技術(shù)編號(hào)：9632702
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。寬禁帶II1-V族半導(dǎo)體材料的迅猛發(fā)展使得高亮度發(fā)光二極管實(shí)現(xiàn)了綠光到近紫外產(chǎn)品的商業(yè)化。但目前商業(yè)化的LED大部分仍采用藍(lán)寶石襯底作為基板，因藍(lán)寶石與氮化物的晶格常數(shù)差異較大，外延層中的位錯(cuò)密度仍然高于~107，如此高的位錯(cuò)密度嚴(yán)重阻礙了器件內(nèi)量子效率的進(jìn)一步提升。低溫緩沖層的好壞是氮化物外延層中位錯(cuò)密度多寡的決定因素，目前商業(yè)化的方法是在M0CVD生長過程中先在400~600°C生長低溫緩沖層，然后升溫到900~1100°C生長三維或者準(zhǔn)二維層氮化物后...
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該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。