技術編號：9916718
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術詳細信息。氮化鎵(GaN)半導體裝置由于其能以高頻切換、承載大電流、且支持高電壓的能力而與日倶增地合乎吾人所欲。這些裝置的發(fā)展普遍針對高功率/高頻率應用。針對這些類型應用制作的裝置系基于顯現高電子迀移率的一般裝置結構，且不同地被稱作異質接面場效晶體管(HFET)、高電子迀移率晶體管(HEMT)、或調變摻雜場效晶體管(MODFET)。這些類型的裝置典型地可忍受例如30V至2000V的高電壓，同時在例如10kHz-1OOGHz的高頻下運作。GaN HEMT裝置包括具有至...
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