技術(shù)編號:9689381
提示:您尚未登錄,請點 登 陸 后下載,如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ,登陸完成后,請刷新本頁查看技術(shù)詳細信息。 本發(fā)明是有關(guān)于薄膜晶體管(Thin Film Transistor,TFT)結(jié)構(gòu)及制造方法,且特別是適用于低溫多晶娃(Low Temperature Poly-silicon(LTPS))制程的薄膜晶體管結(jié)構(gòu),具有增加的儲存電容器(Cst)。背景技術(shù)在低溫多晶娃制程的薄膜晶體管液晶顯示器(Liquid Crystal Display(LCD))中,儲存電容器主要是由共同電極(Com)和像素電極(Pixel)所構(gòu)成。共同電極和像素電極一般是由透明的氧化銦錫...
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該專利適合技術(shù)人員進行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán),增加技術(shù)思路,做技術(shù)知識儲備,不適合論文引用。