技術編號：9549393
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術詳細信息。 電子工業(yè)持續(xù)依賴于半導體技術的進步以實現(xiàn)在更緊湊的面積上的更強功能的 器件。對于許多應用而言，實現(xiàn)更強功能的器件要求將許多電子器件集成進單一硅片中。由 于在硅片的每一給定面積上的器件的數(shù)目上升，制造過程變得更加困難。 很多種類的半導體器件被制造出來，它們在許多領域具有各種應用。這種基于硅 的半導體器件通常包括金屬氧化物半導體場效應管（M0SFET)，例如P溝道MOS(PMOS)、N溝 道MOS(NMOS)以及互補型MOS(CMOS)晶體管、雙極晶體管、B...
注意：該技術已申請專利，請尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權人授權前，僅供技術研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術人員進行技術研發(fā)參考以及查看自身技術是否侵權，增加技術思路，做技術知識儲備，不適合論文引用。