本發(fā)明涉及一種項(xiàng)鏈，特別涉及一種體溫發(fā)電項(xiàng)鏈。
背景技術(shù)：
體溫發(fā)電是利用身體表面與外界環(huán)境的溫度差異來發(fā)電，這種方法是通過半導(dǎo)體，利用溫差來獲取電能。溫差發(fā)電的基本原理是“澤貝克”效應(yīng)，即兩種不同的金屬連接起來構(gòu)成一個閉合回路時，如果兩個連接點(diǎn)的溫度不一樣，就能產(chǎn)生微小的電壓?，F(xiàn)有的項(xiàng)鏈雖然有的具有照明功能，但是需要額外的電力來源。注意到項(xiàng)鏈一般佩戴在人體頸部，而人體頸部血管豐富，夜晚或冬季，頸部皮膚與外界環(huán)境溫差明顯。
技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：
本發(fā)明目的在于提供一種體溫發(fā)電項(xiàng)鏈，人體在佩戴的過程中能夠進(jìn)行發(fā)電，并利用所發(fā)電量進(jìn)行照明，簡單實(shí)用，有效地利用和節(jié)約資源。
本發(fā)明解決上述技術(shù)問題的技術(shù)方案如下：一種體溫發(fā)電項(xiàng)鏈，包括頸環(huán)、鏈體,其中，所述頸環(huán)內(nèi)設(shè)有體溫發(fā)電組件，所述體溫發(fā)電組件包括頸環(huán)外側(cè)的低導(dǎo)熱環(huán)殼體，頸環(huán)內(nèi)側(cè)設(shè)有高導(dǎo)熱環(huán)殼體；所述低導(dǎo)熱環(huán)殼體與高導(dǎo)熱環(huán)殼體之間至少設(shè)有一組p型半導(dǎo)體、n型半導(dǎo)體，進(jìn)一步每組p型半導(dǎo)體、n型半導(dǎo)體連接后串聯(lián)在一起；所述鏈體下方設(shè)有吊墜，進(jìn)一步吊墜內(nèi)設(shè)有照明燈；所述照明燈與體溫發(fā)電組件通過鏈體內(nèi)的電線接通。
進(jìn)一步，所述p型半導(dǎo)體中摻有受主雜質(zhì)。p型半導(dǎo)體，又稱為空穴型半導(dǎo)體。在純凈的硅晶體中摻入三價元素(如硼)，使之取代晶格中硅原子的位置，就形成p型半導(dǎo)體。p型半導(dǎo)體中正電荷量與負(fù)電荷量相等，故p型半導(dǎo)體呈電中性?？昭ㄖ饕呻s質(zhì)原子提供，自由電子由熱激發(fā)形成。摻入的雜質(zhì)越多，多子(空穴)的濃度就越高，導(dǎo)電性能就越強(qiáng)。
進(jìn)一步，所述n型半導(dǎo)體中摻有施主雜質(zhì)。n型半導(dǎo)體又稱為電子型半導(dǎo)體，參與導(dǎo)電的主要是帶負(fù)電的電子，這些電子來自半導(dǎo)體中的施主。凡摻有施主雜質(zhì)或施主數(shù)量多于受主的半導(dǎo)體都是n型半導(dǎo)體。例如，含有適量五價元素砷、磷、銻等的鍺或硅等半導(dǎo)體。
進(jìn)一步，所述每組p型半導(dǎo)體、n型半導(dǎo)體沿頸環(huán)進(jìn)行環(huán)狀布設(shè)。
進(jìn)一步，所述鏈體內(nèi)設(shè)有線型led燈。
本發(fā)明的有益效果是：體溫發(fā)電項(xiàng)鏈頸環(huán)內(nèi)設(shè)有體溫發(fā)電組件，體溫發(fā)電組件包括頸環(huán)外側(cè)的低導(dǎo)熱環(huán)殼體，頸環(huán)內(nèi)側(cè)設(shè)有高導(dǎo)熱環(huán)殼體，低導(dǎo)熱環(huán)殼體與高導(dǎo)熱環(huán)殼體之間至少設(shè)有一組p型半導(dǎo)體、n型半導(dǎo)體，進(jìn)一步每組p型半導(dǎo)體、n型半導(dǎo)體連接后串聯(lián)在一起，鏈體下方設(shè)有吊墜，進(jìn)一步吊墜內(nèi)設(shè)有照明燈，照明燈與體溫發(fā)電組件通過鏈體內(nèi)的電線接通。本發(fā)明能夠利用人體體溫發(fā)電，同時所發(fā)電量供照明裝置進(jìn)行照明，簡單實(shí)用，能夠有效地利用和節(jié)約資源。
附圖說明
圖1為體溫發(fā)電項(xiàng)鏈結(jié)構(gòu)示意圖。
具體實(shí)施方式
