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本發(fā)明屬于半導(dǎo)體，具體的說(shuō)涉及一種增強(qiáng)型HEMT(High ElectronMobility Transistor，高電子迀移率晶體管)器件。背景技術(shù)基于GaN材料的高電子迀移率晶體管(HEMT)，由于高的電子飽和速度、二維電子氣(2DEG)溝道中高濃度電子以及較高的臨界擊穿電場(chǎng)，使得其在大電流、低功耗、高壓開(kāi)關(guān)器件應(yīng)用領(lǐng)域具有巨大的應(yīng)用前景。功率開(kāi)關(guān)器件的關(guān)鍵是實(shí)現(xiàn)高擊穿電壓、低導(dǎo)通電阻和高可靠性。HEMT器件的擊穿主要是由于柵肖特基結(jié)的泄漏電流和通過(guò)緩...
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