技術(shù)編號：9689374
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。隨著疊層于三維半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)中的層數(shù)增加，三維半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)中的線形結(jié)構(gòu)的高度也跟著增加，并因而面臨倒塌或彎曲的問題。相較于線形結(jié)構(gòu)，孔洞結(jié)構(gòu)的強度更高。因此，孔洞結(jié)構(gòu)被引入至三維半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)中。舉例來說，在三維垂直通道存儲元件中，可構(gòu)建用于形成位線的孔洞。在三維垂直通道存儲元件中，因為金屬具有較低的電阻，字線層較佳地是由金屬所形成。如此一來，便需要進(jìn)行將多晶硅替換成金屬的步驟。此一替換步驟典型地是通過孔洞來進(jìn)行。然而，用于字線替換的孔洞和用于位線的孔洞并不是由自對...
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