為使本發(fā)明的上述目的、特征和優(yōu)點(diǎn)能夠更加明顯易懂，下面結(jié)合附圖對本發(fā)明的具體實(shí)施方式做詳細(xì)的說明。在下面的描述中闡述了很多具體細(xì)節(jié)以便于充分理解本發(fā)明。但是本發(fā)明能夠以很多不同于在此描述的其它方式來實(shí)施，本領(lǐng)域技術(shù)人員可以在不違背本發(fā)明內(nèi)涵的情況下做類似改進(jìn)，因此本發(fā)明不受下面公開的具體實(shí)施例的限制。
除非另有定義，本文所使用的所有的技術(shù)和科學(xué)術(shù)語與屬于本發(fā)明的技術(shù)領(lǐng)域的技術(shù)人員通常理解的含義相同。本文中在本發(fā)明的說明書中所使用的術(shù)語只是為了描述具體的實(shí)施方式的目的，不是旨在于限制本發(fā)明。
如圖1所示，一種體溫發(fā)電項(xiàng)鏈，包括頸環(huán)1、鏈體2,頸環(huán)1內(nèi)設(shè)有體溫發(fā)電組件，體溫發(fā)電組件包括頸環(huán)1外側(cè)的低導(dǎo)熱環(huán)殼體4，頸環(huán)1內(nèi)側(cè)設(shè)有的高導(dǎo)熱環(huán)殼體5。低導(dǎo)熱環(huán)殼體4與高導(dǎo)熱環(huán)殼體5之間至少設(shè)有一組p型半導(dǎo)體、n型半導(dǎo)體，進(jìn)一步每組p型半導(dǎo)體、n型半導(dǎo)體連接后串聯(lián)在一起。鏈體2下方設(shè)有吊墜3，進(jìn)一步吊墜3內(nèi)設(shè)有照明燈6，照明燈6與體溫發(fā)電組件通過鏈體2內(nèi)的電線接通。
p型半導(dǎo)體中摻有受主雜質(zhì)。p型半導(dǎo)體，又稱為空穴型半導(dǎo)體。在純凈的硅晶體中摻入三價元素(如硼)，使之取代晶格中硅原子的位置，就形成p型半導(dǎo)體。p型半導(dǎo)體中正電荷量與負(fù)電荷量相等，故p型半導(dǎo)體呈電中性?？昭ㄖ饕呻s質(zhì)原子提供，自由電子由熱激發(fā)形成。摻入的雜質(zhì)越多，多子(空穴)的濃度就越高，導(dǎo)電性能就越強(qiáng)。
n型半導(dǎo)體中摻有施主雜質(zhì)。n型半導(dǎo)體又稱為電子型半導(dǎo)體，參與導(dǎo)電的主要是帶負(fù)電的電子，這些電子來自半導(dǎo)體中的施主。凡摻有施主雜質(zhì)或施主數(shù)量多于受主的半導(dǎo)體都是n型半導(dǎo)體。例如，含有適量五價元素砷、磷、銻等的鍺或硅等半導(dǎo)體。
每組p型半導(dǎo)體、n型半導(dǎo)體沿頸環(huán)進(jìn)行環(huán)狀布設(shè)。鏈體內(nèi)設(shè)有線型led燈。項(xiàng)鏈佩戴過程中，低導(dǎo)熱環(huán)殼體4與外界環(huán)境接觸，高導(dǎo)熱環(huán)殼體5與人體頸部皮膚接觸，低導(dǎo)熱環(huán)殼體4與高導(dǎo)熱環(huán)殼體5之間形成溫度差，p型半導(dǎo)體和n型半導(dǎo)體在熱端連接，則在冷端可得到一個電壓，將很多個這樣的pn連結(jié)串聯(lián)起來就可得到足夠的電壓，供照明燈6照明使用。
以上所述實(shí)施例的各技術(shù)特征可以進(jìn)行任意的組合，為使描述簡潔，未對上述實(shí)施例中的各個技術(shù)特征所有可能的組合都進(jìn)行描述，然而，只要這些技術(shù)特征的組合不存在矛盾，都應(yīng)當(dāng)認(rèn)為是本說明書記載的范圍。
以上所述實(shí)施例僅表達(dá)了本發(fā)明的幾種實(shí)施方式，其描述較為具體和詳細(xì)，但并不能因此而理解為對發(fā)明專利范圍的限制。應(yīng)當(dāng)指出的是，對于本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員來說，在不脫離本發(fā)明構(gòu)思的前提下，還可以做出若干變形和改進(jìn)，這些都屬于本發(fā)明的保護(hù)范圍。因此，本發(fā)明專利的保護(hù)范圍應(yīng)以所附權(quán)利要求為準(zhǔn)。