技術(shù)編號：9275660
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細信息。作為III族氮化物材料最鮮明的特點之一，極化效應(yīng)在III族氮化物微電子和光電子器件中扮演了十分重要的角色。在GaN HEMT器件中，正是得益于較強的自發(fā)極化和壓電極化效應(yīng)，AlGaN/GaN HEMT表現(xiàn)出了非常卓越的器件性能，目前常規(guī)GaN HEMT器件最高輸出功率密度已經(jīng)達到41.4W/mm，而最高振蕩頻率(/_)也已經(jīng)達到了 500GHz。但是以上器件均基于突變結(jié)材料，即勢皇層材料與緩沖層材料組分有較大差異，且勢皇層材料組分恒定。近年來，一種基于氮化...
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