技術(shù)編號：9812784
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。極紫外光刻(EUVL)是目前國際上最具潛力、可以滿足CD14nm以下節(jié)點IC量產(chǎn)的光刻技術(shù)。由于大部分氣體都吸收13.5nm的極紫外光，尤其是碳?xì)浠衔?、水蒸氣等氣體在極紫外光作用下分解，會造成極紫外反射鏡表面多層膜的碳沉積和氧化，而影響反射率，因此需要提供給光刻機(jī)清潔的真空環(huán)境。極紫外光刻機(jī)內(nèi)部具有大量的板級電子學(xué)系統(tǒng)，其中的PCB板和電子兀器件在真空環(huán)境下會釋放出大量的污染性氣體和微粒，嚴(yán)重破壞光刻機(jī)工作環(huán)境，因此需要為板級電子學(xué)系統(tǒng)設(shè)計真空密封裝置，...
注意：該技術(shù)已申請專利，請尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識儲備，不適合論文引用。
該類技術(shù)注重原理思路，無完整電路圖，適合研究學(xué)習(xí)。