技術(shù)編號(hào)：9813712
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。 隨著集成電路制造工藝的進(jìn)步，CMOS器件的特征尺寸已深入到納米級(jí)，數(shù)字電路 的供電電壓W及節(jié)點(diǎn)臨界電荷也在不斷下降，導(dǎo)致其越來越容易受到單粒子效應(yīng)(S抓）引 起的軟錯(cuò)誤的影響。特別是對(duì)于鎖存器或觸發(fā)器，一旦其內(nèi)部節(jié)點(diǎn)受到單粒子的影響，將造 成鎖存狀態(tài)翻轉(zhuǎn)，導(dǎo)致存儲(chǔ)的信號(hào)遭到破壞。單粒子效應(yīng)已成為數(shù)字集成電路軟錯(cuò)誤的主 要來源。對(duì)于應(yīng)用于特殊領(lǐng)域(航空航天，軍工等)的數(shù)字存儲(chǔ)忍片，有必要對(duì)其進(jìn)行抗福照 加固處理。 高性能的抗福照鎖存器具有臨界電荷大，翻轉(zhuǎn)恢...
注意：該技術(shù)已申請(qǐng)專利，請(qǐng)尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。
該類技術(shù)注重原理思路，無完整電路圖，適合研究學(xué)習(xí)。