技術(shù)編號(hào)：9995697
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒(méi)有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。在現(xiàn)有的N0R(或非)閃存存儲(chǔ)器中，其存儲(chǔ)陣列的示例性結(jié)構(gòu)通常如圖1和圖2所示。存儲(chǔ)單元陣列10及偽單元陣列20、30位于同一 P阱40中，存儲(chǔ)單元陣列10的字線WL用于選通相應(yīng)的信息存儲(chǔ)管。偽單元陣列20、30的字線(即其控制刪)浮置(如圖1的存儲(chǔ)陣列所示)或者接地(如圖2的存儲(chǔ)陣列所示)，而且偽單元陣列20、30的源極與存儲(chǔ)單元陣列10的源極連接。P阱驅(qū)動(dòng)器60給P阱40提供電壓，P阱40位于深N阱50中。圖1和圖2所示的存儲(chǔ)陣列的缺點(diǎn)在于，在擦寫(xiě)存儲(chǔ)...
注意：該技術(shù)已申請(qǐng)專利，請(qǐng)尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。
該類技術(shù)無(wú)源代碼，用于學(xué)習(xí)原理，如您想要源代碼請(qǐng)勿下載。