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技術(shù)編號(hào)：9472883

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本發(fā)明涉及半導(dǎo)體存儲(chǔ)器，更具體地，涉及一種雙位SONOS存儲(chǔ)器及其編譯、擦除和讀取方法。背景技術(shù)對(duì)于NOR閃存記憶單元，限制其尺寸繼續(xù)縮減的最重要因素是柵長(zhǎng)的進(jìn)一步縮短。這主要是由于NOR閃存記憶單元所采用的溝道熱電子(CHE)注入的編譯方式要求器件漏端有一定的電壓，而這一電壓對(duì)源漏端的穿透有很大的影響。因此，對(duì)于短溝道器件來(lái)講，溝道熱電子(CHE)注入方式并不適用。另外一個(gè)問(wèn)題是與NAND和AND數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器件相比，NOR閃存受到了編譯率的限制。根據(jù)文獻(xiàn)“...
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