèi)、 需要與人造骨和人造關(guān)節(jié)等的骨細(xì)胞具有親和性的埋入物也適用。在實(shí)施例中，用濺射法形成了碳質(zhì)薄膜。但除此以外還可以采用其他方法。例如能夠采用DC磁控濺射法、RF磁控濺射法、化學(xué)氣相沉積法(CVD法)、等離子體CVD法、等離子體離子注入法、重疊型RF等離子體離子注入法、離子電鍍法、電弧離子電鍍法、離子束蒸鍍法或激光燒蝕法等。對(duì)碳質(zhì)薄膜的厚度并沒有特別的限定，優(yōu)選在0. 005 μ m 3 μ m的范圍內(nèi)，更優(yōu)選在0. ΟΙμ Ιμπ 的范圍內(nèi)。碳質(zhì)薄膜能夠直接形成在基材表面。為使基材和碳質(zhì)薄膜更加牢固地貼緊，可以在基材和碳質(zhì)薄膜之間設(shè)置中間層。中間層的材質(zhì)能夠根據(jù)基材的種類進(jìn)行選擇。能夠使用硅(Si)和碳(C)、鈦(Ti)和碳(C)或者鉻(Cr)和碳(C)形成的非晶質(zhì)膜等公知膜。對(duì)其厚度沒有特別限定，優(yōu)選在0. 005 μ m 0. 3 μ m的范圍內(nèi)，更優(yōu)選在0. 01 μ m 0. 1 μ m 的范圍內(nèi)。中間層能夠采用公知方法形成。例如有濺射法、CVD法、等離子體CVD法、溶射法、 離子電鍍法或電弧離子電鍍法等。_產(chǎn)業(yè)實(shí)用性-本發(fā)明所涉及碳質(zhì)薄膜及其制造方法，能夠?qū)崿F(xiàn)抑制從破骨前驅(qū)細(xì)胞向破骨細(xì)胞分化且在被施加了大載荷的情況下也難以產(chǎn)生惡化的埋入物用材料。特別是，本發(fā)明所涉及碳質(zhì)薄膜及其制造方法作為人造牙根和人造牙等需要與骨細(xì)胞之間具有親和性的牙科用材料及其制造方法等很有用。
權(quán)利要求
1.一種埋入物用材料，包括基材和形成在所述基材上且含有硅的碳質(zhì)薄膜，其特征在于所述碳質(zhì)薄膜含有碳原子彼此鍵合而成的C-C成分和碳原子與硅原子鍵合而成的SiC 成分，所述SiC成分的比率在0. 06以上。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的埋入物用材料，其特征在于 所述SiC成分的比率在0.5以下。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的埋入物用材料，其特征在于 所述基材是金屬。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的埋入物用材料，其特征在于 所述基材是人造牙根、人造牙或者齒冠修復(fù)物。
5.一種埋入物用材料的制造方法，其特征在于 包括工序a，在該工序a中，準(zhǔn)備埋入物用基材；工序b，在該工序b中，將載放有所述基材的空腔內(nèi)的水分除去；以及工序c，該工序c是在所述工序a之后，將成為所述碳源和硅源的原料氣體引入所述空腔內(nèi)，從而將含有碳原子彼此鍵合而成的C-C成分和碳原子與硅原子鍵合而成的SiC成分的碳質(zhì)薄膜離子蒸鍍?cè)诨谋砻妗?br> 全文摘要
本發(fā)明公開了一種埋入物用材料及其制造方法。該埋入物用材料包括基材和形成在基材表面且含硅的碳質(zhì)薄膜。碳質(zhì)薄膜含有碳原子彼此鍵合而成的C-C成分和碳原子與硅原子鍵合而成的SiC成分，SiC成分的比率在0.06以上。
文檔編號(hào)A61K6/00GK102307601SQ200980156439
公開日2012年1月4日 申請(qǐng)日期2009年2月10日 優(yōu)先權(quán)日2009年2月10日
發(fā)明者中谷達(dá)行, 二川浩樹, 岡本圭司, 峯裕一, 新田祐樹, 牧平清超, 阿部義紀(jì) 申請(qǐng)人:東洋先進(jìn)機(jī)床有限公司