技術編號：9262186
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術詳細信息。隨著半導體工藝技術的不斷發(fā)展，隨著工藝節(jié)點逐漸減小，金屬柵極工藝得到了廣泛應用，來獲得理想的閾值電壓，改善器件性能。但是當器件的特征尺寸(CD，CriticalDimens1n)進一步下降時，即使采用金屬柵極工藝，常規(guī)的MOS場效應管的結構也已經(jīng)無法滿足對器件性能的需求，多柵器件作為常規(guī)器件的替代得到了廣泛的關注。鰭式場效應管(FinFET)是一種常見的多柵器件。FinFET中，柵極至少可以從兩側對溝道進行控制，比常規(guī)的MOS場效應管對溝道的控制能力強，能...
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