技術(shù)編號(hào):9720303
提示:您尚未登錄,請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載,如果您還沒(méi)有賬戶(hù)請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ,登陸完成后,請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。 關(guān)于合成石英比例的制造,習(xí)慣上在CVD過(guò)程中由含硅的起始物料通過(guò)水解或氧 化并且將其沉積在移動(dòng)的支撐件上來(lái)形成Si0 2顆粒。該方法可以被分為外部和內(nèi)部沉積方 法。在外部沉積方法中,將Si〇2顆粒施加在旋轉(zhuǎn)支撐件的外部。相關(guān)的外部沉積方法的例子 包括所謂的0BD方法(外部氣相沉積)、VAD方法(氣相軸向沉積)或者PECVD方法(等離子體增 強(qiáng)化學(xué)氣相沉積)。內(nèi)部沉積方法的最有名的例子是MCVD方法(改良的化學(xué)氣相沉積),其中 Si〇2顆粒被沉積在從外部被...
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