技術(shù)編號(hào):9344935
提示:您尚未登錄,請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載,如果您還沒(méi)有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ,登陸完成后,請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。液封直拉法(LiquidEncapsulated Czochralski Crystal Growth, LEC 晶體生長(zhǎng)法)是在傳統(tǒng)提拉法技術(shù)基礎(chǔ)上增加覆蓋劑的一種改進(jìn)的技術(shù),是一種工業(yè)化的半導(dǎo)體單晶生長(zhǎng)技術(shù)。在LEC法晶體生長(zhǎng)過(guò)程中,將晶體生長(zhǎng)的原料放在坩禍中加熱熔化,獲得一定的過(guò)熱度。將固定于拉晶桿上的籽晶從熔體表面浸入熔體中,發(fā)生部分熔化后,緩慢向上提拉籽晶桿,并通過(guò)籽晶桿散熱。與籽晶接觸的熔體首先獲得一定的過(guò)冷度,而發(fā)生結(jié)晶。不斷提拉籽晶桿,使結(jié)...
注意:該技術(shù)已申請(qǐng)專利,請(qǐng)尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出,在未取得專利權(quán)人授權(quán)前,僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán),增加技術(shù)思路,做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備,不適合論文引用。